技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種GSG軌道型射頻電極、硅基行波電極光調(diào)制器及制備方法，涉及高速電光芯片領(lǐng)域。該GSG軌道型射頻電極包括GSG型平面電極，GSG型平面電極的單側(cè)或雙側(cè)周期性地添加用于延遲電場(chǎng)的軌道電極，軌道電極連接到GSG型平面電極的地電極上。硅基行波電極光調(diào)制器包括GSG軌道型射頻電極和傳統(tǒng)的硅基行波電極光調(diào)制器，GSG軌道型射頻電極通過(guò)電極層間的通孔與硅基行波電極光調(diào)制器的有源區(qū)連接導(dǎo)通。本發(fā)明能夠提高電極的參數(shù)設(shè)計(jì)自由度，實(shí)現(xiàn)有效的信號(hào)參數(shù)匹配。

技術(shù)研發(fā)人員：李淼峰;肖希;王磊;陳代高;楊奇;余少華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢郵電科學(xué)研究院
文檔號(hào)碼：201611195833
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.21
技術(shù)公布日：2017.05.10