本發(fā)明涉及含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法、含有金屬層的層積體的制造方法、觸控面板傳感器、觸控面板、含有圖案狀被鍍覆層的層積體、以及含有金屬層的層積體。

背景技術(shù)：

在基板上形成了導(dǎo)電層(導(dǎo)電性細(xì)線)的導(dǎo)電性膜被用于各種用途中，特別是近年來，隨著觸控面板在移動電話、便攜式游戲機等上的搭載率的上升，能夠多點檢測的靜電電容方式的觸控面板傳感器用的導(dǎo)電性膜的需求急速增加。

作為導(dǎo)電層的制作方法，提出了各種方法，例如在專利文獻1中提出了下述方法：使用包含具有與鍍覆催化劑或其前體相互作用的官能團和聚合性基團的樹脂、以及聚合引發(fā)劑的樹脂組合物層(被鍍覆層形成用層)，在基板的整個面形成被鍍覆層，賦予鍍覆催化劑或其前體，進行鍍覆處理，在被鍍覆層上形成金屬層后，利用照相平版印刷工序除去不必要的金屬層的一部分，從而形成導(dǎo)電層(減成法)。需要說明的是，在專利文獻1的實施例欄中，作為聚合引發(fā)劑使用了Irgacure OXE-02等。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-097296號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的課題

另一方面，作為觸控面板傳感器用的導(dǎo)電性膜，有時使用的是在基板兩面配置了導(dǎo)電層的導(dǎo)電性膜。

在使用上述專利文獻1記載的方法制作上述那樣的導(dǎo)電性膜的情況下，具有下述方法：在基板的一個主面上配置上述樹脂組合物層，進行圖案狀的曝光，除去樹脂組合物層的未曝光區(qū)域來并形成圖案狀的被鍍覆層，其后進行鍍覆處理，實施在被鍍覆層上配置金屬層的處理，之后在基板的另一主面上也實施同樣的處理，在基板兩面配置金屬層。但是，在該方法中，需要對基板的各個面實施各工序，即各工序需要實施2次，工序數(shù)增多，工業(yè)上未必優(yōu)選。此外，由于對一方進行處理所致的基板的伸縮，另一方的圖案可能有偏差。

與此相對，若能夠在基板兩面分別配置上述樹脂組合物層，從基板兩面分別以圖案狀進行曝光，其后除去樹脂組合物層中的未曝光區(qū)域，在基板兩面形成圖案狀的被鍍覆層，之后進行鍍覆處理，則樹脂組合物層中的未曝光區(qū)域的除去處理以及鍍覆處理可以僅實施1次，可以減少工序數(shù)。并且，兩面的圖案有偏差的可能性低。

但是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)如下問題：若將專利文獻1中具體公開的含有IrgacureOXE-02的樹脂組合物層配置在基板兩面，從兩面實施圖案狀的光照射，則具有從基板的一個表面?zhèn)日丈涞墓鈺竭_另一表面?zhèn)?、使感光進行到配置在基板的另一表面?zhèn)鹊臉渲M合物層。

鑒于上述情況，本發(fā)明的課題在于提供一種能夠更簡便地制造具有配置在基板兩面的圖案狀被鍍覆層的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的方法。

另外，本發(fā)明的課題還在于提供含有金屬層的層積體的制造方法、觸控面板傳感器、觸控面板、含有圖案狀被鍍覆層的層積體、以及含有金屬層的層積體。

解決課題的手段

本發(fā)明人對于現(xiàn)有技術(shù)的問題進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過對于聚合引發(fā)劑和基板的光吸收特性、以及所照射的光的波長進行控制，能夠解決上述課題。

即，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過下述構(gòu)成能夠解決上述課題。

(1)一種含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法，其具有下述工序：

工序A，制作具有基板和被鍍覆層形成用層的層積體，該基板具有2個主面，該被鍍覆層形成用層分別配置在上述基板的2個主面上，并且含有聚合引發(fā)劑以及下述的化合物X或組合物Y；

工序B，該工序B包括工序B-1和工序B-2，在工序B-1中，按照滿足下述要件1或要件2的方式從層積體中的基板的一個主面?zhèn)葘τ诒诲兏矊有纬捎脤拥囊徽咭詧D案狀照射光；在工序B-2中，按照滿足下述要件1或要件2的方式從基板的另一主面?zhèn)葘τ诒诲兏矊有纬捎脤拥牧硪徽咭詧D案狀照射光；以及

工序C，除去被鍍覆層形成用層中的未被光照射的區(qū)域，在基板的2個主面上分別形成圖案狀被鍍覆層；

化合物X：具有與鍍覆催化劑或其前體相互作用的官能團以及聚合性基團的化合物

組合物Y：包含具有與鍍覆催化劑或其前體相互作用的官能團的化合物以及具有聚合性基團的化合物的組合物

要件1：在聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比位于短波長側(cè)的情況下，對被鍍覆層形成用層以圖案狀照射聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光。

要件2：在聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比位于長波長側(cè)的情況下，對被鍍覆層形成用層以圖案狀照射聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光，該聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光不包括下述波長范圍的光，該波長范圍為基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以上且為聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以下。

(2)如(1)所述的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法，其中，在要件2中，使用遮光濾光器進行光的照射，該遮光濾光器至少遮蔽下述波長范圍的光，該波長范圍為基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以上且為聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以下。

(3)如(1)或(2)所述的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法，其中，基板為樹脂基板。

(4)如(1)～(3)的任一項所述的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法，其中，在基板中包含紫外線吸收劑。

(5)如(1)～(4)的任一項所述的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法，其中，基板為具有支持體以及紫外線吸收層的層積體，該紫外線吸收層配置在上述支持體上并且包含紫外線吸收劑。

(6)一種含有金屬層的層積體的制造方法，其具有下述工序：對通過(1)～(5)的任一項所述的制造方法得到的含有圖案狀被鍍覆層的層積體中的圖案狀被鍍覆層賦予鍍覆催化劑或其前體，對于被賦予了鍍覆催化劑或其前體的圖案狀被鍍覆層進行鍍覆處理，在圖案狀被鍍覆層上形成金屬層。

(7)一種觸控面板傳感器，其包含通過(6)所述的制造方法得到的含有金屬層的層積體。

(8)一種觸控面板，其包含通過(6)所述的制造方法得到的含有金屬層的層積體。

(9)一種含有圖案狀被鍍覆層的層積體，其具有：

具有2個主面的基板；以及

分別配置在基板的2個主面上的、用于負(fù)載鍍覆催化劑或其前體的圖案狀被鍍覆層，

分別配置在基板的2個主面上的圖案狀被鍍覆層的圖案不同。

(10)一種含有金屬層的層積體，其具有(9)所述的含有圖案狀被鍍覆層的層積體、以及金屬層，該金屬層被配置在含有圖案狀被鍍覆層的層積體中的圖案狀被鍍覆層的與基板接觸的面以外的表面上。

發(fā)明的效果

利用本發(fā)明，能夠提供一種可更簡便地制造具有配置在基板兩面的圖案狀被鍍覆層的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的方法。

另外，利用本發(fā)明，還能夠提供含有金屬層的層積體的制造方法、觸控面板傳感器、觸控面板、含有圖案狀被鍍覆層的層積體、以及含有金屬層的層積體。

附圖說明

圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)的問題的示意圖。

圖2是表示本發(fā)明的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法的第1實施方式中的聚合引發(fā)劑與基板的紫外可見吸收光譜的關(guān)系的圖。

圖3是表示本發(fā)明的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法的機制的示意圖。

圖4是表示本發(fā)明的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法的第2實施方式中的聚合引發(fā)劑與基板的紫外可見吸收光譜的關(guān)系的圖。

圖5是按工序順序表示本發(fā)明的含有圖案狀被鍍覆層的層積體和含有金屬層的層積體的制造方法的第1實施方式的截面圖。

圖6是表示含有金屬層的層積體的一個實施方式的俯視圖。

圖7是沿著圖6中的切斷線A-A進行切斷的截面圖。

圖8是表示使用遮光濾光器的照射工序概要的圖。

具體實施方式

下面對本發(fā)明的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法等進行詳細(xì)說明。

需要說明的是，在本說明書中，使用“～”表示的數(shù)值范圍是指包含“～”前后所記載的數(shù)值作為下限值和上限值的范圍。另外，本發(fā)明中的圖為示意圖，各層的厚度關(guān)系或位置關(guān)系等不一定必須與實際情況一致。

作為本發(fā)明的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法的特征點之一，可以舉出對聚合引發(fā)劑和基板的光吸收特性、以及所照射的光的波長進行控制這一點。

下面首先對現(xiàn)有技術(shù)的問題進行詳細(xì)說明。

在專利文獻1中，公開了使用含有Irgacure OXE-02的樹脂組合物層，利用UV(紫外線)曝光機(波長：365nm)進行照射。如圖1所示，在基板120的兩面配置上述樹脂組合物層140A和140B，利用上述UV曝光機從基板的一個表面?zhèn)纫詧D案狀照射光時，樹脂組合物層140A的規(guī)定區(qū)域被感光。而另一方面，其具有下述問題：照射到樹脂組合物層140A的照射區(qū)域160的光的一部分會透過基板120而到達樹脂組合物層140B，使感光進行到樹脂組合物層140B的不希望感光的區(qū)域。

下面對解決了上述問題的本發(fā)明進行詳細(xì)說明。

首先，在本發(fā)明的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法的第1實施方式中，與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比，聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端位于短波長側(cè)。聚合引發(fā)劑和基板的紫外可見吸收光譜的關(guān)系示于圖2。如圖2所示，在上述第1實施方式中，與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端AE2相比，聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端AE1位于短波長側(cè)。在該方式中，聚合引發(fā)劑的吸收波長區(qū)域與基板的吸收波長區(qū)域重疊。從而，在這樣的方式中，如圖3所示，對配置在基板12的兩面的被鍍覆層形成用層(第1被鍍覆層形成用層14A和第2被鍍覆層形成用層14B)照射聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光(即，與基板的吸收端AE2相比為短波長側(cè)的波長、且為聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光，換言之，與聚合引發(fā)劑的吸收端AE1相比為短波長側(cè)的波長的光)時，透過了第1被鍍覆層形成用層14A的照射區(qū)域16A的光被基板12吸收，因而能夠抑制該透過的光到達第2被鍍覆層形成用層14B。

另外，在本發(fā)明的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法的第2實施方式中，聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比位于長波長側(cè)。第2實施方式中的聚合引發(fā)劑和基板的紫外可見吸收光譜的關(guān)系示于圖4。如圖4所示，在上述第2實施方式中，聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端AE1與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端AE2相比位于長波長側(cè)。在這樣的方式中，如圖4的空心箭頭所示，通過照射與基板的吸收端AE2相比為短波長側(cè)的波長的光(即，與基板的吸收端AE2相比為短波長側(cè)的波長、且聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光。換言之，其是聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光，其中除去(不包括)為基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以上且為聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以下的范圍的光)，與上述第1實施方式同樣地，透過了第1被鍍覆層形成用層14A的照射區(qū)域16A的光被基板12所吸收，因而能夠抑制該透過的光到達第2被鍍覆層形成用層14B。

<<第1實施方式>>

本發(fā)明的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法的第1實施方式具有下述工序：工序A(層積體制作工序)，制作具有基板和被鍍覆層形成用層的層積體，該基板具有2個主面，該被鍍覆層形成用層分別配置在基板的2個主面上；工序B(照射工序)，對于被鍍覆層形成用層以圖案狀照射光；以及工序C(被鍍覆層形成工序)，除去被鍍覆層形成用層中的未照射區(qū)域，在基板兩面分別形成圖案狀被鍍覆層。

需要說明的是，在第1實施方式中，聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比位于短波長側(cè)。該關(guān)系相當(dāng)于上述圖2中說明的關(guān)系。

圖5是按工序順序表示本發(fā)明的含有圖案狀被鍍覆層的層積體和含有金屬層的層積體的制造方法的第1實施方式的截面圖。下面參照附圖對于各工序所使用的材料及其過程進行詳細(xì)說明。

<層積體制作工序>

本工序為制作具有基板和被鍍覆層形成用層的層積體的工序，該基板具有2個主面，該被鍍覆層形成用層分別配置在基板的2個主面上。更具體地說，如圖5(A)所示，在本工序中，制造層積體10，該層積體10具備基板12以及配置在基板12的2個主面上的第1被鍍覆層形成用層14A和第2被鍍覆層形成用層14B。本工序中得到的層積體相當(dāng)于用于實施后述光照射的具備被鍍覆層形成用層的前體。

下面，首先對層積體所含有的各部件·各材料進行詳細(xì)說明，之后對工序的過程進行詳細(xì)說明。

[基板]

基板只要具有2個主面并與后述的聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端滿足規(guī)定的關(guān)系就沒有特別限制，例如可以舉出絕緣基板，更具體地說，可以使用樹脂基板、陶瓷基板、玻璃基板等，優(yōu)選樹脂基板。需要說明的是，作為樹脂基板，也包括后述的粘合片。

作為樹脂基板的材料，例如可以舉出聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚醚砜、聚丙烯酸系樹脂、聚氨酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚砜系樹脂、聚酰胺系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、纖維素系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、環(huán)烯烴系樹脂等。其中優(yōu)選聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚烯烴。

另外，作為基板，可以使用具有粘合性的基板、即粘合片。作為構(gòu)成粘合片的材料，可以使用公知的材料(丙烯酸系粘合劑、硅酮系粘合劑等)。

對基板的厚度(mm)沒有特別限制，從處理性和薄型化的平衡的方面考慮，在樹脂基板中優(yōu)選為0.01mm～2mm、更優(yōu)選為0.02mm～1mm、最優(yōu)選為0.03mm～0.1mm。另外，在玻璃基板中優(yōu)選為0.01mm～2mm、更優(yōu)選為0.3mm～0.8mm、最優(yōu)選為0.4mm～0.7mm。

另外，基板優(yōu)選適當(dāng)?shù)赝高^光。具體地說，基板的全光線透過率優(yōu)選為85％～100％。

對基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的位置沒有特別限制，從所形成的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的透明性和可見性優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選為400nm以下、更優(yōu)選為380nm以下、最優(yōu)選為320nm以下。對下限沒有特別限制，從材料特性的方面考慮，多數(shù)情況下為250nm以上。

基板的紫外可見吸收光譜的吸收端的位置通常依賴于基板的材料。

需要說明的是，基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端是指在利用UV-3000(島津制作所)對基板的紫外可見吸收光譜進行測定時，吸光度為1.0以下的最長波長側(cè)的波長。

在基板中可以包含紫外線吸收劑。通過在基板中包含紫外線吸收劑，基板的紫外可見吸收光譜的吸收端向更長波長側(cè)移動，與后述的聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的吸收端相比更容易位于長波長側(cè)。

需要說明的是，作為紫外線吸收劑，優(yōu)選選擇與后述聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比在長波長側(cè)具有吸收端的紫外線吸收劑。即，優(yōu)選所使用的紫外線吸收劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端與聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比位于長波長側(cè)。

需要說明的是，在使用紫外線吸收劑的情況下基板的紫外可見吸收光譜的吸收端的測定方法也可以舉出與上述同樣的過程。

對所使用的紫外線吸收劑的種類沒有特別限制，可以使用公知的紫外線吸收劑，例如可以舉出水楊酸系紫外線吸收劑、二苯甲酮系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑、氰基丙烯酸酯系紫外線吸收劑、苯甲酸酯系紫外線吸收劑、丙二酸酯系紫外線吸收劑、草酰苯胺系紫外線吸收劑等。

作為上述水楊酸系紫外線吸收劑，可以舉出水楊酸苯酯、水楊酸對叔丁基苯酯、水楊酸對辛基苯酯。

作為上述二苯甲酮系紫外線吸收劑，可以舉出2,4-二羥基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮、2-羥基-4-十二烷基氧基二苯甲酮、2,2′-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,2′-二羥基-4、4′-二甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基-5-磺基二苯甲酮、雙(2-甲氧基-4-羥基-5-苯甲?；交?甲烷等。

作為上述苯并三唑系紫外線吸收劑，可以舉出2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2′-羥基-5′-甲基苯基)苯并三唑、2-(2′-羥基-5′-叔丁基苯基)苯并三唑、2-(2′-羥基-3′,5′二叔丁基苯基)苯并三唑、2-(2′-羥基-3′-叔丁基-5′-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2′-羥基-3′,5′-二叔丁基-苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2′-羥基-3′,5′-二叔丁基-5′-戊基苯基)苯并三唑、2-(2′-羥基-4′-辛氧基苯基)苯并三唑等。

作為上述氰基丙烯酸酯系紫外線吸收劑，可以舉出2-乙基己基-2-氰基-3,3′-二苯基丙烯酸酯、乙基-2-氰基-3,3′-二苯基丙烯酸酯等。

基板可以為單層結(jié)構(gòu)，也可以為多層結(jié)構(gòu)。

在基板為多層結(jié)構(gòu)的情況下，例如，作為基板，可以舉出具有支持體、以及配置在支持體上的包含紫外線吸收劑的紫外線吸收層的層積體。

在支持體可以不包含紫外線吸收劑，也可以包含紫外線吸收劑，作為其種類，可以舉出與上述作為基板所示例出的物質(zhì)。

在紫外線吸收層至少包含紫外線吸收劑。作為紫外線吸收劑，可以舉出上述的物質(zhì)。需要說明的是，在紫外線吸收劑中可以包含樹脂等粘結(jié)劑。

[被鍍覆層形成用層]

被鍍覆層形成用層是通過后述的光照射變成被鍍覆層的層，其至少包含聚合引發(fā)劑和下述的化合物X或組合物Y。更具體地說，被鍍覆層形成用層可以為包含聚合引發(fā)劑和化合物X的層，也可以為包含聚合引發(fā)劑和組合物Y的層。

化合物X：具有與鍍覆催化劑或其前體相互作用的官能團(下文中也簡單稱為“相互作用性基團”)以及聚合性基團的化合物

組合物Y：包含具有與鍍覆催化劑或其前體相互作用的官能團的化合物以及具有聚合性基團的化合物的組合物

下面首先對被鍍覆層形成用層所含有的材料進行詳細(xì)說明。

(聚合引發(fā)劑)

作為聚合引發(fā)劑沒有特別限制，只要與上述基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端滿足規(guī)定的關(guān)系即可，可以使用公知的聚合引發(fā)劑(所謂的光聚合引發(fā)劑)等。作為聚合引發(fā)劑的示例，可以舉出二苯甲酮類、苯乙酮類、α-氨基烷基苯酮類、苯偶姻類、酮類、噻噸酮類、苯偶酰類、芐基縮酮類、肟酯類、蒽酮類、一硫化四甲基秋蘭姆類、雙?；趸㈩?、?；⒀趸镱?、蒽醌類、偶氮化合物等及其衍生物。

需要說明的是，聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的吸收端是指如下波長：準(zhǔn)備聚合引發(fā)劑濃度為0.01質(zhì)量％的溶液(作為溶劑，使用溶解聚合引發(fā)劑的溶劑、例如乙腈)，利用UV-3000進行測定時，吸光度為1.0以下的最長波長側(cè)的波長。

在第1實施方式中，只要聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比位于短波長側(cè)即可，作為兩者的波長差(基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長(nm)-聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長(nm))，從光容易被基板吸收的方面考慮，優(yōu)選為5nm以上、更優(yōu)選為10nm以上。對上限沒有特別限制，多數(shù)情況下為150nm左右。

對被鍍覆層形成用層中的聚合引發(fā)劑的含量沒有特別限制，從被鍍覆層的固化性的方面考慮，相對于被鍍覆層形成用層總質(zhì)量優(yōu)選為0.01質(zhì)量％～5質(zhì)量％、更優(yōu)選為0.1質(zhì)量％～3質(zhì)量％。

(化合物X)

化合物X是具有相互作用性基團和聚合性基團的化合物。

相互作用性基團是指能夠與被賦予至圖案狀被鍍覆層的鍍覆催化劑或其前體發(fā)生相互作用的官能團，例如可以使用能夠與鍍覆催化劑或其前體形成靜電相互作用的官能團、或能夠與鍍覆催化劑或其前體形成配位的含氮官能團、含硫官能團、含氧官能團等。

作為相互作用性基團，更具體地說，可以舉出：氨基、酰胺基、酰亞胺基、脲基、叔氨基、銨基、脒基、三嗪環(huán)、三唑環(huán)、苯并三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹唑啉基、喹喔啉基、嘌呤基、三嗪基、哌啶基、哌嗪基、吡咯烷基、吡唑基、苯胺基、含有烷基胺結(jié)構(gòu)的基團、含有異氰脲結(jié)構(gòu)的基團、硝基、亞硝基、偶氮基、重氮基、疊氮基、氰基、氰酸酯基等含氮官能團；醚基、羥基、酚羥基、羧酸基、碳酸酯基、羰基、酯基、含有N-氧化物結(jié)構(gòu)的基團、含有S-氧化物結(jié)構(gòu)的基團、含有N-羥基結(jié)構(gòu)的基團等含氧官能團；噻吩基、硫羥基、硫脲基、硫代氰尿酸基、苯并噻唑基、巰基三嗪基、硫醚基、硫氧基(チオキシ基)、亞砜基、砜基、亞硫酸酯基、含有亞砜亞胺結(jié)構(gòu)的基團、含有亞砜鎓鹽結(jié)構(gòu)的基團、磺酸基、含有磺酸酯結(jié)構(gòu)的基團等含硫官能團；磷酸酯(ホスフォート)基、磷酰胺基、膦基、含有磷酸酯結(jié)構(gòu)的基團等含磷官能團；含有氯、溴等鹵原子的基團等，在可采用鹽結(jié)構(gòu)的官能團中，還可以使用它們的鹽。

其中，從極性高、與鍍覆催化劑或其前體等的吸附能力高的角度考慮，特別優(yōu)選羧酸基、磺酸基、磷酸基和硼酸基等離子性極性基團、醚基或氰基，進一步優(yōu)選羧酸基(羧基)或氰基。

在化合物X中可以含有2種以上的相互作用性基團。

聚合性基團為可通過能量賦予形成化學(xué)鍵合的官能團，例如可以舉出自由基聚合性基團、陽離子聚合性基團等。其中，從反應(yīng)性更為優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選自由基聚合性基團。作為自由基聚合性基團，例如可以舉出丙烯酸酯基(丙烯酰氧基)、甲基丙烯酸酯基(甲基丙烯酰氧基)、衣康酸酯基、丁烯酸酯基、異丁烯酸酯基、馬來酸酯基等不飽和羧酸酯基、苯乙烯基、乙烯基、丙烯酰胺基、甲基丙烯酰胺基等。其中優(yōu)選甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、乙烯基、苯乙烯基、丙烯酰胺基、甲基丙烯酰胺基，更優(yōu)選甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、苯乙烯基。

在化合物X中可以含有2種以上的聚合性基團。另外，對化合物X中所含有的聚合性基團的數(shù)目沒有特別限制，可以為1個、也可以為2個以上。

上述化合物X可以為低分子化合物、也可以為高分子化合物。低分子化合物是指分子量小于1000的化合物，高分子化合物是指分子量為1000以上的化合物。

需要說明的是，具有上述聚合性基團的低分子化合物相當(dāng)于所謂單體(monomer)。另外，高分子化合物也可以為具有規(guī)定的重復(fù)單元的聚合物。

另外，作為化合物可以僅使用1種，也可以合用兩種以上。

上述化合物X為聚合物的情況下，對聚合物的重均分子量沒有特別限制，從溶解性等處理性更為優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選為1000以上70萬以下、進一步優(yōu)選為2000以上20萬以下。特別是從聚合靈敏度的方面出發(fā)，優(yōu)選為20000以上。

對于這樣的具有聚合性基團和相互作用性基團的聚合物的合成方法沒有特別限制，可使用公知的合成方法(參見專利公開2009-280905號的段落[0097]～[0125])。

(聚合物的優(yōu)選方式1)

作為聚合物的第1優(yōu)選方式，可以舉出包含具有下式(a)所表示的聚合性基團的重復(fù)單元(下文中也適當(dāng)?shù)胤Q為聚合性基團單元)和具有下式(b)所表示的相互作用性基團的重復(fù)單元(下文中也適當(dāng)?shù)胤Q為相互作用性基團單元)的共聚物。

【化學(xué)式1】

上述式(a)和式(b)中，R¹～R⁵各自獨立地表示氫原子或者取代或無取代的烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基等)。需要說明的是，對取代基的種類沒有特別限制，可以舉出甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等。

需要說明的是，作為R¹，優(yōu)選氫原子、甲基或被溴原子取代的甲基。作為R²，優(yōu)選氫原子、甲基或被溴原子取代的甲基。作為R³，優(yōu)選氫原子。作為R⁴，優(yōu)選氫原子。作為R⁵，優(yōu)選氫原子、甲基或被溴原子取代的甲基。

上述式(a)和式(b)中，X、Y和Z各自獨立地表示單鍵或者取代或無取代的2價有機基團。作為2價有機基團，可以舉出取代或無取代的2價脂肪族烴基(優(yōu)選碳原子數(shù)為1～8。例如亞甲基、亞乙基、亞丙基等亞烷基)、取代或無取代的2價芳香族烴基(優(yōu)選碳原子數(shù)為6～12。例如亞苯基)、-O-、-S-、-SO₂-、-N(R)-(R：烷基)、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、或?qū)⑺鼈兘M合而成的基團(例如亞烷基氧基、亞烷基氧基羰基、亞烷基羰酰氧基等)等。

作為X、Y和Z，從聚合物的合成容易、金屬層的密合性更為優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選單鍵、酯基(-COO-)、酰胺基(-CONH-)、醚基(-O-)、或者取代或無取代的2價芳香族烴基，更優(yōu)選單鍵、酯基(-COO-)、酰胺基(-CONH-)。

上述式(a)和式(b)中，L¹和L²各自獨立地表示單鍵或者取代或無取代的2價有機基團。作為2價有機基團的定義，與上述的X、Y和Z中敘述的2價有機基團含義相同。

作為L¹，從聚合物的合成容易、金屬層的密合性更為優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選脂肪族烴基或者具有氨基甲酸酯鍵或脲鍵的2價有機基團(例如脂肪族烴基)，其中優(yōu)選總碳原子數(shù)為1～9。需要說明的是，此處，L¹的總碳原子數(shù)是指由L¹所表示的取代或無取代的2價有機基團所含有的總碳原子數(shù)。

另外，從金屬層的密合性更為優(yōu)異的方面考慮，L²優(yōu)選為單鍵、或者為2價脂肪族烴基、2價芳香族烴基或?qū)⑺鼈兘M合而成的基團。其中，L²優(yōu)選為單鍵或總碳原子數(shù)為1～15，特別優(yōu)選無取代。需要說明的是，此處，L²的總碳原子數(shù)是指由L²所表示的取代或無取代的2價有機基團所含有的總碳原子數(shù)。

上述式(b)中，W表示相互作用性基團。相互作用性基團的定義如上所述。

從反應(yīng)性(固化性、聚合性)和抑制合成時的凝膠化的方面考慮，相對于聚合物中的全部重復(fù)單元，上述聚合性基團單元的含量優(yōu)選為5摩爾％～50摩爾％、更優(yōu)選為5摩爾％～40摩爾％。

另外，從針對鍍覆催化劑或其前體的吸附性的方面出發(fā)，相對于聚合物中的全部重復(fù)單元，上述相互作用性基團單元的含量優(yōu)選為5摩爾％～95摩爾％、更優(yōu)選為10摩爾％～95摩爾％。

(聚合物的優(yōu)選方式2)

作為聚合物的第2優(yōu)選方式，可以舉出包含下式(A)、式(B)和式(C)所表示的重復(fù)單元的共聚物。

【化學(xué)式2】

式(A)所表示的重復(fù)單元與上述式(a)所表示的重復(fù)單元相同，各基團的說明也相同。

式(B)所表示的重復(fù)單元中的R⁵、X和L²與上述式(b)所表示的重復(fù)單元中的R⁵、X和L²相同，各基團的說明也相同。

式(B)中的Wa表示除后述的V所表示的親水性基團或其前體基團以外的與鍍覆催化劑或其前體相互作用的基團。其中優(yōu)選氰基、醚基。

式(C)中，R⁶各自獨立地表示氫原子或者取代或無取代的烷基。

式(C)中，U表示單鍵或者取代或無取代的2價有機基團。2價有機基團的定義與上述的X、Y和Z所表示的2價有機基團含義相同。作為U，從聚合物的合成容易、金屬層的密合性更為優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選單鍵、酯基(-COO-)、酰胺基(-CONH-)、醚基(-O-)或者取代或無取代的2價芳香族烴基。

式(C)中，L³表示單鍵或者取代或無取代的2價有機基團。2價有機基團的定義與上述的L¹和L²所表示的2價有機基團含義相同。作為L³，從聚合物的合成容易、金屬層的密合性更為優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選單鍵或者2價脂肪族烴基、2價芳香族烴基或?qū)⑺鼈兘M合而成的基團。

式(C)中，V表示親水性基團或其前體基團。關(guān)于親水性基團，只要為表現(xiàn)親水性的基團就沒有特別限定，例如可以舉出羥基、羧酸基等。另外，所謂親水性基團的前體基團是指通過規(guī)定的處理(例如利用酸或堿進行的處理)可生成親水性基團的基團，例如可以舉出被THP(2-四氫吡喃基)保護的羧基等。

作為親水性基團，從與鍍覆催化劑或其前體的相互作用的方面考慮，優(yōu)選為離子性極性基團。作為離子性極性基團，具體地說，可以舉出羧酸基、磺酸基、磷酸基、硼酸基。其中，從適度的酸性(不分解其它官能團)這樣的方面考慮，優(yōu)選羧酸基。

上述聚合物的第2優(yōu)選方式中的各單元的優(yōu)選含量如下。

從反應(yīng)性(固化性、聚合性)和抑制合成時的凝膠化的方面考慮，相對于聚合物中的全部重復(fù)單元，式(A)所表示的重復(fù)單元的含量優(yōu)選為5摩爾％～50摩爾％、更優(yōu)選為5摩爾％～30摩爾％。

從針對鍍覆催化劑或其前體的吸附性的方面出發(fā)，相對于聚合物中的全部重復(fù)單元，式(B)所表示的重復(fù)單元的含量優(yōu)選為5摩爾％～75摩爾％、更優(yōu)選為10摩爾％～70摩爾％。

從基于水溶液的顯影性和耐濕密合性的方面考慮，相對于聚合物中的全部重復(fù)單元，式(C)所表示的重復(fù)單元的含量優(yōu)選為10摩爾％～70摩爾％、更優(yōu)選為20摩爾％～60摩爾％、進一步優(yōu)選為30摩爾％～50摩爾％。

作為上述聚合物的具體例，例如可以舉出日本特開2009-007540號公報的段落[0106]～[0112]中記載的聚合物、日本特開2006-135271號公報的段落[0065]～[0070]中記載的聚合物、US2010-080964號的段落[0030]～[0108]中記載的聚合物等。

該聚合物可利用公知的方法(例如上述列舉的文獻中的方法)來制造。

(單體的優(yōu)選方式)

在上述化合物是所謂單體的情況下，作為優(yōu)選方式之一，可以舉出式(X)所表示的化合物。

【化學(xué)式3】

式(X)中，R¹¹～R¹³各自獨立地表示氫原子或者取代或無取代的烷基。作為無取代的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基或丁基。另外，作為取代烷基，可以舉出被甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等取代的甲基、乙基、丙基、丁基。需要說明的是，作為R¹¹，優(yōu)選氫原子或甲基。作為R¹²，優(yōu)選氫原子。作為R¹³，優(yōu)選氫原子。

L¹⁰表示單鍵或2價有機基團。作為2價有機基團，可以舉出取代或無取代的脂肪族烴基(優(yōu)選碳原子數(shù)為1～8)、取代或無取代的芳香族烴基(優(yōu)選碳原子數(shù)為6～12)、-O-、-S-、-SO₂-、-N(R)-(R：烷基)、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、或?qū)⑺鼈兘M合而成的基團(例如亞烷基氧基、亞烷基氧基羰基、亞烷基羰酰氧基等)等。

作為取代或無取代的脂肪族烴基，優(yōu)選亞甲基、亞乙基、亞丙基或亞丁基、或者這些基團被甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等取代得到的基團。

作為取代或無取代的芳香族烴基，優(yōu)選無取代的亞苯基、或者被甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等取代得到的亞苯基。

式(X)中，作為L¹⁰的優(yōu)選方式之一，可以舉出-NH-脂肪族烴基-或-CO-脂肪族烴基-。

W的定義與式(b)中的W的定義的含義相同，表示相互作用性基團。相互作用性基團的定義如上所述。

式(X)中，作為W的優(yōu)選方式，可以舉出離子性極性基團，更優(yōu)選羧酸基。

上述化合物是所謂單體的情況下，作為其它優(yōu)選方式之一，可以舉出式(1)所表示的化合物。

【化學(xué)式4】

式(1)中，R¹⁰表示氫原子、金屬陽離子或季銨陽離子。作為金屬陽離子，例如可以舉出堿金屬陽離子(鈉離子、鈣離子)、銅離子、鈀離子、銀離子等。需要說明的是，作為金屬陽離子，主要使用1價或2價的金屬陽離子，在使用2價金屬陽離子(例如鈀離子)的情況下，后述的n表示2。

作為季銨陽離子，例如可以舉出四甲基銨離子、四丁基銨離子等。

其中，從鍍覆催化劑或其前體的附著和圖案化后的金屬殘渣的方面考慮，優(yōu)選氫原子。

式(1)中的L¹⁰的定義與上述的式(X)中的L¹⁰的定義含義相同，表示單鍵或2價有機基團。2價有機基團的定義如上所述。

式(1)中的R¹¹～R¹³的定義與上述式(X)中的R¹¹～R¹³的定義含義相同，表示氫原子或者取代或無取代的烷基。需要說明的是，R¹¹～R¹³的優(yōu)選方式如上所述。

n表示1或2的整數(shù)。其中，從化合物的獲得性的方面出發(fā)，優(yōu)選n為1。

作為式(1)所表示的化合物的優(yōu)選方式，可以舉出式(2)所表示的化合物。

【化學(xué)式5】

式(2)中，R¹⁰、R¹¹和n與上述定義相同。

L¹¹表示酯基(-COO-)、酰胺基(-CONH-)或亞苯基。其中，若L¹¹是酰胺基，則耐溶劑性(例如堿溶劑耐性)提高。

L¹²表示單鍵、2價脂肪族烴基(優(yōu)選碳原子數(shù)為1～8、更優(yōu)選碳原子數(shù)為3～5)或2價芳香族烴基。脂肪族烴基可以為直鏈狀、支鏈狀、環(huán)狀。需要說明的是，L¹²是單鍵的情況下，L¹¹表示亞苯基。

對式(1)所表示的化合物的分子量沒有特別限制，從揮發(fā)性、在溶劑中的溶解性、成膜性和處理性等的方面出發(fā)，優(yōu)選為100～1000、更優(yōu)選為100～300。

(組合物Y)

組合物Y是包含具有相互作用性基團的化合物和具有聚合性基團的化合物的組合物。即，被鍍覆層形成用層包含具有相互作用性基團的化合物和具有聚合性基團的化合物這2種物質(zhì)。相互作用性基團和聚合性基團的定義如上所述。

具有相互作用性基團的化合物是具有相互作用性基團的化合物。相互作用性基團的定義如上所述。作為這樣的化合物，可以是低分子化合物、也可以是高分子化合物。作為具有相互作用性基團的化合物的優(yōu)選方式，可以舉出具有上述式(b)所表示的重復(fù)單元的高分子(例如聚丙烯酸)。需要說明的是，在具有相互作用性基團的化合物中不含有聚合性基團。

具有聚合性基團的化合物是所謂的單體，從所形成的被鍍覆層的硬度更為優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選為具有2個以上聚合性基團的多官能單體。關(guān)于多官能單體，具體地說，優(yōu)選使用具有2～6個聚合性基團的單體。從對反應(yīng)性帶來影響的交聯(lián)反應(yīng)中的分子運動性的方面出發(fā)，作為所使用的多官能單體的分子量優(yōu)選為150～1000、進一步優(yōu)選為200～700。另外，作為多個存在的聚合性基團之間的間隔(距離)，以原子數(shù)計優(yōu)選為1～15、更優(yōu)選為6以上10以下。

在具有聚合性基團的化合物中可以含有相互作用性基團。

作為具有聚合性基團的化合物的優(yōu)選形態(tài)之一，可以舉出下述式(1)所表示的化合物。

【化學(xué)式6】

式(1)中，R₂₀表示聚合性基團。

L表示單鍵或2價有機基團。2價有機基團的定義如上所述。

Q表示n價有機基團。作為n價有機基團，可以舉出包括下式(1A)所表示的基團、下式(1B)所表示的基團、

【化學(xué)式7】

-NH-、-NR(R：烷基)-、-O-、-S-、羰基、亞烷基、亞烯基、亞炔基、環(huán)亞烷基、芳香族基、雜環(huán)基和將它們2種以上組合而成的基團的n價有機基團作為優(yōu)選的實例。

n表示2以上的整數(shù)，優(yōu)選為2～6。

需要說明的是，對于具有相互作用性基團的化合物與具有聚合性基團的化合物的質(zhì)量比(具有相互作用性基團的化合物的質(zhì)量/具有聚合性基團的化合物的質(zhì)量)沒有特別限制，從所形成的被鍍覆層的強度和鍍覆適性的平衡的方面考慮，優(yōu)選為0.1～10、更優(yōu)選為0.5～5。

對于被鍍覆層形成用層中的化合物X(或組合物Y)的含量沒有特別限制，相對于被鍍覆層形成用層總質(zhì)量優(yōu)選為50質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為80質(zhì)量％以上。對上限沒有特別限制，優(yōu)選為99.5質(zhì)量％以下。

在被鍍覆層形成用層中可以含有上述聚合引發(fā)劑、化合物X、組合物Y以外的成分。

例如，在被鍍覆層形成用層中可以含有單體(其中不包括上述式(X)或式(1)所表示的化合物)。通過含有單體，能夠適宜地控制被鍍覆層中的交聯(lián)密度等。

對所使用的單體沒有特別限制，例如，作為具有加成聚合性的化合物，可以舉出具有烯鍵式不飽和鍵的化合物；作為具有開環(huán)聚合性的化合物，可以舉出具有環(huán)氧基的化合物等。其中，從提高被鍍覆層中的交聯(lián)密度的方面考慮，優(yōu)選使用多官能單體。多官能單體是指具有2個以上聚合性基團的單體。具體地說，優(yōu)選使用具有2～6個聚合性基團的單體。

在被鍍覆層形成用層中可以根據(jù)需要添加其它添加劑(例如增感劑、固化劑、阻聚劑、抗氧化劑、抗靜電劑、填料、顆粒、阻燃劑、表面活性劑、潤滑劑、增塑劑等)。

(層積體的制造方法)

對于上述包含基板和配置在基板兩面上的被鍍覆層形成用層的層積體的制造方法沒有特別限制，可以舉出下述方法：在基板兩面上涂布包含上述各種成分的組合物形成被鍍覆層形成用層，來形成層積體的方法(涂布法)；在臨時基板(仮基板)上形成被鍍覆層形成用層，轉(zhuǎn)印到基板兩面上的方法(轉(zhuǎn)印法)；等等。其中，從厚度控制容易的方面考慮，優(yōu)選涂布法。

下面對涂布法的方式進行詳細(xì)說明。

在涂布法所使用的組合物中，至少含有上述的聚合引發(fā)劑、以及化合物X或組合物Y。根據(jù)需要可以含有上述的其它成分。

需要說明的是，從處理性的方面考慮，在組合物中優(yōu)選含有溶劑。

對可以使用的溶劑沒有特別限定，例如可以舉出：水；甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、甘油、丙二醇單甲基醚等醇類溶劑；乙酸等酸；丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮等酮類溶劑；甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺類溶劑；乙腈、丙腈等腈類溶劑；乙酸甲酯、乙酸乙酯等酯類溶劑；碳酸二甲酯、碳酸二乙酯等碳酸酯類溶劑；此外還可以舉出醚類溶劑、二醇類溶劑、胺類溶劑、硫醇類溶劑、鹵素類溶劑等。

其中，優(yōu)選醇類溶劑、酰胺類溶劑、酮類溶劑、腈類溶劑、碳酸酯類溶劑。

對組合物中的溶劑的含量沒有特別限制，相對于組合物總量優(yōu)選為50質(zhì)量％～98質(zhì)量％、更優(yōu)選為70質(zhì)量％～95質(zhì)量％。若為上述范圍內(nèi)，則組合物的處理性優(yōu)異、層厚的控制等容易。

在涂布法的情況下，對于在基板上涂布組合物的方法沒有特別限制，可以使用公知的方法(例如旋涂、模涂、浸漬涂布等)。

需要說明的是，為了在基板兩面配置被鍍覆層形成用層，可以在基板的每個單面涂布組合物，也可以將基板浸漬在組合物中，在基板兩面進行一次性涂布。

從處理性、制造效率的方面出發(fā)，優(yōu)選下述方式：在基板上涂布組合物，根據(jù)需要進行干燥處理，除去殘留的溶劑，來形成被鍍覆層形成用層。

需要說明的是，對干燥處理的條件沒有特別限制，從生產(chǎn)率更為優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選在室溫～220℃(優(yōu)選50℃～120℃)實施1分鐘～30分鐘(優(yōu)選1分鐘～10分鐘)。

對被鍍覆層形成用層的厚度沒有特別限制，優(yōu)選為0.01μm～20μm、更優(yōu)選為0.1μm～10μm、進一步優(yōu)選為0.1μm～5μm。

需要說明的是，在上述層積體中也可以包含基板與被鍍覆層形成用層以外的其它層。

例如，在基板與被鍍覆層形成用層之間可以配置底漆層(プライマー層)。通過配置底漆層，后述的圖案狀被鍍覆層與基板的密合性提高。

為了利用底漆層提高圖案狀被鍍覆層的密合性，可以采取控制表面能量、與圖案狀被鍍覆層形成化學(xué)結(jié)合、或利用由應(yīng)力松弛所致的粘合力等各種提高密合力的手段。在進行表面能量控制的情況下，例如可以使用與圖案狀被鍍覆層的表面能量接近的低分子層或高分子層。在形成化學(xué)結(jié)合的情況下，可以使用具有聚合活性部位的低分子層或高分子層。在利用由應(yīng)力松弛所致的粘合力的情況下，可以使用彈性模量低的橡膠性樹脂等。

對底漆層的厚度沒有特別限制，通常優(yōu)選為0.01μm～100μm、更優(yōu)選為0.05μm～20μm、進一步優(yōu)選為0.05μm～10μm。

對底漆層的材料沒有特別限制，優(yōu)選與基板的密合性良好的樹脂。作為樹脂的具體例，例如可以為熱固化性樹脂、可以為熱塑性樹脂、也可以為它們的混合物。例如，作為熱固化性樹脂，可以舉出環(huán)氧樹脂、酚樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、雙馬來酰亞胺樹脂、聚烯烴系樹脂、異氰酸酯系樹脂等。作為熱塑性樹脂，例如可以舉出苯氧基樹脂、聚醚砜、聚砜、聚苯砜、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚酰亞胺、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂等。

熱塑性樹脂與熱固化性樹脂分別可以單獨使用，也可以兩種以上合用。另外，也可以使用含有氰基的樹脂，具體地說，可以使用ABS樹脂、日本特開2010-84196號的段落[0039]～[0063]記載的“含有在側(cè)鏈具有氰基的單元的聚合物”。

另外，還可以使用NBR橡膠(丙烯腈·聚丁橡膠)、SBR橡膠(丁苯橡膠)等橡膠成分。

作為構(gòu)成底漆層的材料的優(yōu)選方式之一，可以舉出具有可以被氫化的共軛二烯化合物單元的聚合物。共軛二烯化合物單元是指共軛二烯化合物來源的重復(fù)單元。作為共軛二烯化合物，只要為具有被一個單鍵隔開的二個碳-碳雙鍵的分子結(jié)構(gòu)的化合物就沒有特別限制。

作為共軛二烯化合物來源的重復(fù)單元的優(yōu)選方式之一，可以舉出通過具有丁二烯骨架的化合物發(fā)生聚合反應(yīng)而生成的重復(fù)單元。

上述共軛二烯化合物單元可以被氫化，在含有被氫化的共軛二烯化合物單元的情況下，圖案狀金屬層的密合性進一步提高，是優(yōu)選的。即，共軛二烯化合物來源的重復(fù)單元中的雙鍵可以被氫化。

在具有可以被氫化的共軛二烯化合物單元的聚合物中可以含有上述的相互作用性基團。

作為該聚合物的優(yōu)選方式，可以舉出丁腈橡膠(NBR)、含羧基的丁腈橡膠(XNBR)、丙烯腈-丁二烯-異戊二烯橡膠(NBIR)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS 樹脂)、或它們的氫化物(例如氫化丁腈橡膠)等。

在底漆層中可以包含其它添加劑(例如增感劑、抗氧化劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、填料、顆粒、阻燃劑、表面活性劑、潤滑劑、增塑劑等)。

對底漆層的形成方法沒有特別限制，可以舉出：在基板上層積所使用的樹脂的方法；將必要的成分溶解在能夠溶解的溶劑中，利用涂布等方法在基板表面上進行涂布·干燥的方法等。

關(guān)于涂布方法中的加熱溫度和時間，選擇涂布溶劑可充分干燥的條件即可，從制造適性的方面考慮，優(yōu)選選擇加熱溫度為200℃以下、時間為60分鐘以內(nèi)的范圍的加熱條件，更優(yōu)選選擇加熱溫度為40℃～100℃、時間為20分鐘以內(nèi)的范圍的加熱條件。需要說明的是，所使用的溶劑可根據(jù)所使用的樹脂適當(dāng)選擇最佳的溶劑(例如環(huán)己酮、甲基乙基酮)。

<照射工序>

本工序是對于在上述工序中制作的層積體中的2個被鍍覆層形成用層以圖案狀照射光的工序(以圖案狀進行曝光的工序)。即，本工序為至少包括下述工序的工序：從層積體中的基板的一個主面?zhèn)葘τ谂渲迷诨宓囊粋€主面上的一個被鍍覆層形成用層以圖案狀照射聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光的工序；以及從基板的另一個主面?zhèn)葘τ谂渲迷诨宓牧硪恢髅嫔系牧硪粋€被鍍覆層形成用層以圖案狀照射聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光的工序。需要說明的是，如下文所述，進一步除去被鍍覆層形成用層的未照射區(qū)域，形成圖案狀被鍍覆層。需要說明的是，上述光相當(dāng)于如下波長的光：該波長是與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比為短波長側(cè)的波長，且是聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長。

更具體地說，首先，如圖5(B)所示，對于第1被鍍覆層形成用層14A的特定照射區(qū)域16A(被照射光的區(qū)域)照射聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光。接著，如圖5(C)所示，對于第2被鍍覆層形成用層14B的特定照射區(qū)域16B照射聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光。如上所述，在本實施方式中，照射至第1被鍍覆層形成用層14A的光被基板12吸收，因而抑制其到達第2被鍍覆層形成用層14B。需要說明的是，對于照射至第2被鍍覆層形成用層14B的光，其也被基板12所吸收，因而抑制其到達第1被鍍覆層形成用層14A。作為結(jié)果，能夠在第1被鍍覆層形成用層14A和第2被鍍覆層形成用層14B形成所期望的照射區(qū)域。

下面，關(guān)于本工序的過程，分成第1照射工序和第2照射工序來進行說明，在第1照射工序中，對于配置在基板的一個主面上的第1被鍍覆層形成用層以圖案狀照射特定波長的光；在第2照射工序中，對于配置在基板的另一個主面上的第2被鍍覆層形成用層以圖案狀照射特定波長的光。需要說明的是，第1照射工序和第2照射工序可以同時實施。

(第1照射工序)

本工序是從層積體中的基板的一個主面?zhèn)?，對于配置在基板的一個主面上的第1被鍍覆層形成用層以圖案狀照射聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光的工序。即，按照滿足下述要件1的方式實施圖案狀的光照射。

要件1：在聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比位于短波長側(cè)的情況下，對于被鍍覆層形成用層以圖案狀照射聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光。

在光所照射的區(qū)域進行聚合性基團間的聚合、基板與聚合性基團的反應(yīng)等，進行固化，形成不溶部。該不溶部形成所謂的被鍍覆層。

在本工序中對于第1被鍍覆層形成用層進行照射的光是被鍍覆層形成用層中的聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光。更具體地說，是與聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比為短波長側(cè)的波長的光。需要說明的是，作為在本工序中對于第1被鍍覆層形成用層進行照射的光，只要包含聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光即可，也可以包含除此以外的波長的光。即，在對于第1被鍍覆層形成用層進行照射的光中只要包含聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光即可，也可以包含與聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比為長波長側(cè)的波長的光。

進行照射的光只要滿足上述要件，可以為單色光，也可以為連續(xù)光。在照射滿足上述要件的光時，可以舉出適當(dāng)選擇光源的方法、使用光源和特定的遮光濾光器來選擇特定波長的光的方法等。

對于以圖案狀對基板上的第1被鍍覆層形成用層進行能量賦予的方法沒有特別限制。

對照射處理中使用的光源沒有特別限制，只要可射出上述波長的光即可，例如使用UV燈、基于可見光線等的光照射等。作為光源，例如有汞燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學(xué)燈、碳弧燈等。

作為曝光時間，根據(jù)反應(yīng)性和光源而不同，通常為10秒～5小時之間。作為曝光能量，為10mJ～8000mJ的程度即可，優(yōu)選為50mJ～3000mJ的范圍。

需要說明的是，對于以圖案狀實施上述曝光處理的方法沒有特別限制，可采用公知的方法，例如隔著掩模對第1被鍍覆層形成用層照射曝光用光即可。

(第2照射工序)

本工序為從層積體中的基板的另一個主面?zhèn)葘τ谂渲迷诨宓牧硪粋€主面上的第2被鍍覆層形成用層以圖案狀照射聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光的工序。即，在本工序中，也按照滿足上述要件1的方式實施圖案狀的光照射。

本工序的過程與上述第1照射工序相同。第1照射工序與第2照射工序的照射條件可以不同。

需要說明的是，利用本工序進行照射的圖案形狀與第1照射工序的圖案形狀可以不同。

<除去工序>

本工序為除去實施了上述照射工序(第1照射工序和第2照射工序)的被鍍覆層形成用層(第1被鍍覆層形成用層和第2被鍍覆層形成用層)的未照射區(qū)域(未曝光區(qū)域)的工序。通過實施本工序，被鍍覆層形成用層中的未照射區(qū)域被除去，形成圖案狀被鍍覆層(第1圖案狀被鍍覆層和第2圖案狀被鍍覆層)。更具體地說，如圖5(D)所示，通過對所得到的層積體實施本處理，可除去未照射區(qū)域，得到具有第1圖案狀被鍍覆層18A和第2圖案狀被鍍覆層18B的含有圖案狀被鍍覆層的層積體20。

對上述除去方法沒有特別限制，可根據(jù)被鍍覆層形成用層中所含有的化合物適當(dāng)選擇最佳的方法，通?？梢耘e出使溶解上述化合物的溶劑與被鍍覆層形成用層接觸的方法。

更具體地說，可以舉出使用堿性溶液作為顯影液的方法。在使用堿性溶液除去未照射區(qū)域的情況下，可以舉出將實施了照射工序的層積體浸漬在堿性溶液中的方法、在該被鍍覆層形成用層上涂布堿性溶液的方法等，優(yōu)選進行浸漬的方法。在浸漬方法的情況下，作為浸漬時間，從生產(chǎn)率·作業(yè)性等方面出發(fā)，優(yōu)選為1分鐘至30分鐘左右。

通過上述過程得到了具有基板以及配置在基板兩面的圖案狀被鍍覆層的含有圖案狀被鍍覆層的層積體。

該層積體能夠適當(dāng)?shù)貞?yīng)用于形成金屬膜(導(dǎo)電膜)的用途中。即，對層積體中的圖案狀被鍍覆層賦予鍍覆催化劑或其前體，進一步實施鍍覆處理，由此能夠在圖案狀被鍍覆層上形成金屬層。即，可通過控制圖案狀被鍍覆層的形狀來控制金屬層的圖案。另外，通過使用這樣的圖案狀被鍍覆層，金屬層對基板的密合性優(yōu)異。

下面對上述形成金屬層的工序(金屬層形成工序)進行詳細(xì)說明。

<金屬層形成工序>

本工序為下述工序：對含有圖案狀被鍍覆層的層積體中的圖案狀被鍍覆層賦予鍍覆催化劑或其前體，對于被賦予了鍍覆催化劑或其前體的圖案狀被鍍覆層進行鍍覆處理，在圖案狀被鍍覆層上形成金屬層。更具體地說，通過實施本工序，如圖5(E)所示，在第1圖案狀被鍍覆層18A和第2圖案狀被鍍覆層18B上形成金屬層22，得到含有金屬層的層積體24。

下面分成對圖案狀被鍍覆層(第1圖案狀被鍍覆層和第2圖案狀被鍍覆層)賦予鍍覆催化劑或其前體的工序(工序X)、以及對于被賦予了鍍覆催化劑或其前體的圖案狀被鍍覆層進行鍍覆處理的工序(工序Y)進行說明。

(工序X：鍍覆催化劑賦予工序)

在本工序中，首先對圖案狀被鍍覆層賦予鍍覆催化劑或其前體。上述化合物來源的相互作用性基團根據(jù)其功能附著(吸附)至被賦予的鍍覆催化劑或其前體。更具體地說，在圖案狀被鍍覆層中以及圖案狀被鍍覆層表面上賦予鍍覆催化劑或其前體。

鍍覆催化劑或其前體發(fā)揮出作為鍍覆處理的催化劑或電極的功能。因此，所使用的鍍覆催化劑或其前體的種類根據(jù)鍍覆處理的種類來適宜確定。

需要說明的是，所使用的鍍覆催化劑或其前體優(yōu)選為無電解鍍覆催化劑或其前體。下面主要對無電解鍍覆催化劑或其前體等進行詳細(xì)說明。

關(guān)于本工序中所使用的無電解鍍覆催化劑，只要可成為無電解鍍覆時的活性核，則任何的無電解鍍覆催化劑均可使用，具體地說，可以舉出具有自身催化還原反應(yīng)的催化能力的金屬(已知為離子化傾向低于Ni的可進行無電解鍍覆的金屬)等。具體地說，可以舉出Pd、Ag、Cu、Ni、Pt、Au、Co等。其中，從催化能力的高度的方面考慮，特別優(yōu)選Ag、Pd、Pt、Cu。

作為該無電解鍍覆催化劑，可以使用金屬膠體。

本工序中所用的無電解鍍覆催化劑前體只要可通過化學(xué)反應(yīng)變成無電解鍍覆催化劑就可以沒有特別限制地使用。主要使用作為上述無電解鍍覆催化劑舉出的金屬的金屬離子。作為無電解鍍覆催化劑前體的金屬離子通過還原反應(yīng)變成作為無電解鍍覆催化劑的0價金屬。作為無電解鍍覆催化劑前體的金屬離子被賦予至圖案狀被鍍覆層之后，在浸漬到無電解鍍覆浴中之前，可以通過另外的還原反應(yīng)變化成0價金屬而成為無電解鍍覆催化劑。另外，可以以無電解鍍覆催化劑前體的狀態(tài)浸漬在無電解鍍覆浴中，也可以通過無電解鍍覆浴中的還原劑變化成金屬(無電解鍍覆催化劑)。

作為無電解鍍覆催化劑前體的金屬離子優(yōu)選使用金屬鹽賦予至圖案狀被鍍覆層。作為所使用的金屬鹽，只要溶解在適當(dāng)?shù)娜軇┲卸怆x成金屬離子和堿(陰離子)即可，沒有特別限制，可以舉出M(NO₃)_n、MCl_n、M_2/n(SO₄)、M_3/n(PO₄)(M表示n價的金屬原子)等。作為金屬離子，可以適當(dāng)?shù)厥褂蒙鲜鼋饘冫}解離得到的金屬離子。例如可以舉出Ag離子、Cu離子、Ni離子、Co離子、Pt離子、Pd離子。其中優(yōu)選為可多齒配位的金屬離子，從能夠配位的官能團的種類數(shù)和催化能力的方面考慮，特別優(yōu)選Ag離子、Pd離子、Cu離子。

在本工序中，作為用于在不進行無電解鍍覆的情況下直接進行電鍍所使用的催化劑，也可以使用0價金屬。

作為將鍍覆催化劑或其前體賦予至圖案狀被鍍覆層的方法，例如可以制備將鍍覆催化劑或其前體分散或溶解在適當(dāng)?shù)娜軇┲卸傻娜芤?包含鍍覆催化劑或其前體、以及溶劑的催化劑賦予液)，將該溶液涂布在圖案狀被鍍覆層上、或者將形成有圖案狀被鍍覆層的層積體浸漬在該溶液中即可。

作為上述溶劑，優(yōu)選使用水或有機溶劑。作為有機溶劑，優(yōu)選可浸透到圖案狀被鍍覆層中的溶劑，例如可以使用丙酮、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙二醇二乙酸酯、環(huán)己酮、乙酰丙酮、苯乙酮、2-(1-環(huán)己烯基)環(huán)己酮、丙二醇二乙酸酯、甘油三乙酸酯、二甘醇二乙酸酯、二氧六環(huán)、N-甲基吡咯烷酮、碳酸二甲酯、二甲基溶纖劑等。

對含有鍍覆催化劑或其前體、以及溶劑的催化劑賦予液的pH沒有特別限制，從在后述的鍍覆處理時容易在所期望的位置形成所期望量的金屬層的方面考慮，該pH優(yōu)選為3.0～7.0、更優(yōu)選為3.2～6.8、進一步優(yōu)選為3.5～6.6。

對催化劑賦予液的制備方法沒有特別限制，將特定的金屬鹽溶解在適當(dāng)?shù)娜軇┲?，根?jù)需要使用酸或堿將pH調(diào)整為特定的范圍。

對溶液中的鍍覆催化劑或其前體的濃度沒有特別限制，優(yōu)選為0.001質(zhì)量％～50質(zhì)量％、更優(yōu)選為0.005質(zhì)量％～30質(zhì)量％。

另外，作為接觸時間，優(yōu)選為30秒～24小時左右、更優(yōu)選為1分鐘～1小時左右。

關(guān)于圖案狀被鍍覆層的鍍覆催化劑或其前體的吸附量，根據(jù)所使用的鍍覆浴種類、催化劑金屬種類、圖案狀被鍍覆層的相互作用性基團種類、使用方法等而不同，從鍍覆的析出性的方面出發(fā)，優(yōu)選為5mg/m²～1000mg/m²、更優(yōu)選為10mg/m²～800mg/m²、特別優(yōu)選為20mg/m²～600mg/m²。

(工序Y：鍍覆處理工序)

接著，對被賦予了鍍覆催化劑或其前體的圖案狀被鍍覆層進行鍍覆處理。

對鍍覆處理的方法沒有特別限制，例如可以舉出無電解鍍覆處理或電解鍍覆處理(電鍍處理)。在本工序中，可以單獨實施無電解鍍覆處理，也可以在實施了無電解鍍覆處理后進一步實施電解鍍覆處理。

需要說明的是，在本說明書中，所謂的銀鏡反應(yīng)作為上述無電解鍍覆處理的一種而含有。從而，可以通過例如銀鏡反應(yīng)等使所附著的金屬離子還原、形成所期望的圖案狀金屬層，進而其后可實施電解鍍覆處理。

下面對無電解鍍覆處理和電解鍍覆處理的過程進行詳細(xì)說明。

所謂無電解鍍覆處理是指下述操作：使用溶解有希望以鍍覆的形式析出的金屬離子的溶液，通過化學(xué)反應(yīng)使金屬析出。

本工序中的無電解鍍覆例如優(yōu)選如下進行：對具備被賦予了無電解鍍覆催化劑的圖案狀被鍍覆層的層積體進行水洗，除去多余的無電解鍍覆催化劑(金屬)后，浸漬在無電解鍍覆浴中，由此來進行無電解鍍覆。作為所使用的無電解鍍覆浴，可以使用公知的無電解鍍覆浴。

另外，在無電解鍍覆催化劑前體吸附或滲入到圖案狀被鍍覆層中的狀態(tài)下將具備被賦予了無電解鍍覆催化劑前體的圖案狀被鍍覆層的基板浸漬到無電解鍍覆浴中的情況下，優(yōu)選對層積體進行水洗除去多余的無電解鍍覆催化劑前體(金屬鹽等)之后浸漬到無電解鍍覆浴中。這種情況下，在無電解鍍覆浴中進行無電解鍍覆催化劑前體的還原以及接下來的無電解鍍覆。作為此處所使用的無電解鍍覆浴，也可以與上述同樣地使用公知的無電解鍍覆浴。

需要說明的是，關(guān)于無電解鍍覆催化劑前體的還原，也可以在上述那樣的使用無電解鍍覆液的方式之外另行準(zhǔn)備催化劑活性化液(還原液)，作為無電解鍍覆前的其它工序來進行。

作為一般的無電解鍍覆浴的組成，除了溶劑(例如水)以外，主要包含：1.鍍覆用的金屬離子、2.還原劑、3.使金屬離子的穩(wěn)定性提高的添加劑(穩(wěn)定劑)。在該鍍覆浴中，除了這些成分外，還可以包含鍍覆浴的穩(wěn)定劑等公知的添加劑。

作為無電解鍍覆浴中使用的有機溶劑，可溶于水的溶劑是必要的，從這方面考慮，優(yōu)選使用丙酮等酮類、甲醇、乙醇、異丙醇等醇類。作為無電解鍍覆浴中使用的金屬的種類，已知有銅、錫、鉛、鎳、金、銀、鈀、銠，其中，從導(dǎo)電性的方面出發(fā)，優(yōu)選銅、銀、金，更優(yōu)選銅。另外，根據(jù)上述金屬選擇最佳的還原劑、添加劑。

作為在無電解鍍覆浴中的浸漬時間，優(yōu)選為1分鐘～6小時左右、更優(yōu)選為1分鐘～3小時左右。

在本工序中，在被賦予至圖案狀被鍍覆層的鍍覆催化劑或其前體具有作為電極的功能的情況下，可以對該被賦予了催化劑或其前體的圖案狀被鍍覆層進行電鍍。

需要說明的是，如上所述，在本工序中，在上述無電解鍍覆處理之后可以根據(jù)需要進行電解鍍覆處理。這樣的方式能夠適宜地調(diào)整所形成的金屬層的厚度。

作為電鍍的方法，可以使用現(xiàn)有公知的方法。需要說明的是，作為電鍍中使用的金屬，可以舉出銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫、鋅等，從導(dǎo)電性的方面出發(fā)，優(yōu)選銅、金、銀，更優(yōu)選銅。

通過實施上述工序，能夠在圖案狀被鍍覆層上形成金屬層(鍍覆層)。

在使用上述專利文獻1記載的減成法的情況下，由于在圖案狀的金屬層間存在由親水性樹脂等構(gòu)成的被鍍覆層，因而在將金屬層的圖案進一步微細(xì)化時，容易由于金屬層間的被鍍覆層的影響而產(chǎn)生金屬離子的遷移，絕緣性可能降低。另一方面，在本發(fā)明的上述過程中，是形成圖案狀被鍍覆層并在該圖案狀被鍍覆層上形成相當(dāng)于導(dǎo)電層的金屬層的所謂加成法，在由該方法得到的含有金屬層的層積體中，在金屬層間無被鍍覆層的殘留，因而可進一步抑制遷移的發(fā)生，能夠適宜地用作觸控面板傳感器用的導(dǎo)電性膜。

需要說明的是，在圖5(E)中，示出了僅在第1圖案狀被鍍覆層18A的上面配置金屬層22的方式，但并不限于該方式，如圖5(F)所示，也可以為在第1圖案狀被鍍覆層18A的與基板12的接觸面以外的表面上配置金屬層22的方式。即，也可以按照覆蓋圖案狀被鍍覆層的與基板的接觸面以外的表面的方式來配置金屬層。

(用途)

具有通過上述處理得到的金屬層的含有金屬層的層積體可應(yīng)用于各種用途中，能夠用于觸控面板(或觸控面板傳感器)、半導(dǎo)體芯片、各種電氣配線板、FPC(柔性印刷電路，F(xiàn)lexible printed circuits)、COF(覆晶薄膜，Chip on Film)、TAB(卷帶自動接合，Tape Automated Bonding)、天線、多層配線基板、母板等各種用途中。其中優(yōu)選用于觸控面板傳感器(靜電電容式觸控面板傳感器)。將上述含有金屬層的層積體應(yīng)用于觸控面板傳感器的情況下，含有金屬層的層積體中的金屬層作為觸控面板傳感器中的檢測電極或引出配線發(fā)揮功能。

需要說明的是，在本說明書中，將觸控面板傳感器與各種顯示裝置(例如液晶顯示裝置、有機EL(電致發(fā)光，electro-luminescence)顯示裝置)組合而成的器件稱為觸控面板。作為觸控面板，優(yōu)選可以舉出所謂的靜電電容式觸控面板。

另外，在圖6和圖7中示出了將含有金屬層的層積體應(yīng)用于觸控面板傳感器的情況的一個實施方式。

如圖6所示，含有金屬層的層積體124具有：基板12；配置在基板12的一個主面上的第1圖案狀被鍍覆層18A；配置在第1圖案狀被鍍覆層18A上的第1檢測電極26和第1引出配線28；配置在基板12的另一個主面上的第2圖案狀被鍍覆層18B；以及配置在第2圖案狀被鍍覆層18B上的第2檢測電極30和第2引出配線32。需要說明的是，第1檢測電極26、第1引出配線28、第2檢測電極30和第2引出配線32由上述的金屬層構(gòu)成。

為了制造這樣的含有金屬層的層積體，可以在希望配置第1檢測電極26、第1引出配線28、第2檢測電極30和第2引出配線32的位置形成第1圖案狀被鍍覆層18A和第2圖案狀被鍍覆層18B，在它們的上面形成金屬層，從而得到該含有金屬層的層積體。即，在第1檢測電極26和第1引出配線28與基板12之間配置第1圖案狀被鍍覆層18A，在第2檢測電極30和第2引出配線32與基板12之間配置第2圖案狀被鍍覆層18B。

需要說明的是，對于第1檢測電極26和第2檢測電極30來說，在將包含該含有金屬層的層積體的觸控面板傳感器作為觸控面板的部件進行組裝時，該第1檢測電極26和第2檢測電極30作為可感知靜電電容變化的感應(yīng)電極發(fā)揮功能，構(gòu)成感知部(感應(yīng)部)。即，在使指尖與觸控面板接觸時，第1檢測電極26和第2檢測電極30之間的相互靜電電容發(fā)生變化，基于該變化量利用IC(集成電路)電路來運算出手指的位置。

第1檢測電極26具有對于接近觸控面板傳感器的輸入?yún)^(qū)域的操作者手指的X方向的輸入位置進行檢測的作用，具有在第1檢測電極26與手指之間產(chǎn)生靜電電容的功能。第1檢測電極26在第1方向(X方向)延伸，是在與第1方向正交的第2方向(Y方向)隔著規(guī)定間隔進行排列的電極。

第2檢測電極30具有對于接近觸控面板傳感器的輸入?yún)^(qū)域的操作者手指的Y方向的輸入位置進行檢測的作用，具有在第2檢測電極30與手指之間產(chǎn)生靜電電容的功能。第2檢測電極30在第2方向(Y方向)延伸，是在第1方向(X方向)隔著規(guī)定間隔進行排列的電極。在圖6中，第1檢測電極26設(shè)有5個、第2檢測電極30設(shè)有5個，但該設(shè)置數(shù)并無特別限制，只要為2個以上即可。

第1引出配線28和第2引出配線32分別為承擔(dān)用于向第1檢測電極26和第2檢測電極30施加電壓的作用的部件。

<<第2實施方式>>

本發(fā)明的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法的第2實施方式具有下述工序：工序A(層積體制作工序)，制作具有基板和被鍍覆層形成用層的層積體，該基板具有2個主面，該被鍍覆層形成用層分別配置在基板的2個主面上；工序B(照射工序)，對于被鍍覆層形成用層以圖案狀照射光；以及工序C(被鍍覆層形成工序)，除去被鍍覆層形成用層中的未照射區(qū)域，在基板兩面分別形成圖案狀被鍍覆層，聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比位于長波長側(cè)。

第2實施方式中，除了聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的位置關(guān)系不同、對被鍍覆層形成用層進行照射的條件不同以外，與上述第1實施方式均相同，各工序的過程也相同，因而下文主要對于與第1實施方式不同點進行說明。

在第2實施方式中，聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比位于長波長側(cè)。該關(guān)系相當(dāng)于上述圖4中說明的關(guān)系。

所使用的聚合引發(fā)劑和基板按照滿足上述關(guān)系的方式進行適宜選擇，可適當(dāng)?shù)厥褂玫?實施方式中說明的聚合引發(fā)劑、基板。

在第2實施方式中，聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比位于長波長側(cè)即可，對于兩者的波長差(聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的吸收端的波長(nm)-基板的紫外可見吸收光譜的吸收端的波長(nm))沒有特別限制，優(yōu)選為10nm～150nm、更優(yōu)選為20nm～100nm。

在第2實施方式中，在第1照射工序和第2照射工序中對被鍍覆層形成用層以圖案狀照射聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光，該聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光不包括下述波長范圍的光，該波長范圍為基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以上且為聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以下。即，按照滿足下述要件2的方式來實施圖案狀的光照射。

要件2：在聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比位于長波長側(cè)的情況下，對被鍍覆層形成用層以圖案狀照射聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光，該聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光不包括下述波長范圍的光，該波長范圍為基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以上且為聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以下。

如上所述，在第2實施方式中，聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的吸收端與基板的紫外可見吸收光譜的吸收端相比位于長波長側(cè)，因而在為上述光時，被鍍覆層形成用層中的聚合引發(fā)劑發(fā)生感光。

另外，在第1照射工序中，與上述基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比為短波長側(cè)的波長的光被照射至第1被鍍覆層形成用層，與第1實施方式同樣地，上述的光之中，透過了第1被鍍覆層形成用層的光被基板所吸收，不會到達位于相反側(cè)的第2被鍍覆層形成用層。在第2照射工序中，與第1實施方式同樣地，所照射的光也被基板所吸收。

另外，由于為基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以上且為聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以下的范圍的光不包含在照射至被鍍覆層形成用層的光之中，因而例如由于照射光而使第2被鍍覆層形成用層中的聚合引發(fā)劑在第1被鍍覆層形成用層發(fā)生感光的情況受到抑制。

需要說明的是，在本方式中，作為對于被鍍覆層形成用層(第1被鍍覆層形成用層和第2被鍍覆層形成用層)進行照射的光，如上所述，只要包含下述的光即可，所述的光不包括為基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以上且為聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以下的范圍的光、并且為聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光；也可以包含除此以外的波長的光。即，在對被鍍覆層形成用層進行照射的光中，可以包含與聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比為長波長側(cè)的波長的光。

在第2實施方式中，優(yōu)選在第1照射工序和第2照射工序中使用遮光濾光器進行光的照射，該遮光濾光器至少遮蔽下述波長范圍的光，該波長范圍為基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以上且為聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以下。更具體地說，如圖8所示，在光源(未圖示)與層積體10之間配置遮光濾光器34。這種情況下，能夠?qū)τ谟晒庠瓷涑龅墓庵械臑榛宓淖贤饪梢娢展庾V的長波長側(cè)吸收端的波長以上且為聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的波長以下的范圍的光進行遮光，能夠?qū)Φ?被鍍覆層形成用層14A僅照射與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比為短波長側(cè)的波長的光。其結(jié)果，能夠由基板14吸收所照射的光，能夠抑制第2被鍍覆層形成用層14B中的聚合引發(fā)劑發(fā)生感光。

需要說明的是，通過使用上述遮光濾光器，能夠使用各種光源。

對上述遮光濾光器的方式?jīng)]有特別限制，可以使用公知的遮光濾光器，例如可以舉出含有至少能夠吸收特定波長的吸收劑(例如色素或顏料)的吸收型濾光器；帶通濾光片(電介質(zhì)多層膜)之類的反射型濾光器。

實施例

下面通過實施例進一步詳細(xì)說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于這些。

(合成例1：聚合物1)

在2L的三口燒瓶加入乙酸乙酯1L、2-氨基乙醇159g，利用冰浴進行冷卻。調(diào)節(jié)成內(nèi)溫為20℃以下向其中滴加2-溴異丁酰溴150g。其后使內(nèi)溫上升至室溫(25℃)并反應(yīng)2小時。反應(yīng)終止后，追加蒸餾水300mL并使反應(yīng)停止。其后利用蒸餾水300mL對乙酸乙酯相進行4次清洗，之后利用硫酸鎂進行干燥，進一步蒸餾除去乙酸乙酯，從而得到原料A 80g。

接著，向500mL的三口燒瓶中加入原料A 47.4g、吡啶22g、乙酸乙酯150mL，利用冰浴進行冷卻。調(diào)節(jié)成內(nèi)溫為20℃以下向其中滴加丙烯酰氯25g。其后上升至室溫并反應(yīng)3小時。反應(yīng)終止后，追加蒸餾水300mL使反應(yīng)停止。其后利用蒸餾水300mL對乙酸乙酯相進行4次清洗，之后利用硫酸鎂進行干燥，進一步蒸餾除去乙酸乙酯。其后利用柱色譜得到以下的單體M1(20g)。

【化學(xué)式8】

在500mL的三口燒瓶中加入N,N-二甲基乙酰胺8g，在氮氣流下加熱至65℃。利用4小時的時間向其中滴加單體M1：14.3g、丙烯腈(東京化成工業(yè)株式會社制造)3.0g、丙烯酸(東京化成制造)6.5g、V-65(和光純藥制造)0.4g的N,N-二甲基乙酰胺8g溶液。

滴加結(jié)束后，將反應(yīng)溶液進一步攪拌3小時。其后追加N,N-二甲基乙酰胺41g，將反應(yīng)溶液冷卻至室溫。向上述反應(yīng)溶液中加入4-羥基TEMPO(東京化成制造)0.09g、DBU(二氮雜雙環(huán)十一碳烯)54.8g，于室溫進行12小時反應(yīng)。其后向反應(yīng)液中加入70質(zhì)量％甲磺酸水溶液54g。反應(yīng)終止后，利用水進行再沉淀，取出固體物質(zhì)，得到聚合物1(12g)。

使用IR測定機((株)堀場制作所制造)進行所得到的聚合物1的鑒定。在測定中，使聚合物溶解在丙酮中，使用KBr結(jié)晶來進行。根據(jù)IR測定的結(jié)果，在2240cm^-1附近觀測到峰值，可知丙烯腈作為腈單元被導(dǎo)入到聚合物中。另外，通過酸值測定可知丙烯酸作為含羧酸基單元被導(dǎo)入。另外，使聚合物溶解在氘代DMSO(二甲基亞砜)中，利用Bruker制造的300MHz的NMR(核磁共振)(AV-300)進行測定?？芍?.5-0.7ppm(5H)觀察到對應(yīng)于含腈基單元的寬峰，在7.8-8.1ppm(1H)、5.8-5.6ppm(1H)、5.4-5.2ppm(1H)、4.2-3.9ppm(2H)、3.3-3.5ppm(2H)、2.5-0.7ppm(6H)觀察到對應(yīng)于含聚合性基團單元的寬峰，在2.5-0.7ppm(3H分)觀察到對應(yīng)于含羧酸基單元的寬峰，可知含聚合性基團單元:含腈基單元:含羧酸基單元＝30:30:40(mol％)。

【化學(xué)式9】

<組合物的制備>

按照表1對異丙醇(IPA)、聚合物1、聚丙烯酸、亞甲基雙丙烯酰胺(MBA)、IRGACUREOXE02(BASF制造)、IRGACURE127(BASF制造)、IRGACURE2959(BASF制造)進行調(diào)液，得到組合物1～4。

需要說明的是，表1中，各成分的含量以相對于組合物總量的質(zhì)量％來表示。

【表1】

<底漆層形成用組合物>

將氫化丁腈橡膠Zetpole0020(日本Zeon制造)100g溶解在環(huán)戊酮(東京化成制造)900g中，將所得到的溶液作為底漆層形成用組合物。

<基板的制作>

[基板S1-1的制作]

將ZF14(Zeon制ZEONOR膜)溶解在甲苯中，按照在樹脂成分中為5質(zhì)量％添加UV吸收劑LA-29(ADEKA制造)，以100μm的厚度進行成膜，將所得到的基板作為S1-1。

[基板S1-2的制作]

將F5023(JSR制ARTON膜)溶解在甲苯中，按照在樹脂成分中為5質(zhì)量％添加UV吸收劑LA-29(ADEKA制造)，以100μm的厚度進行成膜，將所得到的基板作為S1-2。

[基板S2-0～2-4的制作]

在100μm厚的A4300(東洋紡制PET膜)、100μm的ZF14、100μm的F5023、基板S1-1和基板S1-2各自的表面上通過棒涂涂布底漆層形成用組合物使其形成2μm的膜厚，使底漆層在兩面成膜，將所得到的基板分別作為S2-0～S2-4。更具體地說，將在100μm厚的A4300的兩面配置底漆層所得到的基板作為S2-0、將在100μm的ZF14的兩面配置底漆層所得到的基板作為S2-1、將在100μm的F5023的兩面配置底漆層所得到的基板作為S2-2、將在基板S1-1的兩面配置底漆層所得到的基板作為S2-3、并且將在基板S1-2的兩面配置底漆層所得到的基板作為S2-4。

<層積體的制作>

[層積體S3-1～10]

將基板S2-0～S2-4與組合物1～4按表2進行組合，在基板兩面通過棒涂按照0.25μm的厚度進行被鍍覆層形成用層的成膜，作為層積體S3-1～10。

<比較例1～5和實施例1～6>

將層積體S3-1利用具有不同圖案的兩片掩模夾持，使用能夠射出包含300nm以下的波長的光的射出光的UV燈Deep UV Lamp(Ushio制造)，分別以規(guī)定的圖案狀按照曝光能量為100mJ對層積體兩面進行曝光，之后在40℃的1質(zhì)量％碳酸鈉水溶液中浸漬5分鐘進行顯影，得到包含圖案狀被鍍覆層的樣品。需要說明的是，被照射到層積體兩面的光的照射區(qū)域不同。即，被照射到層積體兩面的照射圖案(曝光圖案)各自不同。另外，由上述UV燈射出的射出光不僅包含300nm以下的波長的光，還包含大于300nm的波長的光。

除了不使用層積體S3-1而使用層積體S3-2～S3-10以外，按照與上述同樣的過程得到樣品。

其中，僅在實施例6中在曝光時在光源與掩模之間使用可截止300nm至400nm的光的帶通濾光片(朝日分光制造)。需要說明的是，實施例6中使用的聚合引發(fā)劑IRGACUREOXE02的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端與400nm相比位于短波長側(cè)。

另外，僅在比較例5中使用UV曝光機(波長：365nm(使用鈉玻璃截止短波側(cè)波長)三永電機制作所社制造，型號：UVF-502S、燈：UXM-501MD)作為光源。

<兩面圖案化性評價>

將比較例1～5和實施例1～6的樣品在0.05質(zhì)量％的若丹明6G水溶液中浸漬5 分鐘進行染色后，對于配置在基板兩面的圖案狀被鍍覆層，利用光學(xué)顯微鏡觀察是否分別形成與所使用的掩模相同的圖案形狀。將配置在基板兩面的各個圖案狀被鍍覆層的圖案與掩模相同、為所期望的圖案的情況記為“A”，將任意一個圖案狀被鍍覆層的圖案不是所期望的圖案的情況(來自一個面上的光照射使得另一面上的圖案狀被鍍覆層的圖案受到影響的情況)記為“B”。結(jié)果匯總于表2。

需要說明的是，在表2中，“引發(fā)劑的吸收端”表示聚合引發(fā)劑的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的位置(nm)。該吸收端的確定方法如上所述。

在“引發(fā)劑的吸收端”一欄中，“>300”是指聚合引發(fā)劑的吸收端的位置大于300nm，“<300”是指聚合引發(fā)劑的吸收端的位置小于300nm。

“基板的吸收端”表示基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端的位置(nm)。該吸收端的確定方法如上所述。

在“基板的吸收端”一欄中，“<250”表示基板的吸收端的位置小于250nm。

需要說明的是，在表2中，在“引發(fā)劑的吸收端”為“<300”、且“基板的吸收端”為“<250”的情況下(比較例3和4)，引發(fā)劑的吸收端與基板的吸收端相比位于長波長側(cè)。

【表2】

如表2所示，利用本發(fā)明的含有圖案狀被鍍覆層的層積體的制造方法，能夠精度良好且高效率地制作配置在基板兩面的圖案狀被鍍覆層的圖案。需要說明的是，實施例1～5滿足上述要件1、實施例6滿足上述要件2。

另一方面，在不滿足本發(fā)明要件的比較例1～5中，未得到所期望的效果。更具體地說，在比較例1～5中，由于對被鍍覆層形成用層照射與基板的紫外可見吸收光譜的長波長側(cè)吸收端相比為長波長側(cè)并且為使聚合引發(fā)劑發(fā)生感光的波長的光，因而對配置在基板的一個面上的被鍍覆層形成用層進行照射的光透過基板到達配置在基板的另一個面上的被鍍覆層形成用層、并且使聚合引發(fā)劑發(fā)生感光，因而未形成所期望的圖案。

需要說明的是，比較例5相當(dāng)于參照專利文獻1的方式。

<作為觸控面板的驅(qū)動確認(rèn)>

在形成實施例1～6的樣品時，作為掩模使用圖6所示的在檢測電極部分(第1檢測電極26、第2檢測電極30)和引出配線部分(第1引出配線28、第2引出配線32)的位置設(shè)有開口部的掩模來進行曝光，分別得到具有圖案狀被鍍覆層的樣品。

對于所得到的樣品，如下實施無電解鍍覆，在圖案狀被鍍覆層上形成金屬層。于室溫將所得到的樣品在僅將Pd催化劑賦予液MAT-2(上村工業(yè)制造)的MAT-2A進行5倍稀釋后的溶液中浸漬5分鐘，利用純水清洗2次。接著于36℃在還原劑MAB(上村工業(yè)制造)中浸漬5分鐘，利用純水清洗2次。其后于室溫在無電解鍍覆液Thru-cupPEA(上村工業(yè)制造)中分別浸漬60分鐘，利用純水清洗，得到形成有觸控面板用配線的含有金屬層的層積體。需要說明的是，所得到的金屬層按照覆蓋圖案狀被鍍覆層的與基板的接觸面以外的表面的方式進行配置。

分別使用所得到的含有金屬層的層積體來制作觸控面板傳感器，貼合各種部件，作為觸控面板進行驅(qū)動，結(jié)果確認(rèn)到良好的驅(qū)動性。

符號的說明

10 層積體

12,120 基板

14A 第1被鍍覆層形成用層

14B 第2被鍍覆層形成用層

16A,16B,160 照射區(qū)域

18A 第1圖案狀被鍍覆層

18B 第2圖案狀被鍍覆層

20 含有圖案狀被鍍覆層的層積體

22 金屬層

24,124 含有金屬層的層積體

26 第1檢測電極

28 第1引出配線

30 第2檢測電極

32 第2引出配線

34 遮光濾光器

140A,140B 樹脂組合物層