本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板及其陣列基板。

背景技術(shù)：

隨著液晶顯示行業(yè)的迅速發(fā)展，越來越追求顯示性能的提高，其中高分辨率的顯示面板逐漸成為主流之一，以致現(xiàn)在的消費者在選購顯示器的過程中，不僅僅對尺寸和比例有著嚴格的要求，對于分辨率的高低也已經(jīng)有了一個標桿。隨著顯示面板分辨率的提高，現(xiàn)有技術(shù)越來越挑戰(zhàn)工藝極限。

具體參見圖1和圖2，圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板的陣列基板100的示意圖，圖2示出了圖1所示陣列基板沿著AA'的剖面圖。結(jié)合圖1和圖2，陣列基板100包括遮光層110、薄膜晶體管120、公共電極130及像素電極140。薄膜晶體管120包括依次形成的有源層121、柵絕緣層、柵極層122、電極間絕緣層、源極層和漏極層123。源極層和漏極層123位于同一層，并通過柵絕緣層和電極間絕緣層上的過孔與有源層121連接。在薄膜晶體管上依次包括絕緣層、公共電極130、絕緣層及像素電極140。像素電極140通過絕緣層上的過孔與漏極層連接。

由于液晶本身不會發(fā)光，而是依靠背光模組將光線射入液晶顯示面板以顯示圖像。目前薄膜晶體管120的有源層121一般采用非晶硅或多晶硅等半導(dǎo)體材料，由于半導(dǎo)體材料對光線敏感，因此，光線的照射會影響有源層的性能，會產(chǎn)生光罩漏電流，從而影響薄膜晶體管120的性能。為了保護有源層的性能，在薄膜晶體管120靠近背光模組的一側(cè)設(shè)置遮光層110，以遮擋照射到有源層121的光線。如圖1所示，遮光層110一般遮擋柵極層122和有源層121交疊的位置。換言之，針對每個薄膜晶體管120可設(shè)置兩個遮光層110。

然而，隨著顯示面板分辨率的提高，陣列基板100單位面積內(nèi)線路集成度增加，遮光層110相互連接在一起形成一長條(在柵極線122延伸方向連續(xù)不斷開)。在實際制程中，長條狀遮光層110使得制程靜電增加，導(dǎo)致柵極線122斷線不良，嚴重影響產(chǎn)品良率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種顯示面板及其陣列基板，其提高顯示面板的產(chǎn)品良率。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種陣列基板包括：基板；多條數(shù)據(jù)線，位于所述基板上，沿第一方向延伸，并沿第二方向排列；多條柵極線，位于所述基板上，沿第二方向延伸，并沿第一方向排列，多條所述柵極線與多條所述數(shù)據(jù)線交叉形成沿所述第一方向和所述第二方向排列的多個像素區(qū)；多個薄膜晶體管，位于所述基板上，各所述像素區(qū)內(nèi)設(shè)置至少一個所述薄膜晶體管；以及遮光層，位于所述基板和所述薄膜晶體管之間，形成沿所述第一方向和所述第二方向排列的多個所述遮光區(qū)，在所述第二方向上相鄰兩個所述遮光區(qū)之間形成開縫，各所述遮光區(qū)在所述第二方向上與多個所述像素區(qū)部分重疊。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供一種顯示面板，包括：如上所述的陣列基板；彩膜基板，與所述陣列基板相對；液晶層，位于所述陣列基板和所述彩膜基板之間。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過位于基板和薄膜晶體管之間的遮光層形成多個遮光區(qū)以遮擋照射到薄膜晶體管部分元件的光。同時，通過在第二方向上相鄰兩個遮光區(qū)之間形成開縫，各遮光區(qū)在第二方向上與多個像素區(qū)部分重疊，以減小高分辨率下陣列基板的工藝難度，并減少制程中產(chǎn)生的靜電，緩解制程中產(chǎn)生的斷線問題，提高產(chǎn)品良率。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述其示例實施方式，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點將變得更加明顯。

圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的示意圖；

圖2示出了圖1所示陣列基板沿著AA'的剖面圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的陣列基板的示意圖；

圖4示出了圖3所示陣列基板沿著BB'的剖面圖；

圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的陣列基板的示意圖；

圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的陣列基板的示意圖；

圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示面板的截面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實施方式；相反，提供這些實施方式使得本發(fā)明將全面和完整，并將示例實施方式的構(gòu)思全面地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附圖標記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略對它們的重復(fù)描述。

所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個或更多實施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細節(jié)從而給出對本發(fā)明的實施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)意識到，沒有特定細節(jié)中的一個或更多，或者采用其它的方法、組元、材料等，也可以實踐本發(fā)明的技術(shù)方案。在某些情況下，不詳細示出或描述公知結(jié)構(gòu)、材料或者操作以避免模糊本發(fā)明。

本發(fā)明的附圖僅用于示意相對位置關(guān)系，附圖中元件的大小并不代表實際大小的比例關(guān)系。

為了改善現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板產(chǎn)品良率的問題，本發(fā)明提供一種陣列基板包括：基板；多條數(shù)據(jù)線，位于基板上，沿第一方向延伸，并沿第二方向排列；多條柵極線，位于基板上，沿第二方向延伸，并沿第一方向排列，多條柵極線與多條數(shù)據(jù)線交叉形成沿第一方向和第二方向排列的多個像素區(qū)；多個薄膜晶體管，位于基板上，各像素區(qū)內(nèi)設(shè)置至少一個薄膜晶體管；以及遮光層，位于基板和薄膜晶體管之間，形成沿第一方向和第二方向排列的多個遮光區(qū)，在第二方向上相鄰兩個遮光區(qū)之間形成開縫，各遮光區(qū)在第二方向上與多個像素區(qū)部分重疊。

本發(fā)明提供的陣列基板中，在基板和薄膜晶體管之間設(shè)置遮光層，遮光層形成沿第一方向和第二方向排列的多個遮光區(qū)，在第二方向上相鄰兩個遮光區(qū)之間形成開縫，各遮光區(qū)在第二方向上與多個像素區(qū)部分重疊。因此，一方面，遮光層能夠有效阻擋光線照射到薄膜晶體管的半導(dǎo)體層；另一方面，遮光層包括多個沿第一方向和第二方向排列的遮光區(qū)，遮光區(qū)之間形成有開縫，能夠降低單個遮光區(qū)的面積，從而降低制程中單個遮光區(qū)產(chǎn)生的靜電電荷量，減少制程中靜電電荷擊穿其他的金屬線，例如，柵極線或者數(shù)據(jù)線，進而緩解斷線問題。

下面結(jié)合附圖描述本發(fā)明提供的多個實施例。

首先參見圖3和圖4，圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的陣列基板200的示意圖，圖4示出了圖3所示陣列基板沿著BB'的剖面圖。

結(jié)合圖3和圖4，陣列基板200包括基板210、多條數(shù)據(jù)線220、多條柵極線230、多個薄膜晶體管250及遮光層260。

基板210可選地為玻璃或樹脂材料制成的透明基板。數(shù)據(jù)線220位于基板210上。各數(shù)據(jù)線220沿Y方向(即第一方向)延伸，并沿X方向(即第二方向)排列。Y方向垂直于X方向。上述延伸方向僅描述數(shù)據(jù)線220的大致延伸方向，并非意在將數(shù)據(jù)線220限定為直線。如圖3所示，各數(shù)據(jù)線220為總體沿Y方向延伸的折線。

多條柵極線230也位于基板210上。各柵極線230沿X方向延伸，并沿Y方向排列。類似地，上述延伸方向僅描述柵極線230的大致延伸方向，并非意在將柵極線230限定為直線。柵極線230可以是如圖3所示的直線，也可以為總體沿X方向延伸的折線或曲線。多條柵極線230與多條數(shù)據(jù)線220交叉形成沿X方向和Y方向排列的多個像素區(qū)240。具體而言，本實施例中陣列基板200用于顯示面板中進行顯示時，各像素區(qū)240共顯示三種或四種顏色，每個像素區(qū)240顯示紅色、綠色、藍色、白色及黃色中的一種。

多個薄膜晶體管250位于基板210上。各像素區(qū)240內(nèi)設(shè)置至少一個薄膜晶體管250。如圖4所示，薄膜晶體管250包括依次在基板210上形成的有源層251、柵絕緣層、柵極252、電極間絕緣層、源極253和漏極254。源極253和漏極254位于同一層，并通過柵絕緣層和電極間絕緣層上的過孔與有源層251連接。圖中僅僅是示意性地示出薄膜晶體管250的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明不限定薄膜晶體管250的類型，例如薄膜晶體管250可以是頂柵型、底柵型、雙柵極等類型的薄膜晶體管250。在本實施例中，柵極線230與薄膜晶體管250的柵極252同層設(shè)置，數(shù)據(jù)線220與薄膜晶體管250的源極253和漏極254同層設(shè)置。

遮光層260位于基板210和薄膜晶體管250之間。如圖3所示，遮光層260形成沿X方向和Y方向排列的多個遮光區(qū)261。換言之，遮光層260可形成遮光區(qū)261的陣列。各遮光區(qū)261在Y方向上的寬度小于一個像素區(qū)240在Y方向上的寬度。各遮光區(qū)261在X方向上與多個像素區(qū)240部分重疊?？蛇x地，各遮光區(qū)261在X方向(即第二方向)上部分重疊的像素區(qū)240的數(shù)量為2個至6個。本實施例中示出，各遮光區(qū)261在X方向上部分重疊的像素區(qū)240的數(shù)量相同，且數(shù)量為4。在一些變化例中，各遮光區(qū)261在X方向上部分重疊的像素區(qū)240的數(shù)量可以不同。進一步地，各遮光區(qū)261在X方向上部分重疊的像素區(qū)240的重疊的數(shù)量可隨陣列基板的大小、所需分辨率和制程工藝難度而定。例如，當具有該陣列基板的顯示面板的分辨率較大時，可使遮光區(qū)261在X方向上部分重疊較多像素區(qū)240(例如6個)；當具有該陣列基板的顯示面板的分辨率較小時，可使遮光區(qū)261在X方向上部分重疊較少像素區(qū)240(例如2個)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以實現(xiàn)更多的變化例，在此不予贅述。

在X方向(即第二方向)上相鄰兩個遮光區(qū)261之間形成開縫262。在本實施例中，為了減小開縫262對陣列基板200上各器件的影響，上述開縫262設(shè)置在相鄰數(shù)據(jù)線220之間。進一步地，為了減小開縫262對陣列基板200上薄膜晶體管250的影響，開縫262位于相鄰薄膜晶體管250之間?？紤]到遮光區(qū)261之間開縫262的制程工藝(機臺的曝光極限)，優(yōu)選地，開縫262在X方向上的寬度大于等于2微米。

具體而言，本實施例中的陣列基板200用于顯示面板中進行顯示時，各像素區(qū)240共顯示三種或四種顏色，每個像素區(qū)240顯示紅色、綠色、藍色、白色及黃色中的一種，且至少一個像素區(qū)240顯示藍色。由于人眼對于藍色相較于其他顏色而言，較不敏感，因此，在一些實施例中，開縫262設(shè)置在顯示藍色的像素區(qū)240對應(yīng)的區(qū)域中，以減小開縫262對于顯示的影響。

進一步地，在本實施例中，薄膜晶體管250的有源層251摻雜形成半導(dǎo)體區(qū)域，半導(dǎo)體區(qū)域在垂直于陣列基板200的方向上被柵極252(由柵極線230形成的柵極252)覆蓋。對應(yīng)地，各遮光區(qū)261對應(yīng)覆蓋柵極線230，以遮擋照射到有源層251的半導(dǎo)體區(qū)域的光。在另一些實施例中，各遮光區(qū)261還需對應(yīng)覆蓋未與柵極線230重疊的半導(dǎo)體區(qū)域，以遮擋照射到有源層251的半導(dǎo)體區(qū)域的光。

此外，陣列基板200還可以包括像素電極280和公共電極270。像素電極280與薄膜晶體管250的漏極254電連接。公共電極270與像素電極280相對設(shè)置且相互絕緣。如圖4所示，在本實施例中，薄膜晶體管250上依次包括絕緣層、公共電極270、絕緣層及像素電極280。像素電極280通過絕緣層上的過孔與漏極層連接。圖4僅僅是示意性地示出像素電極280和公共電極270的層疊結(jié)構(gòu)，本發(fā)明并非以此為限。例如，在一些實施例中，像素電極280可以位于公共電極270和薄膜晶體管250之間。在又一些實施例中，像素電極280可以與公共電極270同層設(shè)置。

圖3及圖4僅僅是示意性地示出本發(fā)明提供的第一實施例的陣列基板，各元件的數(shù)量、形狀和位置并非以此為限，在不背離本發(fā)明的構(gòu)思的前提下，這些變化都在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。

下面分別參見圖5和圖6，圖5和圖6分別示出本發(fā)明的兩個實施例。

首先參見圖5，圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的陣列基板300的示意圖。圖5示出的陣列基板300與陣列基板200結(jié)構(gòu)類似。陣列基板300包括基板、沿Y方向延伸的多條數(shù)據(jù)線320、沿X方向延伸的多條柵極線330、薄膜晶體管350及遮光層360形成的多個遮光區(qū)361。各薄膜晶體管350分別連接數(shù)據(jù)線320、柵極線330及像素區(qū)中的像素電極380。在本實施例中，沿X方向相鄰的遮光區(qū)361之間的開縫362沿Y方向(即第一方向)上對齊。進一步地，在本實施例中，數(shù)據(jù)線320及柵極線330為沿Y方向和X方向延伸的直線，使得開縫362可以在Y方向上嚴格地對齊。

繼續(xù)參見圖6，圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的陣列基板400的示意圖。圖6示出的陣列基板400與陣列基板300結(jié)構(gòu)類似。陣列基板400包括基板、沿Y方向延伸的多條數(shù)據(jù)線420、沿X方向延伸的多條柵極線430、薄膜晶體管450及遮光層460形成的多個遮光區(qū)461。各薄膜晶體管450分別連接數(shù)據(jù)線420、柵極線430及像素區(qū)中的像素電極480。與陣列基板300不同的是，在圖6中，沿X方向相鄰的遮光區(qū)461之間的開縫462在Y方向(即第一方向)上錯開。

上述圖5及圖6為了清楚起見，簡化了各個部件，并以簡單矩形和簡單符號示出?？梢愿鶕?jù)像素區(qū)在顯示面板中進行顯示時對應(yīng)顯示的顏色排列、具體制程工藝等因素來決定上述開縫在Y方向上的對齊或錯開。例如，在圖5和圖6所示的實施例中，由于人眼對于藍色相較于其他顏色而言，較不敏感，因此，在一些實施例中，相鄰遮光區(qū)之間的開縫設(shè)置在顯示藍色的像素區(qū)對應(yīng)的區(qū)域中，以減小開縫對于顯示的影響。

在一些實施例中，在顯示面板進行顯示時對應(yīng)顯示藍色的像素區(qū)在Y方向上對齊，則各開縫可按圖5所示的方式在Y方向上對齊設(shè)置；在另一些實施例中，在顯示面板中進行顯示時對應(yīng)顯示藍色的像素區(qū)在Y方向上錯開，則各開縫可按圖6所示的方式在Y方向上錯開設(shè)置。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以實現(xiàn)更多的變化例，在此不予贅述。

進一步地，上述第一實施例至第三實施例分別描述了本發(fā)明提供的三種不同的實施方式。在上述任意一實施例，可選地，陣列基板上柵極線與薄膜晶體管的柵極同層，數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管的源漏極同層?？蛇x地，Y方向(即第一方向)垂直于X方向(即第二方向)?？蛇x地，陣列基板包括位于薄膜晶體管之上的像素電極及公共電極，像素電極與薄膜晶體管的漏極電連接，公共電極與像素電極相對設(shè)置且相互絕緣。這些可選地具體布置也可以應(yīng)用在本發(fā)明的其他變化例中，在此不予贅述。

下面結(jié)合圖7描述本發(fā)明實施例的顯示面板。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示面板的截面圖。

顯示面板500包括陣列基板510、與陣列基板510相對的彩膜基板520以及位于陣列基板510和彩膜基板520之間的液晶層530。陣列基板510朝向彩膜基板520的一側(cè)形成有遮光層、柵極線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、公共電極及像素電極等。彩膜基板520包括黑矩陣。黑矩陣包括沿行方向和列方向排列的多個開口，各開口對應(yīng)各像素區(qū)的位置。在各開口處填充有色阻材料，色阻材料定義各像素的顏色。

可選地，顯示面板500還可以包括背光模組，以向顯示面板提供背光，在此不予贅述。

上述附圖僅僅是示意性地示出本發(fā)明提供的顯示面板。為了清楚起見，簡化上述各圖中的元件形狀、元件數(shù)量并省略部分元件，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際需求進行變化，這些變化都在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)，在此不予贅述。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過位于基板和薄膜晶體管之間的遮光層形成多個遮光區(qū)以遮擋照射到薄膜晶體管部分元件的光。同時，通過在第二方向上相鄰兩個遮光區(qū)之間形成開縫，各遮光區(qū)在第二方向上與多個像素區(qū)部分重疊，以減小分辨率下陣列基板的工藝難度，并減少制程中產(chǎn)生的靜電，緩解制程中產(chǎn)生的斷線問題，提高產(chǎn)品良率。

以上具體地示出和描述了本發(fā)明的示例性實施方式。應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于所公開的實施方式，相反，本發(fā)明意圖涵蓋包含在所附權(quán)利要求范圍內(nèi)的各種修改和等效置換。