陣列基板及其制造方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板和呈矩陣排列的多個像素單元，每個所述像素單元內(nèi)均設(shè)置有第一電極和與所述第一電極互相絕緣的第二電極，所述第一電極包括多個第一電極條，其中，所述第二電極包括水平電場產(chǎn)生部，所述水平電場產(chǎn)生部的上表面與所述第一電極條的上表面平齊，所述第一電極條和所述水平電場產(chǎn)生部在襯底基板上的正投影相交替。本發(fā)明還提供一種顯示裝置和一種陣列基板的制造方法。利用本發(fā)明所提供的陣列基板進(jìn)行顯示可以在不損失像素區(qū)整體透過率的前提下，降低每個像素單元的存儲電容和驅(qū)動電壓，提高了顯示區(qū)透過率的均一性。
【專利說明】陣列基板及其制造方法和顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置領(lǐng)域，具體地，涉及一種陣列基板、該陣列基板的制造方法和包括該陣列基板的顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]圖1中所示的是用FFS模式的液晶顯示面板的示意圖。如圖中所示，在所述液晶顯示面板的陣列基板上設(shè)置有像素電極4和板狀的公共電極2。利用像素電極4和板狀的公共電極2之間形成的邊緣電場的水平分量驅(qū)動液晶分子旋轉(zhuǎn)。
[0003]由于公共電極2位于像素電極4的下方，因此，在圖1中所示的液晶顯示面板具有較大的豎直電場，而水平電場相對較小。
[0004]如何增加FFS模式的液晶顯示面板在進(jìn)行顯示時的水平電場成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板、一種包括該陣列基板的顯示裝置和所述陣列基板的制造方法。包括所述陣列基板的顯示裝置在進(jìn)行顯示時可以產(chǎn)生較強的水平電場。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的一個方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板和呈矩陣排列的多個像素單元，每個所述像素單元內(nèi)均設(shè)置有第一電極和與所述第一電極互相絕緣的第二電極，所述第一電極包括多個第一電極條，所述第二電極包括水平電場產(chǎn)生部，所述水平電場產(chǎn)生部的上表面與所述第一電極條的上表面平齊，所述第一電極條和所述水平電場產(chǎn)生部在所述襯底基板上的正投影相交替。
[0007]優(yōu)選地，所述陣列基板包括絕緣條和絕緣層，所述絕緣條設(shè)置在所述水平電場產(chǎn)生部下方，以使得所述水平電場產(chǎn)生部與所述第一電極條平齊，所述絕緣層覆蓋所述第二電極所在的層，所述第一電極形成在所述絕緣層上。
[0008]優(yōu)選地，所述第二電極還包括連接在相鄰兩個所述水平電場產(chǎn)生部之間的連接部，所述第一電極位于所述連接部上方，且所述連接部和所述水平電場產(chǎn)生部在所述陣列基板的襯底基板上共同形成的投影為矩形。
[0009]優(yōu)選地，所述第二電極還包括連接在相鄰兩個所述水平電場產(chǎn)生部的端部之間的連接部。
[0010]優(yōu)選地，所述第一電極為像素電極，所述第二電極形公共電極。
[0011]作為本發(fā)明的另一個方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。
[0012]作為本發(fā)明的還一個方面，提供一種陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括襯底基板和呈矩陣排列的多個像素單元，其中，所述陣列基板的制造方法包括:
[0013]形成包括第二電極的圖形，其中所述第二電極包括水平電場產(chǎn)生部；
[0014]形成包括第一電極的圖形，所述第一電極與所述第二電極互相絕緣，所述第一電極包括多個第一電極條，且所述第一電極條的上表面與所述水平電場產(chǎn)生部的上表面平齊，所述第一電極條與所述水平電場產(chǎn)生部在所述襯底基板上的正投影相交替。
[0015]優(yōu)選地，所述制造方法還包括在形成所述第二電極之前進(jìn)行的:形成包括絕緣條的圖形，所述絕緣條的位置對應(yīng)于所述水平電場產(chǎn)生部；
[0016]所述制造方法還包括在形成所述第二電極之后進(jìn)行的:
[0017]形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋包括所述第二電極的襯底基板。
[0018]優(yōu)選地，形成所述第二電極的步驟還包括形成連接在相鄰兩個所述水平電場產(chǎn)生部之間的連接部，所述第一電極位于所述連接部上方，且所述連接部和所述水平電場產(chǎn)生部在所述襯底基板上共同形成的正投影為矩形。
[0019]優(yōu)選地，形成所述第二電極的步驟還包括形成連接在相鄰兩個所述水平電場的端部之間的連接部。
[0020]由于第一電極條的上表面和水平電場產(chǎn)生部的上表面平齊，因此，當(dāng)包括所述陣列基板的顯示裝置通電顯示時，第一電極條和水平電場產(chǎn)生部之間形成的電場的水平分量較大，豎直分量較小。進(jìn)一步可知，當(dāng)包括所述陣列基板的顯示裝置在通電顯示時，所述第一電極和所述第二電極之間的存儲電容較小，從而縮短了對存儲電容進(jìn)行充電所需要的時間。由于第一電極條和水平電場產(chǎn)生部之間形成的電場的水平分量較大，因此，提供較小的驅(qū)動電壓即可驅(qū)動液晶分子旋轉(zhuǎn)。
[0021]綜上所述，利用本發(fā)明所提供的陣列基板進(jìn)行顯示可以在不損失像素區(qū)整體透過率的前提下，降低每個像素單元的存儲電容和驅(qū)動電壓，提高了顯示區(qū)透過率的均一性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]附圖是用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0023]圖1是現(xiàn)有的液晶顯不面板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0024]圖2是本發(fā)明所提供的陣列基板的第一種實施方式的示意圖；
[0025]圖3是圖2中所示的陣列基板中的第二電極俯視圖；
[0026]圖4是本發(fā)明所提供的陣列基板的第二種實施方式的示意圖；
[0027]圖5是圖4中所示的陣列基板中的第二電極的俯視圖；
[0028]圖6(a)至圖6(d)是制造圖2中所示的陣列基板的流程示意圖。
[0029]附圖標(biāo)記說明
[0030]10:絕緣條21:水平電場產(chǎn)生部
[0031]22:連接部30:絕緣層
[0032]40:第一電極條50:襯底基板
[0033]4:像素電極2:公共電極

【具體實施方式】
[0034]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0035]作為本發(fā)明的一個方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板和呈矩陣排列的多個像素單元，如圖2和圖4所示，每個所述像素單元中均設(shè)置有第一電極和與該第一電極互相絕緣的第二電極，所述第一電極包括多個第一電極條40，所述第二電極包括水平電場產(chǎn)生部21，該水平電場產(chǎn)生部21的上表面與第一電極條40的上表面平齊，并且第一電極條40和水平電場產(chǎn)生部21在襯底基板50上的正投影相交替。
[0036]需要指出的是，此處的所用到的方位詞“上”是指圖2和圖4中的“上”方。所謂的“水平電場產(chǎn)生部21的上表面與第一電極條40的上表面平齊”是指，水平電場產(chǎn)生部21的上表面與第一電極條40的上表面位于同一平面上。此處所用到的“水平”是指圖2和圖4中的左右方向，此處所用到的“豎直”是指圖2和圖4中的上下方向。
[0037]當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，此處的“平齊”并非是指嚴(yán)格的位于同一水平面上，而是大致在同一水平面上即可。即，水平電場產(chǎn)生部21的上表面高度與第一電極條40的上表面的高度之間的差值在工業(yè)生產(chǎn)可實現(xiàn)的范圍內(nèi)盡量的小。
[0038]本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是，第一電極和第二電極中的一者為像素電極，另一者為公共電極。在本發(fā)明的【具體實施方式】中，第一電極為像素電極，第二電極為公共電極。
[0039]由于第一電極條40的上表面和水平電場產(chǎn)生部21的上表面平齊，因此，當(dāng)包括所述陣列基板的顯示裝置通電顯示時，第一電極條40和水平電場產(chǎn)生部21之間形成的電場的水平分量較大，豎直分量較小。進(jìn)一步可知，當(dāng)包括所述陣列基板的顯示裝置在通電顯示時，所述第一電極和所述第二電極之間的存儲電容較小，從而縮短了對存儲電容進(jìn)行充電所需要的時間。由于第一電極條40和水平電場產(chǎn)生部21之間形成的電場的水平分量較大，因此，提供較小的驅(qū)動電壓Vop即可驅(qū)動液晶分子旋轉(zhuǎn)。
[0040]綜上所述，利用本發(fā)明所提供的陣列基板進(jìn)行顯示可以在不損失像素區(qū)整體透過率的前提下，降低每個像素單元的存儲電容和驅(qū)動電壓Vopο并且，在本發(fā)明中，每個像素單元內(nèi)的第一電極和第二電極均具有上文中所描述的結(jié)構(gòu)，而第一電極條40和水平電場產(chǎn)生部21之間形成的電場的水平分量較大，以至于每個像素單元內(nèi)產(chǎn)生的電場的水平分量均較大，所以，每個像素單元中產(chǎn)生的電場對液晶分子的驅(qū)動力也相應(yīng)較大，可以使得每個像素單元對應(yīng)的液晶分子都可靠地偏轉(zhuǎn)，從而提高了顯示區(qū)透過率的均一性。
[0041]在本發(fā)明中，對如何使得水平電場產(chǎn)生部21的上表面與第一電極條40的上表面平齊并沒有特殊的限制。例如，可以增加水平電場產(chǎn)生部21的厚度，以使得該水平電場產(chǎn)生部21的上表面與第一電極條40的上表面平齊。
[0042]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式，所述陣列基板可以包括絕緣條10和絕緣層30，絕緣條10設(shè)置在水平電場產(chǎn)生部21下方，以所述水平電場產(chǎn)生部21的上表面與第一電極條40的上表面平齊，絕緣層30覆蓋所述第二電極所在的層，所述第一電極形成在絕緣層30上。
[0043]在形成所述陣列基板時，先形成所述第二電極再形成所述第一電極。因此，在形成第二電極之前，在水平電場產(chǎn)生部21對應(yīng)的位置形成絕緣條10可以升高水平電場產(chǎn)生部21的高度，并最終使得形成第一電極條40之后，水平電場產(chǎn)生部21的上表面與第一電極條40的上表面平齊。
[0044]絕緣層30的作用在于將所述第二電極與所述第一電極絕緣隔開。在下文中將對絕緣條10、絕緣層30、第二像素電極和第一像素電極的形成順序進(jìn)行詳細(xì)的描述，這里先不贅述。
[0045]作為本發(fā)明的第一種【具體實施方式】，所述第二電極具有圖2和圖3中所示的結(jié)構(gòu)。如圖3中所示，所述第二電極還包括連接部22，該連接部22連接相鄰兩個水平電場產(chǎn)生部21的端部。
[0046]作為本發(fā)明的第二種【具體實施方式】，如圖4中所示，所述第二電極還包括連接在相鄰兩個水平電場產(chǎn)生部21之間的連接部22，第一電極40位于連接部22上方。此處用到的方位詞“上方”是指圖4中的“上”方。在這種實施方式中，水平電場產(chǎn)生部21和連接部22在襯底基板50所在的平面上共同形成的正投影為矩形區(qū)域，如圖5所示。
[0047]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，所述第一電極和所述第二電極中的一者為像素電極，另一者為公共電極。作為本發(fā)明的【具體實施方式】，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。
[0048]本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)理解的是，為了實現(xiàn)正常的顯示，所述陣列基板包括柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管等結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)的設(shè)置是本領(lǐng)域人員所公知的，故本發(fā)明中并未對其進(jìn)行描述。
[0049]當(dāng)所述陣列基板中的薄膜晶體管具有底柵結(jié)構(gòu)時，襯底基板50可以包括透明基板、形成在透明基板上的柵線層、形成在柵線層上方的柵絕緣層、形成在所述柵絕緣層上方的有源區(qū)層、形成在所述有源區(qū)層上的源漏電極層和形成在所述源漏電極層上方的平坦化層。絕緣條10可以形成在所述平坦化層上。
[0050]所述柵線層包括柵線、公共電極線、柵極等；所述有源區(qū)層包括多個薄膜晶體管的有源區(qū)；所述源漏電極層包括多個薄膜晶體管的源極和漏極。
[0051]為了實現(xiàn)液晶分子的初始取向，所述陣列基板上還可以形成有取向膜60，如圖2和圖3中所示。取向膜60覆蓋在形成有第一電極和第二電極的襯底基板50上。
[0052]作為本發(fā)明的另一個方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。
[0053]由于所述顯示裝置包括本發(fā)明所提供的上述陣列基板，因此，在進(jìn)行顯示時，所述顯示裝置具有較小的存儲電容，并且需要較小的操作電壓。
[0054]容易理解的是，所述顯示裝置還可以包括與所述陣列基板對盒設(shè)置的對盒基板。所述對盒基板與所示陣列基板之間填充有液晶材料。所述對盒基板可以是彩膜基板。
[0055]與圖1中所示的現(xiàn)有技術(shù)相比，在利用包括圖2中所示的陣列基板的顯示裝置進(jìn)行顯示時，存儲電容可降低79.8%，操作電壓可降低0.3V，大大降低了充電所需要的時間，并且降低了顯示裝置的總體能耗。此外，像素區(qū)最大透過率波動范圍由0.0184降低到0.0139，由此可知，像素區(qū)透過率的均一性得到了提高。在利用包括圖4中所示的陣列基板的顯示裝置進(jìn)行顯示時，存儲電容降低了 1.5%，操作電壓降低了 0.3V，也在一定程度上降低了充電所需要的時間，并且降低了顯示裝置的總體能耗。此外，像素區(qū)最大透過率波動范圍由0.0184降低到0.0146，由此可知，像素區(qū)透過率的均一性得到了提高。
[0056]本發(fā)明所提供的顯示裝置可以為手機、平板電腦、電腦顯示器、電視機、導(dǎo)航儀、電子相框等電子設(shè)備。
[0057]作為本發(fā)明的另一個方面，提供上述陣列基板的制造方法，所述陣列基板的制造方法包括:
[0058]形成包括第二電極的圖形，其中，所述第二電極包括水平電場產(chǎn)生部21(參見圖6(b))；
[0059]形成包括第一電極的圖形，所述第一電極與所述第二電極互相絕緣，所述第一電極包括多個第一電極條40，且第一電極條40的上表面與水平電場產(chǎn)生部21的上表面平齊(參見圖6(d))，第一電極條40與水平電場產(chǎn)生部21在襯底基板50上的正投影相交替。
[0060]在本發(fā)明中，對形成包括第二電極的圖形的具體方法并沒有特殊的限制。例如，可以利用傳統(tǒng)的光刻構(gòu)圖工藝形成包括水平電場產(chǎn)生部21的第二電極，也可以利用掩模蒸鍍等方法形成包括水平電場產(chǎn)生部21的第二電極。
[0061 ] 同樣地，在本發(fā)明中，對形成包括第一電極的圖形的具體方法也不做特殊限制。例如，可以利用傳統(tǒng)的光刻構(gòu)圖工藝形成包括第一電極條40的第一電極，也可以利用掩模蒸鍍等方法形成包括第一電極條40的第一電極。
[0062]為了實現(xiàn)第一電極條40的上表面與水平電場產(chǎn)生部21的上表面互相平齊，優(yōu)選地，所述制造方法還包括在形成包括第二電極的圖形之前進(jìn)行的:形成包括絕緣條10的圖形，該絕緣條10的位置對應(yīng)于水平電場產(chǎn)生部21 (參見圖6(a))。容易理解的是，絕緣條10的數(shù)量以及形狀與水平電場產(chǎn)生部21的數(shù)量和形狀均相同。
[0063]在本發(fā)明中，可以利用硅的氧化物(S1x)或硅的氮化物(SiNx)制成所述絕緣條10，也可以用有機樹脂材料制成所述絕緣條10。
[0064]在本發(fā)明中，對形成絕緣條10的具體工藝并沒有特殊的限制。例如，可以利用傳統(tǒng)的光刻工藝在襯底基板50上形成包括絕緣條10的圖形。
[0065]具體地，形成包括絕緣條的圖形的步驟可以包括:
[0066]在襯底基板的平坦化層上形成一層絕緣材料層；
[0067]在所述絕緣材料層上涂覆一層光刻膠層；
[0068]利用掩膜板對所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影；
[0069]以曝光顯影后的光刻膠層為掩膜對所述絕緣材料層進(jìn)行干刻或濕刻，以形成包括絕緣條10的圖形。
[0070]為了實現(xiàn)所述第一電極和所述第二電極之間互相絕緣，優(yōu)選地，所述制造方法還可以包括在形成所述第二電極之后進(jìn)行的:
[0071]形成絕緣層30，該絕緣層30覆蓋包括所述第二電極的襯底基板50 (如圖6 (c)所示)O
[0072]絕緣層30可以由硅的氧化物(S1x)或硅的氮化物(SiNx)制成?？梢岳谜翦兓蛘呋瘜W(xué)氣相沉積的方法在形成有第二電極的襯底基板50上形成絕緣層30。
[0073]包括第一電極條40的所述第一電極形成在絕緣層30上。
[0074]所述制造方法還包括在形成包括所述第一電極條的圖形之后進(jìn)行的:
[0075]形成取向?qū)印?br> [0076]所述取向?qū)拥淖饔檬鞘沟靡壕Х肿泳哂蓄A(yù)傾角。在本發(fā)明中，可以利用樹脂材料形成所述取向?qū)?。具體地，形成取向?qū)拥牟襟E包括:
[0077]在形成有所述第一電極的襯底基板上涂敷樹脂層；
[0078]利用摩擦法獲得所述取向?qū)印?br> [0079]作為本發(fā)明的第一種【具體實施方式】，所述第二電極具有圖2和圖3中所示的結(jié)構(gòu)。如圖3中所示，所述第二電極還包括連接部22，該連接部22連接相鄰兩個水平電場產(chǎn)生部21的端部。
[0080]作為本發(fā)明的第二種【具體實施方式】，如圖4中所示，所述第二電極還包括連接在相鄰兩個水平電場產(chǎn)生部21之間的連接部22，第一電極40位于連接部22上方。在這種實施方式中，水平電場產(chǎn)生部21和連接部22在襯底基板50上共同形成的正投影為矩形區(qū)域，如圖5所示。
[0081]形成圖3中所示的第二電極和圖5中所示的第二電極時所用到的掩膜板圖案不同。
[0082]在本發(fā)明中，利用透明電極材料(如，ITO)形成所述第一電極和所述第二電極。
[0083]如上文中所述，所述襯底基板上還包括柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的其他元件。當(dāng)所述薄膜晶體管具有底柵結(jié)構(gòu)時，所述制造方法包括在形成絕緣條的步驟之前進(jìn)行的:
[0084]在透明基板上形成柵線層；
[0085]在柵線層上形成柵絕緣層；
[0086]在柵絕緣層上形成有源層；
[0087]在有源層上方形成源漏電極層；
[0088]在源漏電極層上形成平坦化層。
[0089]所述柵線層包括柵線、公共電極線、柵極等；所述有源區(qū)層包括多個薄膜晶體管的有源區(qū)；所述源漏電極層包括多個薄膜晶體管的源極和漏極。
[0090]所述第一電極可以為像素電極，所述第二電極可以為公共電極。因此，所述第一電極可以通過過孔與所述源漏電極層中的漏極相連，所述第二電極可以通過過孔與位于所述柵線層中的公共電極線相連。
[0091]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板和呈矩陣排列多個像素單元，每個所述像素單元內(nèi)均設(shè)置有第一電極和與所述第一電極互相絕緣的第二電極，所述第一電極包括多個第一電極條，其特征在于，所述第二電極包括水平電場產(chǎn)生部，所述水平電場產(chǎn)生部的上表面與所述第一電極條的上表面平齊，所述第一電極條和所述水平電場產(chǎn)生部在所述襯底基板上的正投影相交替。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括絕緣條和絕緣層，所述絕緣條設(shè)置在所述水平電場產(chǎn)生部下方，以使得所述水平電場產(chǎn)生部與所述第一電極條平齊，所述絕緣層覆蓋所述第二電極所在的層，所述第一電極形成在所述絕緣層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極還包括連接在相鄰兩個所述水平電場產(chǎn)生部之間的連接部，所述第一電極位于所述連接部上方，且所述連接部和所述水平電場產(chǎn)生部在所述襯底基板上共同形成的正投影為矩形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極還包括連接在相鄰兩個所述水平電場產(chǎn)生部的端部之間的連接部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。
6.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求1至5中任意一項所述的陣列基板。
7.—種陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括襯底基板和呈矩陣排列的多個像素單元，其特征在于，所述陣列基板的制造方法包括: 形成包括第二電極的圖形，其中所述第二電極包括水平電場產(chǎn)生部； 形成包括第一電極的圖形，所述第一電極與所述第二電極互相絕緣，所述第一電極包括多個第一電極條，且所述第一電極條的上表面與所述水平電場產(chǎn)生部的上表面平齊，所述第一電極條與所述水平電場產(chǎn)生部在所述襯底基板上的正投影相交替。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括在形成所述第二電極之前進(jìn)行的:形成包括絕緣條的圖形，所述絕緣條的位置對應(yīng)于所述水平電場產(chǎn)生部； 所述制造方法還包括在形成所述第二電極之后進(jìn)行的: 形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋包括所述第二電極的襯底基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，形成所述第二電極的步驟還包括形成連接在相鄰兩個所述水平電場產(chǎn)生部之間的連接部，所述第一電極位于所述連接部上方，且所述連接部和所述水平電場產(chǎn)生部在所述陣列基板的襯底基板上共同形成的正投影為矩形。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，形成所述第二電極的步驟還包括形成連接在相鄰兩個所述水平電場的端部之間的連接部。
【文檔編號】G02F1/1343GK104503168SQ201510017710
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2015年1月14日 優(yōu)先權(quán)日:2015年1月14日
【發(fā)明者】劉曉那 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司