本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，且特別是涉及共同電極與數(shù)據(jù)線有較少重疊的一種液晶顯示裝置。

背景技術：

為了實現(xiàn)高速影像處理以及高品質顯示影像，近年來如彩色液晶顯示裝置的顯示裝置已廣泛地使用。于液晶顯示裝置中，通常包括兩個上、下基板，以粘合或是封合材料接合在一起。而液晶材料被填入兩個基板之間，為了保持兩板之間固定的距離，具有一定粒徑的顆粒被散布于上述兩板之間。

通常，下基板表面形成有用來當作開關元件的薄膜晶體管，此薄膜晶體管具有連接于掃描線(scanningline)的柵極電極(gateelectrode)、連接于數(shù)據(jù)線(dataline)的源極電極(sourceelectrode)、與連接于像素電極(pixelelectrode)的漏極電極(drainelectrode)。而上基板置于下基板上方，此上基板表面形成有一濾光片與多個遮光材料(如由樹脂黑矩陣(resinbm)構成)。此兩基板的周邊具有封合材料粘合固定住，而兩基板之間具有液晶材料。下基板也稱之為陣列基板(arraysubstrate)，而形成于其上的如薄膜晶體管等數(shù)個元件則通常通過數(shù)道光刻制作工藝所制作而成。

然而，隨著如液晶顯示裝置的顯示裝置的影像分辨率與尺寸的增加趨勢，顯示裝置內所應用的數(shù)據(jù)線與掃描線等導線的長度也隨之增加。隨著所應用的數(shù)據(jù)線與掃描線等導線的長度增加，顯示裝置內數(shù)據(jù)線與掃描線等導線所衍生出的寄生電容值也隨之增加，如此會于顯示裝置中造成如阻容時間延遲(rc-timedelay)的不期望情形的發(fā)生，從而影響了顯示裝置的影像及相關電性特性。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，包括一陣列基板。該陣列基板包括沿一第一方向設置于一基板上的多條掃描線以及沿不同于該第一方向的一第二 方向設置于該基板上多條數(shù)據(jù)線，此些掃描線與此些數(shù)據(jù)線交錯以定義出多個次像素。該陣列基板還包括設置于基板上并覆蓋該些掃描線與該些數(shù)據(jù)線的一平坦層，以及設置于該平坦層上的一共同電極。共同電極包括沿該第一方向設置的多個次共同電極列，該些次共同電極列分別沿該第一方向延伸而覆蓋了多個次像素。此些次共同電極列分別包括沿該第一方向沿伸的一第一部、沿該第一方向沿伸且與該第一部分隔的一第二部，及連接該第一部與該第二部的至少一連接部。該些數(shù)據(jù)線包括一第一數(shù)據(jù)線，該第一數(shù)據(jù)線與該些共同電極列重疊，與該第一數(shù)據(jù)線重疊的該些第一部的數(shù)量大于與該第一數(shù)據(jù)線重疊的該些連接部的數(shù)量。

于一實施例中，上述第一基板還包括分別連接于此些掃描線與此些數(shù)據(jù)線的多個薄膜晶體管、設置于共同電極上的一介電層、以及設置于該些次像素內的該介電層的一部上，且電連接于該些數(shù)據(jù)線之一的一像素電極。

于一實施例中，上述液晶顯示裝置尚包括相對該陣列基板設置的一對向基板，以及設置于該陣列基板與該對向基板之間的一液晶層。

為讓本發(fā)明的特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

圖1顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實施例的一液晶顯示裝置的上視示意圖；

圖2顯示了圖1內的一像素的一上視示意圖；

圖3為一示意圖，顯示了沿圖2內的線段3-3’的剖面情形；

圖4為一示意圖，顯示了沿圖2內的線段4-4’的剖面情形；及

圖5顯示了依據(jù)本發(fā)明的一另實施例的一液晶顯示裝置的上視示意圖。

符號說明

100～顯示裝置

100s～顯示裝置

102～陣列基板

102a～基板

103～絕緣層

104～掃描線

104-1～第一掃描線

104-2～第二掃描線

104-3～第三掃描線

104-4～第四掃描線

104-5～第五掃描線

104-6～第六掃描線

104-7～第七掃描線

106～數(shù)據(jù)線

106-1～第一數(shù)據(jù)線

106-2～第二數(shù)據(jù)線

106-3～第三數(shù)據(jù)線

106-4～第四數(shù)據(jù)線

106-5～第五數(shù)據(jù)線

106-6～第六數(shù)據(jù)線

106-7～第七數(shù)據(jù)線

106’～導電層

108～次像素

110～半導體層

112～絕緣層

114～第一開口

140～平坦層

145～介電層

147～第二開口

150～透明電極

152～狹縫

300～共同電極

300r～次共同電極列

300-1～第一次共同電極列

300-2～第二次共同電極列

300-3～第三次共同電極列

300-4～第四次共同電極列

300-5～第五次共同電極列

300-6～第六次共同電極列

300a1～第一部

300a2～第二部

300a3～連接部

500～開口

500-1～第一開口

500-2～第二開口

500-3～第三開口

500-4～第四開口

500-5～第五開口

500-6～第六開口

600～像素

602～液晶層

604～對向基板

a1～第一方向

a2～第二方向

具體實施方式

發(fā)明實施例可配合附圖一并理解，本發(fā)明的附圖也被視為發(fā)明說明的一部分。需了解的是，本發(fā)明的附圖并未以實際裝置及元件的比例繪示。在附圖中可能夸大實施例的形狀與厚度以便清楚表現(xiàn)出本發(fā)明的特征。此外，附圖中的結構及裝置以示意的方式繪示，以便清楚表現(xiàn)出本發(fā)明的特征。

在本發(fā)明中，相對性的用語例如「下」、「上」、「水平」、「垂直」、「之下」、「之上」、「頂部」、「底部」等等應被理解為該段以及相關附圖中所繪示的方位。此相對性的用語僅是為了方便說明之用，其并不代表其所敘述的裝置需以特定方位來制造或運作。而關于接合、連接的用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構直接接觸，或者也可指兩個結構并非直接接觸，其中有其它結構設于此兩個結構之間。且此關于接合、連接的用語也可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定的情況。

應注意的是，在后文中「基板」一詞可指基板本身，或是包括已形成各 式元件、各式電路及各種膜層于基板上的復合體，此處為了簡化附圖，僅以平整的基板表示之。此外，「基板表面」包括基板最上方且暴露的膜層，例如一玻璃表面或一有機高分子表面、一絕緣層及/或金屬線?；灞旧聿馁|可以是玻璃、有機高分子、無機高分子、硅、金屬…等。

本發(fā)明的一些實施例中通過減少共同電極與數(shù)據(jù)線之間的重疊情形，以降低由共同電極與數(shù)據(jù)線的重疊所衍生出的寄生電容值，進而減少液晶顯示裝置內的阻容時間延遲問題。另外，本發(fā)明的一些實施例中也使得不同條的數(shù)據(jù)線與共同電極之間具有近似或相同的重疊情形，如此可使得不同條的數(shù)據(jù)線之間具有近似或相同的電性特性，進而可提升數(shù)據(jù)線所控制相關次像素的影像表現(xiàn)。

圖1顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例的一顯示裝置100內的陣列基板102的上視圖。圖2顯示圖1的局部放大圖。圖3顯示了沿圖2內線段3-3’所繪制的剖面構造。

請參照圖1，陣列基板102包括沿一第一方向a1延伸的多條平行的掃描線(柵極線)104，以及沿一第二方向a2沿伸的多條平行的數(shù)據(jù)線(源極線)106。掃描線104和數(shù)據(jù)線106設置于一基板102a上(參見圖3)。在此，此些數(shù)據(jù)線104與此些掃描線106交會。第一方向a1及第二方向a2彼此可呈大抵垂直(perpendicular)或正交(orthogonal)。換言之，第一方向a1可以是座標系的x軸而第二方向a2則是y軸，但第一方向a1及第二方向a2也可彼此呈非垂直或非正交，其夾角可不等于90度。

此外，多條掃描線104與多條數(shù)據(jù)線106共同定義出多個次像素108(sub-pixel)。在此，圖1中所示的陣列基板102上繪示了具有3*3陣列型態(tài)設置的多個次像素108，其中顯示4條掃描線：第一掃描線104-1、第二掃描線104-2、第三掃描線104-3、第四掃描線104-4，以及4條數(shù)據(jù)線：第一數(shù)據(jù)線106-1、第二數(shù)據(jù)線106-2、第三數(shù)據(jù)線106-3、以及第四數(shù)據(jù)線106-4。

陣列基板102還包括對應次像素108設置的多個薄膜晶體管(未顯示于圖1，參見第3-4圖)，薄膜晶體管其中兩端點分別電連接掃描線104及數(shù)據(jù)線106。在此，沿第一方向a1上設置的多個次像素108(在此顯示例如為三個次像素108)可形成一像素(pixel)600。

上述數(shù)據(jù)線106通過薄膜晶體管(未顯示，參見圖3-圖4)提供源極信號至次像素108，而此掃描線104通過薄膜晶體管(未顯示于圖1，參見圖3-圖 4)提供掃描脈沖信號至次像素108，并配合上述源極信號一同控制次像素108。

參見圖1和圖3，陣列基板102還包括設置于基板102a上并覆蓋此些掃描線104與此些數(shù)據(jù)線106的一平坦層140，以及設置于該平坦層140上的一共同電極(commonelectrode)300。在此，共同電極300由沿第一方向a1延伸的多個次共同電極列300r所組成，并且，這些次共同電極列300r沿第二方向a2而依序排列。例如，圖1中顯示3個沿第一方向a1延伸的次共同電極列300r：第一次共同電極列300-1、第二次共同電極列300-2、以及第三次共同電極列300-3，且沿第二方向a2而依序排列。第一、第二、第三次共同電極列300-1,300-2,300-3可為彼此相鄰設置。依據(jù)一些實施例，一個次共同電極列對應于多個次像素中的一列。

此些次共同電極列300r分別包括相分隔的一第一部300a1與一第二部300a2以及設置于第一部300a1與第二部300a2之間用以連接第一部300a1與第二部a2的至少一連接部300a3。第一部300a1和第二部300a2可為沿第一方向a1延伸。

如圖1所示，此些次共同電極列300r的一內的第二部300a2與鄰近的次共同電極300r的第一部300a1連結。例如，第一次共同電極列300-1內的第二部300a2與鄰近的第二次共同電極列300-2的第一部300a1連結。如圖1所示，第一次共同電極列300-1內具有兩個連接部300a3，第二、第三次共同電極列300-2,300-3內則分別具有一個連接部300a3。然而，圖1僅顯示整個次像素的局部，亦即，僅顯示3*3陣列的多個次像素108。因此，在顯示裝置的整個次像素范圍內，一個次共同電極列可具有多個連接部，以連接第一部和第二部。如圖1所示，第一數(shù)據(jù)線106-1與第一、第二、第三次共同電極列300-1、300-2、300-3重疊。第一數(shù)據(jù)線106-1與第一次共同電極列300-1的第一部300a1、第二部300a2、連接部300a3重疊。然而，第一數(shù)據(jù)線106-1與第二、第三次共同電極列300-2,300-3的重疊情況，和第一數(shù)據(jù)線106-1與第一次共同電極列300-1的重疊情況并不相同。在第二次共同電極列300-2中，第一數(shù)據(jù)線106-1與第一部300a1、第二部300a2有重疊，但和連接部300a3并沒有重疊。類似地，在第三次共同電極列300-3中，第一數(shù)據(jù)線106-1與第一部300a1、第二部300a2有重疊，但和連接部300a3并沒有重疊。

如此，以圖1的3*3陣列次像素為例，與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的第一部的數(shù)量為3個，與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的連接部的數(shù)量則僅為1個。亦即，與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的第一部的數(shù)量大于與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的連接部的數(shù)量。類似地，依據(jù)一些實施例，與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的第二部的數(shù)量大于與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的連接部的數(shù)量。

依據(jù)一些實施例，次共同電極列300r具有一開口，沿第一方向a1延伸以分隔其所在次共同電極列300r中的第一部300a1和第二部300a2。例如，如圖1所示，于第一次共同電極列300-1內的第一部300a1與第二部300a2由一第一開口500-1所分隔，而于第一開口500-1的左右兩側則分別設置有一連接部300a3。從上視觀之，第一開口500-1為一長方形形狀，且第一開口500-1露出了位于下方的平坦層140的一部。第一開口500-1沿第一方向a1延伸而跨越三個次像素108，位于第一、第四數(shù)據(jù)線106-1、106-4之間，且與第二、第三數(shù)據(jù)線106-2、106-3有部分重疊。

另外，于第二次共同電極列300-2中，第一部300a1與第二部300a2則通過位于第一部300a1與第二部300a2之間的兩個第二開口500-2所分隔，而連接部300a3位于此兩個第二開口500-2之間，而此些第二開口500-2也露出平坦層140的一部。從上視觀之，此些第二開口500-2也為一長方形形狀。類似地，于第三次共同電極列300-3中，第一部300a1與第二部300a2則通過位于第一部300a1與第二部300a2之間的兩個第三開口500-3所分隔，連接部300a3位于此兩個第三開口500-3之間，而此些第三開口500-3也露出平坦層140的一部。圖1僅顯示3x3陣列的次像素，因此，在第二次共電極列300-2中所顯示的第二開口500-2僅為局部，在第三次共電極列300-3中所顯示的第三開口500-3也僅為局部。在顯示裝置的整個次像素范圍內，和第一開口500類似地，第二開口500-2也可跨越3個次像素108，第三開口500-3也可跨越3個次像素108。

依據(jù)本發(fā)明一些實施例，不同次共同電極列中的開口，可為相對于第二方向a2而錯位。亦即，至少兩個次共同電極列中的開口，相對于第二方向a2可為不對齊。例如，以第一、第二次共同電極列300-1,300-2中的開口500-1,500-2為例，相對于第二方向a2(例如第二數(shù)據(jù)線106-2)，第一開口500-1和第二開口500-2是不對齊的，亦即，第一開口500-1和第二開口500-2相對于第二方向a2是錯位的。

例如，第一開口500-1設置于第1條數(shù)據(jù)線和第1+p條數(shù)據(jù)線之間，第二開口500-2可設置于第1+q條數(shù)據(jù)線和第1+q+p條數(shù)據(jù)線之間，第三開口500-2可設置于第1+2q條數(shù)據(jù)線和第1+2q+p條數(shù)據(jù)線之間。n,p,q均為整數(shù)。具體而言，第一開口500-1設置于第一條數(shù)據(jù)線106-1和第四條數(shù)據(jù)線106-4之間(p＝3,q＝1)，跨越第二、第三數(shù)據(jù)線106-2、106-3。第二開口500-2可設置于第二條數(shù)據(jù)線106-2和第五條數(shù)據(jù)線(未顯示)之間，跨越第三、第四數(shù)據(jù)線106-3、106-4。第三開口500-3可設置于第三條數(shù)據(jù)線106-3和第六條數(shù)據(jù)線(未顯示)之間。第一、第二、第三開口分別跨越三個次像素。p可表示開口所跨越的次像素數(shù)量。q可表示兩個開口之間錯位的數(shù)據(jù)線數(shù)量。例如，第一開口500-1跨越第二、第三數(shù)據(jù)線106-2、106-3，第二開口500-2跨越第三、第四數(shù)據(jù)線106-3、106-4，表示第一、第二開口之間錯位的數(shù)據(jù)線數(shù)量為1。以上p＝3,q＝1僅為舉例，依據(jù)其他實施例，可改變p以調整開口所跨越的次像素數(shù)量，也可改變q以調整兩個開口之間錯位的數(shù)據(jù)線數(shù)量。

通過不同次共同電極列中開口的錯位設置，可使得每條數(shù)據(jù)線和共同電極的重疊面積可減少為大致相同，使得數(shù)據(jù)線負載可較為平均。如圖1所示，第一數(shù)據(jù)線106-1與第二次共電極列300-2中的第二開口500-2有部分重疊，但不與第一次共電極列300-1中的第一開口500-1重疊。第二數(shù)據(jù)線106-2與第一次共電極列300-1中的第一開口500-1有部分重疊，但不與第二次共電極列300-2中的第二開口500-2重疊。第一、第二數(shù)據(jù)線106-1,106-2可為彼此相鄰設置。

如圖1所示，于第二方向a2上，此些數(shù)據(jù)線106分別與此些次共同電極300a的第一部300a1與第二部300a2部分重疊，但僅與此些次共同電極300a的一內的一連接部300a3部分重疊。例如，第一數(shù)據(jù)線106-1與第一、第二、第三次共同電極列300-1、300-2、300-3的第一部300a1與第二部300a2部分重疊，但僅與第一次共同電極300-1的連接部300a3部分重疊。又例如，第二數(shù)據(jù)線106-2與第一、第二、第三次共同電極列300-1、300-2、300-3的第一部300a1與第二部300a2部分重疊，但僅與第二次共同電極300-2的連接部300a3部分重疊。其他的數(shù)據(jù)線也有類似的情形，不再贅述。

再者，于第二方向a2上，不同條的數(shù)據(jù)線與共同電極之間可具有近似或相同的重疊情形。于一實施例中，以一既定數(shù)量的次共同電極列為基準(例如，如圖1以3個次共同電極列為基準)，第一數(shù)據(jù)線106-1與次共同電極列 300r之間重疊區(qū)域的面積，與第二數(shù)據(jù)線106-2與次共同電極列300r之間重疊區(qū)域的面積可為大致相等。換言之，以一既定數(shù)量的次共同電極列為基準，共同電極中開口與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的總面積，以及共同電極中開口與第二數(shù)據(jù)線106-2重疊的總面積可為大致相等。例如，如圖1所示，第一、第二、第三開口500-1、500-2、500-3與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的總面積，以及第一、第二、第三開口500-1、500-2、500-3與第二數(shù)據(jù)線106-2重疊的總面積可為大致相等。

依據(jù)一實施例，共同電極可包括n個次共同電極列，每個次共同電極列具有至少一開口而構成n個開口，n為整數(shù)。開口沿著第一方向延伸。n個開口與第一數(shù)據(jù)線重疊的總面積，以及n個開口與第二數(shù)據(jù)線重疊的總面積為大致相等。

一般而言，由于共同電極300與掃描線104與數(shù)據(jù)線106有重疊，因此產生了寄生電容。依據(jù)本發(fā)明一些實施例，如圖1所示，使數(shù)據(jù)線與共同電極重疊的面積減少，具體而言，與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的共同電極的第一部300a1的數(shù)量大于與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的共同電極的連接部300a3的數(shù)量。這有助于降低共同電極與數(shù)據(jù)線106之間的寄生電容值。依據(jù)一些實施例，通過共同電極300中開口的設置，于第二方向a2上，此些數(shù)據(jù)線106分別與開口(500-1和/或500-2和/或500-3)重疊，而此些數(shù)據(jù)線106與開口的重疊情形有助于降低共同電極300與此些數(shù)據(jù)線106之間的寄生電容值，進而減少了各數(shù)據(jù)線106處的阻容時間延遲(rc-timedelay)情形。另外，于第二方向a2上，由于不同條數(shù)據(jù)線106與此些次共同電極列300r之間重疊區(qū)域的面積可為相近或相等，如此可使得不同數(shù)據(jù)線106之間可具有接近或相同的電性表現(xiàn)，進而可提升數(shù)據(jù)線106所控制相關次像素108的影像表現(xiàn)。

此外，需注意的是，為了清楚描述本發(fā)明，上述圖1中并未繪示后續(xù)的介電層、像素電極、液晶層及第二基板的其他構件。

參見圖2，顯示了圖1的一像素600(例如是沿第二方向a2中最上方的一像素600)內的多個次像素108(例如是三個次像素108)的上視示意圖，而圖3顯示了沿圖2內線段3-3’所繪制的剖面情形，而圖4顯示了沿圖2內線段4-4’所繪制的剖面情形。

圖3顯示圖2的像素600中的第一次像素108-1的剖面構造。請參照圖 1、圖2和圖3，于像素600內主要包括一基板102a、數(shù)個u形的半導體層110，分隔地設置于基板102a的一部上。半導體層110的形狀并不限制為u形，也可為其他形狀。一絕緣層103，設置于基板102a與此些u形的半導體層110上。數(shù)個掃描線104，沿第一方向a1延伸而間隔地設置于絕緣層103的一部上，而分別覆蓋此些半導體層110之一。一絕緣層112，形成于基板102a、半導體層110、此些掃描線104上。數(shù)個數(shù)據(jù)線106，沿如第二方向a2延伸而間隔地設置于絕緣層112上并部分覆蓋此些半導體層110之一的一部。數(shù)個導電層106’，分別設置于相鄰的兩數(shù)據(jù)線106之間的絕緣層112的一部上以部分覆蓋此些半導體層110之一的另一部。數(shù)個第一接觸孔114，分隔地設置于絕緣層112之內，以分別露出此些半導體層110的數(shù)部的頂面。在此，數(shù)據(jù)線106與導電層106’的一部則分別填入于此些第一接觸孔114之一之內，以形成與半導體層102之間的電連接關系。一平坦層140，毯覆地形成于基板102a、此些數(shù)據(jù)線106與導電層106’、與絕緣層112上。由透明導電材料所形成的共同電極300，形成于平坦層140上。共同電極300包括多個次共同電極列300r。次共同電極列300r具有開口500。一介電層145，形成于平坦層140與共同電極300上，并填入開口500內。數(shù)個第二接觸孔147，分隔地設置于介電層145與平坦層140的一部內，以分別露出此些導電層106’的一部的頂面并部分重疊于下方的此些第一接觸孔114之一。包括形成于其內的數(shù)個狹縫152的數(shù)個梳指狀的透明電極150，分別設置于各次像素108內的介電層145上，而透明電極150的一部則填入于此些第二接觸孔147之一內，以接觸導電層106’。于此些次像素區(qū)108之內，則分別形成了一像素結構。

如圖2所示，形成于第二接觸孔147內的透明電極150部分用于電連接一薄膜晶體管裝置(由部分的掃描線104、絕緣層103與半導體層110所組成)的一漏極區(qū)與作為一像素電極之用，而第二接觸孔147可與第一接觸孔114的一部分重疊，因而露出了導電層106’的一部，且形成于第二接觸孔147內的透明電極120部分重疊于導電層106’并接觸之，進而形成了電連接情形。

如圖3所示，在一些實施例中，連接至導電層106’的透明電極150可為包含數(shù)個狹縫152的圖案化電極。再者，顯示裝置100包括陣列基板102，一對向基板604及設置在對向基板604與陣列基板102之間的一液晶層602。在此，透明電極150(作為像素電極)的狹縫152和共同電極的設置，使得顯 示裝置100成為邊界電場切換(ffs)的液晶顯示面板。

于圖3中，由于第一次共同電極列300-1與其下方的第一數(shù)據(jù)線106-1重疊，因此于此次像素108內的次共同電極列300-1、第一數(shù)據(jù)線106-1與平坦層140等構件仍形成了一寄生電容并具有一寄生電容值。

再者，圖4顯示圖2的像素600中第二次像素108-2的剖面構造，為沿圖2內的線段4-4’而視的剖視圖。不同于圖3所示的剖面情形，在圖4所示的第二次像素108-2內，位于第二數(shù)據(jù)線106-2上的次共同電極列300-1有部分被除去而形成開口500-1。亦即，第二數(shù)據(jù)線106-2與開口500-1有部分重疊。如此，在第二次像素108-2中，有部分的第一次共同電極列300-1不與第二數(shù)據(jù)線106-2重疊。相對圖3所示的第一次像素108-1中，第一次共同電極列300-1與第一數(shù)據(jù)線106-1為重疊。因此，在第二次像素108-2中，共同電極和數(shù)據(jù)線106-2之間的寄生電容值可降低。

在一些實施例中，以上所示的顯示裝置100中的薄膜晶體管繪示為頂部柵極(top-gate)結構，如圖3-圖4所示，掃描線(柵極)104位于半導體層110的上方。在另一些實施例中，顯示裝置100的薄膜晶體管可以是底部柵極(bottom-gate)結構，其掃描線(柵極)104位于半導體層110的下方。

以上實施例以3x3陣列的多個次像素為例，次共同電極列具有的開口橫跨3個次像素，但本發(fā)明并不以此為限?？梢佬枰O計mxm陣列的多個次像素(m為整數(shù))，次共同電極列具有的開口可橫跨m個次像素。

例如，圖5顯示另一實施例的顯示裝置100s。圖5的構造與圖1大致類似，但圖5顯示6x6陣列(mxm,m＝6)的多個次像素。共同電極300包括6個次共同電極列300r，分別沿第一方向a1延伸。每個次共同電極列300r包括沿第一方向a1延伸的第一部300a1和第二部的300a2，連接部300a3連接第一部300a1和第二部300a2。次共同電極列300r具有的開口500橫跨6個(m個)次像素。與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的第一部300a1的數(shù)量為6個，與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的連接部300a3的數(shù)量則僅為1個。亦即，與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的第一部的數(shù)量大于與第一數(shù)據(jù)線106-1重疊的連接部的數(shù)量。

與圖1類似地，圖5中不同次共同電極列中的開口，可為相對于第二方向a2而錯位。亦即，至少兩個次共同電極列中的開口，相對于第二方向a2可為不對齊。例如，位于第一次共同電極列300-1中的第一開口500-1設置 于第1條數(shù)據(jù)線和第1+p條數(shù)據(jù)線之間，位于第二次共同電極列300-2中的第二開口500-2可設置于第1+q條數(shù)據(jù)線和第1+q+p條數(shù)據(jù)線之間，位于第三次共同電極列300-3中的第三開口500-3可設置于第1+2q條數(shù)據(jù)線和第1+2q+p條數(shù)據(jù)線之間，…位于第六次共同電極列300-6中的第六開口500-6可設置于第1+5q條數(shù)據(jù)線和第1+5q+p條數(shù)據(jù)線之間。n,p,q均為整數(shù)。具體而言，第一開口500-1設置于第一條數(shù)據(jù)線106-1和第七條數(shù)據(jù)線106-7之間(p＝6,q＝1)。第二開口500-2可設置于第二條數(shù)據(jù)線106-2和第八條數(shù)據(jù)線(未顯示)之間，…第六開口500-6可設置于第六條數(shù)據(jù)線106-6和第十二條數(shù)據(jù)線(未顯示)之間。第一、第二、…第六開口分別跨越六個次像素。p可表示開口所跨越的次像素數(shù)量。q可表示兩個開口之間錯位的數(shù)據(jù)線數(shù)量。例如，第一開口500-1跨越第二至第六數(shù)據(jù)線106-2～106-6，第二開口500-2跨越第三至第七數(shù)據(jù)線106-3～106-7，表示第一、第二開口之間錯位的數(shù)據(jù)線數(shù)量為1。以上p＝6,q＝1僅為舉例，依據(jù)其他實施例，可改變p以調整開口所跨越的次像素數(shù)量，也可改變q以調整兩個開口之間錯位的數(shù)據(jù)線數(shù)量。

綜上所述，依據(jù)一些實施例，共同電極局部被除去而在次共同電極列中形成開口，以減少共同電極與數(shù)據(jù)線之間的重疊情形，降低由共同電極與數(shù)據(jù)線的重疊所衍生的寄生電容值，進而減少液晶顯示裝置內的阻容時間延遲問題。另外，本發(fā)明的一些實施例中也使得不同條的數(shù)據(jù)線與共同電極之間具有近似或相同的重疊情形，如此可使得不同條的數(shù)據(jù)線之間具有近似或相同的電性特性，進而可提升數(shù)據(jù)線所控制相關次像素的影像表現(xiàn)。

雖然結合以上較佳實施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，在此技術領域中熟悉此技術者當可了解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，可做些許更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所附的權利要求所界定的為準。