本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜板。

背景技術(shù)：

目前液晶顯示面板的陣列基板上的薄膜晶體管電路為多層結(jié)構(gòu)，需要通過VIA(過孔)連接不同層的電路，實(shí)際生產(chǎn)中經(jīng)常由于過孔的邊界斜坡的坡度(profile)較大，導(dǎo)致ITO(氧化銦錫)電極層沉積時發(fā)生斷路(step open)，從而引發(fā)各種顯示問題，產(chǎn)品良率大幅下降，生產(chǎn)成本隨之升高。過孔的刻蝕profile很大程度上是受掩膜板的圖案形狀(mask profile)影響，而掩膜板的圖案形狀(mask profile)受曝光影響較大。通過改善過孔邊緣的曝光量可在一定程度上降低過孔的坡度角。

圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的用于形成過孔的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中，掩膜板的主要是通過激光在掩膜板1上開了一個開口，形成透光區(qū)2。正常曝光時，由于掩膜板1的透光區(qū)2透過光的能量密度呈正態(tài)分布形式，中間密度大，光刻膠(PR膠)3會完全曝光，而邊緣密度小，光刻膠(PR膠)3會部分曝光，因而會形成一個類似錐形平臺的過孔，過孔的邊緣的倒角即為坡度角α。

根據(jù)公式tanα＝2T/(D1-D2)，在PR膠厚度T不變的情況下，只有適當(dāng)增大曝光劑量(dose)，透過光能量密度曲線變扁平，才能減小過孔的邊緣坡度角，但是增大曝光劑量所形成的過孔的CD(Critical Dimension，關(guān)鍵尺寸)會變大，不符合設(shè)計(jì)需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種掩膜板，其是通過對掩膜板進(jìn)行改進(jìn)，可以使得利用該掩膜板形成的過孔，在不變更原產(chǎn)品設(shè)計(jì)的過孔CD的基礎(chǔ)上，對過孔的邊界位置處的斜坡形狀(profile)進(jìn)行改良，有效減小過孔的邊界斜坡坡度角，從而增大過孔刻蝕設(shè)備管控(margin)，降低上層ITO層發(fā)生不良，防止出現(xiàn)各種相關(guān)產(chǎn)品問題，提高良率。

本實(shí)用新型所提供的技術(shù)方案如下：

一種掩膜板，包括：完全透光區(qū)和完全不透光區(qū)；在所述完全透光區(qū)和所述完全不透光區(qū)之間的交界位置形成有用于與掩膜形成的開口圖案的邊界斜坡位置相對應(yīng)的能夠使得光部分透過的部分透光區(qū)。

進(jìn)一步的，所述部分透光區(qū)包括能夠使得光透過時發(fā)生光衍射現(xiàn)象的光衍射結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述光衍射結(jié)構(gòu)包括：

在所述完全透光區(qū)和所述完全不透光區(qū)的交界位置處，沿所述完全透光區(qū)和所述完全不透光區(qū)的交界線間隔排列的多個衍射突起塊。

進(jìn)一步的，相鄰兩個衍射突起塊之間的間隙為能夠使得在相鄰兩個衍射突起塊之間發(fā)生光衍射現(xiàn)象的第一預(yù)設(shè)間隙，所述第一預(yù)設(shè)間隙小于掩膜工藝所采用的曝光機(jī)的分辨率。

進(jìn)一步的，所述衍射突起塊的形狀為三角形，多個所述衍射突起塊呈鋸齒狀排列，且從靠近所述完全透光區(qū)一側(cè)到靠近所述完全不透光區(qū)的一側(cè)的方向上，相鄰兩個衍射突起塊之間的距離逐漸減小。

進(jìn)一步的，所述衍射突起塊與所述掩膜板的完全不透光區(qū)采用的材料相同，并連接為一體結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述光衍射結(jié)構(gòu)包括衍射遮光環(huán)，所述衍射遮光環(huán)環(huán)繞所述完全透光區(qū)和所述完全不透光區(qū)的交界線設(shè)置，并與所述完全不透光區(qū)的邊緣之間具有第二預(yù)設(shè)間隙。

進(jìn)一步的，所述第二預(yù)設(shè)間隙能夠使得光透過時發(fā)生光衍射現(xiàn)象，且所述第二預(yù)設(shè)間隙小于掩膜工藝所采用的曝光機(jī)的分辨率。

進(jìn)一步的，所述衍射遮光環(huán)為與所述掩膜板的完全不透光區(qū)采用相同的材料形成的完全不透光的矩形或圓形環(huán)結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述部分透光結(jié)構(gòu)包括：在所述完全透光區(qū)和所述完全不透光區(qū)的交界位置處設(shè)置的半透光膜。

本實(shí)用新型的有益效果如下：

本實(shí)用新型所提供的掩膜板，在完全透光區(qū)和完全不透光區(qū)的邊界位置處設(shè)置部分透光區(qū)，可以對由該掩膜板掩膜形成的開口圖案(如：過孔等)的邊界處斜坡的坡度進(jìn)行控制改良，與現(xiàn)有技術(shù)中相比，開口圖案斜坡的坡度緩和，從而在不變更原產(chǎn)品設(shè)計(jì)的過孔CD的基礎(chǔ)上，通過對開口圖案的邊界位置處的斜坡形狀(profile)進(jìn)行改良，以降低開口圖案邊緣曝光能量，從而提高開口圖案刻蝕設(shè)備管控(margin)，降低上層ITO層發(fā)生不良，防止出現(xiàn)各種相關(guān)產(chǎn)品問題，提高良率。

附圖說明

圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中的掩膜板形成過孔的示意圖；

圖2表示本實(shí)用新型實(shí)施例1中提供的掩膜板形成過孔的示意圖；

圖3表示本實(shí)用新型實(shí)施例1中提供的掩膜板的主視圖；

圖4表示本實(shí)用新型實(shí)施例2中提供的掩膜板形成過孔的示意圖；

圖5表示本實(shí)用新型實(shí)施例2中提供的掩膜板的主視圖；

圖6表示本實(shí)用新型實(shí)施例3中提供的掩膜板形成過孔的示意圖；

圖7表示本實(shí)用新型實(shí)施例3中提供的掩膜板的主視圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋緦?shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

本實(shí)用新型實(shí)施例中提供了一種掩膜板，其通過對掩膜板進(jìn)行改進(jìn)，可以使得利用該掩膜板形成的開口圖案(如：過孔等)，在不變更原產(chǎn)品設(shè)計(jì)的開口圖案CD的基礎(chǔ)上，對掩膜形成的開口圖案的邊界位置處的斜坡形狀(profile)進(jìn)行改良，有效減小開口圖案的邊界斜坡坡度角，從而增大開口圖案刻蝕設(shè)備管控(margin)，降低上層ITO層發(fā)生不良，防止出現(xiàn)各種相關(guān)產(chǎn)品問題，提高良率。

如圖2至7所示，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的掩膜板包括：完全透光區(qū)100和完全不透光區(qū)200；在所述完全透光區(qū)100和所述完全不透光區(qū)200之間的交界位置形成有用于與掩膜形成的開口圖案的邊界斜坡11位置相對應(yīng)的、能夠使得光部分透過的部分透光區(qū)。

本實(shí)用新型所提供的掩膜板，在完全透光區(qū)100和完全不透光區(qū)200的邊界位置處設(shè)置部分透光區(qū)，由于所述部分透光區(qū)可以使得部分光透光，可以減弱透過的光能量，從而，由于透過光經(jīng)半透膜后能量被削弱，使得所形成的開口圖案(如圖中所示的過孔10)的邊界位置處的光刻膠20部分曝光，與現(xiàn)有技術(shù)中相比，可以減小過孔10的邊界斜坡11坡度角，從而在不變更原產(chǎn)品設(shè)計(jì)的開口圖案CD的基礎(chǔ)上，通過對開口圖案的邊界位置處的斜坡11形狀(profile)進(jìn)行改良，以降低開口圖案邊緣曝光能量，從而提高開口圖案刻蝕設(shè)備管控(margin)，降低上層ITO層發(fā)生不良，防止出現(xiàn)各種相關(guān)產(chǎn)品問題，提高良率。

其中，需要說明的是，光刻膠20可以是正性光刻膠20，也可以是負(fù)性光刻膠20。當(dāng)光刻膠20為正性光刻膠20時，完全透光區(qū)100則用于掩膜形成過孔10；當(dāng)光刻膠20為負(fù)性光刻膠20時，則完全不透光區(qū)200用于掩膜形成過孔10。

還需要說明的是，所述開口圖案可以包括過孔或其他開口圖案。

以下均以光刻膠20為正性光刻膠20，開口圖案為過孔為例，來對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的說明。

所述部分透光區(qū)可以是能夠使得光透過時發(fā)生光衍射現(xiàn)象的光衍射結(jié)構(gòu)，掩膜板上的完全透光區(qū)100的尺寸較現(xiàn)有技術(shù)中掩膜板的完全透光區(qū)100的尺寸可以略偏大(如圖2中D3、圖4中D4和圖6中D5的尺寸大于圖1中D1尺寸略偏大)，曝光時，適當(dāng)增強(qiáng)曝光能量(dose)，通過部分透光區(qū)的光衍射結(jié)構(gòu)，使得透過部分透光區(qū)的光發(fā)生光衍射現(xiàn)象，光能量被削弱，使得過孔10的邊界位置處的光刻膠20部分曝光，從而減小過孔10的邊界斜坡11的坡度角。

此外，所述部分透光區(qū)還可以是在所述完全透光區(qū)100和所述完全不透光區(qū)200的交界位置處設(shè)置的半透光膜，掩膜板上的完全透光區(qū)100的CD尺寸較現(xiàn)有技術(shù)中掩膜板的完全透光區(qū)100的CD尺寸可以略偏大，曝光時，適當(dāng)增強(qiáng)曝光能量(dose)，通過部分透光區(qū)的半透光膜時，光能量被削弱，使得過孔10的邊界位置處的光刻膠20部分曝光，從而減小過孔10的邊界斜坡11坡度角。

當(dāng)然可以理解的是，在實(shí)際應(yīng)用中，所述部分透光區(qū)還可以是通過其他方式來使得部分光透光，在此不進(jìn)行局限。

具體地，本實(shí)用新型的實(shí)施例中還提供了以下三種優(yōu)選的實(shí)施例。

實(shí)施例1

圖2和圖3所示為本實(shí)用新型所提供的第一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖2和圖3所示，在本實(shí)施例中，所述掩膜板包括：完全透光區(qū)100和完全不透光區(qū)200；在所述完全透光區(qū)100和所述完全不透光區(qū)200之間的交界位置形成有用于與掩膜形成的過孔10的邊界斜坡11位置相對應(yīng)的能夠使得光部分透過的部分透光區(qū)；

其中，所述部分透光區(qū)采用光衍射結(jié)構(gòu)，所述光衍射結(jié)構(gòu)包括：

在所述完全透光區(qū)100和所述完全不透光區(qū)200的交界位置處，沿所述完全透光區(qū)100和所述完全不透光區(qū)200的交界線間隔排列的多個衍射突起塊300。

優(yōu)選的，相鄰兩個衍射突起塊300之間的間隙為能夠使得在相鄰兩個衍射突起塊300之間發(fā)生光衍射現(xiàn)象的第一預(yù)設(shè)間隙，所述第一預(yù)設(shè)間隙小于掩膜工藝所采用的曝光機(jī)的分辨率。

采用上述方案，衍射突起塊300之間的間隙小于曝光機(jī)分辨率，由于光衍射作用，這樣在衍射突起塊300下面有一定的透光度，又不會完全解析光刻膠20，從而會在過孔10的邊界處形成的斜坡11較為平緩。

在本實(shí)施例中，優(yōu)選的，如圖3所示，所述衍射突起塊300的形狀為三角形，多個所述衍射突起塊300呈鋸齒狀排列，且從靠近所述完全透光區(qū)100一側(cè)到靠近所述完全不透光區(qū)200的一側(cè)的方向上，相鄰兩個衍射突起塊300之間的距離逐漸減小。

采用上述方案，通過將掩膜板上的完全透光區(qū)100與完全不透光區(qū)200的邊界設(shè)計(jì)成鋸齒狀結(jié)構(gòu)，透射光經(jīng)過鋸齒結(jié)構(gòu)時發(fā)生衍射，鋸齒狀結(jié)構(gòu)附近的光能量被減弱，從而使過孔10邊緣的光刻膠20部分曝光，達(dá)到減小過孔10的邊界斜坡11坡度角的效果。

需要說明的是，在其他實(shí)施例中，所述衍射突起塊300還可以是其他形狀，例如：矩形等，在此不對于所述衍射突起塊300的具體形狀來進(jìn)行限定。

此外，在本實(shí)施例中，優(yōu)選的，如圖3所示，所述衍射突起塊300與所述掩膜板的完全不透光區(qū)200采用的材料相同，并連接為一體結(jié)構(gòu)。

采用上述方案，所述衍射突起塊300可以是掩膜板的完全不透光區(qū)200一體成型，制作工藝簡單。

需要說明的是，在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，根據(jù)實(shí)際需求，所述衍射突起塊300也可以是與所述掩膜板的完全不透光區(qū)200的材料不同，例如：所述衍射突起塊300可以是采用半透光材料制成。

實(shí)施例2

圖4和圖5所示為本實(shí)用新型所提供的第二種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖4和圖5所示，在本實(shí)施例中，所述掩膜板包括：完全透光區(qū)100和完全不透光區(qū)200；在所述完全透光區(qū)100和所述完全不透光區(qū)200之間的交界位置形成有用于與掩膜形成的過孔10的邊界斜坡11位置相對應(yīng)的能夠使得光部分透過的部分透光區(qū)；

其中，所述部分透光區(qū)采用光衍射結(jié)構(gòu)，所述光衍射結(jié)構(gòu)包括：衍射遮光環(huán)500，所述衍射遮光環(huán)500環(huán)繞所述完全透光區(qū)100和所述完全不透光區(qū)200的交界線設(shè)置，并與所述完全不透光區(qū)200的邊緣之間具有第二預(yù)設(shè)間隙501。優(yōu)選的，所述第二預(yù)設(shè)間隙501能夠使得光透過時發(fā)生光衍射現(xiàn)象，且所述第二預(yù)設(shè)間隙501小于掩膜工藝所采用的曝光機(jī)的分辨率。

采用上述方案，通過將掩膜板上的完全透光區(qū)100與完全不透光區(qū)200的邊界設(shè)計(jì)一圈衍射遮光環(huán)500，衍射遮光環(huán)500與完全不透光區(qū)200之間的間隙可以使得光透過時發(fā)生光衍射現(xiàn)象，使得光能量被減弱，從而使過孔10邊緣的光刻膠20部分曝光，達(dá)到減小過孔10的邊界斜坡11坡度角的效果。

需要說明的是，在其他實(shí)施例中，所述衍射遮光環(huán)500上還可以再單獨(dú)設(shè)計(jì)一圈縫隙，且該縫隙能夠使得光透過時發(fā)生光衍射現(xiàn)象，縫隙寬度小于掩膜工藝所采用的曝光機(jī)的分辨率。

此外，在本實(shí)施例中，優(yōu)選的，如圖5所示，所述衍射遮光環(huán)500為與所述掩膜板的完全不透光區(qū)200采用相同的材料形成的完全不透光的矩形或圓形環(huán)結(jié)構(gòu)。

采用上述方案，所述衍射遮光環(huán)500可以是掩膜板的完全不透光區(qū)200材料相同，在制作時，通過在掩膜板上過孔10內(nèi)側(cè)對應(yīng)的位置畫一圈縫隙(slit pattern)來形成所述衍射遮光環(huán)500，制作工藝簡單。

需要說明的是，在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，根據(jù)實(shí)際需求，所述衍射遮光環(huán)500也可以是與所述掩膜板的完全不透光區(qū)200的材料不同，例如：所述衍射遮光環(huán)500可以是采用半透光材料制成。

實(shí)施例3

圖6和圖7所示為本實(shí)用新型所提供的第三種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖6和圖7所示，在本實(shí)施例中，所述掩膜板包括：完全透光區(qū)100和完全不透光區(qū)200；在所述完全透光區(qū)100和所述完全不透光區(qū)200之間的交界位置形成有用于與掩膜形成的過孔10的邊界斜坡11位置相對應(yīng)的能夠使得光部分透過的部分透光區(qū)；其中，所述部分透光區(qū)采用半透光膜600。

采用上述方案，通過將掩膜板上的完全透光區(qū)100與完全不透光區(qū)200的邊界增加一圈半透光膜600，透射光經(jīng)過半透光膜600的光能量降低，從而使過孔10邊緣的光刻膠20部分曝光，達(dá)到減小過孔10的邊界斜坡11坡度角的效果。其中需要說明的是，在此所述半透光膜600的透光率并不進(jìn)行局限，可以是1/2透光膜、1/3透光膜或2/3透光膜等。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。