陣列基板及其檢測方法、顯示面板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其檢測方法、顯示面板和顯示裝置，所述陣列基板包括多條數(shù)據(jù)線、設(shè)置在每條所述數(shù)據(jù)線末端的短路環(huán)以及將各短路環(huán)串聯(lián)的公共導(dǎo)線，其中，所述陣列基板還包括連接在所述數(shù)據(jù)線的末端與相應(yīng)的短路環(huán)之間的開關(guān)單元，所述開關(guān)單元用于在測試階段將所述數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的所述短路環(huán)斷開。本發(fā)明能夠提高基板檢測時的檢出率和準(zhǔn)確率。
【專利說明】陣列基板及其檢測方法、顯示面板和顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板及其制作方法、一種包括所述陣列基板的顯示面板和一種包括該顯示面板的顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示器制作領(lǐng)域，在陣列基板制作完成后，需要進行基板測試(Arraytest，AT)，檢測出數(shù)據(jù)線斷開(Data Open, DO)和柵線斷開(Gate Open, GO)后進行相應(yīng)的維修，因此，在基板測試時，數(shù)據(jù)線斷開和柵線斷開的檢出率以及不良位置的準(zhǔn)確性對于后期的維修至關(guān)重要。
[0003]現(xiàn)有陣列基板的設(shè)計中，如圖1所示，一般在數(shù)據(jù)線10的末端設(shè)置與公共導(dǎo)線30相連的短路環(huán)20，短路環(huán)20可以將顯示區(qū)域內(nèi)存在的靜電的瞬間高壓導(dǎo)出至公共導(dǎo)線30，從而起到對顯示區(qū)域內(nèi)的靜電進行釋放的作用。但是，由于在多條數(shù)據(jù)線10的末端設(shè)置的短路環(huán)20與同一條公共導(dǎo)線30相連，在對多條數(shù)據(jù)線10進行測試時，會發(fā)生信號倒灌現(xiàn)象，從而影響基板測試的檢出率和準(zhǔn)確性。
[0004]所述信號倒灌現(xiàn)象的原理為:由于短路環(huán)20內(nèi)的薄膜晶體管的溝道在O伏電壓時，仍然會有載流子通過溝道，對數(shù)據(jù)線10進行測試時，第一條數(shù)據(jù)線10上加載的高電平信號通過短路環(huán)20導(dǎo)入到公共導(dǎo)線30后，會順著公共導(dǎo)線30和另一短路環(huán)20流入到第二條已斷開的數(shù)據(jù)線10上，從而在第二條數(shù)據(jù)線10上發(fā)生信號倒灌現(xiàn)象，這就使得原本已經(jīng)斷開的不應(yīng)具有高電平信號的數(shù)據(jù)線10具有高電平信號，導(dǎo)致無法測試出數(shù)據(jù)線10的斷開，從而影響基板測試的檢出率和準(zhǔn)確性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其檢測方法、顯示面板和顯示裝置，從而提高基板測試時的檢出率和準(zhǔn)確性。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括多條數(shù)據(jù)線、設(shè)置在每條所述數(shù)據(jù)線末端的短路環(huán)以及將各短路環(huán)串聯(lián)的公共導(dǎo)線，所述陣列基板還包括連接在所述數(shù)據(jù)線的末端與相應(yīng)的短路環(huán)之間的開關(guān)單元，所述開關(guān)單元用于在測試階段將所述數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的所述短路環(huán)斷開。
[0007]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括開關(guān)控制線，所述開關(guān)單元包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極與所述開關(guān)控制線相連，所述第一晶體管的第一極與所述數(shù)據(jù)線相連，所述第一晶體管的第二極與所述短路環(huán)相連。
[0008]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括與所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置的多條柵線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在不同層中，所述開關(guān)控制線與所述柵線同層設(shè)置。
[0009]優(yōu)選地，所述公共導(dǎo)線與所述柵線同層設(shè)置。
[0010]優(yōu)選地，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和環(huán)繞所述顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域，所述開關(guān)單元、所述短路環(huán)和所述公共導(dǎo)線均設(shè)置在所述非顯示區(qū)域。
[0011]優(yōu)選地，所述短路環(huán)包括:
[0012]第二晶體管，該第二晶體管的柵極和第一極均與所述數(shù)據(jù)線相連，所述第二晶體管的第二極與所述公共導(dǎo)線相連；
[0013]第三晶體管，該第三晶體管的柵極和第一極均與所述公共導(dǎo)線相連，所述第三晶體管的第二極與所述數(shù)據(jù)線相連。
[0014]相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種陣列基板的檢測方法，該陣列基板為本發(fā)明提供的上述陣列基板，所述檢測方法包括:
[0015]關(guān)斷開關(guān)單元，以將數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的短路環(huán)斷開；
[0016]向每條數(shù)據(jù)線輸入測試信號。
[0017]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括與各開關(guān)單元均相連的開關(guān)控制線，所述開關(guān)單元包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極與所述開關(guān)控制線相連，所述第一晶體管的第一極與所述數(shù)據(jù)線相連，所述第一晶體管的第二極與所述短路環(huán)相連，
[0018]所述關(guān)斷開關(guān)單元的步驟包括:向每條開關(guān)控制線輸入關(guān)斷信號。
[0019]相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種顯示面板，該顯示面板包括本發(fā)明提供的上述陣列基板。
[0020]相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明提供的上述顯示面板。
[0021]在進行基板測試(Array test)時，開關(guān)單元可以關(guān)斷，使得數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的短路環(huán)斷開，因而，相鄰的數(shù)據(jù)線并沒有通過公共導(dǎo)線和短路環(huán)間接相連。這種結(jié)構(gòu)下，即使某一條數(shù)據(jù)線發(fā)生不良(例如，數(shù)據(jù)線上存在開口而斷開)，與其相鄰數(shù)據(jù)線上的高電壓信號不會通過公共導(dǎo)線和短路環(huán)流入發(fā)生不良的數(shù)據(jù)線上，從而可以準(zhǔn)確地檢測出發(fā)生不良的數(shù)據(jù)線的位置，提高檢出率和準(zhǔn)確率?；鍦y試完成后，開關(guān)單元導(dǎo)通，使得數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的短路環(huán)相連，因而當(dāng)某一條數(shù)據(jù)線上的由于靜電而產(chǎn)生瞬時高電平時，該高電平信號可以通過相應(yīng)的短路環(huán)流入公共導(dǎo)線，從而降低數(shù)據(jù)線上的高電平，避免高電平信號對像素單元內(nèi)的損傷。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0023]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板上數(shù)據(jù)線和短路環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2是本發(fā)明的實施方式中陣列基板上數(shù)據(jù)線和短路環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]其中，附圖標(biāo)記為:10、數(shù)據(jù)線；20、短路環(huán)；30、公共導(dǎo)線；40、開關(guān)單元；50、開關(guān)控制線；M1、第一晶體管；M2、第二晶體管；M3、第三晶體管。

【具體實施方式】
[0026]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0027]作為本發(fā)明的第一個方面，提供一種陣列基板，如圖2所示，包括多條數(shù)據(jù)線10、設(shè)置在每條數(shù)據(jù)線10末端的短路環(huán)20以及將各短路環(huán)串聯(lián)的公共導(dǎo)線30，所述陣列基板還包括連接在數(shù)據(jù)線10的末端與相應(yīng)的短路環(huán)20之間的開關(guān)單元40，開關(guān)單元40用于在測試階段將所述數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的所述短路環(huán)斷開。陣列基板上設(shè)置有用于為數(shù)據(jù)線10提供驅(qū)動信號的源極驅(qū)動電路，“數(shù)據(jù)線的末端”是指與源極驅(qū)動電路相對的一端。
[0028]在進行基板測試(Array test)時，開關(guān)單元40可以關(guān)斷，使得數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的短路環(huán)斷開，因而，相鄰的數(shù)據(jù)線并沒有通過公共導(dǎo)線和短路環(huán)間接相連。這種結(jié)構(gòu)下，即使某一條數(shù)據(jù)線10發(fā)生不良(例如，數(shù)據(jù)線上存在開口而斷開)，與其相鄰數(shù)據(jù)線10上的高電壓信號不會通過公共導(dǎo)線和短路環(huán)流入發(fā)生不良的數(shù)據(jù)線上，從而可以準(zhǔn)確地檢測出發(fā)生不良的數(shù)據(jù)線的位置，提高檢出率和準(zhǔn)確率?；鍦y試完成后，開關(guān)單元40導(dǎo)通，使得數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的短路環(huán)相連，因而當(dāng)某一條數(shù)據(jù)線10上的由于靜電而產(chǎn)生瞬時高電平時，該高電平信號可以通過相應(yīng)的短路環(huán)流入公共導(dǎo)線30，從而降低數(shù)據(jù)線10上的高電平，避免高電平信號對像素單元內(nèi)的損傷。
[0029]進行基板測試時，向每條數(shù)據(jù)線10通入測試信號，通過檢測器檢測每個像素單元的信號，由于本發(fā)明中開關(guān)單元40的設(shè)置可以防止信號倒灌現(xiàn)象的發(fā)生，因此，當(dāng)某一條數(shù)據(jù)線10發(fā)生不良時，該數(shù)據(jù)線10對應(yīng)的一列像素單元上將檢測不到信號，即可判斷這一列數(shù)據(jù)線所對應(yīng)的數(shù)據(jù)線發(fā)生不良。
[0030]本發(fā)明對開關(guān)單元40的形式不作具體限制，只要可以在測試時將數(shù)據(jù)線10與相應(yīng)的短路環(huán)20斷開即可，作為本發(fā)明的一種【具體實施方式】，如圖2所示，所述陣列基板還包括與各開關(guān)單元40均相連的開關(guān)控制線50，所述開關(guān)單元40包括第一晶體管Ml，第一晶體管Ml的柵極與開關(guān)控制線50相連，第一晶體管Ml的第一極與數(shù)據(jù)線10相連，第一晶體管Ml的第二極與短路環(huán)20相連。
[0031]當(dāng)開關(guān)控制線50上通入開啟信號時，多個第一晶體管Ml導(dǎo)通，使得數(shù)據(jù)線與相應(yīng)地短路環(huán)20相連，當(dāng)數(shù)據(jù)線上存在瞬時高電平信號時，高電平信號能夠通過短路環(huán)20流入公共導(dǎo)線30，以降低數(shù)據(jù)線10上的高電平，從而防止高電平信號對像素單元內(nèi)的損傷；當(dāng)開關(guān)控制線50上通入關(guān)斷信號時，多個第一晶體管Ml關(guān)斷，多個第一晶體管Ml關(guān)斷，使得數(shù)據(jù)線10與相應(yīng)地短路環(huán)20斷開，防止數(shù)據(jù)線10上的信號倒灌現(xiàn)象的發(fā)生。開關(guān)控制線50的設(shè)置便于對多個第一晶體管Ml同時進行控制，以同時將多條數(shù)據(jù)線10與相應(yīng)的短路環(huán)20導(dǎo)通或關(guān)斷。
[0032]可以理解的是，所述陣列基板還包括信號產(chǎn)生模塊，用于產(chǎn)生控制信號(即開啟信號和關(guān)斷信號)，開關(guān)控制線50將所述控制信號傳輸至第一晶體管Ml的柵極，以控制第一晶體管Ml的導(dǎo)通或關(guān)斷。第一晶體管Ml可以為不同的類型，當(dāng)?shù)谝痪w管Ml為N型晶體管時，所述開啟信號為高電平信號、關(guān)斷信號為低電平信號；當(dāng)?shù)谝痪w管Ml為P型晶體管時，所述開啟信號為低電平信號、關(guān)斷信號為高電平信號。
[0033]為了便于開關(guān)控制線50對多個第一晶體管Ml進行控制，且不會接觸到數(shù)據(jù)線10，可以將開關(guān)控制線50與數(shù)據(jù)線10設(shè)置在陣列基板的厚度方向上的不同層中，具體地，所述陣列基板還可以包括與數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置的多條柵線，所述柵線與數(shù)據(jù)線10設(shè)置在不同層中，開關(guān)控制線50與所述柵線同層設(shè)置，因而在現(xiàn)有陣列基板制作工藝的基礎(chǔ)上，將開關(guān)控制線50和柵線同步形成，而不需要增加額外的工藝，從而節(jié)省工藝成本，提高生產(chǎn)效率。
[0034]與開關(guān)控制線50相同的，公共導(dǎo)線30也可以和所述柵線同層設(shè)置，制作時可以使用相同的材料同步形成公共導(dǎo)線30和所述柵線。
[0035]進一步地，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和環(huán)繞所述顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域，開關(guān)單元40、短路環(huán)20和公共導(dǎo)線30均設(shè)置在所述非顯示區(qū)域，以防止對顯示區(qū)域產(chǎn)生遮擋。
[0036]進一步地，短路環(huán)20的結(jié)構(gòu)可以為多種，作為本發(fā)明的一種【具體實施方式】，如圖2所示，短路環(huán)20可以包括:
[0037]第二晶體管M2，該第二晶體管M2的柵極和第一極均與數(shù)據(jù)線10相連，第二晶體管M2的第二極與公共導(dǎo)線30相連；
[0038]第三晶體管，該第三晶體管M3的柵極和第一極均與公共導(dǎo)線30相連，第三晶體管M3的第二極與數(shù)據(jù)線10相連。
[0039]在陣列基板制作完成后，開關(guān)單元40保持導(dǎo)通，此時，當(dāng)其中一條數(shù)據(jù)線10上由于靜電而產(chǎn)生瞬時高電平信號時，該數(shù)據(jù)線10上所對應(yīng)的短路環(huán)20中的第二晶體管M2導(dǎo)通，高電平信號通過第二晶體管M2流向公共導(dǎo)線30，因而使得其他短路環(huán)20中的第三晶體管M3導(dǎo)通，此時，數(shù)據(jù)線10上的高電平信號可以通過公共導(dǎo)線30分散開，從而防止某一條數(shù)據(jù)線10上的瞬時電壓過高對像素單元產(chǎn)生的損壞。公共導(dǎo)線可以與陣列基板上的低電平信號端口相連，從而起到降低高電平的作用。
[0040]通常，在陣列基板的顯示區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有像素單元晶體管，在陣列基板的制作過程中，可以將第一晶體管M1、第二晶體管M2、第三晶體管M3可以和所述像素單元晶體管同步形成，即，首先采用相同的材料同步形成四種晶體管(第一晶體管M1、第二晶體管M2、第三晶體管M3和所述像素單元晶體管)的柵極；然后依次采用相同的材料同步形成四種晶體管的絕緣層、有源層、源漏極等；并且，所述柵線、公共導(dǎo)線30、開關(guān)控制線50和四種晶體管的柵極同步形成。從而簡化陣列基板的制作工藝，降低生產(chǎn)成本。
[0041]當(dāng)然，在具體實施時，短路環(huán)20的結(jié)構(gòu)還可以為其他結(jié)構(gòu)，在此不作贅述。
[0042]作為本發(fā)明的第二個方面，通過一種陣列基板的檢測方法，該陣列基板為本發(fā)明提供的上述陣列基板，所述檢測方法包括:
[0043]關(guān)斷開關(guān)單元，以將數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的短路環(huán)斷開；
[0044]向每條數(shù)據(jù)線輸入測試信號。
[0045]檢測時，利用檢測器檢測每個信號單元的信號，當(dāng)檢測器檢測到某一列像素單元沒有相應(yīng)的信號時，表示該列像素單元對應(yīng)的數(shù)據(jù)線具有開口而斷開，從而根據(jù)像素單元信號的異常判斷出斷開的數(shù)據(jù)線的位置。
[0046]如上文中所述，所述陣列基板還包括與各開關(guān)單元均相連的開關(guān)控制線，所述開關(guān)單元包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極與所述開關(guān)控制線相連，所述第一晶體管的第一極與所述數(shù)據(jù)線相連，所述第一晶體管的第二極與所述短路環(huán)相連，
[0047]所述關(guān)斷開關(guān)單元的步驟包括:向每條開關(guān)控制線輸入關(guān)斷信號，從而使得數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的短路環(huán)斷開；這時，再向每條數(shù)據(jù)線輸入測試信號。由于數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的短路環(huán)斷開，因而可以防止信號倒灌現(xiàn)象的發(fā)生，如果存在發(fā)生不良的數(shù)據(jù)線，就不會在發(fā)生不良的數(shù)據(jù)線上檢測出高電平信號，即可以準(zhǔn)確的判斷出發(fā)生不良的數(shù)據(jù)線的位置，從而提高檢測的檢出率和準(zhǔn)確率。
[0048]上述為對本發(fā)明提供的陣列基板及其檢測方法的描述，可以看出，本發(fā)明的陣列基板的數(shù)據(jù)線和相應(yīng)的短路環(huán)之間設(shè)置有開關(guān)單元，在對進行基板測試時，將開關(guān)單元斷開后再向數(shù)據(jù)線通入測試信號。由于數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的短路環(huán)之間已經(jīng)斷開，因而可以防止信號倒灌現(xiàn)象，從而準(zhǔn)確地判斷出發(fā)生不良的數(shù)據(jù)線的位置，提高基板檢測的檢出率和準(zhǔn)確率。基板檢測完成后，開關(guān)單元導(dǎo)通，使得數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的短路環(huán)導(dǎo)通，以防止某條數(shù)據(jù)線上由于靜電產(chǎn)生的高電平信號對像素單元的影響，進而提高產(chǎn)品質(zhì)量。
[0049]作為本發(fā)明的第三個方面，提供一種顯示面板，該顯示面板包括上述陣列基板。
[0050]作為本發(fā)明的第四個方面，提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述顯示面板。
[0051]由于陣列基板在基板檢測中的檢出率和準(zhǔn)確率提高，使得陣列基板的成品質(zhì)量提尚，從而提尚顯不面板和顯不裝置的質(zhì)量。
[0052]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括多條數(shù)據(jù)線、設(shè)置在每條所述數(shù)據(jù)線末端的短路環(huán)以及將各短路環(huán)串聯(lián)的公共導(dǎo)線，其特征在于，所述陣列基板還包括連接在所述數(shù)據(jù)線的末端與相應(yīng)的短路環(huán)之間的開關(guān)單元，所述開關(guān)單元用于在測試階段將所述數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的所述短路環(huán)斷開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括開關(guān)控制線，所述開關(guān)單元包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極與所述開關(guān)控制線相連，所述第一晶體管的第一極與所述數(shù)據(jù)線相連，所述第一晶體管的第二極與所述短路環(huán)相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置的多條柵線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在不同層中，所述開關(guān)控制線與所述柵線同層設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述公共導(dǎo)線與所述柵線同層設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和環(huán)繞所述顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域，所述開關(guān)單元、所述短路環(huán)和所述公共導(dǎo)線均設(shè)置在所述非顯示區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述短路環(huán)包括: 第二晶體管，該第二晶體管的柵極和第一極均與所述數(shù)據(jù)線相連，所述第二晶體管的第二極與所述公共導(dǎo)線相連； 第三晶體管，該第三晶體管的柵極和第一極均與所述公共導(dǎo)線相連，所述第三晶體管的第二極與所述數(shù)據(jù)線相連。
7.—種陣列基板的檢測方法，其特征在于，該陣列基板為權(quán)利要求1至6中任意一項所述的陣列基板，所述檢測方法包括: 關(guān)斷開關(guān)單元，以將數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的短路環(huán)斷開； 向每條數(shù)據(jù)線輸入測試信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測方法，其特征在于，所述陣列基板還包括與各開關(guān)單元均相連的開關(guān)控制線，所述開關(guān)單元包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極與所述開關(guān)控制線相連，所述第一晶體管的第一極與所述數(shù)據(jù)線相連，所述第一晶體管的第二極與所述短路環(huán)相連， 所述關(guān)斷開關(guān)單元的步驟包括:向每條開關(guān)控制線輸入關(guān)斷信號。
9.一種顯示面板，其特征在于，該顯示面板包括權(quán)利要求1至6中任意一項所述的陣列基板。
10.—種顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置包括權(quán)利要求9所述的顯示面板。
【文檔編號】G02F1/1362GK104483795SQ201510001804
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2015年1月4日 優(yōu)先權(quán)日:2015年1月4日
【發(fā)明者】劉沖, 張鐵林, 趙海生, 彭志龍, 劉還平 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司