1.一種高電子遷移率晶體管，其特征在于，包括：
襯底；
位于所述襯底上的半導(dǎo)體層，其中，所述半導(dǎo)體層包括有源區(qū)，所述有源區(qū)包括源區(qū)、漏區(qū)及源區(qū)與漏區(qū)之間的柵區(qū)，所述半導(dǎo)體層包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)，異質(zhì)界面形成二維電子氣，所述柵區(qū)的半導(dǎo)體層上形成有凹槽，且所述凹槽下方半導(dǎo)體層的厚度大于滿足增強型晶體管條件的厚度；
位于所述半導(dǎo)體層上兩端的源極和漏極，且所述源極位于所述源區(qū)上，所述漏極位于所述漏區(qū)上；
位于所述凹槽中的第一介質(zhì)層；
位于所述第一介質(zhì)層上的浮柵，用于存儲電子，得到增強型高電子遷移率晶體管；
包覆所述浮柵和所述第一介質(zhì)層的第二介質(zhì)層；
位于所述第二介質(zhì)層上的控制柵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括：
位于所述襯底上的成核層；
位于所述成核層上的GaN緩沖層；
位于所述GaN緩沖層上的AlGaN隔離層；
其中，所述GaN緩沖層和所述AlGaN隔離層構(gòu)成AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)，所述凹槽下方的所述AlGaN隔離層的厚度為5nm～30nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述浮柵材料為半絕緣材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述浮柵材料包括富氧多晶硅或富硅的氮化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，在所述高電子遷移率晶體管出廠前，所述浮柵的一側(cè)引出有PAD端口，用于向所述浮柵中寫入電子，以得到增強型高電子遷移率晶體管。
6.一種高電子遷移率晶體管的制備方法，其特征在于，包括：
在襯底上形成半導(dǎo)體層，其中，所述半導(dǎo)體層包括有源區(qū)，所述有源區(qū)包括源區(qū)、漏區(qū)及源區(qū)與漏區(qū)之間的柵區(qū)，所述半導(dǎo)體層包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)，異質(zhì)界面形成二維電子氣，所述柵區(qū)的半導(dǎo)體層上形成有凹槽，且所述凹槽下方半導(dǎo)體層的厚度大于滿足增強型晶體管條件的厚度；
在所述半導(dǎo)體層上的兩端形成源極和漏極，且所述源極位于所述源區(qū)上，所述漏極位于所述漏區(qū)上；
在所述凹槽中形成第一介質(zhì)層；
在所述第一介質(zhì)層上形成浮柵，用于存儲電子，得到增強型高電子遷移率晶體管；
在所述浮柵和所述第一介質(zhì)層表面形成包覆所述浮柵和所述第一介質(zhì)層的第二介質(zhì)層；
在所述第二介質(zhì)層上形成控制柵。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述在襯底上形成半導(dǎo)體層，包括：
在所述襯底上形成成核層；
在所述成核層上形成GaN緩沖層；
在所述GaN緩沖層上形成AlGaN隔離層，構(gòu)成AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)，所述凹槽下方的所述AlGaN隔離層的厚度為5nm～30nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述浮柵材料為半絕緣材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述浮柵材料包括富氧多晶硅或富硅的氮化硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，還包括：
在所述高電子遷移率晶體管出廠前，在所述浮柵的一側(cè)引出PAD端口，用于向所述浮柵中寫入電子，以得到增強型高電子遷移率晶體管。