本申請涉及具有用于顯示圖像的像素區(qū)域并且能檢測對象物的接觸或接近的帶傳感器的顯示裝置的技術(shù)。

背景技術(shù)：

以往，在顯示面板上層疊有觸摸面板的顯示裝置已普及。另外，也提出了將觸摸面板內(nèi)置于顯示面板的構(gòu)成。例如，在美國專利申請公開第2010/0001973號說明書中，公開了具有顯示像素的觸摸屏，該顯示像素伴有電容元件。

在以往的觸摸面板中，傳遞用于檢測觸摸的電極的信號的配線配置在傳感器區(qū)域的外側(cè)。例如，美國專利申請公開第2010/0001973號說明書的圖6B和第0099段中記載了金屬配線配置在觸摸屏的邊框區(qū)域。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：美國專利申請公開第2010/0001973號說明書

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

在上述現(xiàn)有技術(shù)中，觸摸屏的配線集中在邊框區(qū)域。因此，例如存在難以使邊框區(qū)域變窄等設(shè)計上的制約。因此，本申請公開一種能提高供傳感器用而設(shè)置的電極、配線等的設(shè)計的自由度的帶傳感器的顯示裝置。

用于解決問題的方案

本申請的帶傳感器的顯示裝置是具有配置有用于顯示圖像的像素的像素區(qū)域，能檢測對象物的接觸或接近的帶傳感器的顯示裝置。帶傳感器的顯示裝置具備：第1基板；第2基板，其與上述第1基板相對；液晶層，其設(shè)置在上述第1基板和上述第2基板之間；多個第1線，其設(shè)置于上述第1基板，在上述像素區(qū)域中在第1方向延伸；多個第2線，其設(shè)置于上述第1基板，在上述像素區(qū)域中在與上述第1方向不同的第2方向延伸；像素開關(guān)元件，其按每個由上述第1線和上述第2線規(guī)定的像素設(shè)置，連接到上述第1線和上述第2線；多個傳感器用電極，其設(shè)置在上述第1基板和上述第2基板中的至少任意一方的與上述像素區(qū)域重疊的位置，用于檢測上述對象物的接觸或接近；以及多個傳感器引出線，其在上述第1基板的像素區(qū)域中與上述第1線或上述第2線并行地設(shè)置，與上述多個傳感器用電極分別連接。

發(fā)明效果

根據(jù)本申請，在帶傳感器的顯示裝置或輸入裝置中，能提高傳感器的配線設(shè)計的自由度。

附圖說明

圖1是表示實施方式1的帶傳感器的顯示裝置1的構(gòu)成例的截面圖。

圖2是表示圖1所示的帶傳感器的顯示裝置1的有源矩陣基板20a上的傳感器用電極的配置例的俯視圖。

圖3是表示圖1所示的帶傳感器的顯示裝置1的相對基板20b上的傳感器用電極的配置例的俯視圖。

圖4是表示帶傳感器的顯示裝置1的構(gòu)成的變形例的截面圖。

圖5是表示圖4所示的帶傳感器的顯示裝置1的有源矩陣基板20a上的傳感器用電極和傳感器引出線的構(gòu)成例的俯視圖。

圖6是表示帶傳感器的顯示裝置1的構(gòu)成的另一變形例的截面圖。

圖7是表示圖6所示的帶傳感器的顯示裝置1的有源矩陣基板20a上的傳感器用電極和傳感器引出線的構(gòu)成例的俯視圖。

圖8是表示圖6所示的帶傳感器的顯示裝置1的相對基板20b上的傳感器用電極和傳感器引出線的構(gòu)成例的俯視圖。

圖9是表示傳感器引出線7、柵極線13以及源極線15的一例的俯視圖。

圖10是圖9所示的區(qū)域R1的放大圖。

圖11是圖10的I－I線截面圖。

圖12是表示本實施方式的液晶顯示裝置的概略構(gòu)成的頂視圖。

圖13是表示有源矩陣基板20a的概略構(gòu)成的頂視圖。

圖14是表示省略了源極線15S的圖示的有源矩陣基板20a以及與有源矩陣基板20a連接的各部分的概略構(gòu)成的頂視圖。

圖15是表示配置在GL(n－1)和GL(n－2)的柵極線13G間并驅(qū)動GL(n－1)的柵極線13G的柵極驅(qū)動器11的等價電路的一例的圖。

圖16A是表示柵極驅(qū)動器11的配置例的圖。

圖16B是表示柵極驅(qū)動器11的配置例的圖。

圖16C是表示柵極驅(qū)動器11的配置例的圖。

圖17是將圖16B所示的形成有TFT－A的像素區(qū)域204G和204B的部分放大的俯視圖。

圖18A是沿I－I線將圖17的TFT－PIX的部分切斷而成的截面的圖。

圖18B是沿II－II線將接觸部CH1切斷而成的截面的圖。

圖18C是沿III－III線將圖17中的TFT－A的部分切斷而成的截面的圖。

圖18D是沿IV－IV線將接觸部CH2切斷而成的截面的圖。

圖19A是將圖16B所示的像素區(qū)域204R放大的俯視圖。

圖19B是將圖16B所示的像素區(qū)域205R放大的俯視圖。

圖19C是將圖16A所示的像素區(qū)域203R放大的俯視圖。

圖19D是將圖16C所示的像素區(qū)域205B放大的俯視圖。

圖19E是將圖16B所示的像素區(qū)域203B放大的俯視圖。

圖19F是將圖16A所示的像素區(qū)域201B和202R放大的俯視圖。

圖20是柵極驅(qū)動器11掃描柵極線13G時的時序圖。

圖21是表示實施方式3的有源矩陣基板20a的傳感器引出配線和傳感器驅(qū)動開關(guān)元件的配置例的俯視圖。

圖22A是表示最后級TFT的構(gòu)成例的電路圖。

圖22B是表示最后級TFT的另一構(gòu)成例的電路圖。

圖23是表示最后級TFT43的配置的另一例的圖。

圖24是表示最后級TFT的構(gòu)成的一例的圖。

圖25是表示使驅(qū)動電極DL(1)、DL(2)、···DL(N)并列驅(qū)動的情況下的Xmk(1)～(N)、XmkB(1)～(N)的波形和驅(qū)動電極DL(1)～(N)的波形的例子的圖。

圖26是表示將最后級TFT與驅(qū)動電極DL(1)～(N)各自連接的情況下的電路構(gòu)成例的圖。

圖27是表示實施方式3的有源矩陣基板20a的構(gòu)成例的圖。

圖28是表示驅(qū)動電極驅(qū)動器35a的等價電路的一例的圖。

圖29是驅(qū)動電極驅(qū)動器35a掃描驅(qū)動電極D1～D5時的時序圖。

圖30是表示圖28所示的驅(qū)動電極驅(qū)動器35a在像素區(qū)域中的配置例的圖。

圖31是將驅(qū)動電極驅(qū)動器的配線和柵極驅(qū)動器11的配線設(shè)為共有的情況下的構(gòu)成例。

圖32表示順次地對驅(qū)動電極DL進行驅(qū)動的順次驅(qū)動電路的一例。

圖33是圖32所示的驅(qū)動電路的時序圖。

圖34是表示圖32所示的移位寄存器252的構(gòu)成的圖。

圖35是表示圖34所示的移位寄存器252的電路構(gòu)成例的圖。

圖36是表示將具有圖32、圖34以及圖35所示的構(gòu)成的驅(qū)動電極驅(qū)動器35b配置在像素區(qū)域中的情況下的電路構(gòu)成例的圖。

圖37是表示圖32～圖36所示的驅(qū)動電極驅(qū)動器36b的動作例的圖。

圖38是表示圖35所示的構(gòu)成的移位寄存器252的動作例的圖。

圖39是表示能進行并列驅(qū)動的驅(qū)動電極驅(qū)動器35c的構(gòu)成例的圖。

圖40是圖39所示的并列驅(qū)動電路的時序圖。

圖41是表示使用移位寄存器255的并列驅(qū)動的驅(qū)動電路的另一構(gòu)成例的圖。

圖42是表示圖41所示的移位寄存器255的電路構(gòu)成例的圖。

圖43是表示將具有圖41和圖42所示的構(gòu)成的驅(qū)動電極驅(qū)動器35c配置在像素區(qū)域中的情況下的電路構(gòu)成例的圖。

具體實施方式

本發(fā)明的一實施方式的輸入裝置是具有配置有用于顯示圖像的像素的像素區(qū)域，能檢測對象物的接觸或接近的帶傳感器的顯示裝置。帶傳感器的顯示裝置具備：第1基板；第2基板，其與上述第1基板相對；液晶層，其設(shè)置在上述第1基板和上述第2基板之間；多個第1線，其設(shè)置于上述第1基板，在上述像素區(qū)域中在第1方向延伸；多個第2線，其設(shè)置于上述第1基板，在上述像素區(qū)域中在與上述第1方向不同的第2方向延伸；像素開關(guān)元件，其按每個由上述第1線和上述第2線規(guī)定的像素設(shè)置，連接到上述第1線和上述第2線；多個傳感器用電極，其設(shè)置在上述第1基板和上述第2基板中的至少任意一方的與上述像素區(qū)域重疊的位置，用于檢測上述對象物的接觸或接近；以及多個傳感器引出線，其在上述第1基板的像素區(qū)域中與上述第1線或上述第2線并行地設(shè)置，與上述多個傳感器用電極分別連接。

在上述構(gòu)成中，在設(shè)置有規(guī)定像素的第1線和第2線的第1基板的像素區(qū)域中，與第1線或第2線并行地配置有與傳感器用電極連接的傳感器引出線。因此，能將傳感器引出線分散配置在像素區(qū)域中。其結(jié)果是，能提高傳感器的配線設(shè)計的自由度。例如，不需要一定將傳感器引出線引繞到像素區(qū)域的外側(cè)。

在上述構(gòu)成中，也可以是，上述傳感器用電極以在上述第1方向或上述第2方向延伸的方式形成在上述第1基板中。在該情況下，上述傳感器引出線在從與上述像素區(qū)域垂直的方向看的情況下，以在與上述傳感器用電極相同的方向延伸的方式形成在與上述傳感器用電極重疊的區(qū)域中。由此，能降低傳感器用電極的電阻。

在上述構(gòu)成中，也可以是，上述傳感器用電極的至少一部分設(shè)置于上述第2基板。在該情況下，帶傳感器的顯示裝置還能具備密封構(gòu)件，上述密封構(gòu)件設(shè)置在上述第1基板和上述第2基板之間，將設(shè)置于上述第1基板的上述傳感器引出線和設(shè)置于上述第2基板的上述傳感器用電極電連接。能利用密封構(gòu)件連接第1基板的傳感器引出線和第2基板的傳感器用電極。因此，能將傳感器用電極和傳感器引出線分散地配置在第1基板和第2基板上。

上述密封構(gòu)件能沿著與上述第1方向平行的邊設(shè)置。在該情況下，上述傳感器引出線能構(gòu)成為從與上述第2方向平行的邊進入上述像素區(qū)域，從設(shè)置有上述密封構(gòu)件的邊向上述像素區(qū)域的外側(cè)伸出而與上述密封構(gòu)件連接。另外，能構(gòu)成為，在上述第2基板中，在設(shè)置有上述密封構(gòu)件的邊，上述密封構(gòu)件和上述像素區(qū)域內(nèi)的傳感器用電極連接。

由此，能使從與第1方向平行的邊進入像素區(qū)域后的傳感器引出線在與第2方向平行的邊與傳感器用電極連接。因此，即使不使傳感器引出線通過與第2方向平行的邊的外側(cè)，也能使其從與第2方向平行的邊連接到像素區(qū)域內(nèi)的傳感器用電極。

在上述帶傳感器的顯示裝置中，能將驅(qū)動用開關(guān)元件和驅(qū)動控制線設(shè)置在第1基板的像素區(qū)域內(nèi)。驅(qū)動用開關(guān)元件形成于上述第1基板的像素區(qū)域，基于從上述像素區(qū)域的外側(cè)供應(yīng)的信號控制上述第1線或上述第2線的驅(qū)動。驅(qū)動控制線形成在上述第1基板的上述像素區(qū)域，在上述第1方向或上述第2方向延伸而與上述驅(qū)動用開關(guān)元件連接。能構(gòu)成為，在從與上述像素區(qū)域的面垂直的方向看上述像素區(qū)域時即俯視時，上述驅(qū)動控制用開關(guān)元件或上述驅(qū)動控制線所重疊的像素與上述傳感器引出線所重疊的像素相互不同。

在該構(gòu)成中，控制第1線或第2線的驅(qū)動的驅(qū)動電路的至少一部分開關(guān)元件配置在像素區(qū)域內(nèi)，因此用于像素區(qū)域的外側(cè)的驅(qū)動的電路變少。因此，能配置與傳感器用電極連接的傳感器引出線的區(qū)域變大。其結(jié)果是，能提高與傳感器用電極連接的配線的設(shè)計的自由度。

另外，動控制用開關(guān)元件或上述驅(qū)動控制線所重疊的像素與傳感器引出線所重疊的像素不同，因此能防止配線、元件集中在一部分像素中。其結(jié)果是，能抑制由像素區(qū)域的配線引起的顯示質(zhì)量的劣化。

上述帶傳感器的顯示裝置還能具備傳感器驅(qū)動開關(guān)元件，上述傳感器驅(qū)動開關(guān)元件配置在上述像素區(qū)域，控制上述傳感器用電極的驅(qū)動。上述傳感器引出線能將上述傳感器驅(qū)動開關(guān)元件與上述傳感器用電極之間以及上述傳感器驅(qū)動開關(guān)元件與上述像素區(qū)域的外部之間中的至少任意一方連接。

由此，與從像素區(qū)域的外側(cè)經(jīng)由引出線控制傳感器用電極的驅(qū)動的情況相比，能降低驅(qū)動信號的電位的鈍化，能進行高速的驅(qū)動。另外，控制驅(qū)動的開關(guān)元件配置在像素區(qū)域內(nèi)，因此，與將驅(qū)動電路的全部開關(guān)元件配置在像素區(qū)域的外側(cè)的情況相比，能實現(xiàn)窄邊框化。

上述傳感器引出線能包含電壓供應(yīng)線和傳感器驅(qū)動控制線。電壓供應(yīng)線是從上述像素區(qū)域的外側(cè)向上述傳感器驅(qū)動開關(guān)元件供應(yīng)規(guī)定電壓的線。傳感器驅(qū)動控制線是供應(yīng)對從上述電壓供應(yīng)線供應(yīng)的上述規(guī)定電壓從上述傳感器驅(qū)動開關(guān)元件的輸出進行控制的信號的線。由此，傳感器用電極的電位是根據(jù)從像素區(qū)域的外側(cè)供應(yīng)的信號由傳感器驅(qū)動開關(guān)元件控制。

也可以是，在上述像素區(qū)域中，上述傳感器驅(qū)動開關(guān)元件連接在上述傳感器引出線與上述傳感器用電極之間。由此，在接近傳感器用電極的位置，能由傳感器驅(qū)動開關(guān)元件控制驅(qū)動信號的電位。因此，能進一步增大驅(qū)動信號的電位的鈍化的降低程度。

上述傳感器用電極能包含：驅(qū)動電極，其被輸入驅(qū)動信號；以及檢測電極，其根據(jù)上述驅(qū)動信號輸出響應(yīng)信號。在該情況下，可以是，上述驅(qū)動電極和上述檢測電極中的任意一方形成于上述第2基板。由此，能將驅(qū)動電極和檢測電極分散地配置在第1基板和第2基板上。

上述帶傳感器的顯示裝置還能具備：像素電極，其按每個上述像素設(shè)置；以及共用電極，其與像素電極相對地設(shè)置。上述共用電極能兼作上述傳感器用電極。由此，與將供應(yīng)電極和傳感器用電極分別單獨設(shè)置的情況相比，能減少電極的數(shù)量。

也可以是，在上述多個傳感器引出線中，線寬或與1個傳感器用電極連接的傳感器引出線的數(shù)量根據(jù)傳感器引出線的長度而不同。由此，能根據(jù)多個傳感器引出線的長度調(diào)整配線的電阻。例如，能使多個傳感器引出線的電阻均勻化。

能檢測對象物對傳感器區(qū)域的接觸或接近的輸入裝置也是本發(fā)明的實施方式之一。輸入裝置具備：多個驅(qū)動電極，其設(shè)置于上述傳感器區(qū)域，被輸入驅(qū)動信號；多個檢測電極，其輸出對輸入到上述驅(qū)動電極的驅(qū)動信號的響應(yīng)信號；控制部，其控制上述驅(qū)動信號，通過接收上述響應(yīng)信號來檢測上述對象物的接觸或接近；以及傳感器驅(qū)動開關(guān)元件，其配置在上述傳感器區(qū)域，根據(jù)從上述控制部供應(yīng)的控制信號，控制上述驅(qū)動電極的驅(qū)動信號。

在上述輸入裝置的構(gòu)成中，驅(qū)動電極的電位由根據(jù)從控制部供應(yīng)的控制信號進行動作的傳感器驅(qū)動開關(guān)元件控制。由此，能將構(gòu)成對驅(qū)動電極的驅(qū)動信號進行控制的驅(qū)動電路的開關(guān)元件的至少一部分配置在傳感器區(qū)域內(nèi)。因此，與從傳感器區(qū)域的外側(cè)控制驅(qū)動電極的電位的情況相比，能降低驅(qū)動電極的電位的鈍化。其結(jié)果是，能高速地驅(qū)動配線。另外，驅(qū)動電路的至少一部分開關(guān)元件配置在傳感器區(qū)域內(nèi)，因此，與將驅(qū)動電路的全部開關(guān)元件配置在傳感器區(qū)域的外側(cè)的情況相比，能實現(xiàn)窄邊框化。

在上述輸入裝置中，也可以是，傳感器驅(qū)動開關(guān)元件連接到向傳感器區(qū)域的外側(cè)延伸的電壓供應(yīng)線和傳感器驅(qū)動控制線。電壓供應(yīng)線是從傳感器區(qū)域的外側(cè)向傳感器驅(qū)動開關(guān)元件供應(yīng)規(guī)定電壓的線。傳感器驅(qū)動控制線是供應(yīng)對是否將從上述電壓供應(yīng)線供應(yīng)的上述規(guī)定電壓施加給上述傳感器用電極進行控制的信號的線。由此，傳感器用電極的電位能根據(jù)從傳感器區(qū)域的外側(cè)供應(yīng)的信號由傳感器區(qū)域內(nèi)的傳感器驅(qū)動開關(guān)元件控制。

以下，參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。對圖中相同或相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注同一附圖標(biāo)記而不重復(fù)其說明。此外，為了使說明容易理解，在以下參照的附圖中，將構(gòu)成簡化或示意性地示出，或者將一部分構(gòu)成構(gòu)件省略。另外，各圖中示出的構(gòu)成構(gòu)件間的尺寸比不一定表示實際的尺寸比。

＜實施方式1＞

(帶傳感器的顯示裝置1的構(gòu)成例)

圖1是表示實施方式1的帶傳感器的顯示裝置1的構(gòu)成例的截面圖。帶傳感器的顯示裝置1具有配置有像素的像素區(qū)域，在像素區(qū)域中顯示圖像。像素區(qū)域也能稱為顯示區(qū)域。另外，帶傳感器的顯示裝置1具有能檢測用戶的手指或筆等對象物的接觸或接近的傳感器區(qū)域。傳感器區(qū)域能設(shè)置在與像素區(qū)域重疊的位置。

圖1所示的帶傳感器的顯示裝置1具有隔著液晶層LC相互相對的一對基板，即有源矩陣基板20a和相對基板20b。有源矩陣基板20a是第1基板的一例，相對基板20b是第2基板的一例。在有源矩陣基板20a的像素區(qū)域中配置有在第1方向延伸的多個第1線以及在與該第1方向不同的第2方向延伸的第2線。能將第1線和第2線中的一方設(shè)為源極線(數(shù)據(jù)線)15，另一方設(shè)為柵極線(控制線)。

雖然在圖1中沒有圖示，但是在有源矩陣基板20a的基板20上設(shè)置有柵極線。另外，形成有隔著柵極絕緣膜24與柵極線絕緣的源極線15。而且，在有源矩陣基板20a上設(shè)置有用于對液晶層LC施加電壓的多個像素電極17和共用電極18。數(shù)據(jù)信號通過源極線供應(yīng)給像素電極17。各像素電極17經(jīng)由像素開關(guān)元件(在圖1中省略圖示)與源極線及柵極線連接。

在向像素電極17寫入數(shù)據(jù)信號時，共用電極18的電位是固定的。利用由共用電極18和像素電極17的電位差產(chǎn)生的電場向液晶層LC施加電壓。在圖1所示的例子中，共用電極18和像素電極17設(shè)置于有源矩陣基板20a。根據(jù)該構(gòu)成，能實現(xiàn)橫電場模式的液晶面板。而另一方面，也能將共用電極設(shè)置在相對基板20b的液晶層LC側(cè)。在該情況下，能構(gòu)成利用隔著液晶層LC相對設(shè)置的像素電極17和共用電極的電位差驅(qū)動液晶的縱電場模式的液晶面板。此外，在圖1中，共用電極18和像素電極17的配置關(guān)系也可以反過來，即，共用電極18位于像素電極17的液晶側(cè)。

在本實施方式中，共用電極18兼作用于檢測對象物的接觸或接近的傳感器用電極。

在相對基板20b的液晶側(cè)設(shè)置有彩色濾光片層和用于檢測對象物的接觸或接近的傳感器用電極。在圖1所示的例子中，隔著絕緣層25設(shè)置有驅(qū)動電極DL和檢測電極SE作為傳感器用電極。在驅(qū)動電極DL和檢測電極SE之間設(shè)置有彩色濾光片層。在圖1中圖示出彩色濾光片層的黑矩陣B。驅(qū)動電極DL能配置在從垂直于相對基板20b的方向看時與黑矩陣B重疊的位置。因此，能將驅(qū)動電極DL設(shè)為與黑矩陣的形狀一致的格子狀。檢測電極SE配置在彩色濾光片層的液晶層LC側(cè)。在相對基板20b上設(shè)置在液晶側(cè)LC的檢測電極SE也能兼作共用電極18。

設(shè)置在相對基板20b的液晶層LC側(cè)的檢測電極SE抑制由相對基板20b的表面的電荷在液晶層LC產(chǎn)生縱電場。即，檢測電極SE作為屏蔽電極層發(fā)揮功能。另外，能利用檢測電極SE抑制用于驅(qū)動觸摸面板的電壓導(dǎo)致液晶分子的取向發(fā)生紊亂而降低顯示質(zhì)量。此外，在相對基板20b上，共用電極18和檢測電極SE也能不兼用，而分別獨立地設(shè)置。

圖2是表示圖1所示的帶傳感器的顯示裝置1的有源矩陣基板20a上的傳感器用電極的配置例的俯視圖。此外，圖1是圖2的I－I線截面圖。在圖2所示的例子中，在第1方向(在本例中是縱方向)延伸的檢測電極SE在第2方向(在本例中是橫方向)排列配置有多個。多個檢測電極SE配置在與像素區(qū)域AA重疊的位置。

該多個檢測電極SE是由分割為多個部分的共用電極18形成的。即，共用電極18具有多個共用電極部分，該多個共用電極部分兼作多個檢測電極SE。

在與該多個檢測電極SE重疊的區(qū)域中，在與檢測電極SE相同的方向延伸地形成有傳感器引出線7。傳感器引出線7形成在與源極線15相同的層。與源極線15并行地設(shè)置。傳感器引出線7經(jīng)由接觸孔H3與檢測電極SE連接。這樣，通過將傳感器引出線7沿著檢測電極SE配置，能降低檢測電極SE的電阻。因此，能實現(xiàn)觸摸面板的高性能化(例如，高SNR、高報告率)。另外，傳感器引出線7例如能形成在相對基板20b的黑矩陣B的遮光部的內(nèi)側(cè)。由此，能不降低開口率而使檢測電極SE低電阻化。另外，也能實現(xiàn)顯示用的共用電極的低電阻化。

例如，能由ITO等透明電極形成檢測電極SE，由電阻比透明電極低的金屬形成傳感器引出線7s。由此，低電阻化的效果更顯著。

在圖2所示的例子中，針對1個檢測電極SE設(shè)置有多個(2條)傳感器引出線7s。例如，能根據(jù)所要求的電阻值調(diào)整傳感器引出線7s的條數(shù)或線寬。

多個檢測電極SE與設(shè)置在像素區(qū)域AA的平行于第2方向的邊的端子部12se連接。端子部12se與觸摸檢測部37連接。觸摸檢測部37根據(jù)從檢測電極SE接收到的信號檢測對象物的接觸或接近。

圖3是表示圖1所示的帶傳感器的顯示裝置1的相對基板20b上的傳感器用電極的配置例的俯視圖。在相對基板20b上，在第1方向(縱方向)延伸的檢測電極SE在第2方向排列配置有多個。在第2方向延伸的驅(qū)動電極DL以與檢測電極SE交叉的方式在第1方向排列配置。

相對基板20b的檢測電極SE與有源矩陣基板20a的檢測電極SE平行地延伸。即，相對基板20b的共用電極18分割為與相對基板20b的共用電極18平行地延伸的多個部分。相對基板20b的共用電極18具有多個共用電極部分。相對基板20b的多個共用電極部分各自與有源矩陣基板20a的共用電極部分之一電連接。例如，能經(jīng)由設(shè)置在有源矩陣基板20a和相對基板20b之間的密封接觸件(未圖示)將它們連接。這樣，通過將有源矩陣基板20a的共用電極部分和相對基板20b的共用電極部分連接而用作檢測電極，能降低伴隨檢測電極的寄生電容。

此外，檢測電極不需要一定設(shè)置在有源矩陣基板20a和相對基板20b這兩者。也能將檢測電極僅設(shè)置在其中任意一方。

驅(qū)動電極DL經(jīng)由設(shè)置在像素區(qū)域AA的外側(cè)的傳感器引出線7d與端子部12d連接。端子部23d與驅(qū)動電極驅(qū)動器35連接。驅(qū)動電極驅(qū)動器35控制驅(qū)動信號。

在帶傳感器的顯示裝置1進行檢測動作的情況下，從驅(qū)動電極驅(qū)動器35將驅(qū)動信號供應(yīng)給各驅(qū)動電極DL。在驅(qū)動電極DL和檢測電極SE相互相對的部分形成靜電電容。在驅(qū)動電極驅(qū)動器35向驅(qū)動電極DL供應(yīng)驅(qū)動信號時，利用驅(qū)動電極DL和檢測電極SE之間的電容耦合，從檢測電極SE輸出對驅(qū)動信號的響應(yīng)信號。觸摸檢測部37能根據(jù)響應(yīng)信號檢測出與驅(qū)動電極DL和檢測電極SE的交點對應(yīng)的點(節(jié)點)的電容變化。觸摸檢測部37能根據(jù)電容變化確定接觸或接近的對象物的位置。

(構(gòu)成的變形例1)

圖4是表示帶傳感器的顯示裝置1的構(gòu)成的變形例的截面圖。圖5是表示圖4所示的帶傳感器的顯示裝置1的有源矩陣基板20a上的傳感器用電極和傳感器引出線的構(gòu)成例的俯視圖。在圖4和圖5所示的例子中，設(shè)置于相對基板20b的傳感器用電極的傳感器引出線是設(shè)置在有源矩陣基板20a的像素區(qū)域AA。

具體地說，形成在與源極線15相同的層并且從端子部12d在第1方向延伸的傳感器引出線7在接觸孔H4中向不同的層移動，在此，作為一例，向與柵極線相同的層(柵極電極層)移動。在柵極電極層中，傳感器引出線7從接觸孔H4向第2方向延伸，從像素區(qū)域AA的與第1方向平行的邊向像素區(qū)域AA的外側(cè)引出而與密封接觸件SC連接。傳感器引出線7通過密封接觸件SC與相對基板20b的驅(qū)動電極DL連接。密封接觸件SC設(shè)置在有源矩陣基板20a和相對基板20b之間，是將設(shè)置于有源矩陣基板20a的傳感器引出線7和設(shè)置于相對基板20b的驅(qū)動電極DL(傳感器用電極)電連接的密封構(gòu)件。

在第1方向延伸的傳感器引出線7和在第2方向延伸的傳感器引出線形成在有源矩陣基板20a的相互不同的層。它們在接觸孔連接。由此，從像素區(qū)域AA的與第1方向平行的邊向與第2方向平行的邊在像素區(qū)域中通過而連接配線。因此，能不將配線設(shè)置在像素區(qū)域AA的外側(cè)，而將其向像素區(qū)域AA的不相互平行的邊配設(shè)。

(構(gòu)成的變形例2)

圖6是表示帶傳感器的顯示裝置1的構(gòu)成的另一變形例的截面圖。圖7是表示圖6所示的帶傳感器的顯示裝置1的相對基板20b上的傳感器用電極和傳感器引出線的構(gòu)成例的俯視圖。圖8是表示圖6所示的帶傳感器的顯示裝置1的有源矩陣基板20a上的傳感器引出線的構(gòu)成例的俯視圖。

在圖6～圖7所示的變形例中，在相對基板20b的液晶層LC側(cè)設(shè)置有兼作驅(qū)動電極DL的共用電極18。與驅(qū)動電極DL之間隔著彩色濾光片層26和絕緣層25而設(shè)置有檢測電極SE。檢測電極SE設(shè)置在與黑矩陣B重疊的位置。在有源矩陣基板20a上沒有設(shè)置傳感器用電極。有源矩陣基板20a的共用電極18不兼作傳感器用電極，因此沒有分割為多個部分。

在有源矩陣基板20a上設(shè)置有與相對基板20b的驅(qū)動電極DL連接的傳感器引出線7。有源矩陣基板20a的傳感器引出線7的構(gòu)成能與圖5同樣。

(傳感器引出線的變形例)

與1個傳感器用電極連接的傳感器引出線的數(shù)量能根據(jù)傳感器引出線的長度而不同。例如，在圖8所示的例子中，離端子部12d的距離最長的橫方向的傳感器引出線7－1連接著4條線的縱方向的傳感器引出線。這樣，在傳感器引出線比別的長的情況下，能使1個傳感器用電極所連接的傳感器引出線的數(shù)量比別的多。

由此，利用傳感器引出線的長度的差異，能緩和由多個傳感器用電極的電阻或寄生電容不同所帶來的影響。另外，為了得到該效果，能根據(jù)傳感器引出線的長度將傳感器引出線的線寬設(shè)置得不同。

(配線的布局例)

圖9是表示傳感器引出線7、柵極線13以及源極線15的一例的俯視圖。圖10是圖9所示的區(qū)域R1的放大圖。圖11是圖10的I－I線截面圖。在圖9所示的例子中，在第1方向(縱方向)延伸的多個源極線15和在垂直于第1方向的第2方向(橫方向)延伸的多個柵極線以交叉的方式配置。在由柵極線13和源極線15包圍的區(qū)域配置有像素電極17。與源極線15和柵極線13的各交點對應(yīng)的像素配置成矩陣狀。

與源極線15并行的傳感器引出線7s以及與柵極線13并行的傳感器引出線7g以與多個像素電極17重疊的方式設(shè)置。在圖9中，傳感器引出線7g、7s以與像素區(qū)域內(nèi)的全部像素中的一部分像素重疊的方式配置。傳感器引出線7g、7s所重疊的像素與其它像素相比開口率(透射率)下降而有可能導(dǎo)致顯示質(zhì)量降低。因此，也可以通過在沒有設(shè)置傳感器引出線7g、7s的像素中配置虛設(shè)線，使像素區(qū)域的多個像素的開口率均勻。或者，如后所述，也能在像素區(qū)域中配置構(gòu)成柵極驅(qū)動器的驅(qū)動電路的驅(qū)動用開關(guān)元件。在該情況下，能以使與驅(qū)動用開關(guān)元件連接的控制信號線所重疊的像素和傳感器引出線所重疊的像素不同的方式配置這些線。由此，能實現(xiàn)像素區(qū)域的開口率(透射率)的均勻化。

如圖11所示，與柵極線13并行的傳感器引出線7g能形成在與柵極線13相同的層。另外，與源極線15并行的傳感器引出線7s能形成在與源極線15相同的層。形成在與柵極線相同的層的傳感器引出線7g和形成在與源極線相同的層的傳感器引出線7s能經(jīng)由接觸孔H4連接。例如，如圖10所示，接觸孔H4能配置在由黑矩陣B形成的遮蔽區(qū)域BM。由此，能防止由接觸孔H4引起的透射率的降低。另外，如圖11所示，能經(jīng)由接觸孔H4將傳感器引出線7s和兼作驅(qū)動電極DL的共用電極18連接。

＜實施方式2＞

實施方式2是顯示面板2的變形例。本實施方式的顯示面板2為柵極線或源極線的驅(qū)動電路的至少一部分形成在像素區(qū)域的方式。

(液晶顯示裝置的構(gòu)成)

圖12是表示本實施方式的液晶顯示裝置的概略構(gòu)成的頂視圖。液晶顯示裝置1具有顯示面板2、源極驅(qū)動器3、顯示控制電路4以及電源5。顯示面板2具有有源矩陣基板20a、相對基板20b以及被這些基板夾持的液晶層(省略圖示)。雖然在圖12中省略了圖示，但是在有源矩陣基板20a的下面?zhèn)群拖鄬?0b的上面?zhèn)仍O(shè)置有偏振板。在相對基板20b上形成有黑矩陣、紅(R)、綠(G)、藍(B)三種顏色的彩色濾光片以及共用電極(均省略圖示)。

如圖12所示，有源矩陣基板20a與形成于柔性基板的源極驅(qū)動器3電連接。顯示控制電路4電連接到顯示面板2、源極驅(qū)動器3以及電源5。顯示控制電路4向源極驅(qū)動器3和形成于有源矩陣基板20a的后述的驅(qū)動電路(以下，稱為柵極驅(qū)動器)輸出控制信號。控制信號包含用于在顯示面板2上顯示圖像的復(fù)位信號(CLR)、時鐘信號(CKA、CKB)、數(shù)據(jù)信號等。電源5電連接到顯示面板2、源極驅(qū)動器3以及顯示控制電路4，向它們各自供應(yīng)電源電壓信號。

(有源矩陣基板的構(gòu)成)

圖13是表示有源矩陣基板20a的概略構(gòu)成的頂視圖。在有源矩陣基板20a上，從X軸方向的一端到另一端按一定的間隔大致平行地形成有多個柵極線13G。另外，在有源矩陣基板20a上，以與柵極線13G群交叉的方式形成有多個源極線15S(數(shù)據(jù)線)。由柵極線13G和源極線15S包圍的區(qū)域形成1個像素。各像素與彩色濾光片中的任意一種顏色對應(yīng)。

圖14是表示省略了源極線15S的圖示的有源矩陣基板20a以及與有源矩陣基板20a連接的各部的概略構(gòu)成的頂視圖。如圖14的例子所示，柵極驅(qū)動器11(驅(qū)動電路)形成在顯示區(qū)域的柵極線13G和柵極線13G之間。在該例子中，柵極線13G各自與4個柵極驅(qū)動器11連接。在有源矩陣基板20a的顯示區(qū)域中的設(shè)置有源極驅(qū)動器3的邊的邊框區(qū)域形成有端子部12g(第2端子部)。端子部12g連接到控制電路4和電源5。端子部12g接收從控制電路4和電源5輸出的控制信號(CKA、CKB)、電源電壓信號等信號。輸入到端子部12g的控制信號(CKA、CKB)和電源電壓信號等信號經(jīng)由配線15L1供應(yīng)給各柵極驅(qū)動器11。柵極驅(qū)動器11根據(jù)被供應(yīng)的信號對所連接的柵極線13G輸出表示選擇狀態(tài)和非選擇狀態(tài)中的一方的電壓信號，并且將該電壓信號輸出給下級的柵極線13G。在以下的說明中，有時將與選擇狀態(tài)和非選擇狀態(tài)各自對應(yīng)的電壓信號稱為掃描信號。另外，將選擇了柵極線13G的狀態(tài)稱為柵極線13G的驅(qū)動。

另外，在有源矩陣基板20a上，在設(shè)置有源極驅(qū)動器3的邊的邊框區(qū)域形成有將源極驅(qū)動器3和源極線15S連接的端子部12s(第1端子部)。源極驅(qū)動器3根據(jù)從顯示控制電路4輸入的控制信號將數(shù)據(jù)信號輸出給各源極線15S。

如圖14所示，在本實施方式中，在顯示區(qū)域內(nèi)，GL(1)～GL(n)的柵極線13G連接著多個柵極驅(qū)動器11。與同一柵極線13G連接的柵極驅(qū)動器11是同步的，由從這些柵極驅(qū)動器11輸出的掃描信號同時驅(qū)動1條柵極線13G。在本實施方式中，以1個柵極驅(qū)動器11驅(qū)動?xùn)艠O線13G的負荷大致均等的方式，多個柵極驅(qū)動器11大致等間隔地連接到1條柵極線13G。

(柵極驅(qū)動器的構(gòu)成)

在此，說明本實施方式的柵極驅(qū)動器11的構(gòu)成。圖15是表示配置在GL(n－1)和GL(n－2)的柵極線13G間并且驅(qū)動GL(n－1)的柵極線13G的柵極驅(qū)動器11的等價電路的一例的圖。如圖15所示，柵極驅(qū)動器11具有作為開關(guān)元件的由薄膜晶體管(TFT：Thin Film Transistor)構(gòu)成的TFT－A～TFT－J、電容Cbst、端子111～120以及被輸入低電平的電源電壓信號的端子組。

端子111、112經(jīng)由前級的GL(n－2)的柵極線13G接收置位信號(S)。此外，與GL(1)的柵極線13G連接的柵極驅(qū)動器11的端子111、112接收從顯示控制電路4輸出的柵極起始脈沖信號(S)。端子113～115接收從顯示控制電路4輸出的復(fù)位信號(CLR)。端子116、117接收輸入的時鐘信號(CKA)。端子118、119接收輸入的時鐘信號(CKB)。端子120將置位信號(OUT)輸出給后級的柵極線13G。

時鐘信號(CKA)和時鐘信號(CKB)是相位按每一水平掃描期間反轉(zhuǎn)的2相時鐘信號(參照圖20)。圖15例示了驅(qū)動GL(n－1)的柵極線13G的柵極驅(qū)動器11，但是在驅(qū)動GL(n)的后級的柵極驅(qū)動器11的情況下，端子116、117接收時鐘信號(CKB)，該柵極驅(qū)動器11的端子118、119接收時鐘信號(CKA)。即，各柵極驅(qū)動器11的端子116和117以及端子118和119接收的是與相鄰的行的柵極驅(qū)動器11接收的時鐘信號為相反相位的時鐘信號。

在圖15中，將連接有TFT－B的源極端子、TFT－A的漏極端子、TFT－C的源極端子、電容Cbst的一個電極以及TFT－F的柵極端子的配線稱為netA。另外，將連接有TFT－C的柵極端子、TFT－G的源極端子、TFT－H的漏極端子、TFT－I的源極端子以及TFT－J的源極端子的配線稱為netB。

TFT－A是將2個TFT(A1、A2)串聯(lián)連接而成的。TFT－A的各柵極端子與端子113連接，A1的漏極端子與netA連接，A2的源極端子與電源電壓端子VSS連接。

TFT－B是將2個TFT(B1、B2)串聯(lián)連接而成的。TFT－B的各柵極端子和B1的漏極端子連接到端子111(二極管式連接)，B2的源極端子與netA連接。

TFT－C是將2個TFT(C1、C2)串聯(lián)連接而成的。TFT－C的各柵極端子與netB連接，C1的漏極端子與netA連接，C2的源極端子與電源電壓端子VSS連接。

電容Cbst的一個電極與netA連接，另一個電極與端子120連接。

TFT－D的柵極端子與端子118連接，漏極端子與端子120連接，源極端子與電源電壓端子VSS連接。

TFT－E的柵極端子與端子114連接，漏極端子與端子120連接，源極端子與電源電壓端子VSS連接。

TFT－F的柵極端子與netA連接，漏極端子與端子116連接，源極端子與輸出端子120連接。

TFT－G是將2個TFT(G1，G2)串聯(lián)連接而成的。TFT－G的各柵極端子和G1的漏極端子連接到端子119(二極管式連接)，G2的源極端子與netB連接。

TFT－H的柵極端子與端子117連接，漏極端子與netB連接，源極端子與電源電壓端子VSS連接。

TFT－I的柵極端子與端子115連接，漏極端子與netB連接，源極端子與電源電壓端子VSS連接。

TFT－J的柵極端子與端子112連接，漏極端子與netB連接，源極端子與電源電壓端子VSS連接。

此外，在圖15中，示出了TFT－A、B、C、G是將2個TFT串聯(lián)連接而成的例子，但是它們也可以包括1個TFT。

(柵極驅(qū)動器的整體布局)

接著，說明顯示區(qū)域中的柵極驅(qū)動器11的各元件的配置。圖16A～圖16C是示出配置在GL(n)與GL(n－1)之間以及GL(n－1)與GL(n－2)之間的1個柵極驅(qū)動器11的配置例的圖。在圖16A～圖16C中，為了方便，記載為GL(n)與GL(n－1)之間的像素區(qū)域211R～217B和GL(n－1)與GL(n－2)之間的像素區(qū)域201R～207B是分離開的，但是實際上兩者在GL(n－1)的柵極線13G處重疊，上下的像素區(qū)域是連續(xù)的。此外，表示像素區(qū)域的附圖標(biāo)記中包含的R、G、B所表示的是形成于相對基板20b的彩色濾光片(省略圖示)的顏色。

如圖16A～圖16C所示，在像素區(qū)域211R～217B(以下，稱為上段像素區(qū)域)和像素區(qū)域201R～207B(以下，稱為下段像素區(qū)域)中，在源極線15S和柵極線13G的交點附近形成有用于顯示圖像的TFT(以下，稱為TFT－PIX)(像素開關(guān)元件)。

另外，在上段像素區(qū)域和下段像素區(qū)域中，構(gòu)成1個柵極驅(qū)動器11的元件(TFT－A～TFT－J、電容Cbst)分散地配置。在這些像素區(qū)域中的配置有接收時鐘信號(CKA、CKB)、復(fù)位信號(CLR)、電源電壓信號中的任意一個信號的開關(guān)元件(TFT－A、C～F、H～J)的像素區(qū)域，形成有用于供應(yīng)這些信號的配線15L1。配線15L1以與源極線15S大致平行的方式跨上段像素區(qū)域和下段像素區(qū)域地形成。另外，在上段像素區(qū)域和下段像素區(qū)域中，形成有netA和netB的配線13N。配線13N在上段像素區(qū)域和下段像素區(qū)域中以與柵極線13G大致平行的方式跨配置有與netA和netB連接的元件(TFT－A～C、F、G～J、Cbst)的像素區(qū)域地形成。

此外，在本實施方式中配置為，向柵極驅(qū)動器11中的TFT－D、TFT－F、TFT－H以及TFT－G各自供應(yīng)的時鐘信號與向相鄰的行的柵極驅(qū)動器11的這些TFT各自供應(yīng)的時鐘信號為相反相位。即，TFT－D、TFT－F、TFT－H以及TFT－G配置于與形成有相鄰的行的這些TFT的像素區(qū)域在水平方向錯開的像素區(qū)域。

具體地說，如圖16A所示，上段像素區(qū)域的TFT－D形成在像素區(qū)域211R和211G，而下段像素區(qū)域的TFT－D形成在像素區(qū)域201B和202R。上段像素區(qū)域的TFT－F形成在像素區(qū)域213G，而下段像素區(qū)域的TFT－F形成在像素區(qū)域203R。另外，如圖16C所示，上段像素區(qū)域的TFT－H形成在像素區(qū)域215G和215B，而下段像素區(qū)域的TFT－H形成在像素區(qū)域206R和206G。上段像素區(qū)域的TFT－G形成在像素區(qū)域216G，而下段像素區(qū)域的TFT－G形成在像素區(qū)域205B。通過設(shè)為這種構(gòu)成，向上段像素區(qū)域的TFT－D供應(yīng)時鐘信號(CKA)，而向下段像素區(qū)域的TFT－D供應(yīng)與時鐘信號(CKA)為相反相位的時鐘信號(CKB)。如圖16A和圖16C所示，對于TFT－G、TFT－H也是如此，在上段像素區(qū)域和下段像素區(qū)域供應(yīng)的是相反相位的時鐘信號(CKA或CKB)。

另外，上段像素區(qū)域的TFT－B和TFT－J連接到GL(n－1)的柵極線13G，下段像素區(qū)域的TFT－B和TFT－J連接到GL(n－2)的柵極線13G。另外，上段像素區(qū)域的TFT－D和TFT－F連接到GL(n)的柵極線13G，下段像素區(qū)域的TFT－D和TFT－F連接到GL(n－1)的柵極線13G。配置在下段像素區(qū)域的柵極驅(qū)動器11經(jīng)由GL(n－2)的柵極線13G接收置位信號(S)，并將置位信號(S)輸出給GL(n)的柵極線13G而驅(qū)動GL(n－1)的柵極線13G。配置在上段像素區(qū)域的柵極驅(qū)動器11經(jīng)由GL(n－1)的柵極線13G接收置位信號(S)，并將置位信號(S)輸出給GL(n+1)的柵極線13G而驅(qū)動GL(n)的柵極線13G。

接著，說明構(gòu)成柵極驅(qū)動器11的各元件的具體連接方法。圖17是將圖16B所示的形成有TFT－A的像素區(qū)域204G和204B的部分放大的俯視圖。TFT－A和TFT－H、I、J是使用2個像素區(qū)域構(gòu)成的，連接方法是相同的，因此使用TFT－A進行說明。此外，在圖17中，由雙點劃線表示的區(qū)域BM是被形成于相對基板20b的黑矩陣(省略圖示)遮光的區(qū)域(以下，稱為遮光區(qū)域BM)。遮光區(qū)域BM包含形成有柵極線13G、構(gòu)成柵極驅(qū)動器11的各元件以及源極線15S的區(qū)域。

如圖17所示，在柵極線13G和源極線15S的交點附近，形成有用于顯示圖像的TFT－PIX。TFT－PIX和像素電極17在接觸部CH1連接。另外，在各像素區(qū)域中以與源極線15S大致平行且與柵極線13G交叉的方式形成有配線15L1。電源電壓信號(VSS)供應(yīng)給像素區(qū)域204G中的配線15L1，復(fù)位信號(CLR)供應(yīng)給像素區(qū)域204B中的配線15L1。

如圖17所示，TFT－A的柵極端子13g從像素區(qū)域204B跨像素區(qū)域204G地形成。在像素區(qū)域204G和204B中，與源極線15S及配線15L1交叉并且與柵極線13G大致平行地形成有配線13N。配線13N為上述netA和netB的配線。TFT－A在像素區(qū)域204B的接觸部CH2中與配線15L1連接，在像素區(qū)域204G的接觸部CH2中與配線13N連接。另外，在本實施方式中，在像素電極17、TFT－A、配線13N及15L1之間形成有屏蔽層16。

在此，圖18A表示沿I－I線將圖17中的TFT－PIX的部分切斷的截面圖，圖18B表示沿II－II線將接觸部CH1切斷的截面圖如所示。另外，圖18C表示沿III－III線將圖17中的TFT－A部分切斷的截面圖，圖18D表示沿IV－IV線將接觸部CH2切斷的截面圖。

如圖18A、18C以及18D所示，通過在基板20上形成柵極配線層13，形成柵極線13G、TFT－A的柵極端子13g以及配線13N。如圖18A和圖18C所示，在柵極配線層13的上層，在形成TFT－PIX的部分和形成TFT－A的部分，隔著柵極絕緣膜21形成有包括氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層14。另外，在形成有半導(dǎo)體層14的基板20上，以在半導(dǎo)體層14的上部間隔開的方式形成有源極配線層15。由此，如圖18A～圖18C所示，形成源極線15S、TFT－PIX的源極－漏極端子15SD、TFT－A的源極－漏極端子15sd(包含15sd1、15sd2)以及配線15L1。

如圖18D所示，在像素區(qū)域204B的接觸部CH2，在柵極絕緣膜21中形成有貫通到柵極層13的表面的接觸孔H2。源極配線層15(15L1)以在接觸孔H2與柵極配線層13(13g)接觸的方式形成在柵極絕緣膜21上。由此，在像素區(qū)域204B的接觸部CH2，TFT－A的柵極端子13g和配線15L1連接。另外，在像素區(qū)域204G的接觸部CH2也是同樣，由源極配線層15構(gòu)成的TFT－A的A1側(cè)的漏極端子15sd1和由柵極配線層13構(gòu)成的配線13N連接。由此，TFT－A與netA連接，經(jīng)由配線15L1被供應(yīng)復(fù)位信號(CLR)。

另外，如圖18A～圖18D所示，在源極配線層15的上層，以覆蓋源極配線層15的方式層疊有保護膜22和保護膜23。保護膜22包括例如SiO2等無機絕緣膜。保護膜23包括例如正型感光性樹脂膜等有機絕緣膜。而且，如圖18A～圖18D所示，在保護膜23的上層形成有屏蔽層16。屏蔽層16包括例如ITO等透明導(dǎo)電膜。并且，在屏蔽層16的上層，形成有包括例如SiO2等無機絕緣膜的層間絕緣層24。在層間絕緣層24的上層，如圖18C和圖18D所示，形成有包括ITO等透明導(dǎo)電膜的像素電極17。

如圖18B所示，在接觸部CH1，在TFT－PIX的漏極端子15D的上部形成有貫通層間絕緣層24、屏蔽層16以及保護膜22、23的接觸孔H1。像素電極17以在接觸孔H1與漏極端子15D接觸的方式形成在層間絕緣層24的上層。通過形成屏蔽層16，在像素電極17和屏蔽層16之間形成電容Cs，利用電容Cs使像素電極17的電位穩(wěn)定化。

這樣，通過跨2個像素區(qū)域形成TFT－A以及與TFT－A連接的配線13N和配線15L1，與形成于1個像素區(qū)域的情況相比，能抑制開口率的降低。另外，由于在像素電極17、TFT－A、配線13N及配線15L1之間形成有屏蔽層16，因此能降低TFT－A等和像素電極17之間的干擾。

(TFT－B)

接著，說明TFT－B的連接方法。圖19A是將圖16B所示的像素區(qū)域204R放大的俯視圖。在圖19A中省略了遮光區(qū)域BM的圖示。如圖19A所示，在像素區(qū)域204R中，與上述像素區(qū)域204G同樣，TFT－PIX和像素電極17在接觸部CH1連接。另外，由源極配線層15形成TFT－B的源極－漏極端子15sd(包含15sd1、15sd2)。由柵極配線層13形成TFT－B的柵極端子13g以及GL(n－2)的柵極線13G和配線13N。

B1側(cè)的漏極端子15sd1以與GL(n－2)的柵極線13G及配線13N交叉的方式形成。在接觸部CH3和CH4，與上述接觸部CH2同樣，在柵極絕緣膜21中形成有用于連接?xùn)艠O配線層13和源極配線層15的接觸孔H2。

漏極端子15sd1在接觸部CH3與GL(n－2)的柵極線13G連接，在接觸部CH4與柵極端子13g連接。另外，B2側(cè)的源極端子15sd2在接觸部CH2與配線13N連接。由此，TFT－B與netA連接，經(jīng)由GL(n－2)的柵極線13G接收置位信號(S)。

(TFT－C)

接著，說明TFT－C的連接方法。圖19B是將圖16B所示的像素區(qū)域205R放大的俯視圖。在圖19B中省略了遮光區(qū)域BM的圖示。如圖19B所示，在像素區(qū)域205R中，與上述像素區(qū)域204G和204B同樣，TFT－PIX和像素電極17在接觸部CH1連接。另外，由柵極配線層13形成TFT－C的柵極端子13g以及柵極線13G和配線13N(13Na、13Nb)。由源極配線層15形成TFT－C的源極－漏極端子15sd(包含15sd1、15sd2)和配線15L1。在接觸部CH2，C1側(cè)的漏極端子15sd1和配線13Na連接。TFT－C通過配線13Na與netA連接，通過配線13Nb與netB連接。另外，TFT－C經(jīng)由配線15L1被供應(yīng)電源電壓信號(VSS)。

(TFT－F)

接著，說明TFT－F的連接方法。圖19C是將圖16A所示的像素區(qū)域203R放大的俯視圖。在圖19C中省略了遮光區(qū)域BM的圖示。如圖19C所示，在像素區(qū)域203R中，與像素區(qū)域204G和204B同樣，TFT－PIX和像素電極17在接觸部CH1連接。另外，由柵極配線層13形成TFT－F的柵極端子13g以及柵極線13G和配線13N。由源極配線層15形成TFT－F的源極端子15s以及漏極端子15d和配線15L1。

在接觸部CH5，與上述接觸部CH2同樣，形成有連接?xùn)艠O配線層13和源極配線層15的接觸孔H2。在接觸部CH5，TFT－F的源極端子15s和GL(n－1)的柵極線13G連接，TFT－F的柵極端子與netA連接。TFT－F的漏極端子15d經(jīng)由配線15L1被供應(yīng)時鐘信號(CKA)。另外，TFT－F經(jīng)由接觸部CH5將掃描信號輸出給GL(n－1)的柵極線13G。

(TFT－G)

接著，說明TFT－G的連接方法。圖19D是將圖16C所示的像素區(qū)域205B放大的俯視圖。在圖19D中省略了遮光區(qū)域BM的圖示。如圖19D所示，在像素區(qū)域205B中，與像素區(qū)域204G和204B同樣，TFT－PIX和像素電極17在接觸部CH1連接。另外，由柵極配線層13形成TFT－G的柵極端子13g以及柵極線13G和配線13N。由源極配線層15形成TFT－G的源極－漏極端子15sd(包含15sd1、15sd2)和配線15L1。在接觸部CH2，TFT－G的G2側(cè)的源極端子15sd2與配線13N連接。另外，TFT－G的柵極端子13g在接觸部CH4與G1側(cè)的漏極端子15sd1和配線15L1連接。由此，TFT－G與netB連接，經(jīng)由配線15L1被供應(yīng)時鐘信號(CKB)。

(Cbst)

接著，說明電容Cbst的連接方法。圖19E是將圖16B所示的像素區(qū)域203B放大的俯視圖。在圖19E中省略了遮光區(qū)域BM的圖示。在像素區(qū)域203B中，與上述像素區(qū)域204G和204B同樣，TFT－PIX和像素電極17在接觸部CH1連接。另外，由柵極配線層13形成構(gòu)成電容Cbst的一個電極13c以及柵極線13G和配線13N。由源極配線層15形成電容Cbst的另一個電極15c、連接部15Lc以及配線15L2。如圖19E所示，連接部15Lc具有與配線13N大致相同的寬度，從電極15c延伸形成到接觸部CH2，在接觸部CH2與配線13N連接。另外，配線15L2從連接部15Lc的接觸部CH2側(cè)的端部延伸形成到接觸部CH1的附近。在本實施方式中，通過配線形成15L2，使形成電容Cbst的像素區(qū)域的開口率和其它像素區(qū)域的開口率一致。在接觸部CH2，電極15c通過連接部15Lc與配線13N連接。由此，電容Cbst與netA連接。

(TFT－D、E)

接著，說明TFT－D和TFT－E的連接方法。TFT－D和TFT－E與上述TFT－A同樣，跨相鄰的2個像素區(qū)域形成柵極端子13g，形成于其中一個像素區(qū)域的配線15L1和柵極端子13g連接。TFT－D和TFT－E的差別在于供應(yīng)給柵極端子的信號是復(fù)位信號(CLR)還是時鐘信號(CKA)，因此以下說明TFT－D的連接方法。

圖19F是將圖16A所示的像素區(qū)域201B和202R放大的俯視圖。在圖19F中省略了遮光區(qū)域BM的圖示。像素區(qū)域201B和202R與上述像素區(qū)域204G和204B同樣，通過形成源極配線層15，而形成TFT－D的源極端子15s和漏極端子15d以及配線15L1。漏極端子15d在像素區(qū)域201R中的接觸部CH5與GL(n－1)的柵極線13G連接。TFT－D經(jīng)由像素區(qū)域201B和202R中的配線15L1被供應(yīng)電源電壓信號(VSS)、時鐘信號(CKA)，并經(jīng)由接觸部CH5驅(qū)動GL(n－1)的柵極線13G，將置位信號輸出給GL(n)的柵極線13G。

以上是柵極驅(qū)動器11的構(gòu)成和各元件的連接例。此外，雖然對形成TFT－B～TFT－E、TFT－F、TFT－G、電容Cbst、TFT－D的像素區(qū)域省略了說明，但是與形成TFT－A的像素區(qū)域同樣，在這些像素區(qū)域中，在源極配線層15的上層層疊有保護膜22、23、屏蔽層16、層間絕緣膜24、像素電極17。

(柵極驅(qū)動器11的動作)

接著，參照圖15和圖20說明1個柵極驅(qū)動器11的動作。圖20是柵極驅(qū)動器11掃描柵極線13G時的時序圖。在圖20中，t3至t4的期間是選擇GL(n)的柵極線13G的期間。從顯示控制電路4供應(yīng)的相位按每一水平掃描期間反轉(zhuǎn)的時鐘信號(CKA)和時鐘信號(CKB)經(jīng)由端子116～119輸入給柵極驅(qū)動器11。另外，雖然在圖20中省略了圖示，但是在每一垂直掃描期間以一定期間為H(High：高)電平的復(fù)位信號(CLR)從顯示控制電路4經(jīng)由端子113～115輸入給柵極驅(qū)動器11。當(dāng)被輸入復(fù)位信號(CLR)時，netA、netB、柵極線13G轉(zhuǎn)變?yōu)長(Low：低)電平。

在圖20的時刻t0至t1，L電平的時鐘信號(CKA)輸入到端子116、117，H電平的時鐘信號(CKB)輸入到端子118、119。由此，TFT－G為導(dǎo)通狀態(tài)，TFT－H為截止?fàn)顟B(tài)，因此netB被充電為H電平。另外，TFT－C和TFT－D為導(dǎo)通狀態(tài)，TFT－F為截止?fàn)顟B(tài)，因此netA被充電為L電平的電源電壓(VSS)，從端子120輸出L電平的電位。

接著，當(dāng)在時刻t1，時鐘信號(CKA)變?yōu)镠電平，時鐘信號(CKB)變?yōu)長電平時，TFT－G變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，TFT－H變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，因此netB被充電為L電平。并且，TFT－C和TFT－D變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，因此netA的電位維持為L電平，從端子120輸出L電平的電位。

在時刻t2，時鐘信號(CKA)變?yōu)長電平，時鐘信號(CKB)變?yōu)镠電平，經(jīng)由GL(n－1)的柵極線13G將置位信號(S)輸入給端子111、112。由此，TFT－B變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，netA被充電為H電平。另外，TFT－J變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，TFT－G變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，TFT－H變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，因此netB為維持在L電平的狀態(tài)。TFT－C和TFT－F變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，因此netA的電位維持為不下降。在這期間，TFT－D為導(dǎo)通狀態(tài)，因此從端子120輸出L電平的電位。

當(dāng)在時刻t3，時鐘信號(CKA)變?yōu)镠電平，時鐘信號(CKB)變?yōu)長電平時，TFT－F變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，TFT－D變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。在netA和端子120之間設(shè)置有電容Cbst，因此伴隨著TFT－F的端子116的電位的上升，netA被充電到比時鐘信號(CKA)的H電平高的電位。在這期間，TFT－G和TFT－J變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，TFT－H變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，因此netB的電位維持在L電平。TFT－C變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，因此netA的電位不下降，從端子120輸出時鐘信號(CKA)的H電平的電位(選擇電壓)。由此，與端子120連接的GL(n)的柵極線13G被充電為H電平，成為被選擇的狀態(tài)。

當(dāng)在時刻t4，時鐘信號(CKA)變?yōu)長電平，時鐘信號(CKB)變?yōu)镠電平時，TFT－G變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，TFT－H變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，因此netB被充電為H電平。由此，TFT－C變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，netA被充電為L電平。在這期間，TFT－D變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，TFT－F變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，因此從端子120輸出L電平的電位(非選擇電壓)，GL(n)的柵極線13G被充電為L電平。

這樣，通過從柵極驅(qū)動器11的端子120將置位信號(S)輸出給柵極線13G，該柵極線13成為被選擇的狀態(tài)。液晶顯示裝置1利用與各柵極線13G連接的多個柵極驅(qū)動器11依次掃描柵極線13G，利用源極驅(qū)動器3向各源極線15S供應(yīng)數(shù)據(jù)信號，由此，在顯示面板2上顯示圖像。

在上述第1實施方式中，針對每個柵極線13G在顯示區(qū)域內(nèi)形成多個柵極驅(qū)動器11。每個柵極線13G被從與該柵極線13G連接的多個柵極驅(qū)動器11輸出的掃描信號依次驅(qū)動。因此，與如以往那樣將柵極驅(qū)動器設(shè)置在顯示區(qū)域的外側(cè)而從柵極線的一端輸入掃描信號的情況相比，一條柵極線上的掃描信號的鈍化降低，能高速驅(qū)動?xùn)艠O線。另外，對1條柵極線13G連接有多個柵極驅(qū)動器11，因此，即使在該柵極線13G中一部分部位發(fā)生了斷線的情況下，也能從其它部位供應(yīng)掃描信號，能維持適當(dāng)?shù)膱D像顯示。

另外，在上述第1實施方式中，如圖12和圖14等所示，對設(shè)置在顯示區(qū)域內(nèi)的柵極驅(qū)動器11供應(yīng)的時鐘信號、電源電壓信號等控制信號在顯示面板2上是從設(shè)置有源極驅(qū)動器3的1邊的邊框區(qū)域輸入的。因此，在沒有設(shè)置源極驅(qū)動器3的其它3邊的周邊區(qū)域能實現(xiàn)窄邊框化。

另外，在上述第1實施方式中，在設(shè)置在顯示區(qū)域內(nèi)的柵極驅(qū)動器11的開關(guān)元件及配線部與像素電極17之間形成有屏蔽層16，因此，柵極驅(qū)動器11和像素電極17相互不干擾，能適當(dāng)?shù)仫@示圖像。

另外，在上述第1實施方式中，如圖16B和圖19E所示，在形成構(gòu)成柵極驅(qū)動器11的電容Cbst的像素區(qū)域中，為使開口率與其它像素區(qū)域的開口率一致，而從接觸部CH2到接觸部CH1附近形成有配線15L2。由此，像素區(qū)域的開口率大致均勻，能降低顏色不均等。

在沒有設(shè)置上述柵極驅(qū)動器11的開關(guān)元件的配線的像素中，能配置傳感器引出線7。例如，配置傳感器引出線的像素能設(shè)為未形成有形成柵極驅(qū)動器的開關(guān)元件或配線的像素。能以使開口率與形成有柵極驅(qū)動器的像素相同的方式配置傳感器引出線7。通過以與時鐘配線或電源配線的配置對應(yīng)的方式配置傳感器引出線，能不降低開口率地進行傳感器用電極的配線的引繞。另外，傳感器引出線能與源極線或柵極線等、形成于有源矩陣基板20a的電極通過相同的圖案化來形成。因此，能不增加工藝工序數(shù)、層數(shù)地形成傳感器引出線。

＜實施方式3＞

上述實施方式1是在有源矩陣基板20a的像素區(qū)域配置傳感器引出線的方式。在實施方式3中，在像素區(qū)域中不僅配置傳感器引出線，還配置對傳感器用電極的驅(qū)動進行控制的傳感器驅(qū)動開關(guān)元件。傳感器驅(qū)動開關(guān)元件根據(jù)從像素區(qū)域的外側(cè)供應(yīng)的控制信號控制驅(qū)動電極的電位。此外，上述實施方式2的液晶顯示裝置1能與本實施方式3的構(gòu)成進行組合。

圖21是表示實施方式3的有源矩陣基板20a的傳感器引出配線和傳感器驅(qū)動開關(guān)元件的配置例的俯視圖。在圖21所示的例子中，沿著像素區(qū)域AA的4邊中的未設(shè)置有端子部12d的邊，形成與相對基板20b的驅(qū)動電極DL連接的密封接觸件SC。沿著未設(shè)置有該端子部12d的邊在像素區(qū)域AA的內(nèi)側(cè)設(shè)置有作為傳感器驅(qū)動開關(guān)元件的一例的最后級TFT。從端子部12d進入像素區(qū)域AA的傳感器引出線7經(jīng)由最后級TFT從未設(shè)置有端子部12d的邊向外伸出，經(jīng)由密封接觸件SC與驅(qū)動電極DL連接。

最后級TFT43是作為驅(qū)動信號施加的電壓的最后級的緩沖器。最后級TFT43預(yù)先將施加給驅(qū)動電極DL的電壓充入，按基于輸入的控制信號的定時進行放電。即，最后級TFT43能稱為向驅(qū)動電極DL施加的電壓的最后級的緩沖器。因此，與最后級TFT43連接的傳感器引出線7包含：電壓供應(yīng)線，其供應(yīng)要作為驅(qū)動信號施加的電壓；以及傳感器驅(qū)動控制線，其供應(yīng)對是否將從該電壓供應(yīng)線供應(yīng)的電壓施加給驅(qū)動電極DL進行控制的控制信號。

圖22A和圖22B是表示最后級TFT的構(gòu)成例的電路圖。圖22A是包含PMOSTFT44p和NMOSTFT44n的最后級TFT的電路圖。在圖22A中，控制信號輸入到PMOSTFT44p和NMOSTFT44n的柵極，將PMOSTFT44p的漏極和NMOSTFT44n的源極相連的節(jié)點為輸出端子。恒電壓VH輸入到PMOSTFT44p的源極，恒電壓VL輸入到NMOSTFT44n的漏極。

圖22B是僅使用NMOSTFT的最后級TFT的電路圖。漏極上被輸入恒電壓VH的NMOSTFT的源極和源極上被輸入恒電壓VL的NMOSTFT的漏極連接，該連接節(jié)點為輸出端子。這2個NMOSTFT的柵極上分別被輸入相位反轉(zhuǎn)的信號。

圖23是表示最后級TFT43的配置的另一例的圖。在圖23所示的例子中，兼作驅(qū)動電極DL的共用電極18設(shè)置于有源矩陣基板20a。最后級TFT43形成在與驅(qū)動電極DL重疊的區(qū)域。在將驅(qū)動電極DL和傳感器引出線7相連的接觸孔H4的附近形成最后級TFT43。即，最后級TFT43形成在驅(qū)動電極DL和傳感器引出線7之間。另外，針對1個驅(qū)動電極DL分散配置有多個最后級TFT43。由此，最終緩沖器和施加由最終緩沖器充電的電壓的驅(qū)動電極的距離變小。另外，能解決由于傳感器引出線7的長度的差異而驅(qū)動信號的鈍化程度不同的問題。其結(jié)果是，能提高觸摸面板的性能。另外，由于形成于邊框區(qū)域的TFT減少，因此窄邊框化是容易的。而且，

接著，說明使用了最后級TFT43的驅(qū)動電極DL的驅(qū)動例。在此，說明圖24所示的電路的最后級TFT是針對各驅(qū)動電極DL(1)、DL(2)、···DL(N)而設(shè)置的情況的例子。在圖24所示的例子中，輸入信號Xmk(N)輸入給TFT－A。TFT－A在輸入信號為高電位時，將恒電壓VH供應(yīng)給驅(qū)動電極DL(N)。與Xmk(N)相位相反的信號XmkB(N)輸入給TFT－B。TFT－B在輸入信號為高電位時將恒電壓VH供應(yīng)給驅(qū)動電極DL(N)。在此，Xmk和XmkB是高電位為VDD而低電位為VSS的信號。

在圖24所示的電路中，Xmk為高電位時，TFT－A導(dǎo)通，將電壓VH供應(yīng)給DL。此時XmkB為低電位，因此TFT－B為截止?fàn)顟B(tài)。相反地，XmkB為高電位，Xmk為低電位時，TFT－A截止，TFT－B導(dǎo)通，將VL供應(yīng)給DL。由此，驅(qū)動DL。只要Xmk、XmkB對作為緩沖器TFT的TFT－A和TFT－B的柵極電極進行充放電即可。與由Xmk信號直接驅(qū)動驅(qū)動電極DL的情況相比能降低驅(qū)動負荷。此外，優(yōu)選VDD＞VH+Vth(A)并且VSS≤VL的電位關(guān)系。在此，Vth(A)為TFT－A的閾值。

圖25是表示使驅(qū)動電極DL(1)、DL(2)、···DL(N)并列驅(qū)動的情況下的Xmk(1)～(N)、XmkB(1)～(N)的波形和驅(qū)動電極DL(1)～(N)的波形的例子的圖。圖25所示的例子是圖24所示的最后級TFT與各驅(qū)動電極DL(1)～(N)連接的情況下的動作例。

圖26是表示將最后級TFT與驅(qū)動電極DL(1)～(N)各自連接的情況下的電路構(gòu)成例的圖。在圖26所示的例子中，多個包含TFT－A和TFT－B的最后級TFT43并列連接到1個驅(qū)動電極DL。與1個驅(qū)動電極DL連接的2個TFT－A和TFT－B跨2行像素地配置。這樣，通過將多個最后級TFT43連接到1個驅(qū)動電極DL，能增大TFT－A和TFT－B的尺寸的緩沖器的尺寸。此外，在圖26中將最后級TFT43在行方向排列，但是也能將最后級TFT43在列方向排列。

＜實施方式4＞

上述實施方式3是在有源矩陣基板20a的像素區(qū)域配置最后級TFT(最終緩沖器)作為驅(qū)動電路的一部分的方式。在實施方式4中，在像素區(qū)域中不僅配置最終緩沖器，還配置基于時鐘信號對驅(qū)動信號的輸入定時進行控制的驅(qū)動電路的傳感器驅(qū)動開關(guān)元件。此外，上述實施方式2的液晶顯示裝置1能與本實施方式4的構(gòu)成進行組合。

圖27是表示實施方式3的有源矩陣基板20a的構(gòu)成例的圖。圖27所示的有源矩陣基板20a具備共用電極18。作為一例，有源矩陣基板20a能提供利用共用電極18和像素電極17(在圖27中省略)的電場驅(qū)動液晶層LC的FSS模式等橫電場模式。

有源矩陣基板20a的共用電極18兼作多個驅(qū)動電極D1～D5和檢測電極S1～S5。因此，共用電極18分割為與多個驅(qū)動電極D1～D5和檢測電極S1～S5相當(dāng)?shù)牟糠?。在多個驅(qū)動電極D1～D5中配置有構(gòu)成設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的驅(qū)動電極驅(qū)動器35a的開關(guān)元件。對1個驅(qū)動電極D1輸入相同的驅(qū)動信號。被輸入該相同的驅(qū)動信號的1個驅(qū)動電極D1還分割為多個(在本例中為6個)電極焊盤，在分割的電極焊盤間配置有檢測電極S1～S5。每個該分割的電極焊盤設(shè)置有驅(qū)動電極驅(qū)動器35a。

驅(qū)動電極驅(qū)動器35a例如包含作為將向驅(qū)動電極D1施加的電壓充入的緩沖器的TFT或電容、基于時鐘信號或來自前級的驅(qū)動電極的控制信號來控制緩沖器的電壓的充放電的定時的定時控制TFT、根據(jù)緩沖器的電壓充放電動作向后級的驅(qū)動電極輸出控制信號的后級控制TFT等開關(guān)元件。

由此，像素區(qū)域的各像素的共用電極18能作為傳感用的驅(qū)動電極(有時也稱為驅(qū)動電極或發(fā)送電極)和檢測電極(有時也稱為傳感電極或接收電極)發(fā)揮功能。作為一例，在1幀的像素中寫入顯示數(shù)據(jù)后，利用配置在圖像區(qū)域中的驅(qū)動電極驅(qū)動器35a依次掃描驅(qū)動多個驅(qū)動電極D1～D5。此時，例如，D1的區(qū)域中包含的像素的共用電極作為驅(qū)動電極D1發(fā)揮功能。在該區(qū)域內(nèi)共用電極相互連接。因此，同次對驅(qū)動電極D1所包含的多個電極焊盤輸入相同的驅(qū)動信號。

從檢測信號S1～S5輸出與輸入到驅(qū)動電極D1的驅(qū)動信號相應(yīng)的響應(yīng)信號。該響應(yīng)信號反映驅(qū)動電極D1和檢測信號S1～S5之間的靜電電容。觸摸檢測部37檢測驅(qū)動電極D1和檢測信號S 1～S5之間的靜電電容的變化。由此，帶傳感器的顯示裝置1能作為單元內(nèi)(incell)觸摸傳感器進行動作。

另外，如上述實施方式2所示，在像素區(qū)域中還能配置用于驅(qū)動液晶面板的驅(qū)動器。在將柵極驅(qū)動器和驅(qū)動電極驅(qū)動器兩者配置在像素區(qū)域中的情況下，能使配置柵極驅(qū)動器的像素和配置驅(qū)動電極驅(qū)動器的像素是不同的。例如，能在驅(qū)動電極D1～D5的區(qū)域形成驅(qū)動電極驅(qū)動器，在檢測電極S1～S5的區(qū)域形成柵極驅(qū)動器。

圖28是表示驅(qū)動電極驅(qū)動器35a的等價電路的一例的圖。如圖28所示，驅(qū)動電極驅(qū)動器35a具有包括作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT：Thin Film Transistor)的TFT－A～TFT-K和電容Cbst。在圖28中，將連接TFT－B的源極端子、TFT－A的漏極端子、TFT－C的源極端子、電容Cbst的一個電極以及TFT－F的柵極端子的配線稱為netA。另外，將連接TFT－C的柵極端子、TFT－G的源極端子、TFT－H的漏極端子、TFT－I的源極端子以及TFT－J的源極端子的配線稱為netB。另外，將連接電容Cbst的另一個電極、TFT－F的源極端子、TFT－D的漏極端子、TFT－E的漏極端子以及TFT－K的柵極端子的配線稱為SR。

復(fù)位信號(CLR)輸入到TFT－A的各柵極端子。TFT－A的漏極端子與netA連接，源極端子與電源電壓端子VSS連接。時鐘信號(CKB)輸入到TFT－B的柵極端子。TFT－B的柵極端子與漏極端子連接(二極管式連接)，源極端子與netA連接。前級的置位信號(S)輸入到TFT－B的柵極端子。

TFT－C的各柵極端子與netB連接，C1的漏極端子與netA連接，C2的源極端子與電源電壓端子VSS連接。電容Cbst的一個電極與netA連接，另一個電極與端SR連接。時鐘信號(CKB)輸入到TFT－D的柵極端子。TFT－D的漏極端子與SR連接，源極端子與電源電壓端子VSS連接。

復(fù)位信號(CLR)輸入到TFT－E的柵極端子。TDT－E的漏極端子與SR連接，源極端子與電源電壓端子VSS連接。TFT－F的柵極端子與netA連接，時鐘信號(CKA)輸入到漏極端子，源極端子與SR連接。

TFT－G的柵極端子與G1的漏極端子連接(二極管式連接)，源極端子與netB連接。時鐘信號(CKA)輸入到柵極端子。時鐘信號(CKA)輸入到TFT－H的柵極端子。TFT－H的漏極端子與netB連接，源極端子與電源電壓端子VSS連接。

復(fù)位信號(CLR)輸入到TFT－I的柵極端子。TFT－I的漏極端子與netB連接，源極端子與電源電壓端子VSS連接。前級的置位信號(S)輸入到TFT－J的柵極端子。TFT－J的漏極端子與netB連接，源極端子與電源電壓端子VSS連接。VH信號輸入到TFT－K的漏極端子。TFT－K的柵極端子與netB連接，源極端子與驅(qū)動電極DL連接。

圖29是驅(qū)動電極驅(qū)動器35a掃描驅(qū)動電極D1～D5時的時序圖。在圖29中，t3至t4的期間是驅(qū)動信號輸入到DL(n)的期間。從像素區(qū)域的外部供應(yīng)的相位按每一水平掃描期間反轉(zhuǎn)的時鐘信號(CKA)和時鐘信號(CKB)經(jīng)由TFT―D、F、G、H輸入到驅(qū)動電極驅(qū)動器35a。另外，雖然在圖29中省略了圖示，但是在每一垂直掃描期間以一定期間為H(High：高)電平的復(fù)位信號(CLR)經(jīng)由TFT－A、E、I輸入給驅(qū)動電極驅(qū)動器35a。當(dāng)被輸入復(fù)位信號(CLR)時，netA、netB、DL轉(zhuǎn)變?yōu)長(Low：低)電平。

在圖29的時刻t0至t1，L電平的時鐘信號(CKA)輸入給TFT―H、F，H電平的時鐘信號(CKB)輸入給TFT－G、D。由此，TFT－G為導(dǎo)通狀態(tài)，TFT－H為截止?fàn)顟B(tài)，因此netB被充電為H電平。另外，TFT－C和TFT－D為導(dǎo)通狀態(tài)，TFT－F為截止?fàn)顟B(tài)，因此netA被充電為L電平的電源電壓(VSS)，SR為L電平的電位。

接著，當(dāng)在時刻t1，時鐘信號(CKA)變?yōu)镠電平，時鐘信號(CKB)變?yōu)長電平時，TFT－G變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，TFT－H變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，因此netB被充電為L電平。并且，TFT－C和TFT－D變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，因此netA的電位維持為L電平，SR為L電平的電位。

在時刻t2，時鐘信號(CKA)變?yōu)長電平，時鐘信號(CKB)變?yōu)镠電平，從前級將置位信號(S)輸入到TFT－A、TFT－J。由此，TFT－B變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，netA被充電為H電平。另外，TFT－J變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，TFT－G變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，TFT－H變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，因此netB成為維持在L電平的狀態(tài)。TFT－C和TFT－F變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，因此netA的電位維持為不下降。這期間，TFT－D變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，因此SR為L電平的電位。

當(dāng)在時刻t3，時鐘信號(CKA)變?yōu)镠電平，時鐘信號(CKB)變?yōu)長電平時，TFT－F變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，TFT－D變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。在netA和SR之間設(shè)置有電容Cbst，因此伴隨著TFT－F的漏極端子的電位的上升，netA被充電到比時鐘信號(CKA)的H電平高的電位。在這期間，TFT－G和TFT－J變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，TFT－H變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，因此netB的電位維持為L電平。TFT－C為截止?fàn)顟B(tài)，因此netA的電位不下降，從端子120輸出時鐘信號(CKA)的H電平的電位(選擇電壓)。由此，SR被充電為H電平。此時，TFT－K導(dǎo)通，VH信號經(jīng)由TFT－K輸入給DL。在此，為了使TFT－K充分導(dǎo)通，優(yōu)選VDD≥VDD2+Vth。VDD是CKA、CKB、CLR的高電位，VDD2是VH的高電位，Vth是TFT－B的閾值。

當(dāng)在時刻t4，時鐘信號(CKA)變?yōu)長電平，時鐘信號(CKB)變?yōu)镠電平時，TFT－G變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，TFT－H變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，因此netB被充電為H電平。由此，TFT－C變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，netA被充電為L電平。在這期間，TFT－D變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，TFT－F變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，因此SR為L電平的電位。由此，TFT－K截止，結(jié)束向驅(qū)動電極DL供應(yīng)VH信號。

這樣，驅(qū)動電極驅(qū)動器35a依次將驅(qū)動信號供應(yīng)給多個驅(qū)動電極D1～D6，觸摸檢測部37接收與驅(qū)動信號相應(yīng)的響應(yīng)信號。

圖30是表示圖28所示的驅(qū)動電極驅(qū)動器35a在像素區(qū)域中的配置例的圖。在圖28所示的例子中，與柵極線G(n－1)～G(n+6)并行地配置有驅(qū)動電極DL(N－1)～DL(N+1)。與源極線15S并行地配置有向驅(qū)動電極驅(qū)動器35a供應(yīng)信號(VSS、CLR、CKA、CKB)的配線。另外，配線SR也與柵極線G并行地設(shè)置。與源極線并行的上述配線組以通過相互不同的像素列的方式配置。驅(qū)動電極DL與共用電極COM連接。TFT－A～K連接到驅(qū)動電極DL或配線SR。圖30中的A～K與圖28的TFT－A～K對應(yīng)。TFT－A～K分別配置在不同的像素。由此，能將TFT和配線分散地配置在像素區(qū)域內(nèi)。能防止配線和TFT集中在特定的像素中，能使整個像素區(qū)域的透射率的分布均勻。

此外，在圖30所示的例子中，輸入給向D(N)輸出驅(qū)動信號的驅(qū)動電極驅(qū)動器的時鐘信號與輸入給向下級的D(N+1)輸出驅(qū)動信號的驅(qū)動電極驅(qū)動器的時鐘信號為相反相位。具體地說配置為，供應(yīng)給D(N)的驅(qū)動電極驅(qū)動器中的TFT－D、TFT－F、TFT－H以及TFT－G各自的時鐘信號與供應(yīng)給相鄰的D(N+1)的驅(qū)動電極驅(qū)動器的這些TFT各自的時鐘信號為相反相位。

另外，如上所述，能在像素區(qū)域中配置驅(qū)動電極驅(qū)動器35a和柵極驅(qū)動器11這兩者。在該情況下，驅(qū)動電極驅(qū)動器35a的配線和TFT能配置在未設(shè)置有柵極驅(qū)動器11的配線和TFT的像素中。由此，能使像素區(qū)域的開口率的分布接近均勻。例如，為了使開口率均勻化，能將設(shè)置在未配置有柵極驅(qū)動器11的像素中的虛設(shè)配線用作驅(qū)動電極驅(qū)動器35a的配線。另外，能將配線的至少一部分由驅(qū)動電極驅(qū)動器35a和柵極驅(qū)動器11共有。

作為一例，能將柵極驅(qū)動器11的TFT和配線配置在未設(shè)置有驅(qū)動電極驅(qū)動器35a的TFT和配線的像素列中。例如，在圖30所示的構(gòu)成的情況下，能將柵極驅(qū)動器11的TFT和配線設(shè)置在比設(shè)置有驅(qū)動電極驅(qū)動器的TFT和配線的像素列的外側(cè)的像素列GR1靠左的像素列(在圖30中未圖示)中。

這樣，不限于按每列劃分柵極驅(qū)動器11的區(qū)域和驅(qū)動電極驅(qū)動器35a的區(qū)域的情況，也能按每行劃分柵極驅(qū)動器11的區(qū)域和驅(qū)動電極驅(qū)動器35a的區(qū)域。例如，不設(shè)置與圖30所示的源極線15S－0對應(yīng)的驅(qū)動電極驅(qū)動器的配線。這樣，能沿著未設(shè)置有驅(qū)動電極驅(qū)動器配線的像素列的源極線15－0配置柵極驅(qū)動器11用的配線。在該情況下，能在未設(shè)置有驅(qū)動電極驅(qū)動器的TFT的行配置柵極驅(qū)動器11用的TFT。

而且，用于控制驅(qū)動電極驅(qū)動器的配線的至少一部分能兼作用于控制柵極驅(qū)動器11的配線。圖31是將驅(qū)動電極驅(qū)動器的配線和柵極驅(qū)動器11的配線設(shè)為共有的情況下的構(gòu)成例。在圖31所示的例子中，在由配置D(N)的驅(qū)動電極驅(qū)動器的TFT的行和配置D(N+1)的驅(qū)動電極驅(qū)動器的TFT的行夾著的行設(shè)置柵極驅(qū)動器11的TFT。在圖31中，TFT的A～J分別與圖15所示的TFT－A～TFT－J對應(yīng)。在該例子中，將供應(yīng)電源電壓(VSS)的線以及供應(yīng)時鐘信號(CKA、CKB)的線和供應(yīng)復(fù)位信號(CLR)的線由柵極驅(qū)動器11和驅(qū)動電極驅(qū)動器共有。該方式是一例，也能將這些線中的至少1種線由柵極驅(qū)動器11和驅(qū)動電極驅(qū)動器共有。在圖31所示的構(gòu)成的情況下，例如，柵極驅(qū)動器和驅(qū)動電極驅(qū)動器能分時地進行動作。這樣，通過共有配線，能效率良好地配置配線。

此外，驅(qū)動電極驅(qū)動器35a的構(gòu)成和動作不限于上述例子。例如，如圖32所示，也可以是按每個驅(qū)動電極DL設(shè)置基于時鐘信號CLK依次將驅(qū)動信號輸入到多個驅(qū)動電極DL(1)～(N)的移位寄存器的構(gòu)成。圖32表示順次地對驅(qū)動電極DL進行驅(qū)動的順次驅(qū)動電路的一例。圖33是圖32所示的驅(qū)動電路的時序圖。

圖32的驅(qū)動電極驅(qū)動器35b具有與各驅(qū)動電極分別對應(yīng)的移位寄存器252和開關(guān)電路253。各移位寄存器252經(jīng)由開關(guān)電路253與驅(qū)動電極DL連接。供應(yīng)時鐘信號的線221連接到移位寄存器。輸入驅(qū)動信號波VH的驅(qū)動信號線222連接到開關(guān)電路253。移位寄存器252通過控制開關(guān)電路252來控制驅(qū)動信號波VH是否向驅(qū)動電極DL輸出。

驅(qū)動信號波VH能設(shè)為矩形波，即按某周期連續(xù)輸出的脈沖信號。與驅(qū)動電極DL(1)～(N)分別對應(yīng)設(shè)置的多個移位寄存器252依次按固定時間將開關(guān)電路253導(dǎo)通。由此，如圖33所示，矩形波的驅(qū)動信號依次輸出給多個驅(qū)動電極DL(1)～(N)。

圖34是表示圖32所示的移位寄存器252的構(gòu)成的圖。圖35是表示圖34所示的移位寄存器252的電路構(gòu)成例的圖。在圖34所示的例子中，多個移位寄存器252具備分別輸入相反相位的2個時鐘信號CK1、CK2的端子、輸入前級的移位寄存器的輸出信號S的端子、將輸出信號Z輸出的端子以及輸入后級的移位寄存器的輸出信號R的端子。此外，最初一級的移位寄存器代替輸入前級的輸出信號Z的端子而被輸入驅(qū)動開始信號DSP。例如，各移位寄存器252能根據(jù)前級的輸出信號S成為導(dǎo)通狀態(tài)的定時，延遲基于時鐘的這部分時間而使輸出信號Z成為導(dǎo)通狀態(tài)。而且，各移位寄存器252能在后級的輸出信號R成為導(dǎo)通狀態(tài)的定時使輸出信號Z成為截止?fàn)顟B(tài)。

在圖35所示的例子中，移位寄存器252具備：將用于使輸出信號Z成為導(dǎo)通狀態(tài)(High Level：高電平)的電壓VC充入的電容Cap；以及第1～第4開關(guān)元件(TFT－1～4)。第1開關(guān)元件TFT－1基于第1時鐘信號CK1輸出電容Cap所充入的電壓VC。第3開關(guān)元件TFT－3基于前級的輸出信號S將電壓VC充入電容Cap。第2開關(guān)元件TFT－2基于第2時鐘信號CK2使輸出信號S的電壓成為截止?fàn)顟B(tài)(Low Level：低電平)。第4開關(guān)元件TFT－4基于后級的輸出信號R重新設(shè)定電壓VC。

電容的一個電極與用于存儲電壓VC的配線P連接，另一個電極與配線Q連接。配線Q是將輸出信號輸出的線。第1開關(guān)元件TFT－1的柵極端子與配線P連接，源極端子與配線Q連接，漏極端子與第1時鐘信號CK1的輸入端子連接。第2開關(guān)元件TFT－2的柵極端子與第2時鐘信號CK2的輸入端子連接，源極電極與電源電壓VSS的供應(yīng)線連接，漏極端子與配線Q連接。

第3開關(guān)元件TFT－3的柵極端子和漏極端子連接到前級的輸出信號S的輸入端子，柵極端子與配線P連接。第4開關(guān)元件TFT－4的柵極端子與后級的輸出信號R的輸入端子連接，漏極端子與配線P連接，源極端子與電源電壓VSS的供應(yīng)線連接。

圖36是表示將具有圖32、圖34以及圖35所示的構(gòu)成的驅(qū)動電極驅(qū)動器35b配置在像素區(qū)域中的情況下的電路構(gòu)成例的圖。在圖36中，對TFT－1、TFT－2、TFT－3以及TFT－4分別標(biāo)注附圖標(biāo)記1、2、3、4。在圖36所示的例子中，供應(yīng)電源電壓VSS的線、供應(yīng)第1時鐘信號CK1的線、供應(yīng)第2時鐘信號CK2的線以及供應(yīng)驅(qū)動信號波VH的線是與源極線15S并行地設(shè)置的。它們是與設(shè)置于像素區(qū)域的驅(qū)動電極驅(qū)動器35b連接的線。第n級的移位寄存器252(n)和第n+1級的移位寄存器252(n+1)設(shè)置在不同的行的像素。各級的移位寄存器252的TFT－1～TFT－4與圖35所示的電路構(gòu)成同樣，與供應(yīng)VSS、CK1、CK2的各信號的線以及配線P、Q連接。

另外，開關(guān)電路253的柵極端子與移位寄存器252的配線Q連接，漏極端子與供應(yīng)驅(qū)動信號波的線連接，源極端子與驅(qū)動電極DL連接。另外，第n級的移位寄存器252(n)的配線Q連接到第n+1級的移位寄存器252(n+1)的TFT－3的柵極端子和漏極端子。第n+1級的移位寄存器252(n+1)的配線Q連接到第n級的移位寄存器252(n)的TFT－4的柵極端子。

圖37是表示圖32～圖36所示的驅(qū)動電極驅(qū)動器36b的動作例的圖。圖37表示從與驅(qū)動開始信號DSP、第1時鐘信號CK1、第2時鐘信號CK2以及驅(qū)動電極DL(1)、DL(2)、…、DL(N)分別對應(yīng)的移位寄存器252輸出的信號Z的一例。

在圖37所示的例子中，掃描驅(qū)動電極DL(1)～驅(qū)動電極DL(N)的時間即垂直掃描時間為T1的期間和垂直掃描時間為T2的期間交替設(shè)置。垂直掃描時間為T1的期間的時鐘信號CK1、CK2的周期t1和垂直掃描時間為T2的期間的時鐘信號CK1、CK2的周期t2不同。這樣，能將垂直掃描時間不同的多個期間在時間軸上排列。由此，能分時地執(zhí)行垂直掃描時間相互不同的多個動作。例如，能進行根據(jù)噪聲環(huán)境切換驅(qū)動信號的周期的動作?；蛘?，在將向驅(qū)動電極驅(qū)動器35供應(yīng)時鐘信號的線兼作供應(yīng)柵極驅(qū)動器的時鐘信號的線的情況下，能分別分時地進行驅(qū)動電極驅(qū)動器35的動作和柵極驅(qū)動器的動作。

圖38是表示圖35所示的構(gòu)成的移位寄存器252的動作例的圖。在圖38中，表示在圖37中移位寄存器252的輸出信號Z為導(dǎo)通狀態(tài)的期間及其前后的期間的信號。

在圖38所示的例子中，在前級的輸出信號S從截止?fàn)顟B(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)的時點ta，輸出信號S會導(dǎo)致配線P的電壓VC發(fā)生變化。此時，第1時鐘信號CK1為低電位，第2時鐘信號CK2為高電位，因此TFT－1截止，TFT－2導(dǎo)通。因此，配線Q的電壓即輸出信號Z的電壓變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)(低電平)。之后，在第2時鐘信號CK2變?yōu)榈碗娖?，?時鐘信號CK1變?yōu)楦唠娖降臅r點tb，電壓VC提升而TFT－1導(dǎo)通。其結(jié)果是，輸出信號Z(DL)從截止?fàn)顟B(tài)(低電平)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)(高電平)。在第1時鐘CK1為高電平的期間tc，保持輸出信號的導(dǎo)通狀態(tài)。在后級的輸出信號R變化為導(dǎo)通狀態(tài)的時點td，TFT－4導(dǎo)通，配線P的電壓為VSS。其結(jié)果是，輸出信號Z從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。

以上，示出了驅(qū)動電極驅(qū)動器中使用移位寄存器的構(gòu)成和動作的例子。驅(qū)動電極驅(qū)動器的驅(qū)動方式不限于該例子。例如，驅(qū)動方式不限于順次驅(qū)動，能進行并列驅(qū)動。圖39是表示能進行并列驅(qū)動的驅(qū)動電極驅(qū)動器35c的構(gòu)成例的圖。圖40是圖39所示的并列驅(qū)動電路的時序圖。

圖39的驅(qū)動電極驅(qū)動器35c具有與各驅(qū)動電極分別對應(yīng)的移位寄存器255和開關(guān)電路256。各移位寄存器255經(jīng)由開關(guān)電路256與驅(qū)動電極DL連接。供應(yīng)時鐘信號CK的線227和供應(yīng)經(jīng)過編碼的模式的信號Xmk的線228連接到移位寄存器255。輸入驅(qū)動信號的高電平電壓VH和低電平電壓VL的驅(qū)動信號線229連接到開關(guān)電路256。移位寄存器255基于時鐘信號CK和經(jīng)過編碼的模式的信號Xmk控制開關(guān)電路256，由此，使用VH和VL生成具有經(jīng)過編碼的模式的施加電壓，并將其輸出給各驅(qū)動電極DL。具有該經(jīng)過編碼的模式的施加電壓同時(并列地)施加給多個驅(qū)動電極DL。作為信號Xmk輸入的經(jīng)過編碼的模式例如能為M序列或阿達瑪碼。

圖41是表示使用了移位寄存器255的并列驅(qū)動的驅(qū)動電路的另一構(gòu)成例的圖。圖42是表示圖41所示的移位寄存器255的電路構(gòu)成例的圖。在圖41所示的例子中，相互連接的多個移位寄存器中的連續(xù)的2個移位寄存器用于向1個驅(qū)動電極DL供應(yīng)驅(qū)動信號。即，對各驅(qū)動電極DL設(shè)置2級的移位寄存器的組。2級的移位寄存器中的一方輸出信號Z向驅(qū)動電極DL輸出。由此，能將相同電平的信號同時輸出給連續(xù)的2個驅(qū)動電極DL(n)、DL(n+1)。例如，能對1個驅(qū)動DL(n)及其后級的驅(qū)動電極DL(n+1)這兩者同時輸入高電平的信號(表示“1”的信號)或低電平的信號(表示“0”的信號)。因此，能將基于所輸入的信號Xmk的模式的信號同時輸出給多個驅(qū)動電極DL(1)～(N)。

各移位寄存器255具備分別輸入相反相位的2個時鐘信號CK1、CK2的端子、輸入前級的移位寄存器的輸出信號S的端子、將輸出信號Z輸出的端子以及輸入后級的移位寄存器的輸出信號R的端子。此外，最初一級的移位寄存器代替輸入前級的輸出信號Z的端子而被輸入經(jīng)過編碼的模式的信號Xmk。

在圖42所示的例子中，移位寄存器252具備：將用于使輸出信號Z成為導(dǎo)通狀態(tài)的電壓VC充入的電容Cap；以及第1～第4開關(guān)元件(TFT－1～4)。第1開關(guān)元件TFT－1基于第1時鐘信號CK1輸出電容Cap所充入的電壓VC。第3開關(guān)元件TFT－3基于前級的輸出信號S將電壓VC充入電容Cap。第2開關(guān)元件TFT－2基于第2時鐘信號CK2使輸出信號S的電壓成為截止?fàn)顟B(tài)(規(guī)定電壓)。第4開關(guān)元件TFT－4基于后級的輸出信號R重新設(shè)定電壓VC。

電容的一個電極與用于存儲電壓VC的配線P連接，另一個電極與配線Q連接。配線Q是將輸出信號輸出的線。第1開關(guān)元件TFT－1的柵極端子與配線P連接，源極端子與配線Q連接，漏極端子與第1時鐘信號CK1的輸入端子連接。第2開關(guān)元件TFT－2的柵極端子與第2時鐘信號CK2的輸入端子連接，源極電極與電源電壓VSS的供應(yīng)線連接，漏極端子與配線Q連接。

第3開關(guān)元件TFT－3的柵極端子和漏極端子連接到前級的輸出信號S的輸入端子，柵極端子與配線P連接。第4開關(guān)元件TFT－4的柵極端子與后級的輸出信號R的輸入端子連接，漏極端子與配線P連接，源極端子與電源電壓VSS的供應(yīng)線連接。

圖43是表示將具有圖41和圖42所示的構(gòu)成的驅(qū)動電極驅(qū)動器35c配置在像素區(qū)域的情況下的電路構(gòu)成例的圖。在圖43中，對TFT－1、TFT－2、TFT－3以及TFT－4分別標(biāo)注附圖標(biāo)記1、2、3、4。在圖43所示的例子中，供應(yīng)電源電壓VSS的線、供應(yīng)第1時鐘信號CK1的線以及供應(yīng)第2時鐘信號CK2的線是與源極線15S并行地設(shè)置的。它們是與設(shè)置于像素區(qū)域的驅(qū)動電極驅(qū)動器35c連接的線。與第n個驅(qū)動電極DL(n)對應(yīng)的第1移位寄存器255－1(n)和與第n個驅(qū)動電極DL(n)對應(yīng)的第2移位寄存器255－2(n)設(shè)置在不同行的像素中。在第1移位寄存器255－1和第2移位寄存器255－2各自中，TFT－1～TFT－4與圖42所示的電路構(gòu)成同樣，與供應(yīng)VSS、CK1、CK2的各信號的線及配線P、Q連接。

與第n個驅(qū)動電極DL(n)對應(yīng)的第1移位寄存器255－1(n)的配線Q連接到驅(qū)動電極DL(n)。該配線Q還連接到與第n－1個驅(qū)動電極DL(n)對應(yīng)的第1移位寄存器255－1(n－1)的TFT－4的柵極端子以及與第n個驅(qū)動電極DL(n)對應(yīng)的第2移位寄存器252－2(n)的TFT－3的柵極端子和漏極端子。

另外，與第n個驅(qū)動電極DL(n)對應(yīng)的第2移位寄存器255－2(n)的配線Q連接到第n+1個驅(qū)動電極DL(n+1)的第1移位寄存器255－1(n+1)的TFT－3的柵極端子和漏極端子。該第2移位寄存器255－2(n)的配線Q還連接到與第n個驅(qū)動電極DL(n)對應(yīng)的第1移位寄存器的TFT―4的柵極電極。另外，第n+1級的第1移位寄存器252(n+1)的配線Q與第n級的第2移位寄存器252(n)的TFT－4的柵極端子連接。

即，輸出各級的第1移位寄存器的輸出信號的配線Q不僅連接到前級的移位寄存器的TFT－4的柵極端子和后級的移位寄存器的柵極端子，還連接到驅(qū)動電極DL。而另一方面，各級的第2移位寄存器的輸出信號連接到前級的移位寄存器的TFT－4的柵極端子和后級的移位寄存器的柵極端子，不輸出給驅(qū)動電極DL。

通過將上述順次驅(qū)動或并列驅(qū)動的移位寄存器用于驅(qū)動電極驅(qū)動器，能抑制面板的大畫面化、由高清晰化引起的邊框區(qū)域的配線條數(shù)的增加。其結(jié)果是，能減小邊框?qū)挾?。另外，能靠近?qū)動電極DL地配置驅(qū)動電極驅(qū)動器，因此還能抑制由驅(qū)動電極DL和驅(qū)動電極驅(qū)動器之間的配線電阻引起的傳感器性能的降低。

(實施方式的效果)

根據(jù)上述實施方式1～4，能在像素區(qū)域配置與傳感器用電極連接的線引出線。因此，能減少配置在像素區(qū)域的外側(cè)的邊框區(qū)域的配線。另外，通過在像素區(qū)域中與傳感器用電極重疊的位置設(shè)置傳感器引出配線或傳感器驅(qū)動開關(guān)元件，能對傳感器用電極的低電阻化有貢獻。由此，能實現(xiàn)觸摸面板性能的提高。而且，在傳感器用電極兼作共用電極的情況下，能通過共用電極的低電阻化實現(xiàn)顯示性能的提高。另外，通過將驅(qū)動電路的一部分配置在像素區(qū)域，驅(qū)動電路的設(shè)計的自由度提高，因此不規(guī)則面板的設(shè)計和制造是容易的。另外，通過將柵極驅(qū)動器和傳感器用電極的驅(qū)動驅(qū)動器配置在像素區(qū)域，像素的開口率的均勻化變得容易。

在上述實施方式1～4中，設(shè)置于像素區(qū)域的驅(qū)動電極驅(qū)動器的開關(guān)元件能使用氧化物半導(dǎo)體。氧化物半導(dǎo)體例如能設(shè)為InGaZnO系氧化物半導(dǎo)體。由此，能大幅降低由漏電流引起的功耗。另外，通過由InGaZnO系氧化物半導(dǎo)體形成TFT，能減小TFT本身的面積。因此，能抑制由將驅(qū)動電極驅(qū)動器用的TFT設(shè)置在像素區(qū)域而引起的開口率的降低。其結(jié)果是，能將像素區(qū)域內(nèi)的驅(qū)動電極驅(qū)動器用對顯示質(zhì)量的影響抑制在容許范圍內(nèi)。另外，通過使用InGaZnO系氧化物半導(dǎo)體，與非晶Si、多晶Si等Si系相比，能將高電壓用于驅(qū)動器電路。因此，能將液晶顯示裝置(LCD)用的高電壓用于觸摸面板。其結(jié)果是，能不增加成本地增加信號，提高觸摸面板的性能。

此外，本發(fā)明不限于上述實施方式。例如，雖然上述實施方式是在有源矩陣基板20a和相對基板20b的液晶層LC側(cè)具有承擔(dān)觸摸面板功能的層的單元內(nèi)(incell)型的帶傳感器的顯示裝置的例子，但是例如在設(shè)置于相對基板的觀察者側(cè)的偏振板和相對基板之間設(shè)置承擔(dān)觸摸面板功能的層的單元上(oncell)型的帶傳感器的顯示裝置也包含在本發(fā)明的實施方式中。另外，在設(shè)置于相對基板的觀察者側(cè)的偏振板的進一步觀察者側(cè)配置觸摸面板的外置型的觸摸面板也包含在本發(fā)明的實施方式中。

在上述例子中，說明了在有源矩陣基板的源極層或柵極層配置傳感器引出線或傳感器驅(qū)動開關(guān)元件的例子，但是它們也可以設(shè)置在有源矩陣基板以外的層。例如，在外置型觸摸面板中，也能在相對基板和觸摸面板之間的層配置上述實施方式的構(gòu)成的傳感器引出配線。

另外，上述實施方式是互電容方式的觸摸面板的動作例，但是觸摸面板也可以是自電容方式。另外，觸摸面板不限于靜電電容方式。例如，即使是電阻膜方式等其它檢測方式，也能將本發(fā)明應(yīng)用于具有用于檢測對象物的接觸或接近的電極的觸摸面板。

附圖標(biāo)記說明

1 帶傳感器的顯示裝置

2 顯示面板

7 傳感器引出配線

13 柵極線

15 源極線

17 像素電極

18 共用電極

20a 有源矩陣基板

20b 相對基板

DL 驅(qū)動電極

SE 檢測電極。