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一種抗藍(lán)光電磁屏蔽增亮膜的制作方法

文檔序號(hào):11987538閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種抗藍(lán)光電磁屏蔽增亮膜,包含有:上擴(kuò)散膜(15)、下擴(kuò)散膜(16),其特征在于,所述上擴(kuò)散膜(15)下面設(shè)有上增亮膜(20),所述上增亮膜(20)包含從下往上依次設(shè)置的抗藍(lán)光UV高粘膠層(22)、A基材(21)、棱鏡結(jié)構(gòu)層(41),所述棱鏡結(jié)構(gòu)層(41)設(shè)置在A基材(21)上面;

所述下擴(kuò)散膜(16)上面設(shè)有下增亮膜(30),所述下增亮膜(30)包含從下往上依次設(shè)置的B基材(31)、納米吸波層(33)和棱鏡結(jié)構(gòu)層(41);所述上增亮膜(20)設(shè)置在下增亮膜(30)上面;

所述棱鏡結(jié)構(gòu)層(41)由多個(gè)棱鏡單體(42)組成,所述棱鏡單體(42)沿其長度方向相互水平設(shè)置在A基材(21)與B基材(31)上;若干棱鏡單體(42)沿其長度方向平行分布設(shè)置組成棱鏡結(jié)構(gòu)層(41)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗藍(lán)光電磁屏蔽增亮膜,其特征在于,所述納米吸波層(33)厚度d6為5~17μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗藍(lán)光電磁屏蔽增亮膜,其特征在于,所述A基材(21)、B基材(31)厚度d1為30~150μm,所述棱鏡結(jié)構(gòu)層(41)高度d2為7~20μm,所述抗藍(lán)光UV高粘膠層(22)厚度d5為3~8μm;所述棱鏡結(jié)構(gòu)層(41)和抗藍(lán)光UV高粘膠層(22)設(shè)置在A基材(21)的上面,所述A基材(21)的上面引入抗藍(lán)光UV高粘膠層(22),在所述抗藍(lán)光UV高粘膠層(22)上面設(shè)置棱鏡結(jié)構(gòu)層(41)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗藍(lán)光電磁屏蔽增亮膜,其特征在于,所述棱鏡單體(42)截面為一等腰三角形,所述棱鏡單體(42)等腰三角形頂角的角度α為85~95°;所述棱鏡單體(42)等腰三角形底邊邊長d3為28~55μm;納米吸波層(33)厚度d6為11~14μm,抗藍(lán)光UV高粘膠層(22)厚度d5為8~20μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗藍(lán)光電磁屏蔽增亮膜,其特征在于,所述B基材(31)上的棱鏡單體(42)頂部為一圓頂,B基材(31)上的棱鏡單體(42)頂部的圓頂半徑大小為3~8μm,棱鏡單體(42)圓頂之間的間距d4為12~35μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種抗藍(lán)光電磁屏蔽增亮膜,其特征在于,所述A基材(21)、B基材(31)材料為聚酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯膜的一種,所述A基材(21)、B基材(31)材料透光率在90%以上,霧度小于1%。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種抗藍(lán)光電磁屏蔽增亮膜,其特征在于,所述棱鏡結(jié)構(gòu)層(41)為丙烯酸UV固化樹脂層,所述下增亮膜(30)與上增亮膜(20)的棱鏡單體長度方向相互垂直。

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