本發(fā)明涉及液晶顯示面板領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示面板外圍設(shè)計電路及采用該電路的液晶顯示面板。

背景技術(shù)：

低溫多晶硅(Low temperature poly-silicon，簡稱LTPS)，由于其具有高的電子遷移率，可以有效的減小TFT的器件的面積，從而提升像素的開口率。增大面板顯示亮度的同時可以降低整體的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低。目前已成為液晶顯示領(lǐng)域的研究熱點。

隨著LCD面板的不斷發(fā)展，人們對于LCD越來越趨向于窄邊框甚至是無邊框。如何有效的利用LCD外圍邊框，也是近年來面板設(shè)計者們研究的熱點。

圖1為傳統(tǒng)LTPS設(shè)計外圍結(jié)構(gòu)設(shè)計電路圖。扇出結(jié)構(gòu)(Fanout)10一端連接驅(qū)動集成電路(IC)11下方的下鍵合墊(Bonding pad)12，另一端連接分路器(DE-Mux)13。分路器13與扇出結(jié)構(gòu)10連接的一端同時連接測試線路(Switch test)14。整個結(jié)構(gòu)設(shè)計中，扇出結(jié)構(gòu)10與測試線路14為并聯(lián)關(guān)系。在檢測時，面板內(nèi)通過測試線路14的ODD/EVEN線提供傳輸信號，TFT開關(guān)打開，通過分路器13實現(xiàn)面板的顯示畫面。

模組鍵合完成后，測試線路14的TFT開關(guān)關(guān)閉，由驅(qū)動集成電路11正常輸入信號，通過分路器13實現(xiàn)面板的正常顯示。整個結(jié)構(gòu)中測試線路13占據(jù)有大部分空間，不利于面板的窄邊框設(shè)計。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種液晶顯示面板外圍設(shè)計電路及采用該電路的液晶顯示面板，其能夠有效的節(jié)省液晶顯示面板外圍空間，更好的實現(xiàn)產(chǎn)品的窄邊框設(shè)計。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板外圍設(shè)計電路，包括分路器、測試線路、驅(qū)動集成電路區(qū)域及扇出結(jié)構(gòu)，所述驅(qū)動集成電路區(qū)域包括相對設(shè)置的上鍵合墊、下鍵合墊及連接所述上鍵合墊及下鍵合墊的驅(qū)動集成電路，所述扇出結(jié)構(gòu)連接所述下鍵合墊及分路器，所述測試線路設(shè)置在所述上鍵合墊與下鍵合墊之間，所述驅(qū)動集成電路覆蓋在所述測試線路上，所述測試線路連接至所述下鍵合墊。

進一步，所述測試線路包括奇數(shù)信號傳輸線及偶數(shù)信號傳輸線，所述測試線路通過所述奇數(shù)信號傳輸線和所述偶數(shù)信號傳輸線輸出極性相反的交流信號。

進一步，所述奇數(shù)信號傳輸線及偶數(shù)信號傳輸線輸出互為反相同步的周期脈沖信號。

進一步，所述測試線路包括信號單元測試線，用于輸出極性相反的交流信號。

進一步，所述測試線路包括測試控制開關(guān)，用于控制測試線路的開與關(guān)。

進一步，所述測試控制開關(guān)為N-MOS薄膜晶體管，所述測試線路提供高電位，所述N-MOS薄膜晶體管打開以開啟所述測試線路。

進一步，所述測試控制開關(guān)為N-MOS薄膜晶體管，所述測試線路提供低電位，所述P-MOS薄膜晶體管打開以開啟所述測試線路。

進一步，所述分路器包括R信號控制開關(guān)、G信號控制開關(guān)及B信號控制開關(guān)。

進一步，所述R信號控制開關(guān)、G信號控制開關(guān)及B信號控制開關(guān)為N-MOS薄膜晶體管或P-MOS薄膜晶體管。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，包括顯示區(qū)域及非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括上述的液晶顯示面板外圍設(shè)計電路。

本發(fā)明的優(yōu)點在于，在不影響液晶顯示面板顯示效果的情況下，有效的節(jié)省了液晶顯示面板的外圍空間，這樣能實現(xiàn)液晶顯示面板的窄邊框設(shè)計，提高液晶顯示面板的外觀效果。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有的液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的第一具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的第一具體實施方式的各個信號的時序波形圖；

圖4是本發(fā)明液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的第二具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的第二具體實施方式的各個信號的時序波形圖；

圖6是本發(fā)明液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的第三具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的第三具體實施方式的各個信號的時序波形圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的液晶顯示面板外圍設(shè)計電路及采用該電路的液晶顯示面板的具體實施方式做詳細說明。

圖2是本發(fā)明液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的第一具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖2，在本第一具體實施方式中，本發(fā)明液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的包括分路器20、測試線路21、驅(qū)動集成電路區(qū)域22及扇出結(jié)構(gòu)23。

所述驅(qū)動集成電路區(qū)域22包括相對設(shè)置的上鍵合墊24、下鍵合墊25及連接所述上鍵合墊24及下鍵合墊25的驅(qū)動集成電路22。所述扇出結(jié)構(gòu)23連接所述下鍵合墊25及分路器20。

所述測試線路21設(shè)置在所述上鍵合墊24與下鍵合墊25之間，所述驅(qū)動集成電路22覆蓋在所述測試線路21上。所述測試線路21連接至所述下鍵合墊24，即所述測試線路21通過所述下鍵合墊24與扇出結(jié)構(gòu)23串聯(lián)連接。

所述測試線路21包括奇數(shù)信號傳輸線ODD及偶數(shù)信號傳輸線EVEN，用于輸出極性相反的交流信號，所述奇數(shù)信號傳輸線ODD及偶數(shù)信號傳輸線EVEN輸出互為反相同步的周期脈沖信號。所述測試線路21還包括測試控制開關(guān)S，用于控制測試線路21的開與關(guān)，在本具體實施方式中，所述測試控制開關(guān)S為N-MOS薄膜晶體管。

所述分路器20包括R信號控制開關(guān)TC1、G信號控制開關(guān)TC2及B信號控制開關(guān)TC3，用于控制數(shù)據(jù)信號是否通入RGB像素單元。在本具體實施方式中，所述R信號控制開關(guān)TC1、G信號控制開關(guān)TC2及B信號控制開關(guān)TC3為N-MOS薄膜晶體管。

所述液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的工作過程如下：

在測試時，測試線路21的測試控制開關(guān)S打開，由ODD/EVEN傳輸信號，信號通過扇出結(jié)構(gòu)23傳輸入分路器20，驅(qū)動面板進行顯示。測試結(jié)束后，測試線路21的測試控制開關(guān)S關(guān)閉，驅(qū)動集成電路22通過扇出結(jié)構(gòu)23傳輸信號進入分路器20，實現(xiàn)面板正常顯示。

圖3是本發(fā)明液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的各個信號的時序波形圖，參見圖3，該時序波形圖是面板顯示紅色畫面下的各個信號的時序波形圖，ODD/EVEN提供極性反轉(zhuǎn)的交流信號，提供高電位時，測試控制開關(guān)S打開，分路器20的R信號控制開關(guān)TC1提供高電位時，TC1開啟，向R像素輸入信號，TC2與TC3一直保持低電位輸出，不向G與B像素輸入信號，液晶顯示面板顯示為紅色。依次類推，當(dāng)所述TC1及TC3為低電位，所述TC2為高電位時，向G像素輸入信號，液晶顯示面板顯示為綠色，當(dāng)所述TC1及TC2為低電位，所述TC3為高電位時，向B像素輸入信號，液晶顯示面板顯示為藍色。

在本具體實施方式中，將所述測試線路21設(shè)置在上鍵合墊24與下鍵合墊25之間，節(jié)省了測試線路占用的空間，有利于液晶顯示面板的窄邊框的設(shè)計。

圖4為本發(fā)明液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的第二具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖4，本具體實施方式與第一具體實施方式的區(qū)別在于，所述測試線路21采用信號單元測試線SCT提供測試信號，所述信號單元測試線SCT用于輸出極性相反的交流信號。

圖5是本發(fā)明液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的第二具體實施方式的各個信號的時序波形圖。參見圖5，該時序波形圖是面板顯示紅色畫面下的各個信號的時序波形圖，信號單元測試線SCT提供極性反轉(zhuǎn)的交流信號，提供高電位時，測試控制開關(guān)S打開，分路器20的R信號控制開關(guān)TC1提供高電位時，TC1開啟，向R像素輸入信號，TC2與TC3一直保持低電位輸出，不向G與B像素輸入信號，液晶顯示面板顯示為紅色。

圖6為本發(fā)明液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的第三具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖6，本具體實施方式與第一具體實施方式的區(qū)別在于，所述測試控制開關(guān)S為P-MOS薄膜晶體管，所述R信號控制開關(guān)TC1、G信號控制開關(guān)TC2及B信號控制開關(guān)TC3為P-MOS薄膜晶體管。其中，所述測試線路21可采用奇數(shù)信號傳輸線ODD及偶數(shù)信號傳輸線EVEN輸出極性相反的交流信號，或者采用信號單元測試線SCT輸出極性相反的交流信號。

圖7是本發(fā)明液晶顯示面板外圍設(shè)計電路的第三具體實施方式的各個信號的時序波形圖。參見圖7，該時序波形圖是面板顯示紅色畫面下的各個信號的時序波形圖，信號單元測試線SCT或奇數(shù)信號傳輸線ODD及偶數(shù)信號傳輸線EVEN提供極性反轉(zhuǎn)的交流信號，提供低電位時，測試控制開關(guān)S打開，分路器20的R信號控制開關(guān)TC1提供低電位時，TC1開啟，向R像素輸入信號，TC2與TC3一直保持高電位輸出，不向G與B像素輸入信號，液晶顯示面板顯示為紅色。依次類推，當(dāng)所述TC1及TC3為高電位，所述TC2為低電位時，向G像素輸入信號，液晶顯示面板顯示為綠色，當(dāng)所述TC1及TC2為高電位，所述TC3為低電位時，向B像素輸入信號，液晶顯示面板顯示為藍色。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板(附圖中未標示)，所述液晶顯示面板包括顯示區(qū)域及非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括上述的液晶顯示面板外圍設(shè)計電路。所述液晶顯示面板將測試線路設(shè)置在上鍵合墊與下鍵合墊之間，節(jié)省了測試線路占用的空間，有利于液晶顯示面板的窄邊框的設(shè)計。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。