本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

高分辨率是保證彩色顯示器清晰度的重要前提，顯示器分辨率大小是由顯示屏內(nèi)像素?cái)?shù)量決定，顯示屏內(nèi)像素?cái)?shù)量越多則顯示器分辨率越高。因此，為滿足高分辨率顯示需求，需要在有限的區(qū)域內(nèi)配置大量的像素。

現(xiàn)有的液晶顯示器的陣列基板上根據(jù)分辨率需求配置多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，而每一像素結(jié)構(gòu)參見(jiàn)圖1。如圖1所示，陣列基板包含柵極線15、數(shù)據(jù)線14、薄膜晶體管17和像素電極11，相鄰的兩條數(shù)據(jù)線14和相鄰的兩條柵極線15垂直交叉形成的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域16，像素電極11配置于像素區(qū)域16中，薄膜晶體管17的源/漏極通過(guò)通孔12、13分別與像素電極11和數(shù)據(jù)線14耦接，柵極線15配置于薄膜晶體管17的柵極上并與其耦接。

圖2A為現(xiàn)有液晶顯示器的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)的配置于基板上的俯視示意圖。如圖2A所示，多個(gè)像素之間是以相同的排列方式進(jìn)行配置，亦即像素中的像素電極在像素區(qū)域的設(shè)置位置以及與薄膜晶體管之間的走線方式趨同。由于高分辨率的需要，像素單元的尺寸越來(lái)越小，而沿水平方向相鄰的像素中通孔的尺寸受工藝限制，并不能隨著像素單元的尺寸減小而減小，因此通孔12、23之間的距離D1以及通孔12、22之間的距離D2受像素之間距離的影響，間隔距離均非常小，導(dǎo)致像素電極、數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管的連接走線和通孔之間的空間越來(lái)越小，進(jìn)而會(huì)造成像素結(jié)構(gòu)制造難度增加，且容易造成線路短路等不良問(wèn)題。

圖2B為現(xiàn)有液晶顯示器驅(qū)動(dòng)液晶旋轉(zhuǎn)的示意圖。如圖2B所示，受水平方向相鄰像素的像素電極11、21之間電磁耦合效應(yīng)的影響，相鄰像素產(chǎn)生的電場(chǎng)E會(huì)相互干擾。對(duì)于高分辨率的液晶顯示器，相鄰像素的像素電極11、21之間的距離非常小，致使相鄰像素電極之間的電磁耦合效 應(yīng)增強(qiáng)，導(dǎo)致相鄰像素電場(chǎng)E干擾進(jìn)一步加劇，如此會(huì)使相鄰像素之間的黑矩陣24下方液晶25旋轉(zhuǎn)角度增大，進(jìn)而造成側(cè)視色偏現(xiàn)象加劇等問(wèn)題。

在所述背景技術(shù)部分公開(kāi)的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種改善了液晶顯示器的側(cè)視色偏現(xiàn)象，增大可視角度的陣列基板及顯示面板。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本公開(kāi)一方面提供一種陣列基板，包括：

第一襯底基板；

多條柵極線，沿第一方向設(shè)置于所述第一襯底基板上；

多條數(shù)據(jù)線，沿第二方向設(shè)置于所述第一襯底基板上，且所述第一方向與所述第二方向相互交錯(cuò)；

多個(gè)像素單元，沿所述第一方向和所述第二方向陣列設(shè)置于所述第一襯底基板上；其中，每個(gè)所述像素單元包括：

薄膜晶體管，耦接于所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線；

像素電極，耦接所述薄膜晶體管；

其中，沿所述第一方向相鄰的像素單元的像素電極沿所述第二方向交錯(cuò)設(shè)置。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述像素電極至少?gòu)澱垡淮?，且所述多個(gè)像素單元中像素電極的彎折方向部分相同。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述薄膜晶體管包括漏極、源極和柵極，所述像素單元還包括第一通孔，所述像素電極經(jīng)由所述第一通孔耦接所述漏極，且沿所述第一方向相鄰的像素單元的第一通孔沿所述第二方向交錯(cuò)設(shè)置。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述像素單元還包括第二通孔，所述數(shù)據(jù)線經(jīng)由所述第二通孔耦接所述源極。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，沿所述第一方向線相鄰的耦接至同一條所述柵極線的兩個(gè)像素單元，所述第一通孔位于所述柵極線的不同側(cè)

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，沿所述第一方向相鄰的像素單元中 的像素電極的彎折方向相反，沿所述第二方向相鄰的像素單元中的像素電極的彎折方向相同。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，沿所述第一方向相鄰的像素單元中的像素電極的彎折方向相反，沿所述第二方向相鄰的像素單元中的像素電極的彎折方向相反。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，沿所述第一方向相鄰的像素單元中耦接同一條柵極線的薄膜晶體管沿第一方向排列。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，沿所述第一方向相鄰的像素單元中連接同一條柵極線的薄膜晶體管沿所述第二方向交錯(cuò)設(shè)置。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述柵極線沿所述第一方向彎折延伸。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述柵極線配置于所述像素單元中所述薄膜晶體管上，且與所述薄膜晶體管的所述柵極耦接。

本公開(kāi)另一方面提供一種顯示面板，包括：

上述陣列基板；

彩膜基板，相對(duì)所述陣列基板設(shè)置；以及

液晶層，夾持于所述陣列基板和所述彩膜基板之間。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，還包括：

黑矩陣，設(shè)置于所述陣列基板或所述彩膜基板上。

本發(fā)明通過(guò)將相鄰像素沿一方向錯(cuò)開(kāi)一定距離，增加相鄰像素的像素電極之間的距離，降低了像素電極之間的電磁耦合效應(yīng)，進(jìn)而降低了像素電極之間的液晶旋轉(zhuǎn)角度，改善了液晶顯示器的側(cè)視色偏現(xiàn)象，增大了可視角度。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述其示例實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它目標(biāo)、特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見(jiàn)。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板上一像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖2A為現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板上多個(gè)像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖2B為現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器驅(qū)動(dòng)液晶旋轉(zhuǎn)的示意圖；

圖3A示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的陣列基板的俯視示意圖；

圖3B示意性示出圖3A的剖視示意圖；

圖4示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板的俯視示意圖；

圖5示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板的俯視示意圖；

圖6示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板的俯視示意圖；

圖7示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的液晶旋轉(zhuǎn)示意圖；

圖8示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的黑矩陣的結(jié)構(gòu)排列示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的范例；相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開(kāi)將更加全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。附圖僅為本發(fā)明的示意性圖解，并非一定是按比例繪制。圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類(lèi)似的部分，因而將省略對(duì)它們的重復(fù)描述。

此外，所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，可以實(shí)踐本發(fā)明的技術(shù)方案而省略所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者可以采用其它的方法、組元、裝置、步驟等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié)構(gòu)、方法、裝置、實(shí)現(xiàn)、材料或者操作以避免喧賓奪主而使得本發(fā)明的各方面變得模糊。

圖3A示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖3B示意性示出圖3A的剖視示意圖。

如圖3A所示，本發(fā)明的陣列基板，包括：襯底基板(圖中未示出)、 柵極線30、數(shù)據(jù)線31和像素單元32。柵極線30沿第一方向設(shè)置于襯底基板上，例如柵極線30可以沿水平方向排列。數(shù)據(jù)線31沿第二方向設(shè)置于襯底基板上，例如數(shù)據(jù)線31可以沿垂直方向排列，數(shù)據(jù)線31與柵極線30交叉區(qū)域形成像素區(qū)域。像素單元32配置于像素區(qū)域中，包括薄膜晶體管33和像素電極34，本實(shí)施例的薄膜晶體管33耦接于柵極線30、數(shù)據(jù)線31與像素電極34。其中，相對(duì)于薄膜晶體管33的部分柵極線30以作為薄膜晶體管33的柵極，而薄膜晶體管33的半導(dǎo)體層設(shè)置于柵極下方，也即半導(dǎo)體層位于柵極線30的區(qū)域下方，薄膜晶體管33的源極3321與漏極3322與半導(dǎo)體層位于同一層上，且均位于柵極線30下方，其中源極3321通過(guò)第二通孔35耦接于數(shù)據(jù)線31，像素電極34經(jīng)由貫穿多層絕緣層的第一通孔36耦接于漏極3322。

像素電極34包括主電極341和分支電極342，主電極341沿圖示垂直方向延伸，主電極341的一端通過(guò)第一通孔36與薄膜晶體管33的漏極耦接，主電極341的另一端與分支電極342的一端連接，分支電極342的另一端向像素區(qū)域的一側(cè)邊延伸，本實(shí)施例中分支電極342與主電極341之間的夾角僅僅是示意性說(shuō)明，但本發(fā)明并不以此為限。此外，本實(shí)施例的像素電極結(jié)構(gòu)也可根據(jù)需要做相應(yīng)改變，例如在主電極上增加更多的分支電極，以增加像素電極的面積，進(jìn)而提高顯示面板中像素電極與公用電極之間的存儲(chǔ)電容，減緩顯示面板中畫(huà)面閃爍現(xiàn)象，提高顯示畫(huà)面的質(zhì)量。

圖3B示意性示出圖3A的剖視示意圖。

如圖3B所示，襯底基板3上設(shè)置有薄膜晶體管，薄膜晶體管依次包括緩沖層331、半導(dǎo)體層332、柵極絕緣層333、柵極334、層間絕緣層335、源/漏金屬電極336。源/漏金屬電極336通過(guò)第二通孔35、第一通孔36與有源層332中的漏極3322和源極3321連接。具體的，第二通孔35貫穿柵極絕緣層333和層間絕緣層335，使得源/漏金屬電極336中的源極金屬電極與半導(dǎo)體層332中的源極3321耦接；通孔336為多層過(guò)孔，其包括貫穿像素電極與源/漏金屬電極336的絕緣層的上層過(guò)孔與貫穿柵極絕緣層333和層間絕緣層335的下層過(guò)孔，像素電極通過(guò)上層過(guò)孔實(shí)現(xiàn)與漏極金屬電極的耦接，漏極金屬電極通過(guò)下層過(guò)孔實(shí)現(xiàn)與半導(dǎo)體層332中的漏極3322的耦接。

襯底基板上設(shè)置有遮光層38，位于半導(dǎo)體層332的下方，與半導(dǎo)體層332在襯底基板3上的垂直投影具有重疊的區(qū)域，即從襯底基板3的方向看過(guò)去，遮光層38能夠遮擋住半導(dǎo)體層332的有源區(qū)。上述遮光層38可用于減少?gòu)囊r底基板3一側(cè)入射且照射到有源區(qū)的光線。

繼續(xù)參考圖3A，本實(shí)施例的陣列基板上配置有多個(gè)像素。沿所述第一方向相鄰的像素單元中耦接同一條柵極線的薄膜晶體管沿所述第二方向交錯(cuò)設(shè)置。亦即像素的像素電極之間沿垂直方向交錯(cuò)設(shè)置，亦即如圖中所示的沿水平方向相鄰的像素單元32的像素電極34上下錯(cuò)開(kāi)一距離D，使得相鄰像素單元32中的第二通孔35、第一通孔36也上下錯(cuò)開(kāi)一定距離，且相鄰兩像素單元32中第一通孔36位于所述柵極線30的不同側(cè)。進(jìn)而在一定程度上增加了相鄰像素第一通孔36之間的直線距離L1以及第二通孔35與第一通孔36之間的直線距離L2，需要說(shuō)明的是相鄰像素單元是指耦接在同一條柵極線上左右相鄰的兩個(gè)像素單元。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施例的相鄰像素第二通孔35之間的直線距離L1大于圖2A中現(xiàn)有技術(shù)陣列基板中通孔12、23之間的直線距離D1，第二通孔35與第一通孔36之間的直線距離L2大于圖2A中現(xiàn)有技術(shù)陣列基板中通孔12、22之間的直線距離D2。因此，使薄膜晶體管通過(guò)第二通孔35、第一通孔36與相應(yīng)數(shù)據(jù)線和像素電極之間連接的空間增大，降低了線路短路或者斷路的概率。

像素電極至少?gòu)澱垡淮?，本?shí)施例中以像素電極彎折一次為例進(jìn)行說(shuō)明，像素電極也可以彎折多次，本發(fā)明并不以此為限。本實(shí)施例中同一列的像素配置相同，而相鄰列的像素配置相反。亦即同一列的像素中的像素電極、過(guò)孔和薄膜晶體管在像素區(qū)域的位置相同，而相鄰列的像素中的像素電極、過(guò)孔和薄膜晶體管在像素區(qū)域的位置相反且像素電極的彎折方向不同。例如，第一列中像素的像素電極34大致位于像素區(qū)域的上部、第二通孔35、第一通孔36大致位于像素區(qū)域的中下部、薄膜晶體管33大致位于像素區(qū)域的下部；而第二列中像素的薄膜晶體管33大致位于像素區(qū)域的上部、第二通孔35、第一通孔36大致位于像素區(qū)域的中上部以及像素電極34大致位于像素區(qū)域的下部。如此配置可以使得第一列位于下部的薄膜晶體管33與第二列位于上部的薄膜晶體管33布置在同一行上， 進(jìn)而將柵極線30沿水平方向布線就可以與位于同一行上的所有薄膜晶體管33耦接，從而降低了柵極線30的布線難度。

此外，多個(gè)像素單元中像素電極的彎折方向部分相同，第一列中像素電極的彎折方向相同，第二列中像素電極的彎折方向相同，而第一列與第二列中像素的像素電極34的彎折方向也有所區(qū)別，第一列中像素電極34中分支電極由主電極向逆時(shí)針?lè)较驈澱?，而第二列中像素電極34中分支電極由主電極向順時(shí)針?lè)较驈澱邸?/p>

本實(shí)施例中通過(guò)增加相鄰像素的過(guò)孔之間的距離，提高了像素電極與薄膜晶體管的連接走線和通孔之間的空間，降低了像素結(jié)構(gòu)制造的難度，從而降低了線路短路或者斷路的概率。

此外，像素電極之間的距離增加，降低了像素電極之間的電磁耦合效應(yīng)，減小了黑矩陣下方的液晶受電場(chǎng)的影響，進(jìn)而降低了黑矩陣下方的液晶旋轉(zhuǎn)角度，改善了液晶顯示器的側(cè)視色偏現(xiàn)象，增大了可視角度。

圖4示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板的俯視示意圖。

圖4所示實(shí)施例是在圖3A實(shí)施例的基礎(chǔ)上改變同一列像素的像素電極的排列方向，亦即同一列像素的像素電極彎折方向相反。如圖4所示，例如第一列的像素40的像素電極401包括主電極4011和分支電極4012，主電極4011沿垂直方向延伸一端與薄膜晶體管耦接，另一端連接于分支電極4012的一端，分支電極4012的另一端向像素單元40的左側(cè)邊延伸，即分支電極4012由主電極4011向逆時(shí)針?lè)较驈澱?，而第一列的像?1的像素電極411包括主電極4111和分支電極4112，主電極4111沿垂直方向延伸一端與薄膜晶體管耦接，另一端與耦接于分支電極4112的一端，分支電極4112的另一端向像素單元40的右側(cè)邊延伸，即分支電極4112由主電極4111向順時(shí)針?lè)较驈澱?。亦即像素電極401、411的分支電極4012、4112的延伸方向相反。同理，第二列的兩像素的像素電極是分支電極的延伸方向也相反。本實(shí)施例中像素結(jié)構(gòu)的其他配置與圖3A實(shí)施例相同，在此不再贅述。本實(shí)施例中第一列像素的像素電極與第二列像素的像素電極彎折處的直線距離D4相較于圖2A的現(xiàn)有技術(shù)距離增加，削弱了相鄰像素電極彎折處液晶偏轉(zhuǎn)的互相干擾，進(jìn)而提高了液晶響應(yīng)速度。

圖5示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板的俯視示意圖。

圖5所示實(shí)施例是在圖3A實(shí)施例的基礎(chǔ)上改變同一列像素的像素電極的排列方向，亦即圖3A實(shí)施例中第一列像素電極的分支電極由主電極向逆時(shí)針?lè)较驈澱?，第二列像素電極的分支電極由主電極向順時(shí)針?lè)较驈澱踇MYH1]，而圖5實(shí)施例中第一列像素50的像素電極的分支電極501由主電極向順時(shí)針?lè)较驈澱?，第二列像?1的像素電極511的分支電極由主電極向逆時(shí)針?lè)较驈澱邸１緦?shí)施例中像素結(jié)構(gòu)的其他配置與圖3A實(shí)施例相同，在此不再贅述。

圖6示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的一陣列基板的俯視示意圖。

圖6和圖3A實(shí)施例的區(qū)別在于，像素單元沿垂直方向錯(cuò)開(kāi)的距離D不同。圖3A實(shí)施例的像素沿垂直方向錯(cuò)開(kāi)的距離大致為1/2個(gè)像素單元，而圖6實(shí)施例的像素沿垂直方向錯(cuò)開(kāi)的距離大致為1個(gè)像素單元。

圖6實(shí)施例連接同一條柵極線60上的薄膜晶體管61、62在垂直方向上錯(cuò)開(kāi)一定距離，亦即連接同一條柵極線上的薄膜晶體管61、62不在同一行上，柵極線60的布線呈“幾”字行配置，以與在垂直方向上互相錯(cuò)開(kāi)的薄膜晶體管61、62耦接。本實(shí)施例中像素結(jié)構(gòu)的其他配置與圖4實(shí)施例相同，在此不再贅述。

圖7示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的液晶旋轉(zhuǎn)示意圖。如圖7所示，相鄰像素的像素電極70、71沿垂直方向錯(cuò)開(kāi)一距離，由于像素電極70、71之間相距較遠(yuǎn)，像素電極70、71之間的電磁耦合效應(yīng)降低，使得像素電極70、71之間的黑矩陣73下方的液晶72旋轉(zhuǎn)角度小于圖2B所示現(xiàn)有技術(shù)中液晶32的旋轉(zhuǎn)角度。

本實(shí)施例與現(xiàn)有技術(shù)相比降低了像素電極70、71之間的電磁耦合效應(yīng)，減小黑矩陣73下方的液晶72受電場(chǎng)的影響，進(jìn)而降低了黑矩陣73下方的液晶72旋轉(zhuǎn)角度，改善了液晶顯示器的側(cè)視色偏現(xiàn)象，增大了可視角度。

本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括：

如上述實(shí)施例的陣列基板；

彩膜基板，相對(duì)所述陣列基板設(shè)置；以及

液晶層，夾持于所述陣列基板和所述彩膜基板之間。

其中，上述實(shí)施例的黑矩陣可以設(shè)置于所述陣列基板或所述彩膜基板上，本發(fā)明并不以此為限。

圖8示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的黑矩陣的結(jié)構(gòu)排列示意圖。如圖8所示，像素單元82的部分區(qū)域被黑矩陣81遮蔽，且由于像素單元82交錯(cuò)設(shè)置，且像素單元82之間的黑矩陣81也交錯(cuò)設(shè)置。因此，使得自像素單元下方液晶斜向透過(guò)的光線被黑矩陣81阻擋，進(jìn)而減弱了相鄰像素的混色現(xiàn)象。

以上具體地示出和描述了本公開(kāi)的示例性實(shí)施方式。應(yīng)可理解的是，本發(fā)明不限于這里描述的詳細(xì)結(jié)構(gòu)、設(shè)置方式或?qū)崿F(xiàn)方法；相反，本發(fā)明意圖涵蓋包含在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等效設(shè)置。