1.一種低損耗低驅(qū)動(dòng)電壓的高速偏振控制器，其特征在于，包括：基底晶片(5)、下粘接層(6)、鈮酸鋰單晶薄膜(7)、直條型光學(xué)波導(dǎo)(3-1)、下層金屬電極(8)、上層金屬電極(9)，
所述基底晶片(5)為光學(xué)級(jí)、雙面拋光的鈮酸鋰或石英晶片，其厚度為0.1mm至2mm；
所述下粘接層(6)為二氧化硅薄膜，位于基底晶片(5)與鈮酸鋰單晶薄膜(7)之間，厚度為0.1μm至5μm；
所述鈮酸鋰單晶薄膜(7)具有單晶結(jié)構(gòu)，切向?yàn)閄切Z傳或Y切Z傳，厚度為0.1μm至10μm；
所述直條型光學(xué)波導(dǎo)(3-1)為鈦擴(kuò)散波導(dǎo)，其擴(kuò)散寬度為0.1μm至10μm，擴(kuò)散深度為0.1μm至10μm；
所述下層金屬電極(8)為金或鋁薄膜電極，金屬薄膜厚度為0.1μm至30μm，位于直條型光學(xué)波導(dǎo)(3-1)的正下方、掩埋于下粘接層(6)中；
所述上層金屬電極(9)為金或鋁薄膜電極，金屬薄膜厚度為0.1μm至30μm，位于直條型光學(xué)波導(dǎo)(3-1)的上方并分置于直條型光學(xué)波導(dǎo)(3-1)的左右兩側(cè)，形成共面電極結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低損耗低驅(qū)動(dòng)電壓的高速偏振控制器，其特征在于，還包括金屬封裝管殼殼體(10)、金屬封裝管殼引腳(11)、金線(12)、單孔套管光纖模塊(13-1)，金屬封裝管殼引腳(11)通過(guò)金線(12)分別與下層金屬電極(8)和上層金屬電極(9)連接，直條型光學(xué)波導(dǎo)(3-1)的輸入端和輸出端分別與單孔套管光纖模塊(13-1)進(jìn)行耦合粘接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低損耗低驅(qū)動(dòng)電壓的高速偏振控制器，其特征在于，刻蝕區(qū)域(A)中的下層金屬電極(8)為通過(guò)干法刻蝕技術(shù)刻蝕掉該部分的鈮酸鋰單晶薄膜(7)露出來(lái)的，下層金屬電極(8)與金屬封裝管殼殼體(10)上的金屬封裝管殼引腳(11)進(jìn)行鍵合引線，上層金屬電極(9)通過(guò)金線(12)與金屬封裝管殼殼體(10)上的金屬封裝管殼引腳(11)進(jìn)行鍵合引線。
4.一種光量子偏振態(tài)控制模塊，其特征在于，包括：基底晶片(5)、下粘接層(6)、鈮酸鋰單晶薄膜(7)、直條型光學(xué)波導(dǎo)(3-1)、下層金屬電極(8)、上層金屬電極(9)、定向耦合器型光學(xué)波導(dǎo)(3-2)、金屬封裝管殼，
所述基底晶片(5)為光學(xué)級(jí)、雙面拋光的鈮酸鋰或石英晶片，其厚度為0.1mm至2mm；
所述下粘接層(6)為二氧化硅薄膜，位于基底晶片(5)與鈮酸鋰單晶薄膜(7)之間，厚度為0.1μm至5μm；
所述鈮酸鋰單晶薄膜(7)具有單晶結(jié)構(gòu)，切向?yàn)閄切Z傳或Y切Z傳，厚度為0.1μm至10μm；
所述直條型光學(xué)波導(dǎo)(3-1)為鈦擴(kuò)散波導(dǎo)，其擴(kuò)散寬度為0.1μm至10μm，擴(kuò)散深度為0.1μm至5μm；
所述下層金屬電極(8)為金或鋁薄膜電極，金屬薄膜厚度為0.1μm至30μm，位于直條型光學(xué)波導(dǎo)(3-1)的正下方、掩埋于下粘接層(6)中；
所述上層金屬電極(9)為金或鋁薄膜電極，金屬薄膜厚度為0.1μm至30μm，位于直條型光學(xué)波導(dǎo)(3-1)的上方并分置于直條型光學(xué)波導(dǎo)的左右兩側(cè)，形成共面電極結(jié)構(gòu)；
所述定向耦合器型光學(xué)波導(dǎo)(3-2)為鈦擴(kuò)散波導(dǎo)，采用定向耦合器型結(jié)構(gòu)，其擴(kuò)散寬度為0.1μm至10μm，擴(kuò)散深度為0.1μm至10μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種光量子偏振態(tài)控制模塊，其特征在于，所述金屬封裝管殼包括：金屬封裝管殼殼體(10)、金屬封裝管殼引腳(11)、金線(12)、單孔套管光纖模塊(13-1)、雙孔套管光纖模塊或雙套管光纖模塊(13-2)；金屬封裝管殼引腳(11)通過(guò)金線(12)分別與下層金屬電極(8)和上層金屬電極(9)連接，直條型光學(xué)波導(dǎo)(3-1)的輸入端、定向耦合器型光學(xué)波導(dǎo)(3-2)的輸出端分別與單孔套管光纖模塊(13-1)、雙孔套管光纖模塊或雙套管光纖模塊(13-2)進(jìn)行耦合粘接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種光量子偏振態(tài)控制模塊，其特征在于，單孔套管光纖模塊(13-1)包括單孔的鈮酸鋰套管或玻璃套管以及一根單模光纖或保偏光纖，粘接于直條型光學(xué)波導(dǎo)(3-1)的輸入端，雙孔套管光纖模塊或雙套管光纖模塊(13-2)包括雙孔的鈮酸鋰套管或玻璃套管，或兩個(gè)單孔的鈮酸鋰套管或玻璃套管，套管的雙孔或兩個(gè)單孔各穿有一根單模光纖或保偏光纖，雙孔套管光纖模塊或雙套管光纖模塊(13-2)粘接于定向耦合器型光學(xué)波導(dǎo)(3-2)的輸出端。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種光量子偏振態(tài)控制模塊，其特征在于，刻蝕區(qū)域(A)中的下層金屬電極(8)為通過(guò)干法刻蝕技術(shù)刻蝕掉該部分的鈮酸鋰單晶薄膜(7)露出來(lái)的，下層金屬電極(8)與金屬封裝管殼殼體(10)上的金屬封裝管殼引腳(11)進(jìn)行鍵合引線，上層金屬電極(9)通過(guò)金線(12)與金屬封裝管殼殼體(10)上的金屬封裝管殼引腳(11)。