一種24芯單層熔配一體化托盤的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種通信行業(yè)使用的24芯單層熔配一體化托盤。包括蓋板、底板、導(dǎo)線套、熔接芯片，所述底板包括固定柱、光纜引入?yún)^(qū)，存儲區(qū)、分支器固定裝置、適配器插槽、導(dǎo)流板；所述光纜引入?yún)^(qū)、所述存儲區(qū)、所述分支器固定裝置、所述導(dǎo)流板為左右對稱設(shè)置。它將適配器傳統(tǒng)的斜向擺放改為豎向擺放，間距縮小為1.8mm，使其能放下24只適配器；摒棄傳統(tǒng)的熔接盤設(shè)計(jì)，采用將熔接芯片直接扣合在底板上，在將底板與繞纖輪設(shè)計(jì)為一體，使得僅需開制底板、蓋板、熔接芯片、導(dǎo)線套4副模具。
【專利說明】一種24芯單層溶配一體化托盤
[0001]

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本實(shí)用新型涉及一種24芯單層熔配一體化托盤，用于通信光纜在其中的熔接與終端，屬于通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0003]目前，傳統(tǒng)型的熔配一體化托盤容量均為12芯，采用雙層結(jié)構(gòu)，上層為熔接區(qū)，下層為存儲和終端區(qū)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對傳統(tǒng)產(chǎn)品的不足，本實(shí)用新型提供一種24芯單層熔配一體化托盤，外形結(jié)構(gòu)尺寸與傳統(tǒng)12芯熔配一體化托盤一樣，容量增加了一倍，并將原來的雙層結(jié)構(gòu)改為單層。
[0005]要解決的技術(shù)問題:傳統(tǒng)型的熔配一體化托盤容量為12芯，層數(shù)為雙層，最少需開5副模具(導(dǎo)線套、底板、熔接盤、蓋板、繞纖輪)，密度低，零件多成本高，模具費(fèi)用高。
[0006]本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為:一種24芯單層熔配一體化托盤，包括蓋板、底板、導(dǎo)線套、熔接芯片，其特征在于:所述底板包括固定柱、光纜引入?yún)^(qū)，存儲區(qū)、分支器固定裝置、適配器插槽、導(dǎo)流板；所述光纜引入?yún)^(qū)、所述存儲區(qū)、所述分支器固定裝置、所述導(dǎo)流板為左右對稱設(shè)置。
[0007]上述的24芯單層熔配一體化托盤，其進(jìn)一步特征在于:所述存儲區(qū)共有6組繞纖柱，上4下2設(shè)置；所述分支器固定裝置為箍型結(jié)構(gòu)，左右各有一個(gè)小箍。
[0008]上述的24芯單層熔配一體化托盤，其進(jìn)一步特征在于:既可做為熔接終端一體化托盤使用、也可做為終端托盤、直熔托盤使用。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果是:1、外形尺寸不變的情況下，容量翻倍；2、采用單層結(jié)構(gòu)、零件數(shù)量減少，降低了成本與模具費(fèi)用；3、除熔配一體化托盤外，另外還可作為直熔盤和終端盤使用。
[0010]

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0012]圖1為本實(shí)用新型裝配示意圖。
[0013]圖2為本實(shí)用新型去蓋板后俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖1中1-1、蓋板；1-2、固定柱；1-3、光纜引入?yún)^(qū)；1-4、底板；1-5、導(dǎo)線套。
[0015]圖2中2-1、熔接芯片；2-2、存儲區(qū)；2_3、分支器固定裝置；2_4、適配器插槽；2_5、導(dǎo)流板。
[0016]

【具體實(shí)施方式】
[0017]本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:1、將適配器傳統(tǒng)的斜向擺放改為豎向擺放，間距縮小為1.8mm,使其能放下24只適配器；2、摒棄傳統(tǒng)的熔接盤設(shè)計(jì)，采用將熔接芯片直接扣合在底板上的簡潔做法，在將底板與存儲裝置設(shè)計(jì)為一體，使得本實(shí)用新型僅需開制底板、蓋板、熔接芯片、導(dǎo)線套4副模具。
[0018]如圖所示，熔接芯片(2-1)安裝在固定柱(1-2)上，固定柱(1-2)為中空圓柱形，與熔接芯片(2-1)背面圓柱形插銷配合固定；適配器插槽(2-4)共24組，每組插槽內(nèi)有4個(gè)小凸起用于固定適配器；光纜引入?yún)^(qū)(1-3)、存儲區(qū)(2-2)、分支器固定裝置(2-3)、導(dǎo)流板(2-5)為左右對稱設(shè)置；存儲區(qū)(2-2)共有6組繞纖柱，上4下2設(shè)置，使用時(shí)可根據(jù)纖長調(diào)節(jié)繞纖直徑；分支器固定裝置(2-3)為箍型結(jié)構(gòu)，左右各有一個(gè)小箍，將分支器固定在其內(nèi)。
[0019]做為熔接終端一體化托盤使用時(shí):假設(shè)為右進(jìn)纜方式，光纜從右側(cè)的光纜引入?yún)^(qū)(1-3)進(jìn)入，在右側(cè)的存儲區(qū)(2-2)存儲余長后進(jìn)入熔接芯片(2-1);尾纖經(jīng)過導(dǎo)流板(2-5)引致中間微向上翹起的部分，之后自右向左繞固定柱(1-2)—周，在左側(cè)的存儲區(qū)(2-2 )存儲余長，最后進(jìn)入熔接芯片(2-1)與光纜對熔，帶狀尾纖的分支器可在分支器固定裝置(2-3)上固定。左進(jìn)纜方式反之亦然。
[0020]做為終端托盤使用時(shí):不配熔接芯片(2-1)，尾纜進(jìn)入底板(1-4)后，在左右存儲區(qū)(2-2)交叉存儲，最后經(jīng)過導(dǎo)流板(2-5)中間區(qū)域插在適配器上。
[0021]做為直熔托盤使用時(shí):兩根光纜由同一側(cè)進(jìn)入，一根在相鄰的存儲區(qū)(2-2)存儲后進(jìn)入熔接芯片(2-1)，另一根經(jīng)過固定柱(1-2)在另一側(cè)的存儲區(qū)(2-2)存儲后進(jìn)入熔接芯片(2-1)對熔。
【權(quán)利要求】
1.一種24芯單層熔配一體化托盤，包括蓋板、底板、導(dǎo)線套、熔接芯片，其特征在于:所述底板包括固定柱、光纜引入?yún)^(qū)，存儲區(qū)、分支器固定裝置、適配器插槽、導(dǎo)流板；所述光纜引入?yún)^(qū)、所述存儲區(qū)、所述分支器固定裝置、所述導(dǎo)流板為左右對稱設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的24芯單層熔配一體化托盤，其特征在于:所述存儲區(qū)共有6組繞纖柱，上4下2設(shè)置；所述分支器固定裝置為箍型結(jié)構(gòu)，左右各有一個(gè)小箍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的24芯單層熔配一體化托盤，其特征在于:所述熔接芯片背面有圓柱形插銷，所述固定柱為中空圓柱形結(jié)構(gòu)，二者配合固定，使所述熔接芯片設(shè)置于所述底板內(nèi)。
【文檔編號】G02B6/44GK204116674SQ201420631484
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月29日
【發(fā)明者】吳體榮, 冉飛, 朱孟達(dá), 史紅蘭 申請人:南京華脈科技股份有限公司