帶防基板翹起機(jī)構(gòu)的基板加熱裝置制造方法
【專利摘要】一種帶防基板翹起機(jī)構(gòu)的基板加熱裝置，在光取向處理中的紫外線照射后的后加熱工序，在短時(shí)間使基板上升到規(guī)定溫度且在基板整體范圍均勻上升、維持取向限制力。對(duì)涂布有取向膜的母TFT基板(30)或母對(duì)置基板(30)(以后記作基板)照射直線偏光紫外線，對(duì)取向膜賦予單軸性。其后，在熱板(20)上載置該基板(30)，利用按壓銷(10)將基板(30)的周邊壓靠于熱板(20)上。由此，能夠防止加熱時(shí)的基板(30)的翹起，能夠在基板(30)整體均勻地以30秒左右使溫度從26℃上升到240℃左右。由此，能夠得到具有取向限制力高的光取向膜的液晶顯示裝置。
【專利說(shuō)明】帶防基板翹起機(jī)構(gòu)的基板加熱裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及液晶顯示裝置，尤其涉及具有光取向方式的取向膜的液晶顯示裝置的制造方法及其制造裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯不裝置所使用的液晶顯不面板，配置有TFT基板和對(duì)置基板，所述TFT基板中形成有呈矩陣狀的具有像素電極及薄膜晶體管(TFT)等的像素，所述對(duì)置基板與TFT基板相對(duì)，在與TFT基板的像素電極對(duì)應(yīng)的部位形成有彩色濾光器等，在TFT基板與對(duì)置基板之間夾持有液晶。并且，通過(guò)按像素控制基于液晶分子的光透過(guò)率來(lái)形成圖像。
[0003]在液晶顯示裝置中，通過(guò)形成于TFT基板和對(duì)置基板上的取向膜來(lái)進(jìn)行液晶分子的初始取向，通過(guò)對(duì)像素電極施加圖像信號(hào)，由此利用形成于像素電極與對(duì)置電極之間電場(chǎng)使該液晶分子的初始取向的狀態(tài)變化，從而控制透過(guò)液晶顯示面板的光量。液晶分子的初始取向的朝向通過(guò)對(duì)取向膜進(jìn)行摩擦處理或光取向處理來(lái)規(guī)定。
[0004]取向膜的摩擦處理具有由摩擦導(dǎo)致的取向膜的切屑所引起的制品或制造工序的污染、由靜電發(fā)生等引起的布線之間的絕緣損壞的問(wèn)題等。光取向方式可以減輕上述切屑的發(fā)生、靜電發(fā)生的問(wèn)題，但難以在取向膜形成所謂的預(yù)傾角。
[0005]另一方面，在液晶顯示裝置中視場(chǎng)角特性成為問(wèn)題。視場(chǎng)角特性是指從正面觀察畫(huà)面時(shí)和從斜向觀察畫(huà)面時(shí)，輝度發(fā)生、或色度發(fā)生變化的現(xiàn)象。關(guān)于視場(chǎng)角特性，在通過(guò)水平方向的電場(chǎng)使液晶分子動(dòng)作的IPS(In Plane Switching)方式具有優(yōu)異的視場(chǎng)角特性。IPS中取向膜不需要所謂的預(yù)傾角，因此適于取向膜的光取向處理。
[0006]在“專利文獻(xiàn)I”中記載了如下構(gòu)成:通過(guò)對(duì)作為取向膜的聚酰胺酸薄膜照射偏光紫外線后進(jìn)行加熱，將聚酰胺酸轉(zhuǎn)換為聚酰亞胺，由此形成具有取向各向異性的取向膜。在“專利文獻(xiàn)2”中記載了如下構(gòu)成:在光取向處理中，一邊加熱一邊對(duì)取向膜照射偏光紫外線，由此對(duì)取向膜賦予取向各向異性。即，記載了如下構(gòu)成:使加熱處理的溫度在偏光紫外線照射中分為初期、中期、后期地變化。通過(guò)使溫度階梯性地提高，從而抑制由于偏光照射而分離的分子鏈在再配置之前交聯(lián)。
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2003 - 255349號(hào)公報(bào)
[0008]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2007 - 226097號(hào)公報(bào)實(shí)用新型內(nèi)容
[0009]圖6是IPS方式的液晶顯示裝置的剖視圖。存在各種IPS方式的液晶顯示裝置，圖6是其中一例，本實(shí)用新型也可以適用于其他IPS方式的液晶顯示裝置。在圖6中，在由玻璃形成的TFT基板100形成有兼作為掃描線的柵電極101，在其上形成有柵極絕緣膜102。在柵極絕緣膜102之上形成有半導(dǎo)體層103，在半導(dǎo)體層103之上形成有漏電極104及源電極105，由此形成了 TFT。覆蓋TFT地形成由SiN等構(gòu)成的無(wú)機(jī)鈍化膜106，在無(wú)機(jī)鈍化膜106之上形成兼作為平坦膜的有機(jī)鈍化膜107。
[0010]在有機(jī)鈍化膜107之上，以平面固態(tài)的方式形成有由ITO形成的對(duì)置電極108。在對(duì)置電極108之上形成有層間絕緣膜109，在層間絕緣膜109之上形成有由透明電極形成的梳齒狀的像素電極110。像素電極110經(jīng)由通孔111與源電極105連接，接收?qǐng)D像信號(hào)。在像素電極110之上形成有取向膜113，取向膜113通過(guò)光取向而受到取向處理。
[0011]在圖6中，在由玻璃形成的對(duì)置基板200上形成有黑矩陣202及彩色濾光器201，在其上形成有保護(hù)彩色濾光器的外覆(overcoat)膜203。在外覆膜203之上形成取向膜113，取向膜113通過(guò)光取向而受到取向處理。在TFT基板100與對(duì)置基板200之間夾持有液晶層300。
[0012]在圖6的TFT基板100中，當(dāng)對(duì)梳齒狀的像素電極110施加基于圖像信號(hào)的電壓時(shí)，穿過(guò)梳齒與梳齒之間的狹縫112朝向?qū)χ秒姌O108地產(chǎn)生電力線，通過(guò)使液晶分子301旋轉(zhuǎn)，由此控制通過(guò)液晶層300的來(lái)自背光源的光，從而形成圖像。液晶分子301的初始取向由取向膜113規(guī)定。圖6的取向膜113的TFT基板100側(cè)和對(duì)置基板200側(cè)都被實(shí)施了光取向處理。
[0013]如后述所說(shuō)明，光取向處理是通過(guò)對(duì)聚酰亞胺膜照射直線偏光了的紫外線從而對(duì)取向膜賦予單軸性。其后，進(jìn)行加熱，由此使低分子的分解物揮發(fā)，且促使所生成的低聚物的旋轉(zhuǎn)而提高取向限制力。
[0014]該加熱工藝以往使用遠(yuǎn)紅外線方式、熱風(fēng)循環(huán)方式等的加熱裝置。但是，在這種基于以往技術(shù)的加熱方式中，要使基板從室溫即26°C上升到必需溫度即240°C需要2分鐘以上的時(shí)間。但是，在以往例中，照射直線偏光紫外線后的加熱時(shí)間不夠充分，需要進(jìn)一步加熱時(shí)間。
[0015]本實(shí)用新型的課題在于提供一種通過(guò)使基板在短時(shí)間上升到規(guī)定溫度，由此獲得具有規(guī)定取向限制力的光取向膜的液晶顯示裝置的制造方法。此外，本實(shí)用新型的另一課題在于獲得如下的制造裝置:能夠進(jìn)行如光取向處理中的加熱工藝所代表那樣、對(duì)玻璃基板均勻地加熱且在短時(shí)間加熱到240 V左右。
[0016]本實(shí)用新型是為解決上述課題而做出的，具體手段如下所示。
[0017](I)液晶顯示裝置的制造方法，將母基板分離而制造各個(gè)液晶顯示裝置，所述母基板是將形成有多個(gè)TFT基板的母TFT基板和形成有多個(gè)對(duì)置基板的母對(duì)置基板在周邊粘接而形成，其中，對(duì)所述母TFT基板或所述母對(duì)置基板涂布取向膜，對(duì)所述取向膜照射直線偏光的紫外線，其后，實(shí)施具有后加熱工序的光取向處理，所述后加熱工序中，將所述母TFT基板或所述母對(duì)置基板載置在熱板上，一邊利用按壓銷按壓所述母TFT基板或所述母對(duì)置基板的周邊區(qū)域一邊進(jìn)行加熱。
[0018](2)上述(I)所述的液晶顯示裝置的制造方法中，所述光取向處理中，具有在進(jìn)行所述直線偏光紫外線照射之前，對(duì)所述取向膜加熱而進(jìn)行亞胺化的加熱工序，所述亞胺化的加熱工序中，將所述母TFT基板或所述母對(duì)置基板載置在熱板上，一邊利用按壓銷按壓所述母TFT基板或所述母對(duì)置基板的周邊區(qū)域一邊進(jìn)行加熱。
[0019](3)液晶顯示裝置的制造方法，將母基板分離而制造各個(gè)液晶顯示裝置，所述母基板是將形成有多個(gè)TFT基板的母TFT基板和形成有多個(gè)對(duì)置基板的母對(duì)置基板在周邊粘接而形成，其中，具有對(duì)所述母TFT基板或所述母對(duì)置基板涂布取向膜，并加熱所述取向膜而進(jìn)行亞胺化的工序，所述亞胺化的工序中，將所述母TFT基板或所述母對(duì)置基板載置在熱板上，一邊利用按壓銷按壓所述母TFT基板或所述母對(duì)置基板的周邊區(qū)域一邊進(jìn)行加熱，其后，通過(guò)摩擦處理對(duì)所述取向膜實(shí)施取向處理。
[0020](4)液晶顯示裝置的制造裝置，將母基板分離而制造各個(gè)液晶顯示裝置，所述母基板是將形成有多個(gè)TFT基板的母TFT基板和形成有多個(gè)對(duì)置基板的母對(duì)置基板在周邊粘接而形成，，其中，包括加熱裝置，該加熱裝置具有:載置涂布有取向膜的所述母TFT基板或所述母對(duì)置基板的熱板；將載置于所述熱板上的所述母TFT基板或所述母對(duì)置基板的周邊區(qū)域壓靠于所述熱板面的按壓銷。
[0021]根據(jù)本實(shí)用新型，能夠使形成有多個(gè)TFT基板的母TFT基板或形成有多個(gè)對(duì)置基板的母對(duì)置基板在短時(shí)間上升到240°C左右的高溫，因此尤其在具有被光取向處理后的取向膜的液晶顯示裝置中，能夠提高取向膜的取向限制力。
[0022]此外，根據(jù)本實(shí)用新型的加熱裝置，能夠?qū)Υ笮偷哪窽FT基板或母對(duì)置基板在短時(shí)間加熱且對(duì)基板整體均勻加熱，因此能夠提高采用了光取向處理的液晶顯示裝置的成品率。
[0023]而且，根據(jù)本實(shí)用新型的加熱裝置，在使用了摩擦處理的液晶顯示裝置中用于取向膜的亞胺化的加熱處理中，能夠?qū)δ窽FT基板或母對(duì)置基板在短時(shí)間加熱且遍及基板整體地均勻加熱，因此能夠謀求提高液晶顯示裝置的制造效率和制造成品率。
[0024]而且，在液晶顯示裝置的制造工序中，不僅是取向膜的形成，在需要短時(shí)間加熱母TFT基板或母對(duì)置基板的工序中適用本實(shí)用新型，也能謀求提高液晶顯示裝置的效率和制造成品率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1是本實(shí)用新型的母TFT基板加熱裝置的立體圖。
[0026]圖2是母TFT基板的俯視圖。
[0027]圖3的(a)、(b)是熱板的俯視圖及側(cè)視圖。
[0028]圖4是表示本實(shí)用新型的按壓銷、壓板、母TFT基板之間關(guān)系的剖視圖。
[0029]圖5是本實(shí)用新型的基板加熱的工藝流程圖。
[0030]圖6是IPS方式液晶顯示裝置的剖視圖。
[0031]圖7是光取向處理的工藝流程圖。
[0032]圖8是表示無(wú)按壓銷時(shí)的使用熱板的基板加熱的問(wèn)題點(diǎn)的立體圖。
[0033]附圖標(biāo)記的說(shuō)明
[0034]10...按壓銷，11...壓板，12...作動(dòng)缸，13...彈簧,20...熱板,21...金屬板,22…加熱器，30…母TFT基板，31...TFT基板，32…周邊區(qū)域，211…Ni鍍層100...TFT基板，101…柵電極，102...柵極絕緣膜，103...半導(dǎo)體層，104...源電極，105...漏電極，106...無(wú)機(jī)鈍化膜，107…有機(jī)鈍化膜,108…對(duì)置電極,109…層間絕緣膜,110…像素電極,111…通孔,112...狹縫，113…取向膜，200…對(duì)置基板，201…彩色濾光器，202…黑矩陣，203…外覆膜，300…液晶層，301…液晶分子

【具體實(shí)施方式】
[0035]在實(shí)施例之前，在本實(shí)用新型中說(shuō)明具有尤其有效的光取向膜的液晶顯示裝置的光取向工藝。圖7是光取向處理工藝的例子。取向膜形成于TFT基板和對(duì)置基板二者，圖7所示的光取向處理工藝對(duì)TFT基板、對(duì)置基板都共用。
[0036]在圖7中，若是TFT基板，則對(duì)圖6所示的形成到像素電極110的基板進(jìn)行清洗。此外，若是對(duì)置基板，則對(duì)圖7所示的形成到外覆膜203的基板進(jìn)行清洗。對(duì)于TFT基板或?qū)χ没澹ㄟ^(guò)印刷等涂布取向膜。印刷使用膠版印刷。作為印刷以外的方法，可以使用噴墨、旋涂、噴涂等。作為取向膜材料，使用聚酰胺酸或聚酰胺酸酯等。
[0037]將印刷了取向膜的基板投入整平(leveling)爐中，使取向膜干燥的同時(shí)進(jìn)行整平，使取向膜的表面平坦化。其后，將基板投入燒結(jié)爐，使溫度上升到240°C左右，使取向膜材料亞胺化，形成聚酰亞胺膜。
[0038]起皺，對(duì)聚酰亞胺化后的取向膜，照射波長(zhǎng)為240nm?400nm左右的直線偏光了的紫外線。通過(guò)該紫外線的照射，在與偏光紫外線的電場(chǎng)矢量的方向一致的方向上，取向膜中的高分子中的主鏈被切斷，由此賦予單軸性。
[0039]通過(guò)利用偏光紫外線照射來(lái)切斷聚合物，生成揮發(fā)性的低分子物質(zhì)。為了使該低分子物質(zhì)揮發(fā)、將其除去，將基板加熱到240°C左右。將該加熱稱為后加熱。此外，由于紫外線照射也形成低聚物，但該低聚物中低分子蒸發(fā)，則再排列，具有提高取向限制力的作用。其后，將基板放置冷卻。
[0040]因此，對(duì)取向限制力而言后加熱較為重要。但是，為了保證高取向限制力，需要在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行后加熱的基板溫度上升。例如，需要在不到I分鐘的時(shí)間使基板的溫度從26°C上升到240°C。但是，以往那樣的紅外線式或熱風(fēng)循環(huán)式等的加熱方法中，基板的升溫溫度無(wú)法提前，例如要使基板的溫度從26°C上升到240°C，需要2分鐘以上的時(shí)間。這種程度的升溫速度存在光取向后的取向限制力降低的問(wèn)題。
[0041]本實(shí)用新型中，為了使基板溫度在短時(shí)間上升到240°C左右，將基板載置在熱板，利用熱板的加熱，在短時(shí)間使基板的溫度從室溫即26°C上升到240°C左右。另一方面，光取向處理是在形成有許多TFT基板的母TFT基板或形成有許多對(duì)置基板的母對(duì)置基板的狀態(tài)下進(jìn)行。母TFT基板或母對(duì)置基板的尺寸大，僅是簡(jiǎn)單地將母TFT基板或母對(duì)置基板載置于熱板上進(jìn)行加熱的話，如圖8所示，在母TFT基板30或母對(duì)置基板產(chǎn)生翹起，尤其是形成于角部的TFT基板或?qū)χ没宓臏囟任闯浞稚仙?，產(chǎn)生在該部分的液晶單元取向限制力不充分的問(wèn)題。
[0042]圖8是表示該問(wèn)題的示意圖。在圖8中，在熱板20上載置有母對(duì)置基板或母TFT基板30。隨著基板30被加熱，由于熱膨脹差而在基板30產(chǎn)生翹起。如圖8所示，該翹起尤其在基板的角部顯著。因此，在母TFT基板30或母對(duì)置基板的角部存在的TFT基板或?qū)χ没宓娜∠蛳拗屏Σ怀浞?，成為液晶顯示裝置的制造成品率降低的一個(gè)原因。
[0043]根據(jù)以下的實(shí)施例所示的本實(shí)用新型，能夠利用熱板對(duì)母TFT基板30或母對(duì)置基板均勻加熱且在短時(shí)間使溫度上升。
[0044]【實(shí)施例1】
[0045]圖1是本實(shí)用新型的基板加熱裝置的立體圖。在圖1中，母TFT基板30載置在熱板20上。另外，光取向工藝對(duì)于母TFT基板30和母對(duì)置基板是相同的，因此對(duì)母TFT基板30進(jìn)行說(shuō)明，在母對(duì)置基板的情況下也是同樣。圖2是母TFT基板30的俯視圖。在母TFT基板30形成有許多TFT基板31，母TFT基板30的長(zhǎng)徑XL例如為920mm，短徑Y(jié)L例如為730mm。為了形成與另外制作的母對(duì)置基板粘接的密封區(qū)域等，在母TFT基板30的周邊確保有無(wú)TFT基板31的周邊區(qū)域32。周邊區(qū)域32的Dl為20mm左右。
[0046]這樣的母TFT基板30載置于熱板20上。圖3 (a)是熱板20的俯視圖，圖3 (b)是熱板20的側(cè)視圖。在圖3 (a)中，熱板20的長(zhǎng)徑XHL為1020mm左右，短徑Y(jié)HL為830mm左右。該尺寸是與圖2所示的母TFT基板30對(duì)應(yīng)的尺寸。在圖3(a)中，在虛線所示的部分載置母TFT基板30。
[0047]在熱板20以矩陣狀形成有用于將母TFT基板30真空吸附于熱板20上的排氣孔25。圖3(b)是熱板20的側(cè)視圖，熱板20由金屬板21和配置在金屬板之下的加熱器22形成。熱板20的整體厚度T為20mm左右。金屬板21由Al或不銹鋼等形成。在圖3(b)中，用于真空吸附母TFT基板30的排氣孔25貫穿金屬板和加熱器地形成。在熱板20的玻璃基板側(cè)形成有Ni鍍層211。
[0048]在金屬板20上載置有虛線所示的母TFT基板30。當(dāng)載置母TFT基板30時(shí)，從形成于熱板20的排氣孔25排氣，吸引母TFT基板30，使母TFT基板30緊貼于熱板20。但是，當(dāng)母TFT基板30載置于熱板20時(shí)，母TFT基板30的熱板20側(cè)膨脹，由此如圖8所示，尤其在母TFT基板30的角部發(fā)生翹起。對(duì)于該翹起，僅憑圖3所示的真空吸附的吸附力無(wú)法抑制。于是，配置于母TFT基板30的角部的TFT基板的溫度無(wú)法充分上升，出現(xiàn)該部分的TFT基板的取向膜的取向限制力不充分的問(wèn)題。
[0049]如圖1所示，本實(shí)用新型利用按壓銷10來(lái)按壓母TFT基板30的周邊區(qū)域，由此防止基板30的翹起。按壓銷10安裝于壓板11。壓板11例如由不銹鋼形成。壓板11與作動(dòng)缸12連接，借助作動(dòng)缸12而上下動(dòng)作。按壓銷10插入于在壓板11形成的凹部，在壓板11的凹部與按壓銷10之間形成彈簧狀的構(gòu)造13，能夠以均勻的力將母TFT基板30按壓于熱板20上。
[0050]S卩，以壓板11的重量和作動(dòng)缸的力的合計(jì)力將母TFT基板30均勻地按壓于熱板20上。按壓銷10由聚酰亞胺等耐熱性樹(shù)脂形成。關(guān)于按壓銷10的數(shù)量，在母TFT基板30的各邊各配置10個(gè)左右。
[0051]關(guān)于圖4所示的按壓銷10的直徑Φ，在母TFT基板30的邊部均勻，在母TFT基板30的角部變大。由于按壓銷10的直徑變粗，相應(yīng)地由按壓銷10按壓母TFT基板30的彈簧力變大。這是由于，通過(guò)加熱而在母TFT基板產(chǎn)生的翹起，在角部也最大。此外，按壓銷配置成對(duì)避開(kāi)形成于母TFT基板上的液晶顯示裝置的TFT基板的顯示區(qū)域的區(qū)域進(jìn)行按壓。根據(jù)液晶顯示裝置的畫(huà)面尺寸而會(huì)需要使銷的位置錯(cuò)開(kāi)，因此可以具有改變按壓銷的位置的機(jī)構(gòu)。
[0052]圖5是利用熱板對(duì)母TFT基板加熱的工藝流程圖。在圖5中，母TFT基板被載置于輸送機(jī)器人的臂上地輸送，載置于熱板上。此時(shí)，承接銷從熱板上升，承接母TFT基板，當(dāng)承接銷下降而退避到熱板內(nèi)時(shí)，母TFT基板載置到熱板上。此時(shí)，從熱板的排氣孔進(jìn)行排氣，將母TFT基板真空吸附于熱板上。
[0053]此外，在母TFT基板載置于熱板上的同時(shí)，按壓銷與母TFT基板的周邊區(qū)域接觸，利用規(guī)定力將母TFT基板壓靠于熱板上。由此，當(dāng)初26°C左右的母TFT基板在不到I分鐘(30秒左右)上升到240左右。由于母TFT基板的周邊區(qū)域被按壓銷按壓，所以即使溫度上升，母TFT基板與熱板緊貼，形成于周邊或角部的TFT基板也能與其他部分相同地在短時(shí)間上升到規(guī)定溫度。
[0054]在母TFT基板上升到規(guī)定溫度即240°C的時(shí)刻，使按壓銷上升，同時(shí)，承接銷從熱板上升，將母TFT基板從熱板卸下。利用輸送機(jī)器人的臂承接載置于承接銷而上升的母TFT基板，將母TFT基板輸送到下一工序。
[0055]在加熱工序中，母TFT基板的溫度需要是相對(duì)于規(guī)定溫度限定在規(guī)定范圍內(nèi)。在光取向的后加熱，需要限制在規(guī)定溫度±5°C左右。也就是說(shuō)，在光取向的后加熱中為240±5°C。在光取向中，限制為這樣的溫度范圍的理由如下所示。即，若溫度過(guò)高，則會(huì)使先形成于TFT基板的有機(jī)鈍化膜等的有機(jī)膜變性，或使形成于母對(duì)置基板的彩色濾光器變形。而若溫度過(guò)低，則無(wú)法得到充分的取向限制力。
[0056]根據(jù)本實(shí)用新型，對(duì)母TFT基板的角部附近的TFT基板也能形成與其他區(qū)域的TFT基板同樣的溫度曲線，能夠得到在母TFT基板整體具有均勻特性的TFT基板。
[0057]以上說(shuō)明了母TFT基板，對(duì)于具有光取向膜的母對(duì)置基板也同樣。而且，雖然本實(shí)用新型在光取向處理的后加熱工序尤其具有效果，但在其他的、光取向處理的直線偏光紫外線的照射前的用于亞胺化的加熱或直線偏光紫外線的照射時(shí)進(jìn)行加熱的情況下，也同樣適用于該加熱工序。在這些加熱工序，能夠?qū)崿F(xiàn)可在短期間將基板加熱到規(guī)定溫度、且對(duì)基板整體均勻加熱這一本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。
[0058]而且，在使用摩擦法對(duì)取向膜進(jìn)行取向處理的工藝中，有涂布取向膜并使該涂布的取向膜亞胺化的處理，在該亞胺化處理中，也可以使用本實(shí)用新型的母TFT基板或母對(duì)置基板的加熱方法。在該情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)可在短期間將基板加熱到規(guī)定溫度、且對(duì)基板整體均勻加熱這一本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。
【權(quán)利要求】
1.一種帶防基板翹起機(jī)構(gòu)的基板加熱裝置，在將母基板分離而制造各個(gè)液晶顯示裝置的液晶顯示裝置的制造中使用，所述母基板是將形成有多個(gè)TFT基板的母TFT基板與形成有多個(gè)對(duì)置基板的母對(duì)置基板在周邊粘接而形成，其特征在于，所述帶防基板翹起機(jī)構(gòu)的基板加熱裝置包括: 熱板，其載置涂布有取向膜的所述母TFT基板或所述母對(duì)置基板； 按壓銷，其將載置于所述熱板上的所述母TFT基板或所述母對(duì)置基板的周邊區(qū)域壓靠于所述熱板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶防基板翹起機(jī)構(gòu)的基板加熱裝置，其特征在于， 所述熱板具有用于將所述母TFT基板或所述母對(duì)置基板真空吸附于所述熱板的排氣孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶防基板翹起機(jī)構(gòu)的基板加熱裝置，其特征在于， 所述按壓銷配置于壓板上，在所述壓板與所述按壓銷之間形成有彈簧機(jī)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】G02F1/1337GK204129384SQ201420503008
【公開(kāi)日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月5日
【發(fā)明者】Y·平田 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日本顯示器