本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)電光元件的技術(shù)。

背景技術(shù)：

在例如利用了電泳元件、液晶元件等電光元件的顯示裝置中，存在低溫環(huán)境下電光元件的響應(yīng)性降低并且顯示性能變差(例如顯示的切換速度降低)這樣的問題。專利文獻(xiàn)1中公開了由溫度傳感器檢測(cè)到環(huán)境溫度的降低的情況下通過使電流流向像素電極并發(fā)熱來加熱電泳元件的構(gòu)成。具體而言，將電壓Vd經(jīng)由數(shù)據(jù)線供給到像素電極的一端的同時(shí)，將與電壓Vd不同的電壓Vh經(jīng)由加熱器線供給到像素電極的另一端，從而在像素電極的兩端間產(chǎn)生電位差并使電流流過。

然而，在專利文獻(xiàn)1的技術(shù)中，由于需要使供給到數(shù)據(jù)線的顯示用的電壓Vd與電光元件的加熱用的電壓Vh分別地生成，因此存在用于生成在顯示裝置中所使用的電壓的構(gòu)成(例如電源電路的構(gòu)成)復(fù)雜化這樣的問題。另外，在專利文獻(xiàn)1的技術(shù)中，也存在由溫度傳感器的設(shè)置而使顯示裝置的構(gòu)成復(fù)雜化這樣的問題?？紤]到以上的情況，本發(fā)明的目的在于不使裝置構(gòu)成、制造工序復(fù)雜化而能夠改善顯示特性。

現(xiàn)有專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2010-204511號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決以上課題，本發(fā)明優(yōu)選的一種方式的顯示裝置用基板具備：像素電極，具有第一連接點(diǎn)和第二連接點(diǎn)，用于向隨著被施加電壓而顯示灰度發(fā)生變化的電光元件施加電壓；第一信號(hào)線；第二信號(hào)線；第一晶體 管，控制所述第一信號(hào)線與所述第一連接點(diǎn)的連接；第二晶體管，控制所述第二信號(hào)線與所述第二連接點(diǎn)的連接；以及輸出部，向所述第一信號(hào)線供給第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并向所述第二信號(hào)線供給相對(duì)于所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)延遲的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在以上的構(gòu)成中，從第二信號(hào)線經(jīng)由第二晶體管供給到第二連接點(diǎn)的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)處于相對(duì)于從第一信號(hào)線經(jīng)由第一晶體管供給到第一連接點(diǎn)的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)延遲的關(guān)系。因此，從第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓變動(dòng)之后整個(gè)延遲時(shí)間而在第一連接點(diǎn)與第二連接點(diǎn)之間產(chǎn)生電位差，流過對(duì)應(yīng)于該電位差的電流，從而使像素電極發(fā)熱。由于通過用于對(duì)電光元件施加電壓的像素電極的發(fā)熱來加熱電光元件，因此與設(shè)置有專用于電光元件的加熱的電熱線等的構(gòu)成相比，能夠抑制裝置構(gòu)成的復(fù)雜化并同時(shí)加熱電光元件。另外，由于第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)處于相對(duì)于第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)延遲的關(guān)系，因此與生成不同的另一個(gè)電壓并施加在像素電極的兩端間的專利文獻(xiàn)1的構(gòu)成相比，也具有用于生成施加在像素電極的電壓的構(gòu)成被簡化這樣的優(yōu)點(diǎn)。

在本發(fā)明優(yōu)選的一種方式中，具備連接于所述第一晶體管的柵極和所述第二晶體管的柵極的掃描線，所述第一晶體管和所述第二晶體管通過選擇電壓被供給至所述掃描線而被控制為導(dǎo)通狀態(tài)。在以上的構(gòu)成中，第一晶體管的柵極和第二晶體管的柵極連接于共同的掃描線并被同樣地控制。因此，與將第一晶體管和第二晶體管由單獨(dú)的布線、信號(hào)控制的構(gòu)成相比，具有構(gòu)成、控制被簡化這樣的優(yōu)點(diǎn)。

在本發(fā)明優(yōu)選的一種方式中，所述輸出部包括生成所述第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)而輸出到所述第二信號(hào)線的延遲電路，所述延遲電路包括環(huán)境溫度越低則漏極電流越發(fā)減少的特性的晶體管。在以上的構(gòu)成中，環(huán)境溫度越低則構(gòu)成生成第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)的延遲電路的晶體管的漏極電流越發(fā)減少。因此，環(huán)境溫度越低則由延遲電路引起的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)的延遲量越增加。然后，第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)的延遲量越大，則電流流向像素電極的時(shí)間長度越長，就結(jié)果而言促進(jìn)由像素電極的發(fā)熱引起的電光元件的加熱。如從以上的說明可理解的那樣，無需檢測(cè)環(huán)境溫度的溫度傳感器而可實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)于環(huán)境溫度的電光元件的加熱(環(huán)境溫度越低越加熱電光元件的動(dòng)作)。

以上的各一種方式的顯示裝置用基板由例如以下例示的第一方式以及第二方式的方法來制造。第一方式的制造方法是用于制造利用了隨著被施加電壓而顯示灰度發(fā)生變化的電光元件的顯示裝置的顯示裝置用基板，所述制造方法包括：第一工序，在基板上形成元件部；第二工序，形成覆蓋所述元件部的絕緣層；以及第三工序，形成包含經(jīng)由所述絕緣層的導(dǎo)通孔而與所述元件部電連接的第一連接點(diǎn)和第二連接點(diǎn)的像素電極，在所述第一工序中形成包括第一信號(hào)線和第二信號(hào)線、控制所述第一信號(hào)線與所述第一連接點(diǎn)的連接的第一晶體管、控制所述第二信號(hào)線與所述第二連接點(diǎn)的連接的第二晶體管、和向所述第一信號(hào)線供給第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)并向所述第二信號(hào)線供給相對(duì)于所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)延遲的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)的輸出部的所述元件部。第二方式的制造方法，在所述第三工序中，使包含于所述輸出部的晶體管在與所述第一晶體管和所述第二晶體管共同的工序中形成。

本發(fā)明優(yōu)選的一種方式的顯示裝置具備：電光元件，隨著被施加電壓而顯示灰度發(fā)生變化；像素電極，具有第一連接點(diǎn)與第二連接點(diǎn)；相對(duì)電極，所述相對(duì)電極在所述相對(duì)電極與所述像素電極之間向所述電光元件施加電壓；第一信號(hào)線；第二信號(hào)線；第一晶體管，控制所述第一信號(hào)線與所述第一連接點(diǎn)的連接；第二晶體管，控制所述第二信號(hào)線與所述第二連接點(diǎn)的連接；以及輸出部，向所述第一信號(hào)線供給第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并向所述第二信號(hào)線供給相對(duì)于所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)延遲的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

本發(fā)明優(yōu)選方式的顯示裝置由以下例示的方式的控制方法來控制。本發(fā)明優(yōu)選方式的控制方法，其中顯示裝置具備：像素電極，具有第一連接點(diǎn)與第二連接點(diǎn)，用于向隨著被施加電壓而顯示灰度發(fā)生變化的電光元件施加電壓；第一信號(hào)線和第二信號(hào)線；第一晶體管，控制所述第一信號(hào)線與所述第一連接點(diǎn)的連接；以及第二晶體管，控制所述第二信號(hào)線與所述第二連接點(diǎn)的連接，在所述顯示裝置的控制方法中，在使所述第一晶體管和所述第二晶體管導(dǎo)通的狀態(tài)下，將第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到所述第一信號(hào)線，并將相對(duì)于所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)延遲的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到所述第二信號(hào)線。

為了解決以上課題，本發(fā)明優(yōu)選的其他一種方式的顯示裝置具備：電光元件，隨著被施加電壓而顯示灰度發(fā)生變化；像素電極，用于向所述電光元件施加電壓；相對(duì)電極，具有第一連接點(diǎn)與第二連接點(diǎn)，并且，所述相對(duì)電極在所述相對(duì)電極與所述像素電極之間向所述電光元件施加電壓；以及輸出部，向所述第一連接點(diǎn)供給第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并向所述第二連接點(diǎn)供給相對(duì)于所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)延遲的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在以上的構(gòu)成中，供給到第二連接點(diǎn)的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)處于相對(duì)于供給到第一連接點(diǎn)的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)延遲的關(guān)系。因此，從第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓變動(dòng)之后整個(gè)延遲時(shí)間而在第一連接點(diǎn)與第二連接點(diǎn)之間產(chǎn)生電位差，流過對(duì)應(yīng)于該電位差的電流，從而使相對(duì)電極發(fā)熱。由于通過用于對(duì)電光元件施加電壓的相對(duì)電極的發(fā)熱來加熱電光元件，因此與設(shè)置有專用于電光元件的加熱的電熱線等的構(gòu)成相比，能夠抑制裝置構(gòu)成的復(fù)雜化并同時(shí)加熱電光元件。另外，由于第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)處于相對(duì)于第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)延遲的關(guān)系，因此與分別地生成顯示用的電壓和電光元件的加熱用的電壓的專利文獻(xiàn)1的構(gòu)成相比，也具有用于生成施加在相對(duì)電極的電壓的構(gòu)成被簡化這樣的優(yōu)點(diǎn)。

在本發(fā)明優(yōu)選的其他一種方式中，所述輸出部包括生成所述第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)而輸出到所述第二連接點(diǎn)的延遲電路，所述延遲電路包括環(huán)境溫度越低則漏極電流越發(fā)減少的特性的晶體管。在以上的構(gòu)成中，環(huán)境溫度越低則構(gòu)成生成第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)的延遲電路的晶體管的漏極電流越發(fā)減少。因此，環(huán)境溫度越低則由延遲電路引起的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)的延遲量越增加。然后，第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)的延遲量越大，則電流流向相對(duì)電極的時(shí)間長度越長，就結(jié)果而言由相對(duì)電極的發(fā)熱促進(jìn)電光元件的加熱。如從以上的說明可理解的那樣，無需檢測(cè)環(huán)境溫度的溫度傳感器而可實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)于環(huán)境溫度的電光元件的加熱(環(huán)境溫度越低越加熱電光元件的動(dòng)作)。

在本發(fā)明優(yōu)選的其他一種方式中，所述延遲電路設(shè)置于第一基板，在所述第一基板上設(shè)置被供給對(duì)應(yīng)于指定灰度的電壓的灰度信號(hào)的信號(hào)線、所述像素電極、和控制所述信號(hào)線與所述像素電極的連接的晶體管，所述相對(duì)電極設(shè)置于第二基板，在所述第一基板與所述第二基板之間配置所述電光元件。。在以上的構(gòu)成中，由于在形成有控制像素電極與信號(hào)線的連 接的晶體管的第一基板形成延遲電路，因此與在第二基板設(shè)置延遲電路的晶體管的構(gòu)成相比，可實(shí)現(xiàn)第二基板上的要素的構(gòu)成被簡化這樣的效果。

在本發(fā)明優(yōu)選的其他一種方式中，所述相對(duì)電極包括：第一共同布線部、第二共同布線部和多個(gè)電極部，所述第一共同布線部包括所述第一連接點(diǎn)，所述第二共同布線部以與所述第一共同布線部分開的方式而形成，并包括所述第二連接點(diǎn)，所述多個(gè)電極部橫跨所述第一共同布線部與所述第二共同布線部之間。在以上的構(gòu)成中，在包括第一連接點(diǎn)的第一共同布線部與包括第二連接點(diǎn)的第二共同布線部之間產(chǎn)生電位差，對(duì)應(yīng)于該電位差的電流流向橫跨第一共同布線部與第二共同布線部之間的多個(gè)電極部，從而加熱相對(duì)電極。由于電流流向橫跨第一共同布線部與第二共同布線部之間的多個(gè)電極部，因此能夠確保各電極部的電阻并有效地加熱電光元件。

以上的各其他一種方式的顯示裝置由例如以下例示的方式的方法來制造。本發(fā)明優(yōu)選方式的制造方法是用于制造利用了隨著被施加電壓而顯示灰度發(fā)生變化的電光元件的顯示裝置，所述顯示裝置的制造方法包括：第一工序，在第一基板上形成元件部；第二工序，形成覆蓋所述元件部的絕緣層；第三工序，形成經(jīng)由所述絕緣層的導(dǎo)通孔而與所述元件部電連接的像素電極；以及第四工序，在第二基板與所述第一基板之間配置所述電光元件，所述第二基板形成有具有第一連接點(diǎn)與第二連接點(diǎn)的相對(duì)電極，所述相對(duì)電極在所述相對(duì)電極與所述像素電極之間向所述電光元件施加電壓，在所述第一工序中形成包括向所述第一連接點(diǎn)供給第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)并向所述第二連接點(diǎn)供給相對(duì)于所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)延遲的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)的輸出部的所述元件部。

本發(fā)明優(yōu)選的其他一種方式的顯示裝置由以下例示的方式的控制方法來控制。本發(fā)明優(yōu)選方式的控制方法，所述顯示裝置具備：電光元件，隨著被施加電壓而顯示灰度發(fā)生變化；像素電極，用于向所述電光元件施加電壓；以及相對(duì)電極，具有第一連接點(diǎn)與第二連接點(diǎn)，并且，所述相對(duì)電極在所述相對(duì)電極與所述像素電極之間向所述電光元件施加電壓，在所述顯示裝置的控制方法中，將第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到所述第一連接點(diǎn)，并將相對(duì)所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)延遲的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到所述第二連接點(diǎn)。

作為本發(fā)明的方式，除了顯示裝置用基板以及顯示裝置之外，還能夠作為具備該顯示裝置的電子設(shè)備來概括。作為本發(fā)明的電子設(shè)備能夠例示電子書、時(shí)鐘(設(shè)備時(shí)鐘、手表)、可移動(dòng)式便攜終端等，但本發(fā)明的適用范圍不限于以上的例示。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置100的構(gòu)成圖。

圖2是像素電路PIX的電路圖。

圖3是電泳元件46的驅(qū)動(dòng)的說明圖。

圖4是示出顯示裝置100的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖5的(1)至(4)是寫入期間、反轉(zhuǎn)期間以及顯示期間的具體說明圖。

圖6是實(shí)施方式的輸出部50的構(gòu)成圖。

圖7是逆變電路INV的構(gòu)成圖。

圖8是示出環(huán)境溫度與逆變電路INV-2的晶體管TRA和晶體管TRB的關(guān)系的曲線圖。

圖9是元件部70的各晶體管(TS1、TS2、TRA)的截面圖。

圖10是顯示裝置用基板80的制造工序的說明圖。

圖11是顯示裝置用基板80的制造工序的說明圖。

圖12是顯示裝置用基板80的制造工序的說明圖。

圖13是顯示裝置的制造工序的說明圖。

圖14是電子設(shè)備(信息終端)的立體圖。

圖15是電子設(shè)備(電子紙)的立體圖。

圖16是流過像素電極42的電流的說明圖。

圖17是變形例的輸出部50的構(gòu)成圖。

圖18是本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置500的構(gòu)成圖。

圖19是相對(duì)電極562的構(gòu)成圖。

圖20是像素電路SPIX的電路圖。

圖21是電泳元件46的驅(qū)動(dòng)的說明圖。

圖22是示出顯示裝置500的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖23的(1)至(4)是寫入期間、反轉(zhuǎn)期間以及顯示期間的具體說明圖。

圖24是實(shí)施方式的輸出部550的構(gòu)成圖。

圖25是逆變電路SINV的構(gòu)成圖。

圖26是示出環(huán)境溫度與逆變電路SINV(SINV-1、SINV-2)的晶體管STRA以及晶體管STRB的關(guān)系的曲線圖。

圖27是元件部570的各晶體管(STRS、STRA、STRB)的截面圖。

圖28是顯示裝置500的制造工序的說明圖。

圖29是顯示裝置500的制造工序的說明圖。

圖30是顯示裝置500的制造工序的說明圖。

圖31是顯示裝置500的制造工序的說明圖。

圖32是電子設(shè)備(信息終端)的立體圖。

圖33是電子設(shè)備(電子紙)的立體圖。

圖34是變形例的輸出部550的構(gòu)成圖。

符號(hào)說明：

100、顯示裝置；10、元件基板；20、像素部；22、信號(hào)線對(duì)；22A、第一信號(hào)線；22B、第二信號(hào)線；24、掃描線；32、掃描線驅(qū)動(dòng)電路；30、驅(qū)動(dòng)電路；34、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路；36、電壓生成電路；46、電泳元件；462、帶電粒子；464、分散介質(zhì)；48、隔壁；50、輸出部；52、電壓控制電路；54、延遲電路；60、相對(duì)基板；62、相對(duì)電極；63、導(dǎo)通部；70、元件部；72、布線；74、布線；80、顯示裝置用基板；310、信息終端；312、操作件；314、顯示部；320、電子紙；322、基板；500、顯示裝置；510、元件基板；520、像素部；522、信號(hào)線；524、掃描線；530、驅(qū)動(dòng)電路；532、掃描線驅(qū)動(dòng)電路；534、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路；536、電壓生成電路；548、隔 壁；550、輸出部；552、延遲電路；554、電壓控制電路；560、相對(duì)基板；562、相對(duì)電極；563、導(dǎo)通部；565、電極部；566A第一共同布線部；566B、第二共同布線部；570、元件部；574、布線；576、布線；710、信息終端；712、操作件；714、顯示部；720、電子紙；722、基板。

具體實(shí)施方式

第一實(shí)施方式

圖1是本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式的顯示裝置100的框圖。顯示裝置100是利用了隨著被施加電壓而顯示灰度發(fā)生變化的電泳元件的電光裝置。顯示裝置100具備彼此相對(duì)的元件基板10和相對(duì)基板60。從元件基板10觀看，相對(duì)基板60位于觀察側(cè)(觀察顯示裝置100的顯示圖像的觀察者側(cè))。元件基板10與相對(duì)基板60隔開預(yù)定的間隔地由密封材料(未圖示)粘合，電泳元件被密封在兩個(gè)基板的間隙內(nèi)。

如圖1例示的那樣，元件基板10中與相對(duì)基板60的相對(duì)面設(shè)置有包含多個(gè)像素電路PIX的像素部20、驅(qū)動(dòng)各像素電路PIX的驅(qū)動(dòng)電路30、電壓生成電路36和多個(gè)(N個(gè))輸出部50[1]～50[N]。另一方面，相對(duì)基板60例如是玻璃、石英等光透射性的基板，在與元件基板10的相對(duì)的一面形成有相對(duì)電極62。相對(duì)電極62是ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)等光透射性的導(dǎo)電層，在俯視觀察下在整個(gè)多個(gè)像素電路PIX而連續(xù)。

電壓生成電路36生成電壓VH與電壓VL。電壓VH超過電壓VL(VH＞VL)。例如電壓VH被設(shè)定為10V～15V，電壓VL例如被設(shè)定為0V。電壓生成電路36生成的電壓VH與電壓VL被供給到驅(qū)動(dòng)電路30。另外，電壓生成電路36生成并輸出被設(shè)定為電壓VH與電壓VL中的任一者的公共電壓VCOM。電壓生成電路36生成的公共電壓VCOM經(jīng)由形成于元件基板10與相對(duì)基板60之間的導(dǎo)通部63(所謂的銀點(diǎn))而被供給到相對(duì)電極62。

像素部20具有沿X方向延伸的M根掃描線24和沿與X方向交叉(典型地與X方向正交)的Y方向延伸的N組信號(hào)線對(duì)22(M以及N是自然數(shù))。信號(hào)線對(duì)22包含彼此隔開間隔地沿Y方向延伸的第一信號(hào)線22A 和第二信號(hào)線22B。多個(gè)像素電路PIX與各掃描線24和各信號(hào)線對(duì)22的交叉對(duì)應(yīng)地設(shè)置而呈縱M行橫N列的矩陣狀排列。

圖2是像素電路PIX的電路圖。在圖2中圖示出了位于第m行的第n列的任意一個(gè)像素電路PIX。像素電路PIX包含像素電極42、第一晶體管TS1和第二晶體管TS2而構(gòu)成。像素電極42是用于向電泳元件施加電壓的電極，包含第一連接點(diǎn)P1和第二連接點(diǎn)P2。第一晶體管TS1作為控制第一信號(hào)線22A與像素電極42的第一連接點(diǎn)P1的電連接(導(dǎo)通/非導(dǎo)通)的開關(guān)元件而發(fā)揮作用。第二晶體管TS2作為控制第二信號(hào)線22B與像素電極42的第二連接點(diǎn)P2的電連接的開關(guān)元件而發(fā)揮作用。第一晶體管TS1和第二晶體管TS2是N溝道型的薄膜晶體管。第一晶體管TS1和第二晶體管TS2的柵極連接于共同的掃描線24。

在使第一連接點(diǎn)P1的電壓V1與第二連接點(diǎn)P2的電壓V2不相同的狀態(tài)下，對(duì)應(yīng)于電壓V1與電壓V2的電壓差的電流流過第一連接點(diǎn)P1和第二連接點(diǎn)P2之間，從而使像素電極42發(fā)熱。在本實(shí)施方式中，通過像素電極42的發(fā)熱來加熱電泳元件46。即，本實(shí)施方式的像素電極42除了作為向電泳元件46施加電壓的原本的電極的作用，也作為加熱電泳元件46的電熱線而發(fā)揮作用。為了加熱電泳元件46而有效地發(fā)熱，如圖2例示的那樣，本實(shí)施方式的像素電極42形成在第一連接點(diǎn)P1和第二連接點(diǎn)P2之間在Y方向的正側(cè)與負(fù)側(cè)反復(fù)地彎曲的呈高電阻的形狀。

圖3是電泳元件46的說明圖。電泳元件46是利用帶電粒子462的電泳來表現(xiàn)灰度的電光元件，配置于彼此相對(duì)的像素電極42與相對(duì)電極62之間。電泳元件46包含彼此帶反極性電的白色的帶電粒子462W和黑色的帶電粒子462B以及使各帶電粒子462(462B、462W)能夠移動(dòng)地分散的分散介質(zhì)464而構(gòu)成。

圖1的驅(qū)動(dòng)電路30包含掃描線驅(qū)動(dòng)電路32和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路34而構(gòu)成。掃描線驅(qū)動(dòng)電路32和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路34例如以IC芯片的方式安裝于元件基板10上。除了向掃描線驅(qū)動(dòng)電路32以及信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路34 供給電壓生成電路36生成的電壓VH與電壓VL，還從外部的上位裝置供給同步信號(hào)等各種控制信號(hào)、指定顯示灰度的圖像信號(hào)。

圖4是顯示裝置100的動(dòng)作的時(shí)序圖。構(gòu)成顯示裝置100的動(dòng)作的周期的各單位期間(一幀)包括寫入期間、反轉(zhuǎn)期間和顯示期間而構(gòu)成。在寫入期間執(zhí)行將對(duì)應(yīng)于像素電路PIX的指定灰度的電壓供給到各像素電路PIX的寫入動(dòng)作。在反轉(zhuǎn)期間將寫入期間中的各像素電極42的電壓的變化實(shí)際地反映在各像素的顯示灰度。在顯示期間維持各像素的顯示灰度。

如圖4例示的那樣，在各單位期間的寫入期間中，掃描線驅(qū)動(dòng)電路32通過掃描信號(hào)G[1]～G[M]的輸出而在每個(gè)水平掃描期間H依次擇一地選擇從第一行至第M行的M根掃描線24中的各根掃描線。具體而言，將供給到第m行(m＝1～M)的掃描線24的掃描信號(hào)G[m]設(shè)定為預(yù)定的選擇電壓VSEL，從而選擇第m行的掃描線24。

信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路34將驅(qū)動(dòng)信號(hào)VDR[1]～VDR[N]并聯(lián)地供給到與不同的信號(hào)線對(duì)22對(duì)應(yīng)的N根布線72。選擇第m行的掃描線24時(shí)，供給到第n列(n＝1～N)的布線72的驅(qū)動(dòng)信號(hào)VDR[n]被設(shè)定為與指定為位于第m行的第n列的像素電路PIX的灰度對(duì)應(yīng)的電壓(高/低邏輯電平)。

如圖1例示的那樣，與不同的信號(hào)線對(duì)22對(duì)應(yīng)的N個(gè)輸出部50[1]～50[N]設(shè)置于元件基板10。第n列的輸出部50[n]設(shè)置于第n列的布線72與第n列的信號(hào)線對(duì)22之間。輸出部50[n]將對(duì)應(yīng)于從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路34供給到第n列的布線72的驅(qū)動(dòng)信號(hào)VDR[n]的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]供給到第n列的信號(hào)線對(duì)22的第一信號(hào)線22A的同時(shí)，并將對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)信號(hào)VDR[n]的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]供給到第n列的信號(hào)線對(duì)22的第二信號(hào)線22B。

在寫入期間內(nèi)的第m個(gè)水平掃描期間H中，當(dāng)掃描線驅(qū)動(dòng)電路32通過將掃描信號(hào)G[m]設(shè)定為選擇電壓VSEL而選擇第m行的掃描線24時(shí)，第m行的各像素電路PIX的第一晶體管TS1和第二晶體管TS2被控制為導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)?shù)谝痪w管TS1轉(zhuǎn)變到接通狀態(tài)時(shí)，像素電極42的第一連接點(diǎn)P1的電壓V1變化成輸出部50[n]輸出到第一信號(hào)線22A的第一驅(qū)動(dòng) 信號(hào)SA[n]的電壓，像素電極42的第二連接點(diǎn)P2的電壓V2變化成輸出部50[n]輸出到第二信號(hào)線22B的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]的電壓。第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]和第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]的各自對(duì)應(yīng)于指定灰度而設(shè)定為電壓VH與電壓VL的任一者。因此，電壓VH與電壓VL中的任一者被施加在像素電極42。

另一方面，電壓生成電路36供給到相對(duì)電極62的公共電壓VCOM也被設(shè)定為電壓VH與電壓VL中的任一者。如從以上的說明可掌握的那樣，通過第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]、第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]和公共電壓VCOM而使電壓的范圍一致。如圖4例示的那樣，相對(duì)電極62的公共電壓VCOM在寫入期間和顯示期間被維持為電壓VL，在反轉(zhuǎn)期間被設(shè)定為電壓VH。

圖5是單位期間內(nèi)的各期間中的顯示灰度的說明圖。在圖5中，為方便起見，例示出使黑色的帶電粒子462B帶正極性電，并使白色的帶電粒子462W帶負(fù)極性電的情況，著眼于與任意一個(gè)像素電極42對(duì)應(yīng)的像素A的顯示灰度和與其他像素電極42對(duì)應(yīng)的像素B的顯示灰度的變化。

首先，在顯示期間，如圖5的(1)例示的那樣，假定分別向相對(duì)電極62施加電壓VL、向像素A的像素電極42施加電壓VH、向像素B的像素電極42施加電壓VL的情況。在像素A中，帶正極性電的黑色的帶電粒子462B位于相對(duì)電極62側(cè)，并且?guī)ж?fù)極性電的白色的帶電粒子462W位于像素電極42側(cè)。因此，像素A顯示黑灰度。另一方面，在像素B中，與像素A相反，白色的帶電粒子462W位于相對(duì)電極62側(cè)的同時(shí)，并且黑色的帶電粒子462B位于像素電極42側(cè)。即，像素B顯示白灰度。

在寫入期間，如圖5的(2)例示的那樣，設(shè)想像素A的像素電極42從電壓VH轉(zhuǎn)變到電壓VL并且像素B的像素電極42從電壓VL轉(zhuǎn)變到電壓VH的情況。由于在寫入期間相對(duì)電極62被維持為電壓VL，因此在像素B中黑色的帶電粒子462B移動(dòng)到相對(duì)電極62側(cè)，并且白色的帶電粒子462W移動(dòng)到像素電極42側(cè)。即，像素B從之前的顯示期間中的白灰度反轉(zhuǎn)為黑灰度。另一方面，在像素A中，由于相對(duì)電極62以及像素電極42的雙方為電壓VL，因此帶電粒子462(462B、462W)的狀態(tài)不會(huì) 從之前的顯示期間發(fā)生變化。即，像素A從之前的顯示期間繼續(xù)被維持為黑灰度。

在之后的反轉(zhuǎn)期間，如圖5的(3)例示的那樣，相對(duì)電極62從電壓VL轉(zhuǎn)變到電壓VH。由于像素A的像素電極42被維持為電壓VL，因此黑色的帶電粒子462B移動(dòng)到像素電極42側(cè)的同時(shí)，并且白色的帶電粒子462W移動(dòng)到相對(duì)電極62側(cè)。即，像素A從黑灰度反轉(zhuǎn)為白灰度。另一方面，像素B從顯示期間繼續(xù)被維持為黑灰度。如圖5的(4)例示的那樣，在相對(duì)電極62從電壓VH轉(zhuǎn)變到電壓VL之后的顯示期間，像素A也被維持為白灰度，像素B被維持為黑灰度。如從以上的說明可理解的那樣，寫入期間中的各像素電極42的電壓的變化由反轉(zhuǎn)期間中的公共電壓VCOM的反轉(zhuǎn)而被實(shí)際地反映在各像素的顯示灰度。

接下來，對(duì)通過像素電極42的發(fā)熱而引起的電泳元件46的加熱進(jìn)行說明。如從圖4可理解的那樣，本實(shí)施方式的輸出部50[n]使第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]相對(duì)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]延遲地供給到第二信號(hào)線22B。具體而言，輸出部50[n]將與從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路34輸出到第n列的布線72[n]的驅(qū)動(dòng)信號(hào)VDR[n]對(duì)應(yīng)并設(shè)定為電壓VH與電壓VL中的任一者的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]供給到第n列的信號(hào)線對(duì)22的第一信號(hào)線22A，將處于相對(duì)于第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]延遲的電壓VH或電壓VL的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]供給到第n列的信號(hào)線對(duì)22的第二信號(hào)線22B。即，在第一晶體管TS1以及第二晶體管TS2接通的狀態(tài)下，第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]被供給到第一信號(hào)線22A，相對(duì)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]延遲的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]被供給到第二信號(hào)線22B。圖4中例示出了選擇第m行的掃描線24時(shí)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]以及第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]被設(shè)定為電壓VH的情況。由第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]以及第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]的供給而使電壓VH被施加在像素電極42的像素，如從參照?qǐng)D5的例示可理解的那樣，顯示黑灰度。

如圖4例示的那樣，選擇第m行的掃描線24時(shí)，第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]的電壓VH被從第一信號(hào)線22A供給到像素電極42的第一連接點(diǎn)P1，從相對(duì)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]僅延遲了延遲時(shí)間ΔT的時(shí)刻，第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]的電壓VH被從第二信號(hào)線22B供給到像素電極42的第二連接點(diǎn)P2。即， 在整個(gè)延遲時(shí)間ΔT的期間，電壓VH被施加在第一連接點(diǎn)P1的同時(shí)，并且電壓VL被施加在第二連接點(diǎn)P2，在兩位置間產(chǎn)生電壓差。因此，對(duì)應(yīng)于第一連接點(diǎn)P1與第二連接點(diǎn)P2的電壓差(V1-V2)的電流流過像素電極42。其結(jié)果，在像素電極42產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于電阻的焦耳熱，從而加熱電泳元件46。如從以上的說明可理解的那樣，延遲時(shí)間ΔT越長則電流流向像素電極42的時(shí)間長度越長，從而促進(jìn)電泳元件46的加熱。

圖6是本實(shí)施方式的輸出部50[n]的說明圖。如圖6例示的那樣，輸出部50[n]包括電壓控制電路52和電壓控制電路54而構(gòu)成。電壓控制電路52是通過調(diào)整(放大)從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路34輸出到布線72的驅(qū)動(dòng)信號(hào)VDR[n]的電壓振幅來生成電壓VH或電壓VL的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]并輸出到第一信號(hào)線22A的電平移位器。例如，如圖6例示的那樣，電壓控制電路52將逆變電路INV-3和逆變電路INV-4兩段地連接而構(gòu)成。

電壓控制電路54是通過調(diào)整從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路34輸出到從布線72分支出的布線74的驅(qū)動(dòng)信號(hào)VDR[n]的電壓振幅來生成電壓VH或電壓VL的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]并輸出到第二信號(hào)線22B的電平移位器。與電壓控制電路52同樣地，電壓控制電路54也將逆變電路INV-1和逆變電路INV-2兩段地連接而構(gòu)成。

圖7是逆變電路INV的構(gòu)成圖。由于各逆變電路INV(INV-1～I(xiàn)NV-4)具有共同的構(gòu)成，因此在圖7中作為逆變電路INV(INV-1～I(xiàn)NV-4)來說明。如圖7例示的那樣，逆變電路INV包含串聯(lián)地介于高位側(cè)的電壓VH與低位側(cè)的電壓VL之間的P溝道型的晶體管TRA和N溝道型的晶體管TRB而構(gòu)成。對(duì)晶體管TRA以及晶體管TRB的柵極供給共同的輸入信號(hào)。晶體管TRA以及晶體管TRB是與像素部20的第一晶體管TS1以及第二晶體管TS2在同一工序中一并地形成于元件基板10的面上的薄膜晶體管。

逆變電路INV-2(電壓控制電路54)的晶體管TRA以及晶體管TRB的溝道寬W超過逆變電路INV-4(電壓控制電路52)的晶體管TRA以及晶體管TRB的溝道寬W。例如，使逆變電路INV-4的晶體管TRA以及晶體管TRB的溝道寬W為10μm的情況下，逆變電路INV-2的晶體管TRA 以及晶體管TRB的溝道寬W為100μm左右(即10倍左右)。根據(jù)以上的構(gòu)成，由于逆變電路INV-2的晶體管TRA以及晶體管TRB的柵極電容(進(jìn)而時(shí)間常數(shù))與逆變電路INV(INV-1、INV-3、INV-4)的晶體管TRA以及晶體管TRB的柵極電容相比較大，因此能夠使第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]相對(duì)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]延遲。即，電壓控制電路54作為生成相對(duì)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]僅延遲了圖4的延遲時(shí)間ΔT的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]的延遲電路而發(fā)揮作用。

此外，逆變電路INV-2(電壓控制電路54)的晶體管TRA以及晶體管TRB的溝道長L也可以構(gòu)成為變得與逆變電路INV(INV-1、INV-3、INV-4)的晶體管TRA以及晶體管TRB的溝道長L相等。另外，在電壓控制電路54的逆變電路INV-1中，晶體管TRA以及晶體管TRB的溝道長L和溝道寬W也可以構(gòu)成為變得與逆變電路INV-3和逆變電路INV-4(電壓控制電路52)相等。

圖8是示出逆變電路INV-2(電壓控制電路54)的晶體管TRA以及晶體管TRB的電壓-電流特性(柵極-源極間的電壓VGS與漏極電流ID的關(guān)系)的曲線圖。N溝道型的晶體管TRB的電壓-電流特性由實(shí)線圖示出，P溝道型的晶體管TRA的電壓-電流特性由虛線圖示出。另外，在顯示裝置100被使用的溫度(以下稱為“環(huán)境溫度”)高的情況下和低的情況下，一并記載了電壓-電流特性。

如從圖8可理解的那樣，環(huán)境溫度越低則相對(duì)于晶體管TRA以及晶體管TRB中的預(yù)定的柵極電壓VGS的漏極電流ID越發(fā)減少。由于環(huán)境溫度降低漏極電流ID越發(fā)減少則相對(duì)于第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]的延遲時(shí)間ΔT越增加，因此促進(jìn)電泳元件46的加熱。

如以上所說明那樣，在本實(shí)施方式中，從第二信號(hào)線22B經(jīng)由第二晶體管TS2被供給到第二連接點(diǎn)P2的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]相對(duì)從第一信號(hào)線22A經(jīng)由第一晶體管TS1被供給到第一連接點(diǎn)P1的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]延遲。因此，從第一連接點(diǎn)P1變動(dòng)為第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]的電壓V1之后整個(gè)延遲時(shí)間ΔT在第一連接點(diǎn)P1與第二連接點(diǎn)P2之間產(chǎn)生電壓差 (V1-V2)，流過對(duì)應(yīng)于該電壓差的電流，從而使像素電極42發(fā)熱。即，在本實(shí)施方式中，由于通過用于對(duì)電泳元件46施加電壓的像素電極42的發(fā)熱而使電泳元件46加熱，因此與設(shè)置專用于電泳元件46的加熱的電熱線等的構(gòu)成相比，能夠邊抑制裝置構(gòu)成的復(fù)雜化并邊加熱電泳元件46。另外，由于第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]處于相對(duì)于第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]延遲的關(guān)系，因此與生成不同的另一個(gè)電壓并施加在像素電極42的兩端間的專利文獻(xiàn)1的構(gòu)成相比，也具有用于生成施加在像素電極42的電壓的構(gòu)成被簡化這樣的優(yōu)點(diǎn)。

在本實(shí)施方式中，第一晶體管TS1的柵極和第二晶體管TS2的柵極連接于共同的掃描線24。因此，與將第一晶體管TS1和第二晶體管TS2連接在單獨(dú)的布線并分別供給單獨(dú)的信號(hào)來控制第一晶體管TS1和第二晶體管TS2的構(gòu)成相比，能夠使構(gòu)成、控制簡化。

如上述那樣，電泳元件46的響應(yīng)特性對(duì)應(yīng)于環(huán)境溫度而變化。具體而言，具有環(huán)境溫度越低則電泳元件46的響應(yīng)特性變差并且顯示性能容易變差這樣的傾向。在本實(shí)施方式中，由環(huán)境溫度越低則相對(duì)于柵極-源極間的電壓VGS的漏極電流ID的電流量越發(fā)減少的特性的晶體管TRA以及晶體管TRB構(gòu)成電壓控制電路54。在以上的構(gòu)成中，由于環(huán)境溫度越低則第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]的延遲量越增加并且電流流向像素電極42的時(shí)間長度ΔT越長，因此就結(jié)果而言促進(jìn)由像素電極42的發(fā)熱引起的電泳元件46的加熱。根據(jù)以上的構(gòu)成，無需檢測(cè)環(huán)境溫度的溫度傳感器等要素而可實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)于環(huán)境溫度的電泳元件46的加熱。

圖9是顯示裝置100的結(jié)構(gòu)的說明圖。在圖9中，為方便起見，并記載了像素部20的內(nèi)側(cè)的區(qū)域的截面和像素部20的外側(cè)的區(qū)域的截面。如圖9例示的那樣，在由硅等半導(dǎo)體材料形成的元件基板10的表面形成有絕緣膜L0。絕緣膜L0的表面上，在像素部20的內(nèi)側(cè)的區(qū)域形成有各像素電路PIX的晶體管(TS1、TS2)，在像素部20的外側(cè)的區(qū)域形成有電壓控制電路54的晶體管(TRA、TRB)。此外，在從圖9至圖13中，為方便起見，只圖示出了電壓控制電路54中晶體管TRA。

各晶體管(TS1、TS2、TRA)由絕緣層LC覆蓋。本實(shí)施方式的絕緣層LC由第一層LC1和第二層LC2的層疊而構(gòu)成。進(jìn)一步地，在像素部20的內(nèi)部的區(qū)域配置有經(jīng)由貫通絕緣層LC的導(dǎo)通孔而與晶體管(TS1、TS2)電連接的像素電極42。元件基板10和相對(duì)基板60在像素電極42與相對(duì)電極62彼此相對(duì)的狀態(tài)下被粘合。在元件基板10與相對(duì)基板60的間隙形成有隔壁48，在由隔壁48所分隔的空間內(nèi)封入有電泳元件46。

像素部20的內(nèi)側(cè)的區(qū)域的晶體管(TS1、TS2)包含形成于絕緣膜L0的表面的半導(dǎo)體層72A、覆蓋半導(dǎo)體層72A的柵極絕緣膜LA、形成于柵極絕緣膜LA上的柵極G、覆蓋柵極G的表面的絕緣層LB和經(jīng)由絕緣層LB的導(dǎo)通孔連接于半導(dǎo)體層72A的布線WA(源極、漏極)而構(gòu)成。同樣地，形成于像素部20的外側(cè)的區(qū)域的晶體管TRA包含形成于絕緣膜L0的表面的半導(dǎo)體層72A、覆蓋半導(dǎo)體層72A的柵極絕緣膜LA、形成于柵極絕緣膜LA上的柵極G、覆蓋柵極G的表面的絕緣層LB和布線WA而構(gòu)成。像素部20的內(nèi)側(cè)的區(qū)域的晶體管TS1以及晶體管TS2與像素部20的外側(cè)的輸出部50[n]的晶體管TRA以及晶體管TRB在共同的工序中形成。晶體管(TS1、TS2、TRA)中共同的各要素(半導(dǎo)體層72A、柵極絕緣膜LA、柵極G、絕緣層LB、布線WA)能夠表現(xiàn)為形成于元件基板10的元件部70。

顯示裝置100的制造方法

從圖10至圖13是顯示裝置100的制造工序的說明圖。在元件基板10的表面由絕緣膜L0覆蓋的狀態(tài)下開始圖10的第一工序。

在第一工序中，在元件基板10上形成元件部70。具體而言，如圖10例示的那樣，在絕緣膜L0的表面上形成a-Si(amorphous-silicon：非晶硅)層，并由熱處理使a-Si層結(jié)晶化而形成p-Si(Polycrystalline Silicon：多晶硅)層。在下一抗蝕劑工序(抗蝕劑覆蓋形成、曝光、顯影等)中，在p-Si層形成抗蝕劑圖案，形成半導(dǎo)體層72A。半導(dǎo)體層72A的源極/漏極區(qū)域被注入雜質(zhì)元素。接下來，形成覆蓋半導(dǎo)體層72A的柵極絕緣膜LA的同時(shí)，并在柵極絕緣膜LA的表面形成柵極G。像素部20的晶體管(TS1、 TS2)的柵極G與掃描線24一體地形成。接下來，在各晶體管(TS1、TS2、TRA)的柵極G的表面上形成絕緣層LB，由抗蝕劑工序形成貫通絕緣層LB以及柵極絕緣膜LA的導(dǎo)通孔(接觸孔)的同時(shí)，由鋁等金屬材料形成布線WA。像素部20的晶體管(TS1、TS2)的布線WA例如與第一信號(hào)線22A以及第二信號(hào)線22B一體地形成。具體而言，晶體管TS1的布線WA與第一信號(hào)線22A一體地形成，晶體管TS2的布線WA與第二信號(hào)線22B一體地形成。

在繼第一工序的第二工序中，形成覆蓋元件部70的絕緣層LC。具體而言，如圖11例示的那樣，在元件部70的表面上層疊第一層LC1和第二層LC2，從而形成覆蓋布線WA的絕緣層LC，并形成貫通絕緣層LC的導(dǎo)通孔。如以上那樣，在第二工序中，橫跨像素部20的內(nèi)側(cè)和外側(cè)在共同的工序中也形成絕緣層LC。

在繼第二工序的第三工序中，形成經(jīng)由在第二工序中形成的絕緣層LC的導(dǎo)通孔而與元件部70電連接的像素電極42。像素電極42由例如鋁等導(dǎo)電材料形成，如圖12示出的那樣，經(jīng)由絕緣層LC的導(dǎo)通孔而與晶體管(TS1、TS2)的布線WA電連接。由從以上的第一工序至第三工序形成顯示裝置100的顯示裝置用基板80。顯示裝置用基板80包含元件部70、絕緣層LC和像素電極42而構(gòu)成。

在繼第三工序的第四工序中，在絕緣層LC的表面上形成隔壁48。隔壁48的平面形狀是任意的，例如形成于每個(gè)像素電路PIX(或者在像素電路PIX將空間分隔的格子狀)。接下來，在相對(duì)電極62與像素電極42彼此相對(duì)的狀態(tài)下，將顯示裝置用基板80和相對(duì)基板60隔開預(yù)定的間隔地由密封材料(未圖示)粘合。在顯示裝置用基板80與相對(duì)基板60的間隙內(nèi)封入電泳元件46。

如以上那樣，在第一工序中，像素部20的內(nèi)部的區(qū)域的晶體管(TS1、TS2)和像素部20的外部的區(qū)域(電壓控制電路54)的晶體管(TRA、TRB)在共同的工序中形成。因此，相比于在與像素部20的晶體管(TS1、 TS2)不同工序中形成構(gòu)成電壓控制電路54的晶體管的構(gòu)成，具有能夠使制造工序簡化這樣的優(yōu)點(diǎn)。

電子設(shè)備

以下例示應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備。圖14是利用了顯示裝置100的便攜式信息終端(電子書)310的立體圖。如圖14示出的那樣，信息終端310包括利用者操作的操作件312和在顯示部314顯示圖像的顯示裝置100而構(gòu)成。當(dāng)被利用者操作操作件312時(shí)，顯示部314的顯示圖像被切換。

圖15是利用了顯示裝置100的電子紙320的立體圖。如圖15示出的那樣，電子紙320包括形成于可撓性基板(薄板)322的表面的顯示裝置100而構(gòu)成。

適用本發(fā)明的電子設(shè)備不限于以上的例示。例如移動(dòng)電話機(jī)、時(shí)鐘(手表)、便攜式音響播放裝置、電子記事本、觸摸屏裝載式顯示裝置等，在各種電子設(shè)備中能夠采用本發(fā)明的顯示裝置100。

變形例1

以上的方式能夠被變形為多種多樣。以下例示具體的變形方式。從以下的例示任意地選擇的兩種以上的方式在彼此不矛盾的范圍內(nèi)能夠被適當(dāng)?shù)睾喜ⅰ?/p>

(1)在上述實(shí)施方式中，作為逆變電路INV-2(電壓控制電路54)的晶體管TRA以及晶體管TRB的溝道寬W超過其他逆變電路(INV-1、INV-3、INV-4)的晶體管TRA以及晶體管TRB的溝道寬W的構(gòu)成。以上的例示以外，例如也能夠優(yōu)選地采用逆變電路INV-2(電壓控制電路54)的晶體管TRA以及晶體管TRB的溝道長L和溝道寬W的雙方超過其他逆變電路(INV-1、INV-3、INV-4)的晶體管TRA以及晶體管TRB的溝道長L和溝道寬W的構(gòu)成。例如，使逆變電路INV(INV-1、INV-3、INV-4)的晶體管TRA以及晶體管TRB的溝道長L為3μm且溝道寬W為3μm的情況下，在逆變電路INV-2(電壓控制電路54)的晶體管TRA以及晶體管TRB中，也能夠優(yōu)選地采用使溝道長L為30μm且溝道寬W為30μm的構(gòu)成。即使根據(jù)以上的構(gòu)成，由于逆變電路INV-2(電壓控制電路54) 的晶體管TRA以及晶體管TRB的柵極電容增加，因此能夠充分地確保電流流向像素電極42的時(shí)間長度(延遲時(shí)間ΔT)，就結(jié)果而言能夠促進(jìn)由像素電極42的發(fā)熱而引起的電泳元件46的加熱。

(2)在第一實(shí)施方式中，如圖4例示的那樣，以矩形波例示出了第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]的電壓波形，但實(shí)際上起因于第二晶體管TS2的電容特性等，如圖16例示的那樣第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]的電壓波形變形。因此，如圖16例示的那樣，第一連接點(diǎn)P1與第二連接點(diǎn)P2的電壓差(V1-V2)隨時(shí)間流逝地變化。

(3)在第一實(shí)施方式中，例示出了在由隔壁48所分隔的空間內(nèi)密封有帶電粒子462(462B、462W)和分散介質(zhì)464的隔壁型的電泳元件46，但電泳元件46的方式不限于以上的例示。例如也能夠優(yōu)選地采用在微膠囊的內(nèi)部密封有帶電粒子462(462B、462W)和分散介質(zhì)464的構(gòu)成、將使黑色的區(qū)域和白色的區(qū)域帶反極性電的多個(gè)粒子分散在分散介質(zhì)的構(gòu)成。另外，在本實(shí)施方式中，將電泳元件46作為電光元件進(jìn)行了例示，但也優(yōu)選將液晶元件等作為電光元件利用的構(gòu)成。如從以上的說明可理解的那樣，本發(fā)明優(yōu)選地采用于利用了隨著被施加電壓而顯示灰度發(fā)生變化的電光元件的構(gòu)成，電泳元件46、液晶元件是電光元件的典型例。

(4)在第一實(shí)施方式中，例示出了在元件基板10上配置有輸出部50[n]的構(gòu)成，但輸出部50[n]的位置不限于以上的例示。例如，在相對(duì)基板60設(shè)置輸出部50[n]的同時(shí)，也可以從輸出部50[n]向信號(hào)線對(duì)22輸出第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]以及第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]。然而，在上述的實(shí)施方式中，由于構(gòu)成像素電路PIX的晶體管(TS1、TS2)和輸出部50[n]的晶體管(TRA、TRB)同時(shí)形成于元件基板10，因此無需在相對(duì)基板60形成晶體管。因此，與在元件基板10形成像素電路PIX的同時(shí)并在相對(duì)基板60形成有輸出部50[n]的構(gòu)成相比，具有顯示裝置100的制造工序被簡化這樣的優(yōu)點(diǎn)。

(5)在第一實(shí)施方式中，例示出了在元件基板10上同時(shí)設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路30和電壓生成電路36的構(gòu)成，但電壓生成電路36的設(shè)置位置不限于以上的例示。例如，能夠采用在相對(duì)基板60設(shè)置有電壓生成電路36的 構(gòu)成、在外部的上位裝置設(shè)置有電壓生成電路36的構(gòu)成。在外部的上位裝置設(shè)置有電壓生成電路36的構(gòu)成中，同步信號(hào)等各種控制信號(hào)、圖像信號(hào)和電壓VH與電壓VL同時(shí)被從上位裝置供給。

(6)在第一實(shí)施方式中，在輸出部50設(shè)置有電壓控制電路52和電壓控制電路54的雙方，但如圖17例示的那樣，也能夠優(yōu)選地采用輸出部50[n]只包含電壓控制電路54的構(gòu)成(省略了電壓控制電路52的構(gòu)成)。在圖18的構(gòu)成中，電壓VH或電壓VL的驅(qū)動(dòng)信號(hào)VDR[n]被從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路34輸出到布線72，輸出部50[n]將該驅(qū)動(dòng)信號(hào)VDR[n]作為第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]輸出到第一信號(hào)線22A，另一方面生成使驅(qū)動(dòng)信號(hào)VDR[n]延遲的電壓VH或電壓VL的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]并輸出到第二信號(hào)線22B。即使根據(jù)以上的構(gòu)成，由于通過對(duì)應(yīng)于第一連接點(diǎn)P1與第二連接點(diǎn)P2的電壓的高低差(V1-V2)的電流流過像素電極42而使像素電極42發(fā)熱，因此能夠促進(jìn)電泳元件46的加熱。如從以上的說明可理解的那樣，輸出部50[n]作為將第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]供給到第一信號(hào)線22A的同時(shí)將相對(duì)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]延遲的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]供給到第二信號(hào)線22B的要素而被概括地表現(xiàn)，不問具體的構(gòu)成、有無調(diào)整電壓振幅的功能。

(7)在第一實(shí)施方式中，例示出了在電壓VH與電壓VL之間變動(dòng)的公共電壓VCOM被供給到相對(duì)電極62的構(gòu)成，但也可以將公共電壓VCOM固定為恒定電壓。然而，在將公共電壓VCOM固定為恒定電壓的構(gòu)成中，需要將第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA[n]以及第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB[n]的電壓相對(duì)公共電壓VCOM在高位側(cè)的電壓VH與低位側(cè)的電壓VL之間對(duì)應(yīng)于灰度進(jìn)行切換。

(8)在上述的實(shí)施方式中，分別由兩段的逆變電路INV構(gòu)成了電壓控制電路54以及電壓控制電路52，但構(gòu)成電壓控制電路52以及電壓控制電路54的逆變電路INV的段數(shù)是任意的。例如也能夠由三段以上的逆變電路INV構(gòu)成電壓控制電路54以及電壓控制電路52。

第二實(shí)施方式

圖18是本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置500的框圖。顯示裝置500是利用了隨著被施加電壓而顯示灰度發(fā)生變化的電泳元件的電光裝置。顯示裝置500具備彼此相對(duì)的元件基板510和相對(duì)基板560。從元件基板510觀看，相對(duì)基板560位于觀察側(cè)(觀察顯示裝置500的顯示圖像的觀察者側(cè))。元件基板510與相對(duì)基板560隔開預(yù)定的間隔地由密封材料(未圖示)粘合，電泳元件被密封在兩基板的間隙內(nèi)。

如圖18例示的那樣，元件基板510中與相對(duì)基板560的相對(duì)面設(shè)置有包含多個(gè)像素電路SPIX的像素部520、驅(qū)動(dòng)各像素電路SPIX的驅(qū)動(dòng)電路530、電壓生成電路536和輸出部550。另一方面，相對(duì)基板560例如是玻璃、石英等光透射性的基板，在與元件基板510的相對(duì)的一面形成有相對(duì)電極562。相對(duì)電極562是ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)等光透射性的導(dǎo)電層，在俯視觀察下在整個(gè)多個(gè)像素電路SPIX而連續(xù)。

電壓生成電路536生成電壓VH2以及電壓VL2。電壓VH2超過電壓VL2(VH2＞VL2)。例如電壓VH2被設(shè)定為10V～15V，電壓VL2例如被設(shè)定為0V。電壓生成電路536生成的電壓VH2以及電壓VL2被供給到驅(qū)動(dòng)電路530。另外，電壓生成電路536生成并輸出被設(shè)定為電壓VH2與電壓VL2中的任一者的公共電壓VCOM2。電壓生成電路536生成的公共電壓VCOM2經(jīng)由布線572被供給到輸出部550。輸出部550輸出對(duì)應(yīng)于公共電壓VCOM2的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2以及第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2。下文介紹關(guān)于輸出部550的具體的構(gòu)成、第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2與第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2的關(guān)系。

在元件基板510與相對(duì)基板560之間形成導(dǎo)通部563A以及導(dǎo)通部563B(所謂的銀點(diǎn))。具體而言，導(dǎo)通部563A形成于相對(duì)基板560中Y方向的負(fù)側(cè)的角落部并被連接在元件基板510上的布線574A，導(dǎo)通部563B形成于相對(duì)基板560中與導(dǎo)通部563A的相反側(cè)(Y方向的正側(cè))的角落部并被連接在元件基板510上的布線574B。輸出部550輸出的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2經(jīng)由布線574A和導(dǎo)通部563A被供給到相對(duì)電極562，第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2經(jīng)由布線574B和導(dǎo)通部563B被供給到相對(duì)電極562。

圖19是相對(duì)電極562的說明圖。如圖19例示的那樣，相對(duì)電極562包含第一共同布線部566A以及第二共同布線部566B和多個(gè)電極部565而構(gòu)成。第一共同布線部566A、第二共同布線部566B和多個(gè)電極部565由例如ITO等光透射性的導(dǎo)電材料一體地形成。然而，也能夠在不同層形成并彼此連接各自。例如，由ITO等導(dǎo)電材料形成多個(gè)電極部565，另一一方面能夠由與電極部565相比低電阻的導(dǎo)電材料形成第一共同布線部566A和第二共同布線部566B。

第一共同布線部566A是沿X方向延伸的帶狀的布線，形成于相對(duì)基板560中沿Y方向(與X方向交叉的方向)的負(fù)側(cè)的邊緣的區(qū)域。如圖19例示的那樣，第一共同布線部566A包含第一連接點(diǎn)SP1。第一連接點(diǎn)SP1是在第一共同布線部566A中例如在俯視觀察下與導(dǎo)通部563A重疊的部分。在圖19例示的構(gòu)成中，第一連接點(diǎn)SP1位于第一共同布線部566A中X方向的正側(cè)的端部。對(duì)第一連接點(diǎn)SP1從輸出部550經(jīng)由布線574A以及導(dǎo)通部563A供給第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2。因此，第一共同布線部566A的電壓SV1被設(shè)定為第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2的電壓。

第二共同布線部566B是與第一共同布線部566A同樣地沿X方向延伸的帶狀的布線，形成于相對(duì)基板560中沿Y方向的正側(cè)的邊緣的區(qū)域。第二共同布線部566B包含第二連接點(diǎn)SP2。第二連接點(diǎn)SP2是在第二共同布線部566B中例如在俯視觀察下與導(dǎo)通部563B重疊的部分。在圖19例示的構(gòu)成中，第二連接點(diǎn)SP2位于第二共同布線部566B中X方向的正側(cè)的端部。對(duì)第二連接點(diǎn)SP2從輸出部550經(jīng)由布線574B以及導(dǎo)通部563B供給第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2。因此，第二共同布線部566B的電壓SV2被設(shè)定為第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2的電壓。

第一共同布線部566A與第二共同布線部566B以在Y方向隔開間隔地彼此離開的方式配置。多個(gè)電極部565的各自是橫跨第一共同布線部566A和第二共同布線部566B彼此隔開間隔地沿Y方向延伸的帶狀(或直線狀)的布線。多個(gè)電極部565形成為彼此相等的形狀(例如相等的線寬)并在X方向等間隔地排列。即，多個(gè)電極部565在相對(duì)基板560的表面中第一共同布線部566A與第二共同布線部566B之間的區(qū)域內(nèi)在X方 向大致均等地分布。第一共同布線部566A、第二共同布線部566B以及各電極部565的尺寸是任意的，例如第一共同布線部566A與第二共同布線部566B形成為大致同等的線寬，各電極部565與第一共同布線部566A以及第二共同布線部566B相比形成為較小的線寬。

在使第一共同布線部566A的電壓SV1與第二共同布線部566B的電壓SV2不相同的狀態(tài)下，對(duì)應(yīng)于電壓SV1與電壓SV2的電壓差(SV1-SV2)的電流流向多個(gè)電極部565，從而使電極部565(相對(duì)電極562)發(fā)熱。在實(shí)施方式中，通過相對(duì)電極562的發(fā)熱來加熱電泳元件46。即，實(shí)施方式的相對(duì)電極562除了作為向電泳元件46施加電壓的原本的電極的作用，也作為加熱電泳元件46的電熱線而發(fā)揮作用。從有效地加熱電泳元件46的觀點(diǎn)來看，在實(shí)施方式中，從使電極部565為高電阻的直線狀的形狀并確保各電極部565的電阻的同時(shí)并在電極部565的區(qū)域內(nèi)使均勻地發(fā)熱的觀點(diǎn)來看，將各電極部565從X方向的正側(cè)橫跨負(fù)側(cè)等間隔地配置。

圖18的像素部520具有沿X方向延伸的M根掃描線524和沿與X方向交叉(典型地與X方向正交)的Y方向延伸的N根信號(hào)線522(M以及N是自然數(shù))。多個(gè)像素電路SPIX與各掃描線524和各信號(hào)線522的交叉對(duì)應(yīng)地設(shè)置而呈縱M行橫N列的矩陣狀排列。

圖20是像素電路SPIX的電路圖。在圖20中圖示出了位于第m行的第n列的任意一個(gè)像素電路SPIX。像素電路SPIX包含像素電極542和晶體管STRS而構(gòu)成。像素電極542是用于對(duì)電泳元件46施加電壓的電極。晶體管STRS作為控制信號(hào)線522與像素電極542的電連接(導(dǎo)通/非導(dǎo)通)的開關(guān)元件而發(fā)揮作用。晶體管STRS是N溝道型的薄膜晶體管。晶體管STRS的柵極連接于掃描線524。

圖21是電泳元件46的說明圖。電泳元件46是利用帶電粒子462的電泳來表現(xiàn)灰度的電光元件，配置于彼此相對(duì)的像素電極542與相對(duì)電極562之間。電泳元件46包含彼此帶反極性電的白色的帶電粒子462W和黑色的帶電粒子462B以及使各帶電粒子462(462B、462W)能夠移動(dòng)地分散的分散介質(zhì)464而構(gòu)成。

圖18的驅(qū)動(dòng)電路530包含掃描線驅(qū)動(dòng)電路532和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路534而構(gòu)成。掃描線驅(qū)動(dòng)電路532和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路534例如以IC芯片的方式安裝于元件基板510上。除了向掃描線驅(qū)動(dòng)電路532以及信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路534供給電壓生成電路536生成的電壓VH2與電壓VL2，還從外部的上位裝置供給同步信號(hào)等各種控制信號(hào)、指定顯示灰度的圖像信號(hào)。

圖22是示出顯示裝置500的動(dòng)作的時(shí)序圖。構(gòu)成顯示裝置500的動(dòng)作的周期的各單位期間(一幀)包括寫入期間、反轉(zhuǎn)期間和顯示期間而構(gòu)成。在寫入期間執(zhí)行將對(duì)應(yīng)于像素電路SPIX的指定灰度的電壓供給到各像素電路SPIX的寫入動(dòng)作。在反轉(zhuǎn)期間將寫入期間中的各像素電極542的電壓的變化實(shí)際地反映在各像素的顯示灰度。在顯示期間維持各像素的顯示灰度。

如圖22例示的那樣，掃描線驅(qū)動(dòng)電路532在各單位期間的寫入期間中，通過掃描信號(hào)G2[1]～G2[M]的輸出而在每個(gè)水平掃描期間H依次擇一地選擇從第一行至第M行的M根掃描線524中的任一掃描線。具體而言，將供給到第m行(m＝1～M)的掃描線524的掃描信號(hào)G2[m]設(shè)定為預(yù)定的選擇電壓VSEL2，從而選擇第m行的掃描線524。

信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路534將灰度信號(hào)VD2[1]～VD2[N]并聯(lián)地供給到不同的N根信號(hào)線522。選擇第m行的掃描線524時(shí)，供給到第n列(n＝1～N)的信號(hào)線522的灰度信號(hào)VD2[n]被設(shè)定為與指定為位于第m行的第n列的像素電路SPIX的灰度對(duì)應(yīng)的電壓(電壓VH2或電壓VL2)。

在寫入期間內(nèi)的第m個(gè)水平掃描期間H中，掃描線驅(qū)動(dòng)電路532通過將掃描信號(hào)G2[m]設(shè)定為選擇電壓VSEL2而選擇第m行的掃描線524時(shí)，第m行的各像素電路SPIX的晶體管STRS被控制為導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)晶體管STRS轉(zhuǎn)變到接通狀態(tài)時(shí)，像素電極542的電壓被設(shè)定為信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路534輸出到信號(hào)線522的灰度信號(hào)VD2[n]的電壓(電壓VH2或電壓VL2)。

另一方面，供給到相對(duì)電極562的公共電壓VCOM2也被設(shè)定為電壓VH2與電壓VL2中的任一者。如從以上的說明可掌握的那樣，通過灰度 信號(hào)VD2[n]和公共電壓VCOM2而使電壓的范圍一致。如圖22例示的那樣，相對(duì)電極562的公共電壓VCOM2(第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2)在寫入期間以及顯示期間被維持為電壓VL2，在反轉(zhuǎn)期間被設(shè)定為電壓VH2。

圖23是單位期間內(nèi)的各期間中的顯示灰度的說明圖。在圖23中，為方便起見，例示出使黑色的帶電粒子462B帶正極性電，并使白色的帶電粒子462W帶負(fù)極性電的情況，著眼于與任意一個(gè)像素電極542對(duì)應(yīng)的像素A2的顯示灰度和與其他像素電極542對(duì)應(yīng)的像素B2的顯示灰度的變化。

首先，在顯示期間，如圖23的(1)例示的那樣，假定分別向相對(duì)電極562施加電壓VL2、向像素A2的像素電極542施加電壓VH2、向像素B2的像素電極542施加電壓VL2的情況。在像素A2中，帶正極性電的黑色的帶電粒子462B位于相對(duì)電極562側(cè)，帶負(fù)極性電的白色的帶電粒子462W位于像素電極542側(cè)。因此，像素A2顯示黑灰度。另一方面，在像素B2中，與像素A2相反，白色的帶電粒子462W位于相對(duì)電極562側(cè)的同時(shí)黑色的帶電粒子462B位于像素電極542側(cè)。即，像素B2顯示白灰度。

在寫入期間，如圖23的(2)例示的那樣，設(shè)想像素A2的像素電極542從電壓VH2轉(zhuǎn)變到電壓VL2并且像素B2的像素電極542從電壓VL2轉(zhuǎn)變到電壓VH2的情況。由于在寫入期間相對(duì)電極562被維持為電壓VL2，因此在像素B2中黑色的帶電粒子462B移動(dòng)到相對(duì)電極562側(cè)的同時(shí)白色的帶電粒子462W移動(dòng)到像素電極542側(cè)。即，像素B2從之前的顯示期間中的白灰度反轉(zhuǎn)為黑灰度。另一方面，在像素A2中，由于相對(duì)電極562以及像素電極542的雙方為電壓VL2，因此帶電粒子462(462B、462W)的狀態(tài)不會(huì)從之前的顯示期間發(fā)生變化。即，像素A2從之前的顯示期間繼續(xù)被維持為黑灰度。

在之后的反轉(zhuǎn)期間，如圖23的(3)例示的那樣，相對(duì)電極562從電壓VL2轉(zhuǎn)變到電壓VH2。由于像素A2的像素電極542被維持為電壓VL2，因此黑色的帶電粒子462B移動(dòng)到像素電極542側(cè)的同時(shí)白色的帶電粒子 462W移動(dòng)到相對(duì)電極562側(cè)。即，像素A2從黑灰度反轉(zhuǎn)為白灰度。另一方面，像素B2從顯示期間繼續(xù)被維持為白灰度。如圖23的(4)例示的那樣，在相對(duì)電極562從電壓VH2轉(zhuǎn)變到電壓VL2之后的顯示期間，像素A2也被維持為白灰度，像素B2被維持為黑灰度。如從以上的說明可理解的那樣，寫入期間中的各像素電極542的電壓的變化由反轉(zhuǎn)期間中的相對(duì)電極562的電壓的變動(dòng)(公共電壓VCOM2的反轉(zhuǎn))而被實(shí)際地反映在各像素的顯示灰度。

接下來，對(duì)由相對(duì)電極562的發(fā)熱引起的電泳元件46的加熱進(jìn)行說明。如從圖22可理解的那樣，本實(shí)施方式的輸出部550使第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2相對(duì)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2延遲地供給到第二連接點(diǎn)SP2。具體而言，輸出部550將電壓生成電路536生成的電壓VH2或電壓VL2的公共電壓VCOM2作為第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2供給到第一連接點(diǎn)SP1，將處于使第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2延遲的關(guān)系的電壓VH2或電壓VL2的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2供給到第二連接點(diǎn)SP2。

如圖22例示的那樣，在反轉(zhuǎn)期間，第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2的電壓VH2被從輸出部550供給到第一連接點(diǎn)SP1，從相對(duì)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2僅延遲了延遲時(shí)間ΔT的時(shí)刻第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2的電壓VH2被從輸出部550供給到第二連接點(diǎn)SP2。在整個(gè)延遲時(shí)間ΔT的期間，第一共同布線部566A的電壓SV1被設(shè)定為第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2的電壓VH2，第二共同布線部566B的電壓SV2被維持為第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2的電壓VL2。即，在整個(gè)延遲時(shí)間ΔT的期間，對(duì)應(yīng)于第一共同布線部566A與第二共同布線部566B的電壓差(SV1-SV2)的電流流過多個(gè)電極部565。其結(jié)果，在電極部565產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于電阻的焦耳熱，從而加熱電泳元件46。如從以上的說明可理解的那樣，延遲時(shí)間ΔT越長則電流流向相對(duì)電極562的時(shí)間長度越長，從而促進(jìn)電泳元件46的加熱。

圖24是本實(shí)施方式的輸出部550的說明圖。如圖24例示的那樣，輸出部550包含延遲電路552而構(gòu)成。具體而言，在本實(shí)施方式的輸出部550中，電壓生成電路536輸出公共電壓VCOM2的布線572分支成布線574A和布線576，在布線576與布線574B之間設(shè)置延遲電路552。從電壓生成 電路536供給到布線572的公共電壓VCOM2作為第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2被供給到布線574A，延遲電路552將使供給到布線572的公共電壓VCOM2延遲的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2輸出到布線574B。例如，如圖24例示的那樣，延遲電路552將逆變電路SINV-1和逆變電路SINV-2兩段地連接而構(gòu)成。

圖25是逆變電路SINV的構(gòu)成圖。由于各逆變電路SINV(SINV-1～SINV-2)具有共同的構(gòu)成，因此在圖25中作為逆變電路SINV(SINV-1～SINV-2)來說明。如圖25例示的那樣，逆變電路SINV包含串聯(lián)地介于高位側(cè)的電壓VH2與低位側(cè)的電壓VL2之間的P溝道型的晶體管STRA和N溝道型的晶體管STRB而構(gòu)成。對(duì)晶體管STRA以及晶體管STRB的柵極供給共同的輸入信號(hào)。晶體管STRA以及晶體管STRB是與像素部520的晶體管STRS在同一工序中一并地形成于元件基板510的面上的薄膜晶體管。

逆變電路SINV-2的晶體管STRA以及晶體管STRB的溝道寬SW超過逆變電路SINV-1的晶體管STRA以及晶體管STRB的溝道寬SW。例如，使逆變電路SINV-1的晶體管STRA以及晶體管STRB的溝道寬SW為3μm的情況下，逆變電路SINV-2的晶體管STRA以及晶體管STRB的溝道寬SW為60μm左右(即20倍左右)。如以上例示的那樣，充分地確保逆變電路SINV-2的晶體管STRA以及晶體管STRB的柵極電容(進(jìn)而時(shí)間常數(shù))，從而能夠使第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2相對(duì)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2延遲。

圖26是示出逆變電路SINV(SINV-1～SINV-2)的晶體管STRA以及晶體管STRB的電壓-電流特性(柵極-源極間的電壓VGS2與漏極電流ID2的關(guān)系)的曲線圖。N溝道型的晶體管STRB的電壓-電流特性由實(shí)線圖示出，P溝道型的晶體管STRA的電壓-電流特性由虛線圖示出。另外，在顯示裝置500被使用的溫度(以下稱為“環(huán)境溫度”)高的情況下和低的情況下，并記載了電壓-電流特性。

如從圖26可理解的那樣，環(huán)境溫度越低則相對(duì)于晶體管STRA以及晶體管STRB中的預(yù)定的柵極-源極電壓VGS2的漏極電流ID2越發(fā)減少。因此，由于環(huán)境溫度降低漏極電流ID2越發(fā)減少則相對(duì)于第一驅(qū)動(dòng)信號(hào) SA2的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2的延遲時(shí)間ΔT越增加，所以促進(jìn)電泳元件46的加熱。

如以上所說明那樣，從輸出部550經(jīng)由布線574B以及導(dǎo)通部563B被供給到第二連接點(diǎn)SP2的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2相對(duì)從輸出部550經(jīng)由布線574A以及導(dǎo)通部563A被供給到第一連接點(diǎn)SP1的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2延遲。因此，從第一連接點(diǎn)SP1變動(dòng)為第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2的電壓SV1之后整個(gè)延遲時(shí)間ΔT在包含第一連接點(diǎn)SP1的第一共同布線部566A與包含第二連接點(diǎn)SP2的第二共同布線部566B之間產(chǎn)生電壓差(SV1-SV2)，流過對(duì)應(yīng)于該電壓差的電流，從而使相對(duì)電極562發(fā)熱。即，在本實(shí)施方式中，由于通過用于對(duì)電泳元件46施加電壓的相對(duì)電極562的發(fā)熱使電泳元件46加熱，因此與設(shè)置專用于電泳元件46的加熱的電熱線等的構(gòu)成相比，能夠抑制裝置構(gòu)成的復(fù)雜化并同時(shí)加熱電泳元件46。另外，由于第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2處于相對(duì)于第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2延遲的關(guān)系，因此與生成不同的另一個(gè)電壓并施加在像素電極的兩端間的專利文獻(xiàn)1的構(gòu)成相比，也具有用于生成電壓的構(gòu)成被簡化這樣的優(yōu)點(diǎn)。

在本實(shí)施方式中，由于對(duì)應(yīng)于第一連接點(diǎn)SP1與第二連接點(diǎn)SP2之間的電壓差的電流流向橫跨第一共同布線部566A與第二共同布線部566B之間的多個(gè)電極部565，因此與形成有例如橫跨相對(duì)基板560的大致整個(gè)區(qū)域而連續(xù)的矩形形狀的相對(duì)電極562的構(gòu)成相比，能夠確保各電極部565的電阻并有效地加熱電泳元件46。

如上述那樣，電泳元件46的響應(yīng)特性對(duì)應(yīng)于環(huán)境溫度而變化。具體而言，具有環(huán)境溫度越低則電泳元件46的響應(yīng)特性變差并且顯示性能容易變差這樣的傾向。在本實(shí)施方式中，由環(huán)境溫度越低則相對(duì)于柵極-源極間的電壓VGS2的漏極電流ID2的電流量越發(fā)減少的特性的晶體管STRA以及晶體管STRB構(gòu)成延遲電路552。在以上的構(gòu)成中，由于環(huán)境溫度越低則第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2的延遲量越增加并且電流流向相對(duì)電極562的時(shí)間長度ΔT越長，因此就結(jié)果而言促進(jìn)由相對(duì)電極562的發(fā)熱引起的電泳元件46的加熱。根據(jù)以上的構(gòu)成，無需檢測(cè)環(huán)境溫度的溫度傳感器等要素而可實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)于環(huán)境溫度的電泳元件46的加熱。

對(duì)電泳元件46施加電壓的電極(相對(duì)電極562和像素電極542)中，相對(duì)電極562與像素電極542相比被配置在與外部氣體的接觸面的附近。例如，當(dāng)設(shè)想適用有顯示裝置500的手表時(shí)，由于相對(duì)于像素電極542位于利用者的身體側(cè)，相對(duì)電極562從像素電極542觀看時(shí)位于外部氣體側(cè)，因此電泳元件46中位于相對(duì)電極562側(cè)的部分與像素電極542側(cè)的部分相比，存在容易受到環(huán)境溫度的影響這樣的狀況。在本實(shí)施方式中，由相對(duì)電極562的發(fā)熱來加熱電泳元件46。根據(jù)本實(shí)施方式，由于通過位于觀察側(cè)的相對(duì)電極562的發(fā)熱來加熱電泳元件46，因此與利用像素電極542的發(fā)熱的專利文獻(xiàn)1的構(gòu)成相比，具有能夠有效果地加熱電泳元件46中在外部氣體的影響下尤其容易變低溫的部分這樣的優(yōu)點(diǎn)。

在本實(shí)施方式中，由于構(gòu)成像素電路SPIX的晶體管STRS與輸出部550的晶體管(STRA、STRB)同時(shí)形成于元件基板510，因此無需在相對(duì)基板560形成晶體管。因此，與在元件基板510形成像素電路SPIX的同時(shí)在相對(duì)基板560形成有輸出部550的構(gòu)成相比，具有顯示裝置500的制造工序被簡化這樣的優(yōu)點(diǎn)。

圖27是顯示裝置500的結(jié)構(gòu)的說明圖。在圖27中，為方便起見，并記載了像素部520的內(nèi)側(cè)的區(qū)域的截面和像素部520的外側(cè)的區(qū)域(輸出部550)的截面。如圖27例示的那樣，在由硅等半導(dǎo)體材料形成的元件基板510的表面形成有絕緣膜SL0。絕緣膜SL0的表面上中，在像素部520的內(nèi)側(cè)的區(qū)域形成有各像素電路SPIX的晶體管STRS，在像素部520的外側(cè)的區(qū)域形成有延遲電路552的晶體管(STRA、STRB)。

各晶體管(STRS、STRA、STRB)由絕緣層SLC覆蓋。本實(shí)施方式的絕緣層SLC由第一層SLC1和第二層SLC2的層疊而構(gòu)成。進(jìn)一步地，在像素部520的內(nèi)部的區(qū)域配置有經(jīng)由貫通絕緣層SLC的導(dǎo)通孔而與晶體管STRS電連接的像素電極542。元件基板510和相對(duì)基板560在像素電極542與相對(duì)電極562彼此相對(duì)的狀態(tài)下被粘合。在元件基板510與相對(duì)基板560的間隙形成有隔壁548，在由隔壁548所分隔的空間內(nèi)封入有電泳元件46。

像素部520的內(nèi)側(cè)的區(qū)域的晶體管STRS包含形成于絕緣膜SL0的表面的半導(dǎo)體層572A、覆蓋半導(dǎo)體層572A的柵極絕緣膜SLA、形成于柵極絕緣膜SLA上的柵極SG、覆蓋柵極SG的表面的絕緣層SLB和經(jīng)由絕緣層SLB的導(dǎo)通孔連接于半導(dǎo)體層572A的布線SWA(源極、漏極)而構(gòu)成。同樣地，形成于像素部520的外側(cè)的區(qū)域的晶體管STRA以及晶體管STRB包含形成于絕緣膜SL0的表面的半導(dǎo)體層572A、覆蓋半導(dǎo)體層572A的柵極絕緣膜SLA、形成于柵極絕緣膜SLA上的柵極SG、覆蓋柵極SG的表面的絕緣層SLB和布線SWA而構(gòu)成。像素部520的內(nèi)側(cè)的區(qū)域的晶體管STRS與像素部520的外側(cè)的輸出部550的晶體管STRA以及晶體管STRB在共同的工序中形成。晶體管(STRS、STRA、STRB)中共同的各要素(半導(dǎo)體層572A、柵極絕緣膜SLA、柵極SG、絕緣層SLB、布線SWA)能夠表現(xiàn)為形成于元件基板510的元件部570。

顯示裝置500的制造方法

從圖28至圖31是顯示裝置500的制造工序的說明圖。在元件基板510的表面由絕緣膜SL0覆蓋的狀態(tài)下開始圖28的第一工序。

在第一工序中，在元件基板510上形成元件部570。具體而言，如圖28例示的那樣，在絕緣膜SL0的表面上形成a-Si(amorphous-silicon：非晶硅)層，并由熱處理使a-Si層結(jié)晶化而形成p-Si(Polycrystalline Silicon：多晶硅)層。在下一抗蝕劑工序(抗蝕劑覆蓋形成、曝光、顯影等)中，在p-Si層形成抗蝕劑圖案，形成半導(dǎo)體層572A。半導(dǎo)體層572A的源極/漏極區(qū)域被注入雜質(zhì)元素。接下來，形成覆蓋半導(dǎo)體層572A的柵極絕緣膜SLA的同時(shí)，在柵極絕緣膜SLA的表面形成柵極SG。像素部520的晶體管STRS的柵極SG與掃描線524一體地形成。接下來，在各晶體管(STRS、STRA、STRB)的柵極SG的表面上形成絕緣層SLB，由抗蝕劑工序形成貫通絕緣層SLB以及柵極絕緣膜SLA的導(dǎo)通孔(接觸孔)的同時(shí)，由鋁等金屬材料形成布線SWA。像素部520的晶體管STRS的布線SWA例如與信號(hào)線522一體地形成。

在繼第一工序的第二工序中，形成覆蓋元件部570的絕緣層SLC。具體而言，如圖29例示的那樣，在元件部570的表面上層疊第一層SLC1和第二層SLC2，從而形成覆蓋布線SWA的絕緣層SLC，并形成貫通絕緣層SLC的導(dǎo)通孔。如以上那樣，在第二工序中，橫跨像素部520的內(nèi)側(cè)和外側(cè)在共同的工序中也形成絕緣層SLC。

在繼第二工序的第三工序中，形成經(jīng)由在第二工序中形成的絕緣層SLC的導(dǎo)通孔而與元件部570電連接的像素電極542。像素電極542由例如鋁等導(dǎo)電材料形成，如圖30示出的那樣，經(jīng)由絕緣層SLC的導(dǎo)通孔而與晶體管STRS的布線SWA電連接。

在繼第三工序的第四工序中，在絕緣層SLC的表面上形成隔壁548。隔壁548的平面形狀是任意的，例如形成于每個(gè)像素電路SPIX(或者在像素電路SPIX將空間分隔的格子狀)。接下來，在相對(duì)電極562與像素電極542彼此相對(duì)的狀態(tài)下，將元件基板510和相對(duì)基板560隔開預(yù)定的間隔地由密封材料(未圖示)粘合。在元件基板510與相對(duì)基板560的間隙內(nèi)封入電泳元件46。

如以上那樣，在第一工序中，像素部520的內(nèi)部的區(qū)域的晶體管STRS和像素部的外部的區(qū)域(延遲電路552)的晶體管(STRA、STRB)在共同的工序中形成。因此，相比于在與像素部520的晶體管STRS不同工序中形成構(gòu)成延遲電路552的晶體管STRA以及晶體管STRB的構(gòu)成，具有能夠使制造工序簡化這樣的優(yōu)點(diǎn)。

電子設(shè)備

以下例示應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備。圖32是利用了顯示裝置500的便攜式信息終端(電子書)710的立體圖。如圖32示出的那樣，信息終端710包含利用者操作的操作件712和在顯示部714顯示圖像的顯示裝置500而構(gòu)成。當(dāng)由利用者操作操作件712時(shí)，顯示部714的顯示圖像被切換。

圖33是利用了顯示裝置500的電子紙720的立體圖。如圖33示出的那樣，電子紙720包含形成于可撓性基板(薄板)722的表面的顯示裝置500而構(gòu)成。

適用本發(fā)明的電子設(shè)備不限于以上的例示。例如移動(dòng)電話機(jī)、時(shí)鐘(手表)、便攜式音響播放裝置、電子記事本、觸摸屏裝載式顯示裝置等，在各種電子設(shè)備中能夠采用本發(fā)明的顯示裝置。

變形例2

以上的方式能夠被變形為多種多樣。以下例示具體的變形方式。從以下的例示任意地選擇的兩種以上的方式在彼此不矛盾的范圍內(nèi)能夠被適當(dāng)?shù)睾喜ⅰ?/p>

(1)在上述的實(shí)施方式中，例示出了在由隔壁548所分隔的空間內(nèi)密封有帶電粒子462(462B、462W)和分散介質(zhì)464的隔壁型的電泳元件46，但電泳元件46的方式不限于以上的例示。例如也能夠優(yōu)選地采用在微膠囊的內(nèi)部密封有帶電粒子462(462B、462W)和分散介質(zhì)464的構(gòu)成、將使黑色的區(qū)域和白色的區(qū)域帶反極性電的多個(gè)粒子分散在分散介質(zhì)的構(gòu)成。另外，在本實(shí)施方式中，將電泳元件46作為電光元件進(jìn)行了例示，但也優(yōu)選將液晶元件等作為電光元件利用的構(gòu)成。如從以上的說明可理解的那樣，本發(fā)明優(yōu)選地采用于利用了隨著被施加電壓而顯示灰度發(fā)生變化的電光元件的構(gòu)成，電泳元件46、液晶元件是電光元件的典型例。

(2)在上述的實(shí)施方式中，例示出了在元件基板510上同時(shí)設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路530和電壓生成電路536的構(gòu)成，但電壓生成電路536的設(shè)置位置不限于以上的例示。例如，能夠采用在外部的上位裝置設(shè)置有電壓生成電路536的構(gòu)成。在外部的上位裝置設(shè)置有電壓生成電路536的構(gòu)成中，同步信號(hào)等各種控制信號(hào)、圖像信號(hào)和電壓VH2以及電壓VL2同時(shí)被從上位裝置供給。

(3)在上述的實(shí)施方式中，例示出了輸出部550只包含延遲電路552的構(gòu)成，但如圖34例示的那樣，也能夠優(yōu)選地采用在輸出部550設(shè)置有延遲電路552和電壓控制電路554的構(gòu)成。電壓控制電路554是通過調(diào)整從電壓生成電路536輸出到布線572的邏輯電平的公共電壓VCOM2的電壓振幅來生成電壓VH2或電壓VL2的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2并輸出到布線574A的電平移位器。如圖34例示的那樣，電壓控制電路554將逆變電路 SINV-3和逆變電路SINV-4兩段地連接而構(gòu)成。圖34的延遲電路552調(diào)整被供給到從布線572分支出的布線576的公共電壓VCOM2的電壓振幅的同時(shí)，生成相對(duì)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2延遲的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2并輸出到布線574B。即使根據(jù)以上的構(gòu)成，由于通過對(duì)應(yīng)于第一連接點(diǎn)SP1(第一共同布線部566A)與第二連接點(diǎn)SP2(第二共同布線部566B)的電壓差(SV1-SV2)的電流流過電極部565而使相對(duì)電極562發(fā)熱，因此能夠促進(jìn)電泳元件46的加熱。如從以上的說明可理解的那樣，輸出部550作為將第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2供給到第一連接點(diǎn)SP1的同時(shí)將相對(duì)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2延遲的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2供給到第二連接點(diǎn)SP2的要素而被概括地表現(xiàn)，不問具體的構(gòu)成、有無調(diào)整電壓振幅的功能。

在將延遲電路552和電壓控制電路554的雙方設(shè)置于輸出部550的構(gòu)成中，從確保延遲時(shí)間ΔT的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選構(gòu)成延遲電路552的逆變電路SINV-2的晶體管STRA以及晶體管STRB的溝道寬SW超過構(gòu)成電壓控制電路554的逆變電路(SINV-3、SINV-4)的晶體管STRA以及晶體管STRB的溝道寬SW的構(gòu)成。根據(jù)以上的構(gòu)成，由于逆變電路SINV-2(延遲電路552)的晶體管STRA以及晶體管STRB的柵極電容增加，因此能夠相對(duì)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA2使第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)SB2延遲。因此，能夠充分地確保電流流向相對(duì)電極562的時(shí)間長度(延遲時(shí)間ΔT)，就結(jié)果而言能夠促進(jìn)由相對(duì)電極562的發(fā)熱引起的電泳元件46的加熱。

另外，在將延遲電路552和電壓控制電路554的雙方設(shè)置于輸出部550的構(gòu)成中，優(yōu)選構(gòu)成延遲電路552的逆變電路SINV-2的晶體管STRA以及晶體管STRB的溝道長SL和溝道寬SW超過構(gòu)成電壓控制電路554的逆變電路(SINV-3、SINV-4)的晶體管STRA以及晶體管STRB的溝道長SL和溝道寬SW的構(gòu)成。

在第二實(shí)施方式中，作為逆變電路SINV-2(延遲電路552)的晶體管STRA以及晶體管STRB的溝道寬SW超過逆變電路SINV-1(延遲電路552)的晶體管STRA以及晶體管STRB的溝道寬SW的構(gòu)成。以上的例示以外，例如也能夠優(yōu)選地采用倒逆變電路SINV-2的晶體管STRA以及晶體管STRB的溝道長SL和溝道寬SW的雙方超過逆變電路SINV-1的晶 體管STRA以及晶體管STRB的溝道長SL和溝道寬SW的構(gòu)成。例如，使逆變電路SINV-1的晶體管STRA以及晶體管STRB的溝道長SL為3μm且溝道寬SW為3μm的情況下，在逆變電路SINV-2的晶體管STRA以及晶體管STRB中，也能夠優(yōu)選地采用使溝道長SL為60μm且溝道寬SW為60μm的構(gòu)成。即使根據(jù)以上的構(gòu)成，由于逆變電路SINV-2的晶體管STRA以及晶體管STRB的柵極電容增加，因此能夠充分地確保電流流向相對(duì)電極562的時(shí)間長度(延遲時(shí)間ΔT)，就結(jié)果而言能夠促進(jìn)由相對(duì)電極562的發(fā)熱引起的電泳元件46的加熱。

(4)在上述實(shí)施方式中，由兩段的逆變電路SINV構(gòu)成了延遲電路552以及電壓控制電路554，但構(gòu)成延遲電路552以及電壓控制電路554的逆變電路SINV的段數(shù)是任意的。例如也能夠由三段以上的逆變電路SINV構(gòu)成延遲電路552以及電壓控制電路554。

(5)在上述實(shí)施方式中，例示出了在第一共同布線部566A與第二共同布線部566B之間配置有多個(gè)電極部565的形狀的相對(duì)電極562，但相對(duì)電極562的形狀不限于以上的例示。例如，也能夠優(yōu)選地采用包含第一連接點(diǎn)SP1和第二連接點(diǎn)SP2并橫跨相對(duì)基板560的大致整個(gè)區(qū)域而連續(xù)的以矩形形狀形成相對(duì)電極562的構(gòu)成。

(6)在上述實(shí)施方式中，例示出了在第一共同布線部566A設(shè)置有一個(gè)第一連接點(diǎn)SP1的構(gòu)成，但也可以在第一共同布線部566A設(shè)置多個(gè)第一連接點(diǎn)SP1。例如，也優(yōu)選在第一共同布線部566A的兩端部設(shè)置有合計(jì)兩個(gè)第一連接點(diǎn)SP1的構(gòu)成。另外，第一共同布線部566A中設(shè)置第一連接點(diǎn)SP1的位置不限于第一共同布線部566A的端部。例如，也優(yōu)選將第一連接點(diǎn)SP1設(shè)置在第一共同布線部566A的中央部的構(gòu)成。根據(jù)在第一共同布線部566A設(shè)置有多個(gè)第一連接點(diǎn)SP1的構(gòu)成、在第一共同布線部566A的中央部設(shè)置有第一連接點(diǎn)SP1的構(gòu)成，與只在第一共同布線部566A的一方的端部設(shè)置有第一連接點(diǎn)SP1的構(gòu)成相比，由于可抑制橫跨第一共同布線部566A的兩端間的電壓的不相同(第一共同布線部566A的長度方向中的電壓下降引起的電壓分布)，因此具有流向多個(gè)電極部565的電流被均勻化這樣的優(yōu)點(diǎn)。

并且，在以上的說明中著眼在了第一共同布線部566A的第一連接點(diǎn)SP1，但關(guān)于第二共同布線部566B的第二連接點(diǎn)SP2，個(gè)數(shù)、位置也同樣地是任意的。例如，能夠采用在第二共同布線部566B設(shè)置有多個(gè)第二連接點(diǎn)SP2的構(gòu)成、在第二共同布線部566B的中央部設(shè)置有第二連接點(diǎn)SP2的構(gòu)成。

(7)在上述實(shí)施方式中，在顯示裝置500的制造方法的第四工序中，將元件基板510與相對(duì)基板560粘合之后封入了電泳元件46，但也可以在將電泳元件46配置在絕緣層SLC的表面上之后再粘合元件基板510和相對(duì)基板560。