本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)，涉及一種用于形成色阻層、黑矩陣的拼接單元光罩。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示屏已經(jīng)成為最為常見(jiàn)的顯示裝置。液晶顯示屏具有高空間利用率、低功耗、無(wú)輻射以及低電磁干擾等優(yōu)越特性，因此在電視、手機(jī)、平板電腦等信息溝通工具中得到廣泛使用。

隨著人們對(duì)大尺寸顯示的青睞，大尺寸液晶面板的需求不斷增加，但受限于光罩尺寸，大于光罩尺寸的液晶面板在制作過(guò)程中需使用拼接曝光技術(shù)。拼接光罩時(shí)，拼接斑紋(mura)一直是關(guān)鍵問(wèn)題。馬賽克(mosaic)拼接是一種常用的光罩拼接技術(shù)，多用于色阻層制程中層別的拼接。以馬賽克拼接為例，為防止曝光對(duì)位誤差及制程因素導(dǎo)致拼接圖案(pattern)不完整，設(shè)計(jì)圖案時(shí)，拼接的圖案間需要有重復(fù)區(qū)域。

如圖1所示，現(xiàn)有的馬賽克拼接光罩設(shè)計(jì)中，拼接處光罩上的圖案設(shè)計(jì)為互補(bǔ)的圖案，拼接后成為一個(gè)完整的圖案。在拼接光罩設(shè)計(jì)時(shí)，為防止曝光對(duì)位誤差導(dǎo)致拼接圖案不完整，馬賽克拼接區(qū)的圖案會(huì)在拼接方向上多設(shè)計(jì)5μm左右，拼接曝光時(shí)就會(huì)該區(qū)域就會(huì)重復(fù)曝光。重復(fù)曝光的區(qū)域會(huì)導(dǎo)致拼接斑紋現(xiàn)象。

現(xiàn)有的拼接分割方法中存在較多的重復(fù)區(qū)域，曝光時(shí)該重復(fù)區(qū)域會(huì)重復(fù)曝光，會(huì)導(dǎo)致該區(qū)域的曝光量與其它正常區(qū)域的曝光量存在差異，因此易產(chǎn)生拼接斑紋。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種用于形成色阻層、黑矩陣的拼接單元光罩，以解決現(xiàn)有的拼接曝光技術(shù)存在易產(chǎn)生拼接斑紋的技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明提供一種用于形成色阻層的拼接單元光罩，所述拼接單元光罩包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域；

所述透光區(qū)域?qū)?yīng)于色阻層的去除區(qū)域，所述不透光區(qū)域?qū)?yīng)于色阻層的保留區(qū)域；

所述拼接單元光罩的邊緣設(shè)置有拼接重疊區(qū)域，所述拼接重疊區(qū)域位于黑矩陣區(qū)域之內(nèi)。

進(jìn)一步的是，所述拼接重疊區(qū)域設(shè)置于所述拼接單元光罩的上邊緣和下邊緣，且沿橫向延伸；

所述不透光區(qū)域沿縱向延伸。

優(yōu)選的是，所述拼接重疊區(qū)域中采用馬賽克拼接圖案。

優(yōu)選的是，所述拼接重疊區(qū)域的寬度為10至15微米。

本發(fā)明還提供一種用于形成黑矩陣的拼接單元光罩，所述拼接單元光罩包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域；

所述透光區(qū)域?qū)?yīng)于像素單元的開(kāi)口區(qū)域，所述不透光區(qū)域?qū)?yīng)于像素單元的黑矩陣區(qū)域；

所述拼接單元光罩的邊緣設(shè)置有拼接重疊區(qū)域，所述拼接重疊區(qū)域跨越至少兩個(gè)像素單元的開(kāi)口區(qū)域。

在一種實(shí)施方式中，所述黑矩陣的圖形為無(wú)數(shù)據(jù)線黑矩陣圖形。

在另一種實(shí)施方式中，所述黑矩陣的圖形覆蓋掃描線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管。

進(jìn)一步的是，所述拼接重疊區(qū)域跨越四個(gè)像素單元的開(kāi)口區(qū)域；

所述四個(gè)像素單元分別位于相鄰的兩行兩列中。

優(yōu)選的是，所述拼接重疊區(qū)域中采用馬賽克拼接圖案。

優(yōu)選的是，所述拼接重疊區(qū)域的寬度為10至15微米。

本發(fā)明帶來(lái)了以下有益效果：本發(fā)明提供的用于形成色阻層的拼接單元光罩中，包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域。其中，透光區(qū)域?qū)?yīng)于色阻層的去除區(qū)域，不透光區(qū)域?qū)?yīng)于色阻層的保留區(qū)域。另外，在拼接單元光罩的邊緣設(shè)置有拼接重疊區(qū)域，拼接重疊區(qū)域位于黑矩陣區(qū)域之內(nèi)。利用該拼接單元光罩對(duì)紅色、綠色或藍(lán)色的色阻層進(jìn)行曝光時(shí)，多個(gè)拼接單元光罩之間的重疊區(qū)域位于黑矩陣區(qū)域之內(nèi)，而在該區(qū)域形成的黑矩陣能夠遮擋重復(fù)曝光造成的斑紋，因此能夠顯著降低發(fā)生拼接斑紋的風(fēng)險(xiǎn)。

本發(fā)明提供的用于形成黑矩陣的拼接單元光罩中，透光區(qū)域?qū)?yīng)于像素單元的開(kāi)口區(qū)域，不透光區(qū)域?qū)?yīng)于像素單元的黑矩陣區(qū)域。另外，拼接單元光罩的邊緣設(shè)置有拼接重疊區(qū)域，且拼接重疊區(qū)域跨越至少兩個(gè)像素單元的開(kāi)口區(qū)域。利用該拼接單元光罩對(duì)黑矩陣進(jìn)行曝光時(shí)，多個(gè)拼接單元光罩之間會(huì)形成重疊區(qū)域。因?yàn)樵撝丿B區(qū)域跨越至少兩個(gè)像素單元的開(kāi)口區(qū)域，所以該重疊區(qū)域中的大部分都位于像素單元的開(kāi)口區(qū)域，而只有小部分位于黑矩陣區(qū)域。因此，拼接曝光造成的斑紋只有很少的部分位于黑矩陣區(qū)域，從而能夠顯著降低發(fā)生拼接斑紋的風(fēng)險(xiǎn)。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分的從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說(shuō)明

為了更清楚的說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹：

圖1是現(xiàn)有的馬賽克拼接光罩的拼接區(qū)域的示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的拼接單元光罩的拼接的示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例二提供的拼接單元光罩的拼接的示意圖；

圖4是現(xiàn)有的拼接單元光罩的拼接的示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例三提供的拼接單元光罩的拼接的示意圖；

圖6是另一種現(xiàn)有的拼接單元光罩的拼接的示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于形成色阻層、黑矩陣的拼接單元光罩，以解決現(xiàn)有的拼接曝光技術(shù)存在易產(chǎn)生拼接斑紋的技術(shù)問(wèn)題。

實(shí)施例一：

如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于形成色阻層的拼接單元光罩，其中包括透光區(qū)域11和不透光區(qū)域12。透光區(qū)域11對(duì)應(yīng)于色阻層的去除區(qū)域，不透光區(qū)域12對(duì)應(yīng)于色阻層的保留區(qū)域。拼接單元光罩的邊緣設(shè)置有拼接重疊區(qū)域13，且拼接重疊區(qū)域13位于黑矩陣區(qū)域之內(nèi)。

作為一個(gè)優(yōu)選方案，拼接重疊區(qū)域13中采用馬賽克拼接圖案，且拼接重疊區(qū)域13的寬度為10至15微米。

本實(shí)施例中，拼接重疊區(qū)域13設(shè)置于拼接單元光罩的上邊緣和下邊緣，且沿橫向延伸，而透光區(qū)域11和不透光區(qū)域12均沿縱向延伸。

本實(shí)施例以g8.5產(chǎn)線的大板上排布3片65寸基板為例進(jìn)行說(shuō)明。65寸基板四周的邊框都是5毫米，則曝光的面積為1438×813微米，大于光罩尺寸(1400×1120微米)，因此生產(chǎn)65寸及以上尺寸的基板需用到光罩拼接技術(shù)。

利用本發(fā)明實(shí)施例提供的拼接單元光罩對(duì)紅色、綠色或藍(lán)色的色阻層進(jìn)行曝光時(shí)，多個(gè)拼接單元光罩之間的重疊區(qū)域131位于黑矩陣區(qū)域之內(nèi)，而在該區(qū)域形成的黑矩陣能夠遮擋重復(fù)曝光造成的斑紋，因此能夠顯著降低發(fā)生拼接斑紋的風(fēng)險(xiǎn)。

實(shí)施例二：

如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于形成黑矩陣的拼接單元光罩，其中包括透光區(qū)域21和不透光區(qū)域22。透光區(qū)域21對(duì)應(yīng)于像素單元的開(kāi)口區(qū)域，不透光區(qū)域22對(duì)應(yīng)于像素單元的黑矩陣區(qū)域。拼接單元光罩的邊緣設(shè)置有拼接重疊區(qū)域23，拼接重疊區(qū)域23跨越至少兩個(gè)像素單元的開(kāi)口區(qū)域。

作為一個(gè)優(yōu)選方案，拼接重疊區(qū)域13中采用馬賽克拼接圖案，且拼接重疊區(qū)域23的寬度為10至15微米。

本實(shí)施例中的黑矩陣的圖形為無(wú)數(shù)據(jù)線黑矩陣圖形，也就是只有橫向延伸的黑矩陣。

如圖4所示，現(xiàn)有的拼接方案中，以一個(gè)像素單元作為一個(gè)分割單元。這樣拼接光罩時(shí)候，重疊區(qū)域230面積較大，而且會(huì)在兩個(gè)方向上都存在重疊區(qū)域230，因此出現(xiàn)拼接斑紋的風(fēng)險(xiǎn)較大。

如圖3所示，利用本發(fā)明實(shí)施例提供的拼接單元光罩對(duì)黑矩陣進(jìn)行曝光時(shí)，多個(gè)拼接單元光罩之間會(huì)形成重疊區(qū)域231。因?yàn)橹丿B區(qū)域231跨越至少兩個(gè)像素單元的開(kāi)口區(qū)域，所以重疊區(qū)域231中的大部分都位于像素單元的開(kāi)口區(qū)域，而只有小部分位于黑矩陣區(qū)域，并且也只存在一個(gè)方向上的重疊區(qū)域231。因此，拼接曝光造成的斑紋只有很少的部分位于黑矩陣區(qū)域，從而能夠顯著降低發(fā)生拼接斑紋的風(fēng)險(xiǎn)。

實(shí)施例三：

如圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于形成黑矩陣的拼接單元光罩，其中包括透光區(qū)域31和不透光區(qū)域32。透光區(qū)域31對(duì)應(yīng)于像素單元的開(kāi)口區(qū)域，不透光區(qū)域32對(duì)應(yīng)于像素單元的黑矩陣區(qū)域。拼接單元光罩的邊緣設(shè)置有拼接重疊區(qū)域33，拼接重疊區(qū)域33跨越至少兩個(gè)像素單元的開(kāi)口區(qū)域。

本實(shí)施例與實(shí)施例二之間的不同點(diǎn)在于，本實(shí)施例中的黑矩陣的圖形覆蓋掃描線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管，也就是包括橫向延伸和縱向延伸的黑矩陣。

如圖6所示，現(xiàn)有的拼接方案中，以一個(gè)像素單元作為一個(gè)分割單元。這樣拼接光罩時(shí)候，重疊區(qū)域330面積較大，而且會(huì)在兩個(gè)方向上都存在重疊區(qū)域330，因此出現(xiàn)拼接斑紋的風(fēng)險(xiǎn)較大。

如圖5所示，利用本發(fā)明實(shí)施例提供的拼接單元光罩對(duì)黑矩陣進(jìn)行曝光時(shí)，多個(gè)拼接單元光罩之間會(huì)形成重疊區(qū)域331。拼接重疊區(qū)域331跨越四個(gè)像素單元的開(kāi)口區(qū)域，并且該四個(gè)像素單元分別位于相鄰的兩行兩列中，所以重疊區(qū)域331中的大部分都位于像素單元的開(kāi)口區(qū)域，而只有小部分位于黑矩陣區(qū)域。因此，拼接曝光造成的斑紋只有很少的部分位于黑矩陣區(qū)域，從而能夠顯著降低發(fā)生拼接斑紋的風(fēng)險(xiǎn)。

應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，上述各個(gè)實(shí)施例提供的拼接單元光罩，由于降低了發(fā)生拼接斑紋的風(fēng)險(xiǎn)，因此也更容易進(jìn)行拼接，從而降低了基板制程的難度，能夠明顯提升產(chǎn)品品質(zhì)，具有較強(qiáng)的實(shí)用性和可行性。

雖然本發(fā)明所公開(kāi)的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開(kāi)的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。