1.一種低串?dāng)_少模光纖，包括有芯層和包層，其特征在于所述的芯層相對折射率差Δ1為0.5～1％，半徑R1為5～11μm，所述的包層從內(nèi)向外包括內(nèi)包層、下陷包層和外包層，所述的內(nèi)包層相對折射率差Δ2為-0.04～0.04％，半徑R2為10～17μm，所述的下陷包層緊密圍繞內(nèi)包層，下陷包層相對折射率差Δ3為-0.8～-0.4％，半徑R3為17～30μm，所述的外包層緊密圍繞下陷包層，外包層為純石英玻璃層。
2.按權(quán)利要求1所述的低串?dāng)_少模光纖，其特征在于所述的芯層相對折射率差從中心向外遞減，所述的遞減呈階躍型或漸變型。
3.按權(quán)利要求1或2所述的低串?dāng)_少模光纖，其特征在于所述的芯層由鍺和氟共摻的石英玻璃組成，鍺的貢獻量ΔGe為0.5～1.1％，氟的貢獻量ΔF為-0.1％～0％。
4.按權(quán)利要求1或2所述的低串?dāng)_少模光纖，其特征在于所述的內(nèi)包層由摻氟和鍺的石英玻璃組成，或純石英玻璃組成。
5.按權(quán)利要求1或2所述的低串?dāng)_少模光纖，其特征在于所述的下陷包層由摻氟的石英玻璃組成。
6.按權(quán)利要求1或2所述的低串?dāng)_少模光纖，其特征在于所述光纖的有效面積在1550nm波長處為110～160μm2。
7.按權(quán)利要求1或2所述的低串?dāng)_少模光纖，其特征在于所述光纖在1550nm波長處支持3個或3個以上穩(wěn)定的傳輸模式。
8.按權(quán)利要求7所述的低串?dāng)_少模光纖，其特征在于所述光纖3個或3個以上傳輸模式在1550nm波長處的衰減系數(shù)均小于或等于0.25dB/km。
9.按權(quán)利要求7所述的低串?dāng)_少模光纖，其特征在于所述光纖的模式包括LP01、LP11、LP21和LP02，LP31和LP12。