本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種負(fù)性光阻薄膜及其制備方法與應(yīng)用。

背景技術(shù)：

光阻又稱為光阻劑，是許多工業(yè)制程上的光敏材料，目前在顯示面板行業(yè)有廣泛的使用，如TFT陣列的黃光制程中，需要多次用到光阻材料，此外在OLED顯示面板中，像素界定層又稱像素bank，通常也是使用光阻材料制備。

光阻有兩種，正性光阻和負(fù)性光阻，正性光阻其曝光部分溶于光阻顯影液，未曝光部分不溶于光阻顯影液，由于通常上層薄膜接受的曝光量會(huì)大于下層薄膜，因此正性光阻易于形成小角度tape角（傾斜角），對于制作像素bank較為有利。但由于負(fù)性光阻的材料成本大大低于正性光阻，因此趨于制作成本的考慮，傾向于采用負(fù)性光阻制作像素bank。負(fù)性光阻存在的問題是：負(fù)性光阻其曝光部分不溶于光阻顯影液，未曝光部分溶于光阻顯影液，如圖1所示，圖1中1為負(fù)性光阻薄膜，2為感光樹脂，3為增感劑，4為基板，5為光阻圖案，由于通常上層薄膜接受的曝光量會(huì)大于下層薄膜，負(fù)性光阻薄膜1中的感光樹脂2與增感劑3均勻共混，因此曝光顯影后，上層薄膜因?yàn)槠毓饬看笥谙聦颖∧?，因此顯影后上層薄膜未溶于顯影液的部分大于下層薄膜，從而易于形成倒角，這會(huì)影響光刻工藝的精度，尤其不利于OLED顯示面板的像素bank的制作，倒角的存在，在后期的薄膜沉積過程中，尤其是蒸鍍頂電極時(shí)，容易引起薄膜斷裂，形成缺陷，降低產(chǎn)品良率。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種負(fù)性光阻薄膜及其制備方法與應(yīng)用，旨在解決現(xiàn)有負(fù)性光阻曝光顯影形成倒角的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種可防止形成倒角的負(fù)性光阻薄膜制備方法，其中，包括步驟：

A、首先在基板上涂覆負(fù)性光阻溶液，然后烘干，得到負(fù)性光阻薄膜；其中，所述負(fù)性光阻溶液中的感光樹脂為具有含氟基團(tuán)的感光樹脂；

B、其次通過曝光掩膜對負(fù)性光阻薄膜進(jìn)行曝光；

C、最后對曝光后的負(fù)性光阻薄膜進(jìn)行顯影。

所述的可防止形成倒角的負(fù)性光阻薄膜制備方法，其中，所述具有含氟基團(tuán)的感光樹脂為光聚合型感光樹脂或光交聯(lián)型感光樹脂。

所述的可防止形成倒角的負(fù)性光阻薄膜制備方法，其中，所述光聚合型感光樹脂為烯類單體。

所述的可防止形成倒角的負(fù)性光阻薄膜制備方法，其中，所述光交聯(lián)型感光樹脂為聚乙烯醇月桂酸酯。

所述的可防止形成倒角的負(fù)性光阻薄膜制備方法，其中，負(fù)性光阻薄膜的厚度為1~3um。

所述的可防止形成倒角的負(fù)性光阻薄膜制備方法，其中，步驟A中，烘干具體包括：先進(jìn)行前烘，前烘條件為：溫度70~100℃，時(shí)間為60-150s。

所述的可防止形成倒角的負(fù)性光阻薄膜制備方法，其中，所述基板為剛性基板或柔性基板。

所述的可防止形成倒角的負(fù)性光阻薄膜制備方法，其中，在基板上以旋涂工藝涂覆負(fù)性光阻溶液。

一種負(fù)性光阻薄膜，其中，采用如上任一項(xiàng)所述的方法制備而成。

一種如上所述的負(fù)性光阻薄膜的應(yīng)用，其特征在于，將所述負(fù)性光阻薄膜應(yīng)用于制作像素界定層。

有益效果：本發(fā)明通過用具有含氟基團(tuán)的感光樹脂代替常規(guī)感光樹脂，在負(fù)性光阻溶液干燥成膜的過程中，含氟基團(tuán)的感光樹脂由于其表面能較低，傾向于在負(fù)性光阻薄膜表面聚集，因此干燥成膜后，負(fù)性光阻薄膜中的感光樹脂和增感劑會(huì)形成不同的濃度梯度分布，增感劑的濃度從上到下依次增大，因此在曝光時(shí)，下層薄膜由于增感劑含量高于上層薄膜，所需的曝光劑量要小于上層薄膜，從而抵消了曝光時(shí)，曝光量從上到下依次較小的影響，進(jìn)而防止顯影后倒角的形成。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有負(fù)性光阻薄膜曝光顯影的工藝流程圖。

圖2為本發(fā)明一種防止負(fù)性光阻曝光顯影形成倒角的方法較佳實(shí)施例的流程圖。

圖3為本發(fā)明負(fù)性光阻薄膜曝光顯影的工藝流程圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供一種負(fù)性光阻薄膜及其制備方法與應(yīng)用，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

請參閱圖2，圖2為本發(fā)明一種可防止形成倒角的負(fù)性光阻薄膜制備方法較佳實(shí)施例的流程圖，如圖所示，其包括步驟：

S100、首先在基板上涂覆負(fù)性光阻溶液，然后烘干，得到負(fù)性光阻薄膜；其中，所述負(fù)性光阻溶液中的感光樹脂為具有含氟基團(tuán)的感光樹脂；

S200、其次通過曝光掩膜對負(fù)性光阻薄膜進(jìn)行曝光；

S300、最后對曝光后的負(fù)性光阻薄膜進(jìn)行顯影。

本發(fā)明通過用具有含氟基團(tuán)的感光樹脂代替常規(guī)感光樹脂，在負(fù)性光阻溶液干燥成膜的過程中，含氟基團(tuán)的感光樹脂由于其表面能較低，傾向于在負(fù)性光阻薄膜表面聚集，因此干燥成膜后，負(fù)性光阻薄膜中的感光樹脂和增感劑會(huì)形成不同的濃度梯度分布，增感劑的濃度從上到下依次增大，因此在曝光時(shí)，下層薄膜由于增感劑含量高于上層薄膜，所需的曝光劑量要小于上層薄膜，從而抵消了曝光時(shí)，曝光量從上到下依次較小的影響，進(jìn)而防止顯影后倒角的形成。

步驟S100中，所述基板為剛性基板或柔性基板。例如，所述剛性基板可選硅片、金屬、玻璃或不銹鋼等剛性基板。所述柔性基板可選聚酰亞胺（PI）、聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）等柔性基板。當(dāng)所述基板為柔性基板時(shí)，需將這些柔性基板在剛性基板上預(yù)先貼附或成膜，此剛性基板可以為玻璃等。

所述步驟S100具體包括步驟：對基板進(jìn)行潔凈處理，在基板上以旋涂工藝涂覆負(fù)性光阻溶液，然后烘干，得到負(fù)性光阻薄膜。例如，當(dāng)所述基板選用玻璃基板時(shí)，預(yù)先對玻璃基板以電子級的清洗工藝進(jìn)行潔凈處理，接著在玻璃基板上涂覆負(fù)性光阻溶液，然后烘干，得到負(fù)性光阻薄膜，所述負(fù)性光阻薄膜厚度取決于實(shí)際器件需要，約為1~3um。所述烘干具體包括：先進(jìn)行前烘，前烘條件為：溫度70~100℃（如90℃），時(shí)間為60~150s（如60s）。

所述步驟S100中，所述負(fù)性光阻溶液的材料包含具有含氟基團(tuán)的感光樹脂、增感劑、溶劑和添加劑等。優(yōu)選地，按重量份計(jì)，本發(fā)明所述負(fù)性光阻溶液的材料包含20~80份的具有含氟基團(tuán)的感光樹脂、20~90份的增感劑、250~350份的溶劑和2~10份的添加劑，在該重量配比下，可進(jìn)一步防止顯影后倒角的形成。其中，所述具有含氟基團(tuán)的感光樹脂作為粘合劑，給予制成的像素界定層機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；所述增感劑在光能作用下能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，所述增感劑為一種經(jīng)過曝光后釋放出氮?dú)獾墓饷魟a(chǎn)生的自由基在橡膠分子間形成交聯(lián)，從而變得不溶于顯影液；所述溶劑可保持負(fù)性光阻溶液的液體狀態(tài)，使負(fù)性光阻溶液具有良好的流動(dòng)性，例如，所述溶劑可以為二甲苯；所述添加劑可用于改變負(fù)性光阻溶液的某些活性，如為了改善負(fù)性光阻溶液發(fā)生反射而添加染色劑等。本發(fā)明采用具有含氟基團(tuán)的感光樹脂代替常規(guī)的感光樹脂配制負(fù)性光阻溶液，通過含氟感光樹脂低表面能傾向于薄膜表面聚集的特性，使得增感劑在負(fù)性光阻薄膜中的濃度從上到下依次增大，從而有效抵消曝光時(shí)曝光量在負(fù)性光阻薄膜中從上到下依次減小的影響，進(jìn)而防止負(fù)性光阻薄膜曝光顯影后倒角的形成，有利于光刻工藝的精度以及像素bank的制作。

優(yōu)選地，本發(fā)明所述具有含氟基團(tuán)的感光樹脂可以為光聚合型感光樹脂或光交聯(lián)型感光樹脂。例如，所述光聚合型感光樹脂可以為但不限于烯類單體，所述光交聯(lián)型感光樹脂可以為但不限于聚乙烯醇月桂酸酯。

步驟S200中，通過曝光掩膜對負(fù)性光阻薄膜進(jìn)行曝光。具體地，本發(fā)明使用掩膜板對所述負(fù)性光阻薄膜進(jìn)行曝光，通過曝光使負(fù)性光阻薄膜進(jìn)行交聯(lián)，交聯(lián)后還對負(fù)性光阻薄膜進(jìn)行模壓并刻蝕處理，形成圖案化的負(fù)性光阻薄膜。由于負(fù)性光阻薄膜對曝光光源具有吸收，因此，整個(gè)負(fù)性光阻薄膜的曝光量從負(fù)性光阻薄膜上表面到下表面是依次減小的，對于常規(guī)的負(fù)性光阻薄膜，這種情況容易引起倒角的形成，而本發(fā)明中的負(fù)性光阻薄膜，由于增感劑的濃度在負(fù)性光阻薄膜內(nèi)從上到下依次增大，增感劑的濃度越大，負(fù)性光阻薄膜完全曝光所需的曝光量就越小，因此通過增感劑的濃度梯度調(diào)節(jié)，可以消除曝光量依次減小對整個(gè)負(fù)性光阻薄膜曝光環(huán)境的影響。

步驟S300中，對曝光后的負(fù)性光阻薄膜進(jìn)行顯影，由于增感劑的濃度梯度抵消了曝光量的梯度減小，顯影后的負(fù)性光阻薄膜不會(huì)形成倒角；此外，還可以通過調(diào)節(jié)濃度的變化梯度形成小角度tape角，便于制作像素bank。

圖3為本發(fā)明負(fù)性光阻薄膜曝光顯影的工藝流程圖，其中，6為負(fù)性光阻薄膜，7為具有含氟基團(tuán)的感光樹脂，8為增感劑，9為基板，10為光阻圖案。本發(fā)明通過用具有含氟基團(tuán)的感光樹脂7代替常規(guī)感光樹脂，在負(fù)性光阻溶液干燥成膜的過程中，含氟基團(tuán)的感光樹脂7由于其表面能較低，傾向于在負(fù)性光阻薄膜表面聚集，因此干燥成膜后，負(fù)性光阻薄膜中的感光樹脂和增感劑會(huì)形成不同的濃度梯度分布，增感劑的濃度從上到下依次增大，因此在曝光時(shí)，下層薄膜由于增感劑含量高于上層薄膜，所需的曝光劑量要小于上層薄膜，從而抵消了曝光時(shí)，曝光量從上到下依次較小的影響，進(jìn)而防止顯影后倒角的形成。

基于上述方法，本發(fā)明還提供一種負(fù)性光阻薄膜，其采用如上任一項(xiàng)所述的方法制備而成。本發(fā)明負(fù)性光阻薄膜中的感光樹脂采用具有含氟基團(tuán)的感光樹脂，從而有效防止負(fù)性光阻薄膜曝光顯影后倒角的形成，有利于光刻工藝的精度以及像素bank的制作。

本發(fā)明還提供一種負(fù)性光阻薄膜的應(yīng)用，將所述負(fù)性光阻薄膜應(yīng)用于制作像素界定層。本發(fā)明的負(fù)性光阻薄膜應(yīng)用于制作像素界定層時(shí)，不僅降低了生產(chǎn)成本，還增加了成品的良率和器件的效果。

綜上所述，本發(fā)明的一種負(fù)性光阻薄膜及其制備方法與應(yīng)用，本發(fā)明通過用具有含氟基團(tuán)的感光樹脂代替常規(guī)感光樹脂，在負(fù)性光阻溶液干燥成膜的過程中，含氟基團(tuán)的感光樹脂由于其表面能較低，傾向于在薄膜表面聚集，因此干燥成膜后，光阻薄膜中的感光樹脂和增感劑會(huì)形成不同的濃度梯度分布，增感劑的濃度從上到下依次增大，因此在曝光時(shí)，下層薄膜由于增感劑含量高于上層薄膜，所需的曝光劑量要小于上層薄膜，從而抵消了曝光時(shí)，曝光量從上到下依次較小的影響，進(jìn)而防止顯影后倒角的形成。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。