相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2014年12月29日提交的美國申請62/097,210的優(yōu)先權(quán)，該申請通過應(yīng)用全部并入本文。

本公開涉及可以例如用在光刻設(shè)備中的對準(zhǔn)系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

光刻設(shè)備是將期望的圖案施加到襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻設(shè)備可以例如用在集成電路(ic)的制造中。在這種情形中，替代地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案化裝置可以用于生成對應(yīng)于ic的單獨(dú)層的電路圖案，并且該圖案可以被成像到具有輻射敏感材料層(抗蝕劑)的襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括裸片的一部分、一個(gè)或若干裸片)上。一般來說，單個(gè)襯底將包含被相繼地曝光的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光刻設(shè)備包括：所謂的步進(jìn)器，其中通過使整個(gè)圖案一次性曝光到目標(biāo)部分上來輻照各目標(biāo)部分；和所謂的掃描器，其中通過在給定方向(“掃描”方向)上通過光束掃描圖案同時(shí)同步地平行于或反向平行于該方向掃描襯底來輻照各目標(biāo)部分。也可以通過將圖案壓印到襯底上而使圖案從圖案化裝置轉(zhuǎn)移至襯底。另一光刻系統(tǒng)是干涉光刻系統(tǒng)，其中沒有圖案化裝置，而是將光束分裂成兩個(gè)光束，并且通過反射系統(tǒng)的使用引起兩個(gè)光束在襯底的目標(biāo)部分處干涉。干涉引起在襯底的目標(biāo)部分上形成線。

在光刻操作期間，不同的處理步驟可能要求不同的層順次地形成在襯底上。因此，可能有必要以高準(zhǔn)確度將襯底相對于形成于其上的在先圖案定位。一般地，將對準(zhǔn)標(biāo)記置于待對準(zhǔn)的襯底上且參照第二物體進(jìn)行定位。光刻設(shè)備可以使用對準(zhǔn)系統(tǒng)，用于檢測對準(zhǔn)標(biāo)記的位置和用于使用對準(zhǔn)標(biāo)記將襯底對準(zhǔn)以確保來自掩模的準(zhǔn)確曝光。

對準(zhǔn)系統(tǒng)典型地具有它們自己的照射系統(tǒng)。從被照射的對準(zhǔn)標(biāo)記檢測到的信號可以取決于照射系統(tǒng)的波長與對準(zhǔn)標(biāo)記的物理或光學(xué)特性或者與對準(zhǔn)標(biāo)記接觸或相鄰的材料的物理或光學(xué)特性匹配得有多好。前述特性可以取決于所使用的處理步驟而變化。對準(zhǔn)系統(tǒng)可以提供具有一組離散的、相對窄的通帶的窄帶輻射束，以便使由對準(zhǔn)系統(tǒng)檢測到的對準(zhǔn)標(biāo)記信號的質(zhì)量和強(qiáng)度最大化。

對準(zhǔn)系統(tǒng)通常被配置為在從寬帶輻射束濾波并由照射系統(tǒng)輸出的窄帶輻射束的一個(gè)或多個(gè)窄通帶的期望的中心波長(cwl)值處的最佳性能。然而，入射在對準(zhǔn)標(biāo)記上的一個(gè)或多個(gè)窄通帶的實(shí)際cwl值可能與期望的cwl值不同。實(shí)際cwl值從期望的cwl值的移位可能歸因于例如對照射系統(tǒng)的機(jī)械干擾、照射系統(tǒng)部件隨時(shí)間的劣化、照射系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)部件的更換和/或來自光刻設(shè)備的操作的熱效應(yīng)。cwl值上的該移位可能會造成對準(zhǔn)系統(tǒng)的不準(zhǔn)確的對準(zhǔn)測量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，存在有對于提高對準(zhǔn)系統(tǒng)中的對準(zhǔn)測量的長期準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性的需要。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種對準(zhǔn)系統(tǒng)包括可調(diào)諧輻射源和反饋控制系統(tǒng)。可調(diào)諧輻射源可以包括被配置成提供寬帶輻射束的光源和被配置成將寬帶輻射束濾波成包括cwl值的窄帶輻射束的可調(diào)諧濾波器。反饋控制系統(tǒng)可以被配置成測量窄帶輻射束的cwl值，將測得的cwl值與期望的cwl值進(jìn)行比較，基于響應(yīng)于測得的cwl值與期望的cwl值之間存在的差值的比較生成控制信號，以及基于控制信號調(diào)諧可調(diào)諧濾波器以消除或?qū)嵸|(zhì)上減小差值。

在另一實(shí)施例中，一種方法包括使用可調(diào)諧濾波器將寬帶輻射束濾波成窄帶輻射束。方法進(jìn)一步包括使用分析器測量窄帶輻射束的cwl值，使用分析器將測得的cwl值與期望的cwl值進(jìn)行比較，使用分析器基于響應(yīng)于測得的cwl值與期望的值之間存在的差值的比較生成控制信號，以及使用可調(diào)諧濾波器基于控制信號調(diào)整驅(qū)動(dòng)信號以消除或?qū)嵸|(zhì)上減小差值。

在又另一實(shí)施例中，一種光刻設(shè)備包括被配置成照射圖案化裝置的圖案的照射光學(xué)系統(tǒng)、被配置成將圖案的圖像投影到襯底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)以及對準(zhǔn)系統(tǒng)。對準(zhǔn)系統(tǒng)包括可調(diào)諧輻射源和反饋控制系統(tǒng)。可調(diào)諧輻射源可以包括被配置成提供寬帶輻射束的光源和被配置成將寬帶輻射束濾波成包括cwl值的窄帶輻射束的可調(diào)諧濾波器。反饋控制系統(tǒng)可以被配置成測量窄帶輻射束的cwl值，將測得的cwl值與期望的cwl值進(jìn)行比較，基于響應(yīng)于測得的cwl值與期望的cwl值之間存在的差值的比較生成控制信號，以及基于控制信號調(diào)諧可調(diào)諧濾波器以消除或?qū)嵸|(zhì)上減小差值。

下面參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的進(jìn)一步的特征和優(yōu)點(diǎn)以及本發(fā)明的各種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和操作。需注意的是，本發(fā)明不限于本文所描述的特定實(shí)施例。這樣的實(shí)施例在本文中被呈現(xiàn)僅用于說明的目的?；诒疚乃慕虒?dǎo)，附加實(shí)施例將對于相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。

附圖說明

并入本文且形成說明書的一部分的附圖圖示出本發(fā)明并且與描述一起進(jìn)一步用于說明本發(fā)明的原理且使得相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員能夠進(jìn)行并使用本發(fā)明。

圖1a是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的反射型光刻設(shè)備的示意性圖示。

圖1b是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的透射型光刻設(shè)備的示意性圖示。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的反射型光刻設(shè)備的更詳細(xì)的示意性圖示。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻單元的示意性圖示。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對準(zhǔn)系統(tǒng)的示意性圖示。

圖5-6是根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的對準(zhǔn)系統(tǒng)的照射系統(tǒng)的示意性圖示。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于對照射系統(tǒng)的輻射束的cwl進(jìn)行反饋控制的流程圖。

本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)將從下面結(jié)合附圖時(shí)陳述的具體實(shí)施方式中變得更加明顯，其中類似的附圖標(biāo)記始終標(biāo)識對應(yīng)的元件。在附圖中，類似的附圖標(biāo)記總體上指示同樣的、功能上類似和/或結(jié)構(gòu)上類似的元件。元件首次出現(xiàn)的附圖在對應(yīng)的附圖標(biāo)記中用最左邊的數(shù)字來指示。除非另有指示，否則貫穿本公開提供的附圖不應(yīng)當(dāng)解釋為按比例的圖。

具體實(shí)施方式

本說明書公開了包含本發(fā)明的特征的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。所公開的實(shí)施例僅僅舉例說明了本發(fā)明。本發(fā)明的范圍不限于所公開的實(shí)施例。本發(fā)明由所附的權(quán)利要求書限定。

所描述的實(shí)施例和在本說明書中對“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例實(shí)施例”等等的引用指示了所描述的實(shí)施例可以包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性，但是每一個(gè)實(shí)施例可以不一定包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性。此外，這樣的短語不一定指代相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)與示例有關(guān)地描述特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，需理解的是，與其他實(shí)施例有關(guān)地實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性是在本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識范圍內(nèi)的，無論是否明確地描述。

然而，在更詳細(xì)地描述這樣的實(shí)施例之前，呈現(xiàn)出可以實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的示例環(huán)境是有指導(dǎo)性的。

示例反射型和透射型光刻系統(tǒng)

圖1a和圖1b分別是可以在其中實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備100和光刻設(shè)備100'的示意性圖示。光刻設(shè)備100和光刻設(shè)備100'均包括以下部分：照射系統(tǒng)(照射器)il，被配置成調(diào)節(jié)輻射束b(例如，深紫外或極紫外輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)mt，被配置成支撐圖案化裝置(例如，掩模、掩模版或動(dòng)態(tài)圖案化裝置)ma并被連接至配置成準(zhǔn)確地定位圖案化裝置ma的第一定位器pm；以及襯底臺(例如，晶片臺)wt，被配置成保持襯底(例如，涂有抗蝕劑的晶片)w并被連接至配置成準(zhǔn)確地定位襯底w的第二定位器pw。光刻設(shè)備100和100'還具有投影系統(tǒng)ps，其被配置成將通過圖案化裝置ma賦予輻射束b的圖案投影到襯底w的目標(biāo)部分(例如，包括一個(gè)或多個(gè)裸片)c上。在光刻設(shè)備100中，圖案化裝置ma和投影系統(tǒng)ps是反射型的。在光刻設(shè)備100'中，圖案化裝置ma和投影系統(tǒng)ps是透射型的。

照射系統(tǒng)il可以包括各種類型的光學(xué)部件，諸如折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其他類型的光學(xué)部件或其任何組合，用于引導(dǎo)、成形或控制輻射束b。

支撐結(jié)構(gòu)mt以取決于圖案化裝置ma相對于參考框架的定向、光刻設(shè)備100和100'中的至少一個(gè)的設(shè)計(jì)和諸如圖案化裝置ma是否被保持在真空環(huán)境中等的其他條件的方式保持圖案化裝置ma。支撐結(jié)構(gòu)mt可以使用機(jī)械、真空、靜電或其他夾持技術(shù)來保持圖案化裝置ma。支撐結(jié)構(gòu)mt可以是例如框架或臺，其可以根據(jù)要求是固定的或可移動(dòng)的。通過使用傳感器，支撐結(jié)構(gòu)mt可以確保圖案化裝置ma例如相對于投影系統(tǒng)ps處于期望的位置。

術(shù)語“圖案化裝置”ma應(yīng)當(dāng)被廣義地解釋為指代可以用于在輻射束b的截面中的賦予輻射束b以圖案以便在襯底w的目標(biāo)部分c中創(chuàng)建圖案的任何裝置。賦予輻射束b的圖案可以對應(yīng)于正在目標(biāo)部分c中創(chuàng)建以形成集成電路的器件中的特定功能層。

圖案化裝置ma可以是透射型的(如在圖1b的光刻設(shè)備100'中)或反射型的(如在圖1a的光刻設(shè)備100中)。圖案化裝置ma的示例包括掩模版、掩模、可編程反射鏡陣列和可編程lcd面板。掩模在光刻中是熟知的，并且包括諸如二元、交替相移和衰減相移等的掩模類型以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，其中的每個(gè)小反射鏡可以單獨(dú)地傾斜，以便在不同方向?qū)θ肷涞妮椛涫M(jìn)行反射。傾斜的反射鏡在由小反射鏡的矩陣反射的輻射束b中賦予圖案。

術(shù)語“投影系統(tǒng)”ps可以涵蓋任何類型的投影系統(tǒng)，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁和靜電光學(xué)系統(tǒng)，或者它們的任何組合，視正使用的曝光輻射或者諸如襯底w上的浸沒液體的使用或真空的使用等的其他因素的情況而定。真空環(huán)境可以用于euv或電子束輻射，因?yàn)槠渌麣怏w會吸收太多的輻射或電子。因而可以在真空壁和真空泵的幫助下向整體光束路徑提供真空環(huán)境。

光刻設(shè)備100和/或光刻設(shè)備100'可以是具有兩個(gè)(雙平臺)或更多襯底臺wt(和/或兩個(gè)或更多個(gè)掩模臺)的類型。在這樣的“多平臺”機(jī)器中，可以并行地使用附加的襯底臺wt，或者可以在一個(gè)或多個(gè)臺上執(zhí)行預(yù)備步驟，同時(shí)使用一個(gè)或多個(gè)其他襯底臺wt進(jìn)行曝光。在一些情況下，附加臺可以不是襯底臺wt。

參見圖1a和圖1b，照射器il接收來自輻射源so的輻射束。源so和光刻設(shè)備100、100'可以是分離的物理實(shí)體，例如，當(dāng)源so是準(zhǔn)分子激光器時(shí)。在這樣的情況中，源so不被認(rèn)為形成光刻設(shè)備100或100'的一部分，并且輻射束b在包括例如合適的引導(dǎo)反射鏡和/或擴(kuò)束器的光束傳遞系統(tǒng)bd(圖1b中)的幫助下從源so傳遞到照射器il。在其他情況中，源so可以是光刻設(shè)備100、100'的一體部分—例如當(dāng)源so是汞燈時(shí)。源so和照射器il與光束傳遞系統(tǒng)bd(如果要求的話)一起可以被稱為輻射系統(tǒng)。

照射器il可以包括用于調(diào)整輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器ad(圖1b中)。一般地，可以調(diào)整照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少外徑向范圍和/或內(nèi)徑向范圍(通常分別稱為“σ-外”和“σ-內(nèi)”)。另外，照射器il可以包括各種其他部件(圖1b中)，諸如積分器in和聚光器co。照射器il可以用于調(diào)節(jié)輻射束b以在其截面中具有期望的均勻性和強(qiáng)度分布。

參見1a，輻射束b入射在被保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)mt上的圖案化裝置(例如，掩模)ma上，并且通過圖案化裝置ma被圖案化。在光刻設(shè)備100中，輻射束b從圖案化裝置(例如，掩模)ma反射。在從圖案化裝置(例如，掩模)ma反射之后，輻射束b通過投影系統(tǒng)ps，其將輻射束b聚焦到襯底w的目標(biāo)部分c上。在第二定位器pw和位置傳感器if2(例如，干涉儀裝置、線性編碼器或電容傳感器)的幫助下，可以準(zhǔn)確地移動(dòng)襯底臺wt(例如，以便將不同的目標(biāo)部分c定位在輻射束b的路徑中)。類似地，第一定位器pm和另一位置傳感器if1可以用于將圖案化裝置(例如，掩模)ma相對于輻射束b的路徑準(zhǔn)確地定位?？梢允褂醚谀?zhǔn)標(biāo)記m1、m2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記p1、p2將圖案化裝置(例如，掩模)ma和襯底w對準(zhǔn)。

參見圖1b，輻射束b入射在被保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺mt)上的圖案化裝置(例如，掩模ma)上，并且通過圖案化裝置被圖案化。在穿過掩模ma之后，輻射束b通過投影系統(tǒng)ps，投影系統(tǒng)ps將光束聚焦到襯底w的目標(biāo)部分c上。投影系統(tǒng)具有與照射系統(tǒng)光瞳ipu共軛的光瞳ppu。輻射的一部分從照射系統(tǒng)光瞳ipu處的強(qiáng)度分布發(fā)出，并且在不受掩模圖案處的衍射的影響的情況下穿過掩模圖案，并創(chuàng)建了在照射系統(tǒng)光瞳ipu處的強(qiáng)度分布的圖像。

在第二定位器pw和定位傳感器if(例如，干涉儀裝置、線性編碼器或電容傳感器)的幫助下，可以準(zhǔn)確地移動(dòng)襯底臺wt(例如，以便將不同的目標(biāo)部分c定位在輻射束b的路徑中)。類似地，第一定位器pm和另一位置傳感器(圖1b中未示出)可以用于將掩模ma相對于輻射束b的路徑準(zhǔn)確地定位(例如，在從掩模庫的機(jī)械取回之后或在掃描期間)。

一般來說，掩模臺mt的移動(dòng)可以在形成第一定位器pm的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助下實(shí)現(xiàn)。類似地，襯底臺wt的移動(dòng)可以使用形成第二定位器pw的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實(shí)現(xiàn)。在步進(jìn)器(與掃描器相對)的情況中，掩模臺mt可以僅連接至短行程致動(dòng)器或者可以是固定的。掩模ma和襯底w可以使用掩模對準(zhǔn)標(biāo)記m1、m2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記p1、p2來對準(zhǔn)。盡管襯底對準(zhǔn)標(biāo)記(如圖示出的)占據(jù)專用目標(biāo)部分，但它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(稱為劃線對準(zhǔn)標(biāo)記)中。類似地，在其中多于一個(gè)的裸片設(shè)置在掩模ma上的情況下，掩模對準(zhǔn)標(biāo)記可以位于裸片之間。

掩模臺mt和圖案化裝置ma可以在真空室中，其中真空中的機(jī)器人ivr可以用于將諸如掩模等的圖案化裝置移入和移出真空室。替代地，當(dāng)掩模臺mt和圖案化裝置ma在真空室外時(shí)，真空外的機(jī)器人可以用于各種輸送操作，類似于真空中的機(jī)器人ivr。真空中的機(jī)器人和真空外的機(jī)器人兩者都需要被校準(zhǔn)用于任何有效載荷(例如，掩模)到轉(zhuǎn)移站的固定運(yùn)動(dòng)學(xué)安裝座的平穩(wěn)轉(zhuǎn)移。

光刻設(shè)備100和100'可以在以下模式中的至少一個(gè)模式中使用：

1.在步進(jìn)模式中，使支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)mt和襯底臺wt保持基本上靜止不動(dòng)，同時(shí)將賦予輻射束b的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分c上(即，單個(gè)靜態(tài)曝光)。接著使襯底臺wt在x和/或y方向上移位，使得不同的目標(biāo)部分c可以被曝光。

2.在掃描模式中，同步地掃描支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)mt和襯底臺wt而同時(shí)將賦予輻射束b的圖案投影到目標(biāo)部分c上(即，單個(gè)動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺wt相對于支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)mt的速度和方向可以通過投影系統(tǒng)ps的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。

3.在另一模式中，使支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)mt保持基本靜止不動(dòng)地保持著可編程圖案化裝置，并且移動(dòng)或掃描襯底臺wt而同時(shí)將賦予輻射束b的圖案投影到目標(biāo)部分c上?？梢圆捎妹}沖輻射源so，并且在襯底臺wt的每次移動(dòng)之后或者在掃描期間的相繼輻射脈沖之間根據(jù)要求更新可編程圖案化裝置。該操作模式可以容易地應(yīng)用于利用諸如可編程反射鏡陣列等的可編程圖案化裝置的無掩模光刻。

也可以采用所描述的使用模式的組合和/或變化或者完全不同的使用模式。

在進(jìn)一步的實(shí)施例中，光刻設(shè)備100包括極紫外(euv)源，其被配置成生成用于euv光刻的euv輻射的光束。一般來說，euv源被配置在輻射系統(tǒng)中，并且對應(yīng)的照射系統(tǒng)被配置成調(diào)節(jié)euv源的euv輻射束。

圖2更詳細(xì)地示出了光刻設(shè)備100，其包括源收集器設(shè)備so、照射系統(tǒng)il和投影系統(tǒng)ps。源收集器設(shè)備so被構(gòu)造和布置成使得可以在源收集器設(shè)備so的封閉結(jié)構(gòu)220中維持真空環(huán)境。euv輻射發(fā)射等離子體210可以由放電產(chǎn)生等離子體源形成。euv輻射可以由氣體或蒸氣、例如xe氣體、li蒸氣或sn蒸氣產(chǎn)生，在其中創(chuàng)建非常熱的等離子體210以發(fā)射電磁光譜的euv范圍內(nèi)的輻射。非常熱的等離子體210通過例如引起至少部分電離的等離子體的放電來創(chuàng)建。為了輻射的高效生成，可以要求xe、li、sn蒸氣或任何其他合適的氣體或蒸氣的例如10pa的局部壓力。在一個(gè)實(shí)施例中，提供激發(fā)的錫(sn)的等離子體以產(chǎn)生euv輻射。

由熱等離子體210發(fā)射的輻射經(jīng)由被定位在源室211中的開口中或后面的可選氣體屏障或污染物阱230(在一些情況中也稱為污染物屏障或箔阱)被從源室211傳遞到收集器室212中。污染物阱230可以包括通道結(jié)構(gòu)。污染物阱230還可以包括氣體屏障或氣體屏障與通道結(jié)構(gòu)的組合。本文進(jìn)一步指示的污染物阱或污染物屏障230至少包括本領(lǐng)域已知的通道結(jié)構(gòu)。

收集器室212可以包括輻射收集器co，其可以是所謂的掠入射收集器。輻射收集器co具有上游輻射收集器側(cè)251和下游輻射收集器側(cè)252。穿過收集器co的輻射可以被反射離開光柵光譜濾波器240，以被聚焦在虛擬源點(diǎn)if中。虛擬源點(diǎn)if通常被稱為中間焦點(diǎn)，并且源收集器設(shè)備被布置成使得中間焦點(diǎn)if位于封閉結(jié)構(gòu)220中的開口219處或附近。虛擬源點(diǎn)if是輻射發(fā)射等離子體210的圖像。光柵光譜濾波器240特別用于抑制紅外(ir)輻射。

隨后，輻射穿過照射系統(tǒng)il，照射系統(tǒng)il可以包括琢面場反射鏡裝置222和琢面光瞳反射鏡裝置224，它們被布置成在圖案化裝置ma處提供輻射束221的期望的角分布，以及在圖案化裝置ma處提供輻射強(qiáng)度的期望的均勻性。當(dāng)輻射束221在由支撐結(jié)構(gòu)mt保持的圖案化裝置ma處反射時(shí)，形成經(jīng)圖案化的光束226，并且經(jīng)圖案化的光束226通過投影系統(tǒng)ps經(jīng)由反射元件228、230被成像到由晶片平臺或襯底臺wt保持的襯底w上。

一般可以在照射光學(xué)單元il和投影系統(tǒng)ps中存在比所示更多的元件。光柵光譜濾波器240可以可選地存在，取決于光刻設(shè)備的類型。此外，可以存在有比圖中所示的那些更多的反射鏡，例如，可以在投影系統(tǒng)ps中存在有比圖2所示的多1至6個(gè)的附加反射元件。

如圖2中圖示出的收集器光學(xué)器件co只是作為收集器(或收集器反射鏡)的示例被描繪為具有掠入射反射器253、254和255的巢狀收集器。掠入射反射器253、254和255圍繞光軸o軸向?qū)ΨQ地布置，并且該類型的收集器光學(xué)器件co優(yōu)選地與往往稱作dpp源的放電產(chǎn)生等離子體源組合使用。

示例光刻單元

圖3示出了光刻單元300，有時(shí)也稱為光刻單元(lithocell)或簇。光刻設(shè)備100或100'可以形成光刻單元300的一部分。光刻單元300還可以包括在襯底上執(zhí)行預(yù)曝光和后曝光工藝的設(shè)備。傳統(tǒng)上，這些設(shè)備包括用以沉積抗蝕劑層的旋涂器sc、用以使經(jīng)曝光的抗蝕劑顯影的顯影器de、激冷板ch和烘烤板bk。襯底處理器或機(jī)器人ro從輸入/輸出端口i/o1、i/o2拾取襯底、使它們在不同工藝設(shè)備之間移動(dòng)并且接著傳遞到光刻設(shè)備的裝載臺架lb。往往總稱為軌道的這些裝置在軌道控制單元tcu的控制之下，該軌道控制單元tcu自身由管理控制系統(tǒng)scs控制，該管理控制系統(tǒng)scs還經(jīng)由光刻控制單元lacu控制光刻設(shè)備。因此，可以操作不同的設(shè)備以使吞吐量和處理效率最大化。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的對準(zhǔn)系統(tǒng)

圖4圖示出根據(jù)示例的可以實(shí)施為光刻設(shè)備100或100'的一部分的對準(zhǔn)系統(tǒng)400的截面圖的示意圖。在該實(shí)施例的示例中，對準(zhǔn)系統(tǒng)400可以被配置成將襯底(例如，襯底w)相對于圖案化裝置(例如，圖案化裝置ma)對準(zhǔn)。對準(zhǔn)系統(tǒng)400可以被進(jìn)一步配置成檢測對準(zhǔn)標(biāo)記在襯底上的位置，并且通過使用對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測位置將襯底相對于圖案化裝置或者光刻設(shè)備100或100'的其他部件對準(zhǔn)。襯底的這樣的對準(zhǔn)可以確保襯底上的一個(gè)或多個(gè)圖案的準(zhǔn)確曝光。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，對準(zhǔn)系統(tǒng)400根據(jù)該實(shí)施例的示例可以包括照射系統(tǒng)412、分束器414、圖像轉(zhuǎn)動(dòng)干涉儀426、檢測器428和分析器430。照射系統(tǒng)可以被配置成提供具有一個(gè)或多個(gè)通帶的電磁窄帶輻射束413。在示例中，一個(gè)或多個(gè)通帶可以在約500nm至約900nm之間的波長的光譜內(nèi)。在另一示例中，一個(gè)或多個(gè)通帶可以是在約500nm至約900nm之間的波長的光譜內(nèi)的離散窄通帶。照射系統(tǒng)412可以被進(jìn)一步配置成提供在長時(shí)間段內(nèi)(例如，在照射系統(tǒng)412的壽命內(nèi))具有基本恒定的cwl值的一個(gè)或多個(gè)通帶。照射系統(tǒng)412的這樣的配置可以有助于防止當(dāng)前對準(zhǔn)系統(tǒng)中的如上面所討論的實(shí)際cwl值從期望的cwl值的移位。并且，作為結(jié)果，與當(dāng)前對準(zhǔn)系統(tǒng)相比提高了對準(zhǔn)系統(tǒng)(例如，對準(zhǔn)系統(tǒng)400)的長期穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。

分束器414根據(jù)一個(gè)實(shí)施例可以被配置成接收輻射束413并將輻射束413分裂成至少兩個(gè)輻射子束。在示例中，輻射束413可以如圖4所示被分裂成輻射子束415和417。分束器414可以被進(jìn)一步配置成將輻射子束415引導(dǎo)到置于可沿著方向424移動(dòng)的平臺422上的襯底420上。輻射子束415可以被配置成照射位于襯底420上的對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418。對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418可以在該實(shí)施例的示例中涂覆有輻射敏感膜。在另一示例中，對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418可以具有一百八十度的對稱性。也就是，當(dāng)對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418圍繞垂直于對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418的平面的對稱軸線轉(zhuǎn)動(dòng)一百八十度時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)的對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418可以與未轉(zhuǎn)動(dòng)的對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418基本一樣。

如圖4中圖示出的，圖像轉(zhuǎn)動(dòng)干涉儀426可以被配置成接收輻射子束417和通過分束器414的衍射輻射束419。在示例實(shí)施例中，衍射輻射束419可以是輻射子束415的可以從對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418反射的至少一部分。在該實(shí)施例的示例中，圖像轉(zhuǎn)動(dòng)干涉儀426包括任何適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)元件組，例如可以被配置成基于接收到的反射輻射束419形成對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418的兩個(gè)圖像的棱鏡的組合。應(yīng)領(lǐng)會的是，不需要形成良好質(zhì)量的圖像，但是對準(zhǔn)標(biāo)記418的特征應(yīng)該被分辨出。圖像轉(zhuǎn)動(dòng)裝置426可以被進(jìn)一步配置成使兩個(gè)圖像中的一個(gè)相對于兩個(gè)圖像中的另一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)一百八十度，并且以干涉的方式將轉(zhuǎn)動(dòng)的和未轉(zhuǎn)動(dòng)的圖像重組。

在一個(gè)實(shí)施例中，檢測器428可以被配置成接收重組的圖像并檢測作為當(dāng)對準(zhǔn)系統(tǒng)400的對準(zhǔn)軸線421通過對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418的對稱中心(未示出)時(shí)的重組圖像的結(jié)果的干涉。這樣的干涉可能根據(jù)示例實(shí)施例歸因于對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418是一百八十度對稱的和重組圖像建設(shè)性或破壞性地干擾?；跈z測到的干涉，檢測器428可以被進(jìn)一步配置成確定對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418的對稱中心的位置，并且結(jié)果是確定襯底420的位置。根據(jù)示例，對準(zhǔn)軸線421可以與垂直于襯底420并通過了圖像轉(zhuǎn)動(dòng)干涉儀426的中心的光束對準(zhǔn)。

在進(jìn)一步的實(shí)施例中，分析器430可以被配置成接收包括確定的對稱中心的信息的信號429。分析器430可以被進(jìn)一步配置成確定平臺422的位置并且使平臺422的位置與對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418的對稱中心的位置相關(guān)聯(lián)。正因?yàn)檫@樣，可以參照平臺422準(zhǔn)確地知道對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418的位置，并且因此指導(dǎo)襯底420的位置。替代地，分析器430可以被配置確定對準(zhǔn)系統(tǒng)400或任何其他參考元件的位置，使得可以參照對準(zhǔn)系統(tǒng)400或任何其他參考元件知道對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418的對稱中心。

應(yīng)注意的是，盡管分束器414被示出將輻射束415朝向?qū)?zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418引導(dǎo)并將反射輻射束419朝向圖像轉(zhuǎn)動(dòng)干涉儀426引導(dǎo)，但本公開并非如此限制。對于相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，可以使用其他光學(xué)布置來獲得照射襯底420上的對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418和檢測對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418的圖像的類似結(jié)果。

根據(jù)第一實(shí)施例的照射系統(tǒng)

圖5圖示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的照射系統(tǒng)512的截面圖的示意圖。照射系統(tǒng)512可以表示照射系統(tǒng)412的示例實(shí)施例。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，照射系統(tǒng)512可以被配置成提供在長時(shí)間段內(nèi)(例如，在照射系統(tǒng)512的壽命內(nèi))具有基本恒定的一個(gè)或多個(gè)cwl值的電磁窄帶輻射束413，并且可以包括可調(diào)諧輻射源540和反饋控制系統(tǒng)542。

可調(diào)諧輻射源540可以被配置成提供具有一個(gè)或多個(gè)離散窄通帶的電磁窄帶輻射束541。一個(gè)或多個(gè)離散窄通帶中的每一個(gè)根據(jù)一個(gè)實(shí)施例可以具有期望的cwl值和幾納米寬(例如，在約1nm至約12nm之間)的帶寬。在示例中，可調(diào)諧輻射源540可以被配置成在范圍從約500nm至約900nm的波長的連續(xù)且寬光譜內(nèi)調(diào)諧一個(gè)或多個(gè)離散的窄通帶。可調(diào)諧輻射源540的可調(diào)諧性根據(jù)各種示例可以基于諸如弧光燈或超連續(xù)源等的寬帶源的可調(diào)諧濾波?？烧{(diào)諧輻射源540的這樣的可調(diào)諧性可以允許選擇落在照射系統(tǒng)中的當(dāng)前可得到的離散通帶之間或之外的光譜間隙中的波長。

調(diào)諧可以在示例實(shí)施例中以光刻系統(tǒng)的等級來完成?？梢酝ㄟ^對寬帶源連同諸如聲光可調(diào)諧濾波器(aotf)、梳狀濾波器(rugatefilter)、電介質(zhì)和/或全息濾波器等的濾波器進(jìn)行濾波而對于寬范圍的離散cwl值獲得期望的可調(diào)諧性?？梢耘c這些濾波器結(jié)合地使用附加濾波器，或者可以在在可調(diào)諧輻射源540中添加機(jī)構(gòu)以獲得對輻射束541的一個(gè)或多個(gè)窄通帶的寬帶調(diào)整。

可調(diào)諧輻射源540根據(jù)該實(shí)施例的示例可以被進(jìn)一步配置成接收一個(gè)或多個(gè)控制信號546以防止輻射束541的一個(gè)或多個(gè)窄通帶的cwl值移位遠(yuǎn)離期望的cwl值。一個(gè)或多個(gè)控制信號546可以包括用以校正一個(gè)或多個(gè)窄通帶的cwl值上的從期望的cwl值的任何移位的信息。cwl值上的移位可以被校正為在例如小于期望的cwl值的1nm內(nèi)。

反饋控制系統(tǒng)542根據(jù)示例性實(shí)施例可以是閉環(huán)控制系統(tǒng)，并且可以被配置成生成這樣的一個(gè)或多個(gè)控制信號546并且通過這些控制信號546將反饋信息提供至可調(diào)諧輻射源540。為了生成控制信號546，反饋控制系統(tǒng)542可以被配置成檢測輻射束541的一個(gè)或多個(gè)cwl值并將檢測到的一個(gè)或多個(gè)cwl值與對應(yīng)的設(shè)定點(diǎn)545進(jìn)行比較。設(shè)定點(diǎn)545可以被接收作為反饋控制系統(tǒng)542的輸入并且設(shè)定點(diǎn)545的各設(shè)定點(diǎn)可以對應(yīng)于對于輸出輻射束413的一個(gè)或多個(gè)窄通帶中的每一個(gè)來說可能期望的cwl值?；跈z測到的cwl值與設(shè)定點(diǎn)545的比較，如果在檢測到的cwl值與對應(yīng)的設(shè)定點(diǎn)545之間發(fā)現(xiàn)差值則可以生成控制信號546。在示例中，反饋控制系統(tǒng)542可以被配置成通過例如基于控制信號546調(diào)諧可調(diào)諧輻射源540的可調(diào)諧濾波器來調(diào)諧可調(diào)諧輻射源540，以消除或?qū)嵸|(zhì)上減小檢測到的cwl值與對應(yīng)的設(shè)定點(diǎn)545之間發(fā)現(xiàn)的差值。作為結(jié)果，輻射束541的一個(gè)或多個(gè)窄通帶的cwl值可以被移位到期望的cwl值。

反饋系統(tǒng)542根據(jù)示例可以被進(jìn)一步配置成輸出可以被引導(dǎo)在對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)(例如，對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418)上的輻射束413。輻射束413可以表示輻射束541的已通過反饋控制系統(tǒng)542被反饋控制以使輻射束413的一個(gè)或多個(gè)cwl值穩(wěn)定的部分。

根據(jù)第二實(shí)施例的照射系統(tǒng)

圖6圖示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的照射系統(tǒng)612的截面圖的示意圖。照射系統(tǒng)612可以表示照射系統(tǒng)412和512的示例實(shí)施例。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，照射系統(tǒng)612可以被配置成提供在長時(shí)間段內(nèi)(例如，在照射系統(tǒng)612的壽命內(nèi))具有基本恒定的一個(gè)或多個(gè)cwl值的電磁窄帶輻射束413，并且可以包括可調(diào)諧輻射源640和反饋控制系統(tǒng)642?？烧{(diào)諧輻射源640可以表示可調(diào)諧輻射源540的示例實(shí)施例并且反饋控制系統(tǒng)642可以表示反饋控制系統(tǒng)542的示例實(shí)施例。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可調(diào)諧輻射源640可以包括光源650和aotf652。光源650可以是連續(xù)的白光源、激光器、放大的受激發(fā)射(ase)源或者諸如弧光燈或超連續(xù)源(例如，光譜范圍從約400nm至約2500nm)等的寬帶源。光源652在該實(shí)施例的示例中可以被配置成提供可以具有寬帶波長的輻射束651。aotf652可以被配置成接收輻射束651并且基本同時(shí)從輻射束651的寬帶波長中選擇離散的窄通帶。在示例中，aotf652選擇的離散窄通帶可以是線性偏振的。

aotf652是可以被配置成提供多個(gè)同步通帶濾波器且調(diào)制輻射束651的強(qiáng)度和波長的電子可調(diào)諧窄通帶聲濾波器。在示例中，aotf652可以被配置成生成高達(dá)八個(gè)同步通帶。因此，aotf652可以能夠選擇或?yàn)V波多個(gè)通帶，各通帶以不同的波長值為中心，這形成了多色束(polychromaticbeam)。這樣的多色束可以允許基本同時(shí)進(jìn)行多個(gè)對準(zhǔn)測量。

根據(jù)該實(shí)施例的示例，aotf652可以包括彼此耦合的聲光晶體654、壓電換能器656、高頻(例如，rf頻率)驅(qū)動(dòng)器電路660和聲吸收器658。

壓電換能器656可以被配置成基本同時(shí)從驅(qū)動(dòng)器電路660接收一個(gè)或多個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器信號661以驅(qū)動(dòng)換能器656，并且可以被配置成利用由晶體654的機(jī)械性質(zhì)(例如，聲速)和一個(gè)或多個(gè)驅(qū)動(dòng)器信號661確定的波長在晶體654中創(chuàng)建聲波。當(dāng)這些聲波傳播通過晶體654時(shí)，它們可以在晶體654中創(chuàng)建交替的高/低折射率的周期性圖案。所得到的周期性折射率調(diào)制可以近似布拉格衍射光柵，使得一個(gè)或多個(gè)窄通帶被衍射遠(yuǎn)離輸入的輻射束651以產(chǎn)生線性偏振的窄帶輻射束655。

在示例中，輻射束655的一個(gè)或多個(gè)窄通帶的每個(gè)cwl值可以取決于換能器656的對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)頻率。一個(gè)或多個(gè)窄通帶的每個(gè)cwl值可以通過調(diào)諧一個(gè)或多個(gè)驅(qū)動(dòng)器信號661的對應(yīng)的頻率分量被單獨(dú)地且基本同時(shí)地選擇。在另一示例中，一個(gè)或多個(gè)窄通帶的強(qiáng)度可以根據(jù)驅(qū)動(dòng)器信號661的振幅而變化。

根據(jù)該實(shí)施例的示例，不同的cwl設(shè)定點(diǎn)可以通過動(dòng)態(tài)地調(diào)整驅(qū)動(dòng)器信號661的不同頻率分量而動(dòng)態(tài)地選擇。cwl設(shè)定點(diǎn)可以通過各種方法來選擇，包括但不限于手動(dòng)、自動(dòng)或用戶輔助中的一個(gè)或多個(gè)。在手動(dòng)模式中，用戶可以直接輸入cwl設(shè)定點(diǎn)。在自動(dòng)模式中，諸如在對準(zhǔn)系統(tǒng)(如對準(zhǔn)系統(tǒng)400)的校準(zhǔn)期間，可以通過連續(xù)地監(jiān)測取決于照射波長的對準(zhǔn)信號并通過調(diào)整驅(qū)動(dòng)器信號661選擇使對準(zhǔn)信號質(zhì)量最大化或滿足預(yù)定規(guī)格的cwl設(shè)定點(diǎn)來優(yōu)化對準(zhǔn)波長。在用戶輔助模式中，用戶可以控制在自動(dòng)化過程中使用的諸如驅(qū)動(dòng)器信號661等的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。

在進(jìn)一步的實(shí)施例中，反饋控制系統(tǒng)642可以被配置成監(jiān)測和穩(wěn)定從aotf652接收到的輻射束655的一個(gè)或多個(gè)cwl值。監(jiān)測一個(gè)或多個(gè)cwl值和使其穩(wěn)定可以有助于提供例如輸出輻射束413的基本恒定的一個(gè)或多個(gè)cwl值，以照射例如對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)(例如，對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418)并提高對準(zhǔn)系統(tǒng)(例如，對準(zhǔn)系統(tǒng)400)的對準(zhǔn)準(zhǔn)確性和再現(xiàn)性。反饋控制系統(tǒng)642根據(jù)該實(shí)施例的示例可以被配置成單獨(dú)地且基本同時(shí)地監(jiān)測和穩(wěn)定例如輻射束655的一個(gè)或多個(gè)窄通帶的cwl值中的每一個(gè)。輻射束655的這樣的監(jiān)測和穩(wěn)定根據(jù)該實(shí)施例的示例可以通過可作為反饋控制系統(tǒng)642的一部分的分束器662和光譜分析器(osa)668來獲得。

分束器662根據(jù)示例可以被配置成使輻射束655分裂成輻射束413和采樣輻射束665并將采樣輻射束665朝向osa668引導(dǎo)。采樣輻射束665可以包含類似于輻射束655的光學(xué)特性。osa668根據(jù)示例可以被配置成單獨(dú)地且基本同時(shí)地測量采樣輻射束665的一個(gè)或多個(gè)窄通帶的cwl值中的每一個(gè)。在另一示例中，osa668可以被配置成單獨(dú)地且基本同時(shí)地比較和確定測得的cwl值中的每一個(gè)與對應(yīng)的設(shè)定點(diǎn)645之間的差值。設(shè)定點(diǎn)645可以被接收作為osa668的輸入。設(shè)定點(diǎn)645中的各設(shè)定點(diǎn)可以對應(yīng)于對于輻射束655的一個(gè)或多個(gè)窄通帶中的每一個(gè)來說可能期望的cwl值并且作為結(jié)果是對于輸出輻射束413來說期望的cwl值以照射例如對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)(例如，對準(zhǔn)標(biāo)記或目標(biāo)418)。

osa668可以被進(jìn)一步配置成基于測得的cwl值與設(shè)定點(diǎn)645的比較而生成控制信號667。在示例中，如果測得的cwl值與對應(yīng)的設(shè)定點(diǎn)645之間存在差值則可以生成控制信號667。控制信號667可以包含用以單獨(dú)地且基本同時(shí)地校正這些差值中的每一個(gè)的信息。該校正可以通過向驅(qū)動(dòng)器電路660提供控制信號667來完成，控制信號667調(diào)整驅(qū)動(dòng)器信號661并且因此調(diào)整換能器656的驅(qū)動(dòng)頻率以對以期望的波長為中心的通帶進(jìn)行濾波。例如，如果發(fā)現(xiàn)測得的cwl值高于期望的cwl值，則控制信號667可以包含用以將換能器656的驅(qū)動(dòng)頻率減小如下量的信息，該量對于消除或?qū)嵸|(zhì)上減小測得的cwl值與期望的cwl值之間的差值可能需要的。輻射束655的該反饋控制可以在例如光刻操作期間連續(xù)且實(shí)時(shí)地執(zhí)行，以確保輸出輻射束413的一個(gè)或多個(gè)cwl值的穩(wěn)定性。

應(yīng)注意的是，盡管分束器662被示出為引導(dǎo)輻射束413和665，但本公開并非如此限制。對于相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，其他光學(xué)布置可以用于引導(dǎo)輻射束413和665。

用于監(jiān)測和控制對準(zhǔn)系統(tǒng)中的輻射束的cwl的示例步驟

圖7圖示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的對用于對準(zhǔn)系統(tǒng)的輻射束的cwl進(jìn)行反饋控制的流程圖700。純粹用于說明的目的，圖7中圖示出的步驟將參照圖1至圖6中圖示出的示例操作環(huán)境來描述。然而，流程圖700不限于這些實(shí)施例。需領(lǐng)會的是，步驟可以以不同的順序來執(zhí)行或者取決于具體應(yīng)用不執(zhí)行。

在步驟702中，使用多通帶濾波器對寬且平坦的輻射光譜進(jìn)行濾波，以生成具有一個(gè)或多個(gè)窄帶波長的經(jīng)濾波的輻射束。例如，可以使用aotf652對具有平坦且寬帶的波長的輻射束651進(jìn)行濾波以生成具有可以是線性偏振的一個(gè)或多個(gè)窄通帶的窄帶輻射束655。

在步驟704中，單獨(dú)地且基本同時(shí)地測量經(jīng)濾波的輻射束的一部分的每個(gè)cwl值。例如，通過osa668單獨(dú)地且基本同時(shí)地測量采樣輻射束665的每個(gè)cwl值。

在步驟706中，將測得的cwl值與對應(yīng)的設(shè)定點(diǎn)進(jìn)行比較。例如，可以使用osa668將測得的cwl值與設(shè)定點(diǎn)645進(jìn)行比較。

在步驟708中，基于比較生成控制信號。例如，可以通過osa668基于比較生成控制信號667。

在步驟710中，基于控制信號調(diào)整多通帶濾波器的驅(qū)動(dòng)器信號以消除或?qū)嵸|(zhì)上減小測得的cwl值與對應(yīng)的設(shè)定點(diǎn)之間的差值。例如，可以基于向aotf652的驅(qū)動(dòng)器電路660提供的控制信號667來調(diào)整驅(qū)動(dòng)器信號661，以消除或?qū)嵸|(zhì)上減小采樣輻射束665的測得cwl值與對應(yīng)的設(shè)定點(diǎn)645之間的差值。

盡管在該文本中具體參考了光刻設(shè)備在ic的制造中的使用，但應(yīng)理解的是，本文所描述的光刻設(shè)備可以具有其他應(yīng)用，諸如集成光學(xué)系統(tǒng)的制造、用于磁疇存儲器、平板顯示器、液晶顯示器(lcd)、薄膜磁頭的引導(dǎo)和檢測圖案等等。本領(lǐng)域技術(shù)人員將領(lǐng)會的是，在這樣的替代應(yīng)用的上下文中，本文中的術(shù)語“晶片”或“裸片”的任何使用可以被視為分別與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。本文所提到的襯底可以在曝光之前或之后在例如軌道(典型地將抗蝕劑層施加至襯底并使被曝光的抗蝕劑顯影的工具)、量測工具和/或檢查工具中進(jìn)行處理。在適用時(shí)，本文中的公開可以應(yīng)用于這樣的和其他襯底處理工具。此外，襯底可以被處理超過一次，例如以便創(chuàng)建多層ic，使得本文所使用的術(shù)語襯底也可以指代已經(jīng)包含多個(gè)經(jīng)過處理的層的襯底。

盡管可能已在上面具體參考了在光學(xué)光刻的背景下的本發(fā)明的實(shí)施例的使用，但應(yīng)該領(lǐng)會的是，本發(fā)明可以在任何應(yīng)用、例如壓印光刻中使用，并且只要情況允許并不限于光學(xué)光刻。在壓印光刻中，圖案化裝置中的拓?fù)湎薅藙?chuàng)建在襯底上的圖案。可以將圖案化裝置的拓?fù)浒磯旱焦?yīng)至襯底的抗蝕劑層內(nèi)，隨之通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合使抗蝕劑固化。在抗蝕劑固化之后，將圖案化裝置從抗蝕劑上移走，在其中留下圖案。

需理解的是，本文中的措辭或術(shù)語是為了描述而不是限制的目的，使得本說明書的術(shù)語或措辭由相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員鑒于本文中的教導(dǎo)進(jìn)行解釋。

在本文所描述的實(shí)施例中，術(shù)語“透鏡”和“透鏡元件”只要情況允許可以指代包括折射、反射、磁性、電磁和靜電光學(xué)部件在內(nèi)的各種類型的光學(xué)部件中的任一個(gè)或組合。

此外，本文中使用的術(shù)語“輻射”和“光束”涵蓋所有類型的電磁輻射，包括紫外(uv)輻射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波長λ)、極紫外(euv或軟x射線)、輻射(例如，具有在5nm-20nm范圍內(nèi)的波長，諸如例如13.5nm)或者在小于5nm下工作的硬x射線，以及諸如離子束或電子束等的粒子束。一般地，具有在約400nm至約700nm之間的波長的輻射被認(rèn)為是可見輻射；具有在約780nm至3000nm(或更大)之間的波長的輻射被認(rèn)為是ir輻射。uv指代具有近似100nm至400nm的波長的輻射。在光刻內(nèi)，術(shù)語“uv”也適用于可由汞放電燈產(chǎn)生的波長：g線436nm；h線405nm；和/或i線365nm。真空uv或vuv(即，被氣體吸收的uv)指代具有近似100nm至200nm的波長的輻射。深uv(duv)一般指代具有范圍從126nm到428nm的波長的輻射，并且在一個(gè)實(shí)施例中，準(zhǔn)分子激光器可以生成在光刻設(shè)備內(nèi)使用的duv輻射。應(yīng)領(lǐng)會的是，具有在例如5nm至20nm的范圍內(nèi)的波長的輻射涉及具有一定波長帶的輻射，該特定波長帶的至少部分在5nm至20nm的范圍內(nèi)。

如本文所使用的術(shù)語“襯底”一般描述了在其上添加隨后的材料層的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底本身可以被圖案化，并且在其頂部上添加的材料也可以被圖案化，或者可以保持沒有圖案化。

如本文所使用的術(shù)語“基本接觸”一般描述彼此之間僅有典型地由未對準(zhǔn)公差造成的微小分離的彼此物理接觸的元件或結(jié)構(gòu)。應(yīng)理解的是，本文所使用的一個(gè)或多個(gè)特定特征、結(jié)構(gòu)或特性之間的相對空間描述(例如，“垂直對準(zhǔn)”、“基本接觸”等等)僅是為了說明的目的，并且本文所描述的結(jié)構(gòu)的實(shí)際實(shí)施可以在不脫離本公開的精神和范圍的情況下包括未對準(zhǔn)公差。

如本文所使用的術(shù)語“光學(xué)耦合”一般指代一個(gè)耦合元件被配置成直接或間接地將光賦予另一耦合元件。

如本文所使用的術(shù)語“光學(xué)材料”一般指代允許光或光能在其中或通過其傳播的材料。

如本文所使用的術(shù)語“中心波長”一般指代處于通帶的半高寬(fwhm)的波長帶之間的中點(diǎn)值。

如本文所使用的術(shù)語“通帶的半高寬”一般指代光學(xué)傳輸是通帶的峰值波長處的光學(xué)傳輸?shù)?0％所處的波長帶。

如本文所提到的術(shù)語“通帶”可以被限定為通過濾波器的波長帶。

雖然上面已描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但將領(lǐng)會的是，本發(fā)明可以以不同于所描述的方式來實(shí)踐。該描述不旨在限制本發(fā)明。

需領(lǐng)會的是，具體實(shí)施方式部分而不是發(fā)明內(nèi)容和摘要部分旨在用于解釋權(quán)利要求。發(fā)明內(nèi)容和摘要部分可以闡述本發(fā)明人所設(shè)想的本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)但不是全部的示例性實(shí)施例，并且因此不旨在以任何方式限制本發(fā)明和所附權(quán)利要求。

上面已在圖示出指定功能及其關(guān)系的實(shí)施的功能構(gòu)建塊的幫助下描述了本發(fā)明。為了方便描述，本文已任意地限定了這些功能構(gòu)建塊的邊界?？梢韵薅ㄌ娲倪吔?，只要適當(dāng)?shù)貓?zhí)行指定的功能及其關(guān)系即可。

具體實(shí)施例的前述描述將如此充分地揭示本發(fā)明的一般性質(zhì)以至于其他人可以通過應(yīng)用本領(lǐng)域技術(shù)內(nèi)的知識，在無需過度實(shí)驗(yàn)的情況下對于各種應(yīng)用容易地修改和/或適應(yīng)這樣的具體實(shí)施例，而不會脫離本發(fā)明的一般概念。因而，基于本文呈現(xiàn)的教導(dǎo)和指導(dǎo)，這樣的適應(yīng)和修改旨在落在所公開的實(shí)施例的等同物的意義和范圍內(nèi)。

本發(fā)明的廣度和范圍不應(yīng)由任何上述示例性實(shí)施例限制，而是應(yīng)當(dāng)僅依照所附權(quán)利要求及其等同物來限定。