像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置，其中，所述像素結(jié)構(gòu)包括：多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線；多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線交叉形成的多個(gè)像素單元，其中，像素單元與一條數(shù)據(jù)線和一條掃描線對(duì)應(yīng)；位于像素單元中的像素電極和薄膜晶體管，其中，像素電極具有多條狹縫，狹縫端部具有至少一個(gè)拐角區(qū)域；其中，像素電極和與其位于同一行的且與其一側(cè)相鄰的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且該像素電極的至少一個(gè)拐角區(qū)域向與該像素電極電連接的薄膜晶體管所在的位置處延伸。本發(fā)明的技術(shù)方案可以使得延伸后的拐角區(qū)域的長度增加，并使拐角區(qū)域的端部能夠被彩膜基板中的黑色矩陣很好地覆蓋，從而可以提高光的透過率。
【專利說明】像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示裝置的應(yīng)用越來越廣泛，且顯示效果不斷地得到改善。
[0003]在液晶顯示裝置中，位于TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)陣列基板上的像素結(jié)構(gòu)是其重要的組成部分，不同的像素結(jié)構(gòu)可以使液晶顯示裝置產(chǎn)生不同的顯示效果。圖1是現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)包括:多條數(shù)據(jù)線11和多條掃描線12，以及多條數(shù)據(jù)線11和多條掃描線12交叉形成的多個(gè)像素單元13 ;位于像素單元13中的薄膜晶體管14和像素電極15，其中，像素電極15包括多條狹縫151，且狹縫151的兩端(在圖1中為狹縫的上端和狹縫的下端)具有拐角區(qū)域A1。
[0004]從圖1中可以看出，受限于像素單元13的尺寸，拐角區(qū)域A1的長度不能夠太長，否則會(huì)使像素電極15斷裂。由于拐角區(qū)域A1的長度不夠，因此在彩膜基板和陣列基板貼合后拐角區(qū)域A1的端部不能被彩膜基板中的黑色矩陣很好地覆蓋。由于在拐角區(qū)域A1的端部形成的電場(chǎng)與在狹縫151其余部分形成的電場(chǎng)對(duì)液晶分子的控制不同，因此，在液晶顯示裝置進(jìn)行顯示時(shí)，與狹縫151其余部分形成的電場(chǎng)相比，拐角區(qū)域A1的端部形成的電場(chǎng)，會(huì)造成光的透過率降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于拐角區(qū)域的長度不夠，拐角區(qū)域的端部造成光的透過率降低的技術(shù)問題。
[0006]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括:
[0007]多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線；
[0008]所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條掃描線交叉形成的多個(gè)像素單元，其中，所述像素單兀與一條數(shù)據(jù)線和一條掃描線對(duì)應(yīng)；
[0009]位于所述像素單元中的像素電極和薄膜晶體管，其中，所述像素電極具有多條狹縫，所述狹縫端部具有至少一個(gè)拐角區(qū)域；
[0010]其中，所述像素電極和與其位于同一行的且與其一側(cè)相鄰的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極的至少一個(gè)拐角區(qū)域向與所述像素電極電連接的薄膜晶體管所在的位置處延伸。
[0011]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:
[0012]形成多個(gè)薄膜晶體管；
[0013]形成多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線，其中，所述多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線交叉形成多個(gè)像素單元，所述像素單元與一條數(shù)據(jù)線和一條掃描線對(duì)應(yīng)，每個(gè)像素單元包括一個(gè)薄膜晶體管；
[0014]形成多個(gè)像素電極，每個(gè)像素電極位于一個(gè)像素單元中，所述像素電極具有多條狹縫，且所述狹縫端部具有至少一個(gè)拐角區(qū)域，其中，所述像素電極和與其位于同一行的且與其一側(cè)相鄰的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極的至少一個(gè)拐角區(qū)域向與所述像素電極電連接的薄膜晶體管所在的位置處延伸。
[0015]第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括上述第一方面所述的像素結(jié)構(gòu)。
[0016]第四方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括上述第三方面所述的陣列基板。
[0017]第五方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述第四方面所述的顯示面板。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置，通過將像素電極和與其位于同一行的且與其一側(cè)相鄰的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且像素電極的至少一個(gè)拐角區(qū)域向與該像素電極電連接的薄膜晶體管所在的位置處延伸，可以使得延伸后的拐角區(qū)域的長度增加，且相應(yīng)的拐角區(qū)域的端部靠近與其所在的像素電極電連接的薄膜晶體管，這樣相應(yīng)的拐角區(qū)域的端部在彩膜基板和陣列基板貼合后能夠被彩膜基板中的黑色矩陣很好地覆蓋，從而可以提高光的透過率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]通過閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0020]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2a是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2b是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖
[0023]圖3a是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3b是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖；
[0027]圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)。圖2a是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2a所示，所述像素結(jié)構(gòu)包括:多條數(shù)據(jù)線21和多條掃描線22 ;所述多條數(shù)據(jù)線21和所述多條掃描線22交叉形成的多個(gè)像素單元23，其中，所述像素單元23與一條數(shù)據(jù)線21和一條掃描線22對(duì)應(yīng)；位于所述像素單元23中的像素電極25和薄膜晶體管24，其中，所述像素電極25具有多條狹縫251，所述狹縫251端部具有至少一個(gè)拐角區(qū)域A2;其中，所述像素電極25和與其位于同一行的且與其一側(cè)(在圖中為左側(cè))相鄰的像素單元23中的薄膜晶體管24電連接，且所述像素電極25的至少一個(gè)拐角區(qū)域A2向與所述像素電極25電連接的薄膜晶體管24所在的位置處延伸。
[0032]需要說明的是，像素單元進(jìn)行顯示是由位于像素單元中的像素電極和與該像素電極電連接的且控制該像素電極的薄膜晶體管來實(shí)現(xiàn)的，在薄膜晶體管對(duì)像素電極進(jìn)行控制的同時(shí)，也就實(shí)現(xiàn)了薄膜晶體管對(duì)所述像素電極所在的像素單元的控制。與薄膜晶體管的柵極電連接的掃描線可以控制薄膜晶體管的開啟或者關(guān)閉，與薄膜晶體管的源極電連接的數(shù)據(jù)線可以在薄膜晶體管開啟時(shí)，為與其電連接的像素電極提供數(shù)據(jù)信號(hào)。鑒于此，上述的像素單元23與一條數(shù)據(jù)線21和一條掃描線22對(duì)應(yīng)，可以理解為:與像素單元23對(duì)應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線21為控制該像素單元23的薄膜晶體管24所電連接的數(shù)據(jù)線21，與像素單元23對(duì)應(yīng)的一條掃描線22為控制該像素單元23的薄膜晶體管24所電連接的掃描線22。
[0033]具體地，參見圖2a，將像素電極25和與其位于同一行的且與其一側(cè)(在圖中為左偵D相鄰的像素單元23中的薄膜晶體管24通過跨線252電連接，其中跨線252與像素電極25采用相同的透明導(dǎo)電材料，例如銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，簡稱ΙΤ0)或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide,簡稱ΙΖ0)等。由于有跨線252的存在，像素電極25的至少一個(gè)拐角區(qū)域A1可以沿跨線252向與該像素電極25電連接的薄膜晶體管24所在的位置處延伸，與現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)相比，可以使得延伸后的拐角區(qū)域A2的長度增加，且相應(yīng)的拐角區(qū)域A2的端部靠近與其所在的像素電極25電連接的薄膜晶體管，這樣相應(yīng)的拐角區(qū)域A2的端部在彩膜基板和陣列基板貼合后能夠被彩膜基板中的黑色矩陣很好地覆蓋，從而可以提高光的透過率。
[0034]在本發(fā)明實(shí)施例中，為了將像素電極25和與其位于同一行的且與其左側(cè)相鄰的像素單元23中的薄膜晶體管24實(shí)現(xiàn)電連接，優(yōu)選為薄膜晶體管24的位置靠近與其電連接的像素電極25。通過將薄膜晶體管24的位置靠近與其電連接的像素電極25，一方面可以方便實(shí)現(xiàn)兩者的電連接，另一方面也可以避免與薄膜晶體管24電連接的像素電極25和該薄膜晶體管24所在像素單元23中的像素電極25之間的相互干擾。
[0035]在本發(fā)明實(shí)施例中，進(jìn)一步地，與薄膜晶體管24的位置相配合，數(shù)據(jù)線21在薄膜晶體管24所在的像素單元23中的部分為折線形。由于薄膜晶體管24的位置靠近與其電連接的像素電極25，因此，為了使相應(yīng)的數(shù)據(jù)線21與薄膜晶體管24進(jìn)行電連接，而不遮擋像素電極25，需要將數(shù)據(jù)線21在薄膜晶體管24所在的像素單元23中的部分設(shè)置為折線形，參見圖2a。在圖2a中的數(shù)據(jù)線21的折線形僅是一個(gè)具體示例，也可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，只要既能夠與相應(yīng)的薄膜晶體管24進(jìn)行電連接而又不遮擋像素電極25即可，在此不作限定。
[0036]除了圖2a所示的像素電極25和與其位于同一行的且與其左側(cè)相鄰的像素單元23中的薄膜晶體管24電連接外，參見圖2b，像素電極25也可以與其位于同一行的且與其右側(cè)相鄰的像素單元23中薄膜晶體管24電連接。關(guān)于圖2b中的薄膜晶體管24的位置以及數(shù)據(jù)線在該薄膜晶體管24所在的像素單元23中的設(shè)置情況，請(qǐng)參見圖2a的相關(guān)描述，在此不再贅述。
[0037]在本發(fā)明實(shí)施例中，所述薄膜晶體管24的源極和與其電連接的像素電極25所在的像素單元23對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線21電連接；所述薄膜晶體管24的柵極和與其電連接的像素電極25所在的像素單元23對(duì)應(yīng)的掃描線22電連接。參見圖2a，薄膜晶體管24的源極與其所在的像素單元23左側(cè)的數(shù)據(jù)線21電連接，以為與該薄膜晶體管24電連接的像素電極25提供數(shù)據(jù)信號(hào)；薄膜晶體管24的柵極與其所在的像素單元23下方的掃描線22電連接，以控制與該薄膜晶體管24電連接的像素電極25所在的像素單元23的開啟或者關(guān)閉。參見圖2b，薄膜晶體管24的源極與其所在的像素單元23右側(cè)的數(shù)據(jù)線21電連接，以為與該薄膜晶體管24電連接的像素電極25提供數(shù)據(jù)信號(hào)；薄膜晶體管24的柵極與其所在的像素單元23下方的掃描線22電連接，以控制與該薄膜晶體管24電連接的像素電極25所在的像素單元23的開啟或者關(guān)閉。
[0038]在圖2a和圖2b中，像素單元23的排列方式采用了陣列排列。除此之外，像素單元23的排列方式也可以采用交錯(cuò)排列，具體請(qǐng)參見圖3a和圖3b。關(guān)于圖3a和圖3b所示的交錯(cuò)排列形成的像素結(jié)構(gòu)的詳細(xì)說明，請(qǐng)參照?qǐng)D2a和圖2b的相關(guān)描述，在此不再贅述。
[0039]具體地，如圖2a和圖3a所示，像素電極25和與其位于同一行的且與其左側(cè)相鄰的像素單元23中的薄膜晶體管24電連接，使得該像素電極25和與其左側(cè)相鄰的像素電極25之間的數(shù)據(jù)線21部分交疊；如圖2b和圖3b所示，像素電極25和與其位于同一行的且與其右側(cè)相鄰的像素單元23中的薄膜晶體管24電連接，使得該像素電極25和與其右側(cè)相鄰的像素電極25之間的數(shù)據(jù)線21部分交疊。
[0040]在上述像素結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，參見圖4，像素結(jié)構(gòu)還可以包括:公共電極26，所述公共電極26位于所述像素電極25和與所述像素電極25電連接的薄膜晶體管24的源極242和漏極243所在的膜層之間，且公共電極26與像素電極25之間通過第三絕緣層273電絕緣，公共電極26與源極242和漏極243通過第二絕緣層272電絕緣。此外，在圖4中，柵極241上覆蓋有第一絕緣層271，且有源層244位于第一絕緣層271上，源極242和漏極243設(shè)置在有源層244兩側(cè)且分別與有源層244電連接，源極242、漏極243和有源層244通過第一絕緣層271與柵極241電絕緣，以及漏極243與像素電極25電連接。
[0041]由于像素電極25和數(shù)據(jù)線21有交疊，在工作時(shí)，在交疊處可能會(huì)產(chǎn)生電信號(hào)的影響，因此，通過在薄膜晶體管24的源極242和漏極243與像素電極25之間設(shè)置公共電極26，可以對(duì)像素電極25和數(shù)據(jù)線21的交疊處起到電信號(hào)屏蔽的作用。
[0042]需要說明的是，在圖4中的薄膜晶體管24的柵極241設(shè)置在源極242和漏極243的下方，然而這僅是設(shè)置柵極241的具體示例，在其他示例中，柵極241也可以設(shè)置在源極242和漏極243的上方，在此不做限定。
[0043]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法。圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。如圖5所示，所述像素結(jié)構(gòu)的制造方法包括:
[0044]步驟301、形成多個(gè)薄膜晶體管；
[0045]具體地，形成的薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極以及位于源極和漏極之間的有源區(qū)，其中，薄膜晶體管的柵極可以位于源極和漏極上方(頂柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管)，也可以位于源極和漏極下方(底柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管)，在此不作限定。
[0046]步驟302、形成多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線，其中，所述多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線交叉形成多個(gè)像素單元，所述像素單元與一條數(shù)據(jù)線和一條掃描線對(duì)應(yīng)，每個(gè)像素單元包括一個(gè)薄膜晶體管；
[0047]步驟303、形成多個(gè)像素電極，每個(gè)像素電極位于一個(gè)像素單元中，所述像素電極具有多條狹縫，且所述狹縫端部具有至少一個(gè)拐角區(qū)域，其中，所述像素電極和與其位于同一行的且與其一側(cè)相鄰的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極的至少一個(gè)拐角區(qū)域向與所述像素電極電連接的薄膜晶體管所在的位置處延伸。
[0048]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板。圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖6，所述陣列基板包括:玻璃基板41和像素結(jié)構(gòu)42，所述像素結(jié)構(gòu)42為上述各實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)。
[0049]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板。圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖7，所述顯示面板包括陣列基板51、與陣列基板51相對(duì)設(shè)置的彩膜基板52以及位于陣列基板51和彩膜基板52之間的液晶層53，其中，液晶層53由液晶分子531形成。本實(shí)施例中的陣列基板51為上述實(shí)施例中所述的陣列基板。
[0050]需要說明的是，上述顯示面板可以具有觸控功能，也可以不具有觸控功能，在實(shí)際制作時(shí)，可以根據(jù)具體的需要進(jìn)行選擇和設(shè)計(jì)。其中，觸控功能可以為電磁觸控功能、電容觸控功能或者電磁電容觸控功能等。
[0051]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置。圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖8,顯示裝置60包括顯示面板61,還可以包括驅(qū)動(dòng)電路和其他用于支持顯示裝置60正常工作的器件。其中，所述顯示面板61為上述實(shí)施例中所述的顯示面板。上述的顯示裝置60可以為手機(jī)、臺(tái)式電腦、筆記本、平板電腦、電子紙中的一種。
[0052]本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置，通過將像素電極和與其位于同一行的且與其一側(cè)相鄰的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且像素電極的至少一個(gè)拐角區(qū)域向與該像素電極電連接的薄膜晶體管所在的位置處延伸，可以使得延伸后的拐角區(qū)域的長度增加，且相應(yīng)的拐角區(qū)域的端部靠近與其所在的像素電極電連接的薄膜晶體管，這樣相應(yīng)的拐角區(qū)域的端部在彩膜基板和陣列基板貼合后能夠被彩膜基板中的黑色矩陣很好地覆蓋，從而可以提高光的透過率。
[0053]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線； 所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條掃描線交叉形成的多個(gè)像素單元，其中，所述像素單元與一條數(shù)據(jù)線和一條掃描線對(duì)應(yīng)； 位于所述像素單元中的像素電極和薄膜晶體管，其中，所述像素電極具有多條狹縫，所述狹縫端部具有至少一個(gè)拐角區(qū)域； 其中，所述像素電極和與其位于同一行的且與其一側(cè)相鄰的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極的至少一個(gè)拐角區(qū)域向與所述像素電極電連接的薄膜晶體管所在的位置處延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管的位置靠近與其電連接的像素電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，與所述薄膜晶體管的位置相配合，所述數(shù)據(jù)線在所述薄膜晶體管所在的像素單元中的部分為折線形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極和與其一側(cè)相鄰的像素電極之間的數(shù)據(jù)線部分交疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包括:公共電極，所述公共電極位于所述像素電極和與所述像素電極電連接的薄膜晶體管的源極和漏極所在的膜層之間且與兩者電絕緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管的源極和與其電連接的像素電極所在的像素單元對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線電連接； 所述薄膜晶體管的柵極和與其電連接的像素電極所在的像素單元對(duì)應(yīng)的掃描線電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素單元的排列方式為交錯(cuò)排列或者矩陣排列。
8.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括: 形成多個(gè)薄膜晶體管； 形成多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線，其中，所述多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線交叉形成多個(gè)像素單元，所述像素單元與一條數(shù)據(jù)線和一條掃描線對(duì)應(yīng)，每個(gè)像素單元包括一個(gè)薄膜晶體管； 形成多個(gè)像素電極，每個(gè)像素電極位于一個(gè)像素單元中，所述像素電極具有多條狹縫，且所述狹縫端部具有至少一個(gè)拐角區(qū)域，其中，所述像素電極和與其位于同一行的且與其一側(cè)相鄰的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極的至少一個(gè)拐角區(qū)域向與所述像素電極電連接的薄膜晶體管所在的位置處延伸。
9.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。
10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的陣列基板。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求10所述的顯示面板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK104317115SQ201410531284
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月10日
【發(fā)明者】王聽海, 曹兆鏗, 林珧, 秦丹丹 申請(qǐng)人:上海中航光電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司