本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，觸控屏(Touch Panel，簡(jiǎn)稱(chēng)TP)的誕生使人們的生活更加便捷。

目前，在日常生活中已經(jīng)被人們廣泛應(yīng)用了的一些智能終端如智能手機(jī)和平板電腦等，其內(nèi)部存儲(chǔ)了大量重要信息，因此，其安全性變得尤為重要。而手指的指紋是由手指表面皮膚凹凸不平的紋路組成，是人體與生俱來(lái)的、獨(dú)一無(wú)二、固定不變、可與他人區(qū)分開(kāi)的識(shí)別特征，指紋識(shí)別技術(shù)具有精度高、速度快、價(jià)格低、用戶(hù)接受度高等優(yōu)點(diǎn)，因此，指紋識(shí)別成為倍受歡迎的智能終端加密方式。

顯示裝置包括顯示面板，顯示面板包括陣列基板和對(duì)盒基板；陣列基板包括薄膜晶體管和像素電極；對(duì)盒基板包括黑矩陣。現(xiàn)有的一種顯示裝置實(shí)現(xiàn)指紋識(shí)別功能的技術(shù)方案，是將指紋識(shí)別組件集成在陣列基板上。其中，指紋識(shí)別組件包括指紋識(shí)別元件和開(kāi)關(guān)元件，指紋識(shí)別元件設(shè)置在陣列基板的不與黑矩陣對(duì)應(yīng)的區(qū)域，開(kāi)關(guān)元件和薄膜晶體管與黑矩陣對(duì)應(yīng)。

基于此，由于陣列基板和對(duì)盒基板對(duì)盒時(shí)，會(huì)存在對(duì)位偏差，因此，需要黑矩陣的尺寸大于開(kāi)關(guān)元件和薄膜晶體管的尺寸，導(dǎo)致顯示面板的開(kāi)口率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示面板，可提高顯示面板的開(kāi)口率。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

一方面，提供一種陣列基板，包括設(shè)置在襯底上的薄膜晶體管、以及指紋識(shí)別組件；所述指紋識(shí)別組件包括開(kāi)關(guān)元件和指紋識(shí)別元件；所述指紋識(shí)別元件設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)元件和所述薄膜晶體管的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且所述指紋識(shí)別元件在所述襯底上的正投影覆蓋所述開(kāi)關(guān)元件和所述薄膜晶體管在所述襯底上的正投影；其中，所述指紋識(shí)別元件的靠近所述襯底的第一極的材料為金屬材料。

優(yōu)選的，所述指紋識(shí)別元件在襯底上的正投影還覆蓋沿第一方向延伸的信號(hào)線(xiàn)在所述襯底上的正投影；所述信號(hào)線(xiàn)為柵線(xiàn)或數(shù)據(jù)線(xiàn)；其中，沿與所述第一方向交叉的第二方向，任一排所述子像素用于發(fā)同一種顏色的光。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括與所述薄膜晶體管的漏極通過(guò)第一過(guò)孔電連接的像素電極；所述陣列基板還包括第一遮光圖案，所述第一遮光圖案設(shè)置在所述第一過(guò)孔與所述襯底之間，且與所述第一過(guò)孔位置對(duì)應(yīng)。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括公共電極；所述指紋識(shí)別元件的遠(yuǎn)離所述襯底的第二極與所述公共電極共用；所述第一極與所述開(kāi)關(guān)元件的漏極電連接。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述指紋識(shí)別元件還包括位于所述第一極和所述第二極之間的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層與所述第二極之間設(shè)置有樹(shù)脂層；其中，所述樹(shù)脂層上設(shè)置有第二過(guò)孔，所述第二極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述半導(dǎo)體層接觸。

基于上述，優(yōu)選的，所述薄膜晶體管和所述開(kāi)關(guān)元件同步形成，且均為低溫多晶硅薄膜晶體管；所述陣列基板還包括設(shè)置在所述襯底與所述薄膜晶體管之間，以及所述襯底與所述開(kāi)關(guān)元件之間的第二遮光圖案。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一遮光圖案和所述第二遮光圖案同層設(shè)置。

另一方面，提供一種顯示面板，包括第一方面所述的陣列基板和對(duì)盒基板；所述對(duì)盒基板包括黑矩陣，所述黑矩陣用于防止發(fā)不同顏色光的相鄰子像素之間的混光。

優(yōu)選的，在所述陣列基板包括第一過(guò)孔的情況下，所述黑矩陣在所述襯底上的正投影與所述第一過(guò)孔在所述襯底的正投影不重疊。

基于上述，優(yōu)選的，所述對(duì)盒基板還包括彩色濾光層，所述彩色濾光層包括第一基色濾光圖案、第二基色濾光圖案、以及第三基色濾光圖案；沿第一方向，所述第一基色濾光圖案、所述第二基色濾光圖案、所述第三基色濾光圖案依次排列；所述第一基色濾光圖案、所述第二基色濾光圖案、所述第三基色濾光圖案均沿第二方向延伸。

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示面板，通過(guò)將指紋識(shí)別元件設(shè)置在開(kāi)關(guān)元件和薄膜晶體管的上方，且使指紋識(shí)別元件的靠近襯底的第一極的材料設(shè)置為金屬材料，可以使指紋識(shí)別元件在實(shí)現(xiàn)指紋識(shí)別的基礎(chǔ)上，充當(dāng)黑矩陣的效果，從而在陣列基板應(yīng)用于顯示面板時(shí)，可省略對(duì)盒基板上與開(kāi)關(guān)元件和薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的黑矩陣。其中，由于指紋識(shí)別元件與開(kāi)關(guān)元件和薄膜晶體管均設(shè)置在陣列基板上，因此指紋識(shí)別元件與開(kāi)關(guān)元件和薄膜晶體管之間的膜層偏差幾乎可以忽略，基于此，通過(guò)采用指紋識(shí)別元件的第一極來(lái)遮擋開(kāi)關(guān)元件和薄膜晶體管，可以提高顯示面板的開(kāi)口率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖4為圖3中沿A-A向的剖面示意圖一；

圖5為圖3中沿A-A向的剖面示意圖二；

圖6為圖3中沿B-B向的剖面示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為圖7中沿C-C向的剖面示意圖；

圖 9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板中各組件的一種等效電路圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種對(duì)盒基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

100-陣列基板；200-對(duì)盒基板；10-襯底；20-薄膜晶體管；21-第一過(guò)孔；22-像素電極；23-公共電極；30-指紋識(shí)別組件；31-開(kāi)關(guān)原件；32-指紋識(shí)別原件；321-第一極；322-第二極；323-半導(dǎo)體層；324-樹(shù)脂層；325-第二過(guò)孔；50-第一遮光圖案；60-第二遮光圖案；70-黑矩陣；80-彩色濾光層；81-第一基色濾光圖案；82-第二基色濾光圖案；83-第三基色濾光圖案；GL-柵線(xiàn)；DL-數(shù)據(jù)線(xiàn)；TL-控制線(xiàn)；RL-讀取信號(hào)線(xiàn)。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板100，如圖1和圖2所示，包括設(shè)置在襯底10上的薄膜晶體管20、以及指紋識(shí)別組件30；指紋識(shí)別組件30包括開(kāi)關(guān)元件31和指紋識(shí)別元件32；指紋識(shí)別元件32設(shè)在開(kāi)關(guān)元件31和薄膜晶體管20的遠(yuǎn)離襯底10的一側(cè)，且指紋識(shí)別元件32在襯底10上的正投影覆蓋開(kāi)關(guān)元件31和薄膜晶體管20在襯底10上的正投影；其中，指紋識(shí)別元件31的靠近襯底10的第一極的材料為金屬材料。

其中，開(kāi)關(guān)元件31分別連接控制線(xiàn)TL、讀取信號(hào)線(xiàn)RL和指紋識(shí)別元件32，用于在控制線(xiàn)TL的控制下開(kāi)啟，使指紋識(shí)別元件32與讀取信號(hào)線(xiàn)RL導(dǎo)通。此處，優(yōu)選每行的開(kāi)關(guān)元件31與一根控制線(xiàn)TL相連，每列的開(kāi)關(guān)元件31與一根讀取信號(hào)線(xiàn)RL相連。

薄膜晶體管20分別連接?xùn)啪€(xiàn)GL、數(shù)據(jù)線(xiàn)DL和像素電極22。此處，優(yōu)選每行的薄膜晶體管20與一根柵線(xiàn)GL相連，每列的薄膜晶體管20與一根數(shù)據(jù)線(xiàn)DL相連。

此處，薄膜晶體管20可以為非晶硅薄膜晶體管、金屬半導(dǎo)體氧化物晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管等。開(kāi)關(guān)元件31的結(jié)構(gòu)可與薄膜晶體管20相同，具體在此不做限定。

需要說(shuō)明的是，第一，指紋識(shí)別元件32在襯底10上的正投影可以剛好覆蓋開(kāi)關(guān)元件31和薄膜晶體管20在襯底10上的正投影，也可以是指紋識(shí)別元件32在襯底10上的正投影面積大于開(kāi)關(guān)元件31和薄膜晶體管20在襯底10上的正投影面積。

考慮到制作陣列基板100過(guò)程中的膜層偏移，如圖1和圖2所示，優(yōu)選指紋識(shí)別元件32在襯底10上的正投影面積大于開(kāi)關(guān)元件31和薄膜晶體管20在襯底10上的正投影面積。

其中，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，當(dāng)指紋識(shí)別元件32在襯底10上的正投影面積大于開(kāi)關(guān)元件31和薄膜晶體管20在襯底10上的正投影面積時(shí)，為了不影響陣列基板的開(kāi)口率，紋識(shí)別元件32在襯底10上的正投影應(yīng)稍微大于開(kāi)關(guān)元件31和薄膜晶體管20在襯底10上的正投影。

第二，不對(duì)指紋識(shí)別組件30中的開(kāi)關(guān)元件31和指紋識(shí)別元件32的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行限定，能夠使指紋識(shí)別組件30實(shí)現(xiàn)指紋檢測(cè)功能即可。

第三，不對(duì)指紋識(shí)別元件32的第一極的具體材料進(jìn)行限定，能起到遮光作用即可。

其中，為了降低外界環(huán)境光經(jīng)第一電極反射后對(duì)正常顯示造成影響，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選第一電極為反射率較低的金屬材料。

第四，如圖1所示，可以在每個(gè)子像素中均設(shè)置一個(gè)指紋識(shí)別組件30，也可以以N個(gè)子像素為一個(gè)重復(fù)單元，在一個(gè)重復(fù)單元中設(shè)置一個(gè)指紋識(shí)別組件30。其中，N為大于1的整數(shù)。圖2以?xún)蓚€(gè)子像素為一個(gè)重復(fù)單元進(jìn)行示意。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板100，通過(guò)將指紋識(shí)別元件32設(shè)置在開(kāi)關(guān)元件31和薄膜晶體管20的上方，且使指紋識(shí)別元件32的靠近襯底10的第一極的材料設(shè)置為金屬材料，可以使指紋識(shí)別元件32在實(shí)現(xiàn)指紋識(shí)別的基礎(chǔ)上，充當(dāng)黑矩陣的效果，從而在陣列基板100應(yīng)用于顯示面板時(shí)，可省略對(duì)盒基板上與開(kāi)關(guān)元件32和薄膜晶體管20對(duì)應(yīng)的黑矩陣。其中，由于指紋識(shí)別元件32與開(kāi)關(guān)元件32和薄膜晶體管20均設(shè)置在陣列基板上，因此指紋識(shí)別元件32與開(kāi)關(guān)元件32和薄膜晶體管20之間的膜層偏差幾乎可以忽略，基于此，通過(guò)采用指紋識(shí)別元件32的第一極來(lái)遮擋開(kāi)關(guān)元件32和薄膜晶體管20，可以提高顯示面板的開(kāi)口率。

優(yōu)選的，如圖3所示，指紋識(shí)別元件32在襯底10上的正投影還覆蓋沿第一方向延伸的信號(hào)線(xiàn)在襯底10上的正投影；所述信號(hào)線(xiàn)為柵線(xiàn)GL或數(shù)據(jù)線(xiàn)DL；其中，沿與第一方向交叉的第二方向，任一排子像素用于發(fā)同一種顏色的光。

需要說(shuō)明的是，第一，可以是數(shù)據(jù)線(xiàn)DL沿第一方向延伸，柵線(xiàn)GL沿第二方向延伸，指紋識(shí)別元件32在襯底10上的正投影覆蓋數(shù)據(jù)線(xiàn)DL在襯底10上的正投影。

在此基礎(chǔ)上，當(dāng)陣列基板100應(yīng)用于顯示面板時(shí)，則對(duì)盒基板上與數(shù)據(jù)線(xiàn)DL對(duì)應(yīng)的位置處可不設(shè)置黑矩陣，與柵線(xiàn)GL對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置黑矩陣，用來(lái)避免發(fā)不同顏色光的相鄰子像素之間發(fā)生混光。

或者，柵線(xiàn)GL沿第一方向延伸，數(shù)據(jù)線(xiàn)DL沿第二方向延伸，指紋識(shí)別元件32在襯底10上的正投影覆蓋柵線(xiàn)GL在襯底10上的正投影。

在此基礎(chǔ)上，當(dāng)陣列基板100應(yīng)用于顯示面板時(shí)，則對(duì)盒基板上與柵線(xiàn)GL對(duì)應(yīng)的位置處可不設(shè)置黑矩陣，與數(shù)據(jù)線(xiàn)DL對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置黑矩陣，用來(lái)避免發(fā)不同顏色光的相鄰子像素之間發(fā)生混光。

其中，若控制線(xiàn)TL和讀取信號(hào)線(xiàn)RL中的一者也沿第一方向延伸，則可將其靠近沿第一方向延伸的信號(hào)線(xiàn)設(shè)置，以使指紋識(shí)別元件32在襯底10上的正投影也同時(shí)覆蓋沿第一方向延伸的控制線(xiàn)TL或讀取信號(hào)線(xiàn)RL。

圖3中以柵線(xiàn)GL和控制線(xiàn)TL沿第一方向延伸，數(shù)據(jù)線(xiàn)DL和讀取信號(hào)線(xiàn)RL沿第二方向延伸進(jìn)行示意。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)使指紋識(shí)別元件32在襯底10上的正投影還覆蓋沿第一方向延伸的信號(hào)線(xiàn)在襯底10上的正投影，一方面，可以充當(dāng)黑矩陣的效果，從而在陣列基板100應(yīng)用于顯示面板時(shí)，可省略對(duì)盒基板上與沿第一方向延伸的信號(hào)線(xiàn)對(duì)應(yīng)的黑矩陣，避免對(duì)盒偏差導(dǎo)致的開(kāi)口率減??；另一方面，可以增大指紋識(shí)別元件32的面積，提高指紋檢測(cè)的準(zhǔn)確度。

優(yōu)選的，如圖4所示，像素電極22與薄膜晶體管20的漏極通過(guò)第一過(guò)孔21電連接；所述陣列基板100還包括第一遮光圖案50，第一遮光圖案50設(shè)置在第一過(guò)孔21與襯底10之間，且與第一過(guò)孔21位置對(duì)應(yīng)。

其中，第一遮光圖案50與第一過(guò)孔21位置對(duì)應(yīng)，即為：第一遮光圖案50在襯底10上的正投影覆蓋第一過(guò)孔21在襯底10上的正投影。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，第一過(guò)孔21位置處的實(shí)際漏光面積大于第一過(guò)孔21在襯底10上的正投影的面積，因此，第一遮光圖案50的面積應(yīng)為第一過(guò)孔21在襯底10上的正投影面積加上第一過(guò)孔21處以外的漏光范圍內(nèi)的面積。

此外，為了降低外界環(huán)境光經(jīng)第一遮光圖案50反射后對(duì)正常顯示造成影響，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選第一遮光圖案50為反射率較低的金屬材料。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在襯底10與第一過(guò)孔21之間設(shè)置第一遮光圖案50，一方面，可以充當(dāng)黑矩陣的效果，從而在陣列基板100應(yīng)用于顯示面板時(shí)，可省略對(duì)盒基板上與第一過(guò)孔21對(duì)應(yīng)位置處的黑矩陣，來(lái)增大指紋識(shí)別元件32的感光面積，提高指紋檢測(cè)的準(zhǔn)確度。另一方面，現(xiàn)有技術(shù)中在對(duì)盒基板上設(shè)置黑矩陣時(shí)，由于對(duì)盒偏差的存在，黑矩陣的面積應(yīng)為第一過(guò)孔21在襯底10上正投影的面積加上第一過(guò)孔21處以外的漏光范圍內(nèi)的面積再加上對(duì)盒偏差，而本發(fā)明中第一遮光圖案50的面積只為第一過(guò)孔21在襯底10上正投影的面積加上第一過(guò)孔21處以外的漏光范圍內(nèi)的面積。因此，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例可進(jìn)一步提高顯示面板的開(kāi)口率。

優(yōu)選的，如圖5所示，所述陣列基板100還包括公共電極23；指紋識(shí)別元件32的遠(yuǎn)離襯底10的第二極322與公共電極23共用；第一極321與開(kāi)關(guān)元件31的漏極電連接。

其中，公共電極23的材料為透明導(dǎo)電材料，例如ITO(氧化銦錫)、IZO(銦鋅氧化物)等。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將指紋識(shí)別元件32的第二極322與公共電極23分時(shí)共用，可以減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，并使陣列基板輕薄化。

進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖5所示，指紋識(shí)別元件32還包括位于第一極321和第二極322之間的半導(dǎo)體層323，半導(dǎo)體層323與第二極322之間設(shè)置有樹(shù)脂層324；其中，樹(shù)脂層324上設(shè)置有第二過(guò)孔325，第二極322通過(guò)第二過(guò)孔325與半導(dǎo)體層323接觸。第一極321與半導(dǎo)體層323直接接觸。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在第二極322和半導(dǎo)體層323之間設(shè)置一層樹(shù)脂層324，可以降低指紋識(shí)別元件32的內(nèi)部的勢(shì)壘電容，提高指紋識(shí)別元件32的性能。

基于上述，優(yōu)選的，如圖5和圖6所示，薄膜晶體管20和開(kāi)關(guān)元件31同步形成，且均為低溫多晶硅薄膜晶體管；陣列基板100還包括設(shè)置在襯底10與薄膜晶體管20之間，以及襯底10與開(kāi)關(guān)元件31之間的第二遮光圖案60。

其中，第二遮光圖案60與薄膜晶體管20和開(kāi)關(guān)元件31的溝道區(qū)對(duì)應(yīng)。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將薄膜晶體管20與開(kāi)關(guān)元件31同步形成，可減少構(gòu)圖工藝次數(shù)。此外，將薄膜晶體管20與開(kāi)關(guān)元件31均設(shè)置為低溫多晶硅薄膜晶體管，可提高電子的遷移率，縮短充電時(shí)間，使得該陣列基板的性能更好。其中，在襯底10與薄膜晶體管20和開(kāi)關(guān)元件31之間設(shè)置第二遮光圖案60，可避免薄膜晶體管20和開(kāi)關(guān)元件31因入射光照射而產(chǎn)生漏電流。

進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖5所示，第一遮光圖案50和第二遮光圖案60同層設(shè)置。

其中，第一遮光圖案50和第二遮光圖案60同層設(shè)置，即為兩者通過(guò)同一次構(gòu)圖工藝形成。

此外，第一遮光圖案50和第二遮光圖案60可以獨(dú)立設(shè)置，也可以連接為一體。圖5以第一遮光圖案50和第二遮光圖案60獨(dú)立設(shè)置進(jìn)行示意。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將第一遮光圖案50和第二遮光圖案60同層設(shè)置，可以減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，并使陣列基板輕薄化。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，如圖7和圖8所示，包括上述陣列基板100和對(duì)盒基板200；對(duì)盒基板200包括黑矩陣70，所述黑矩陣70用于防止發(fā)不同顏色光的相鄰子像素之間的混光。

具體的，如圖7所示，陣列基板100上的柵線(xiàn)GL和控制線(xiàn)TL沿第一方向延伸，數(shù)據(jù)線(xiàn)DL和讀取信號(hào)線(xiàn)RL沿第二方向延伸，沿第二方向的任一排子像素(圖中虛線(xiàn)框所示)用于發(fā)同一種顏色的光。對(duì)盒基板200上的黑矩陣70設(shè)置在相鄰排子像素之間且也沿第二方向延伸，用于防止發(fā)不同顏色光的相鄰子像素之間的混光。

本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板進(jìn)行指紋識(shí)別的原理為：如圖9所示，在顯示階段，柵線(xiàn)GL依次打開(kāi)，數(shù)據(jù)線(xiàn)DL向像素電極22輸入數(shù)據(jù)信號(hào)，顯示面板正常顯示。在指紋識(shí)別階段，利用光的折射和反射原理，當(dāng)手指接觸顯示面板表面時(shí)，顯示面板發(fā)出的光照射到手指指紋的谷線(xiàn)和脊線(xiàn)上，由于谷線(xiàn)和脊線(xiàn)折射的角度及反射回去的光線(xiàn)強(qiáng)度不同，將其投射在指紋識(shí)別元件32上產(chǎn)生的電流也不同，通過(guò)對(duì)指紋識(shí)別元件32上的電流進(jìn)行判斷，來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)手指指紋的谷線(xiàn)和脊線(xiàn)的識(shí)別。

其中，當(dāng)手指接觸顯示面板時(shí)，指紋的脊線(xiàn)更容易與顯示面板接觸，照射到手指指紋脊線(xiàn)上的光線(xiàn)發(fā)生全反射后到達(dá)指紋識(shí)別元件32上的光線(xiàn)強(qiáng)度較強(qiáng)，而經(jīng)指紋的谷線(xiàn)到達(dá)指紋識(shí)別元件32上的光線(xiàn)強(qiáng)度較弱。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，通過(guò)將陣列基板100上的指紋識(shí)別元件32設(shè)置在開(kāi)關(guān)元件31和薄膜晶體管20的上方，且使指紋識(shí)別元件32的靠近所述襯底10的第一極321的材料設(shè)置為金屬材料，可以使指紋識(shí)別元件32在實(shí)現(xiàn)指紋識(shí)別的基礎(chǔ)上，充當(dāng)黑矩陣70的效果，從而可省略對(duì)盒基板200上與開(kāi)關(guān)元件32和薄膜晶體管20對(duì)應(yīng)的黑矩陣70。其中，由于指紋識(shí)別元件32與開(kāi)關(guān)元件32和薄膜晶體管20均設(shè)置在陣列基板100上，因此指紋識(shí)別元件32與開(kāi)關(guān)元件32和薄膜晶體管20之間的膜層偏差幾乎可以忽略，基于此，通過(guò)采用指紋識(shí)別元件32的第一極321來(lái)遮擋開(kāi)關(guān)元件32和薄膜晶體管20，可以提高顯示面板的開(kāi)口率。

優(yōu)選的，如圖8所示，在陣列基板包括第一過(guò)孔21的情況下，黑矩陣70在襯底10上的正投影與第一過(guò)孔21在襯底10的正投影不重疊。

即，在對(duì)盒基板200上，與第一過(guò)孔21對(duì)應(yīng)的位置處不設(shè)置黑矩陣70。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在陣列基板100上的襯底10與第一過(guò)孔21之間設(shè)置第一遮光圖案50，一方面，可以充當(dāng)黑矩陣70的效果，從而在陣列基板100應(yīng)用于顯示面板時(shí)，可省略對(duì)盒基板200上與第一過(guò)孔21對(duì)應(yīng)位置處的黑矩陣70，來(lái)增大指紋識(shí)別元件32的感光面積，提高指紋檢測(cè)的準(zhǔn)確度。另一方面，現(xiàn)有技術(shù)中在對(duì)盒基板200上設(shè)置黑矩陣70時(shí)，由于對(duì)盒偏差的存在，黑矩陣70的面積應(yīng)為第一過(guò)孔21在襯底10上正投影的面積加上第一過(guò)孔21處以外的漏光范圍內(nèi)的面積再加上對(duì)盒偏差，而本發(fā)明中第一遮光圖案50的面積只為第一過(guò)孔21在襯底10上正投影的面積加上第一過(guò)孔21處以外的漏光范圍內(nèi)的面積。因此，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例可進(jìn)一步提高顯示面板的開(kāi)口率。

基于上述，優(yōu)選的，如圖10所示，對(duì)盒基板200還包括彩色濾光層80，彩色濾光層80包括第一基色濾光圖案81、第二基色濾光圖案82、以及第三基色濾光圖案83；沿第一方向，第一基色濾光圖案81、第二基色濾光圖案82、第三基色濾光圖案83依次排列；第一基色濾光圖案81、第二基色濾光圖案82、第三基色濾光圖案83均沿第二方向延伸。

此處，第一基色濾光圖案81、第二基色濾光圖案82和第三基色濾光圖案83的顏色各不相同，只要三者的顏色為三基色即可。

其中，第一基色、第二基色和第三基色可以互為紅色、藍(lán)色和綠色，例如，第一基色為紅色、第二基色為黃色、第三基色為紅色，當(dāng)然也可以是其他組合。或者，第一基色、第二基色和第三基色也可以互為青色、品紅和黃色，例如，第一基色為青色、第二基色為品紅、第三基色為黃色，當(dāng)然也可以是其他組合。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。