像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置，其中，像素結(jié)構(gòu)包括：多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線；多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線交叉形成的多個(gè)像素單元，其中，像素單元與一條數(shù)據(jù)線和一條掃描線對(duì)應(yīng)；位于像素單元中的像素電極和薄膜晶體管，像素電極具有多條狹縫，且狹縫具有拐角區(qū)域；其中，像素單元中的像素電極和與其相鄰的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域向該薄膜晶體管所在的位置處延伸。本發(fā)明的技術(shù)方案可以減少在開口區(qū)中拐角區(qū)域的數(shù)量，使得光透過率得到提高，同時(shí)還可以降低顯示圖像出現(xiàn)滑動(dòng)拖尾問題的風(fēng)險(xiǎn)，從而可以改善顯示面板和顯示裝置的顯示效果。
【專利說明】像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示裝置的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，且顯示效果不斷地得到改善。
[0003]在液晶顯示裝置中，位于TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)陣列基板上的像素結(jié)構(gòu)是其重要的組成部分，不同的像素結(jié)構(gòu)可以使液晶顯示裝置產(chǎn)生不同的顯示效果。圖1是現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)包括:多條數(shù)據(jù)線11和多條掃描線12，以及多條數(shù)據(jù)線11和多條掃描線12交叉形成的多個(gè)像素單元13 ;位于像素單元13中的薄膜晶體管14和像素電極15，其中，像素電極15包括多條狹縫151，且狹縫151的兩端(在圖1中為狹縫的上端和狹縫的下端)具有拐角區(qū)域Al。另外，在圖1中A2表示當(dāng)彩膜基板和TFT陣列基板正常貼合時(shí)被彩膜基板上的黑色矩陣覆蓋的區(qū)域。
[0004]從圖1中可以看出，在彩膜基板和TFT陣列基板正常貼合的情況下，黑色矩陣覆蓋了狹縫151的一部分拐角區(qū)域Al，其余部分的拐角區(qū)域Al位于開口區(qū)中。尤其是，如果彩膜基板和TFT陣列基板在貼合時(shí)發(fā)生偏移，則會(huì)使得更多的拐角區(qū)域Al位于開口區(qū)中。由于在拐角區(qū)域Al形成的電場(chǎng)與在狹縫151其余部分形成的電場(chǎng)對(duì)液晶分子的控制方向不同，因此，在液晶顯示裝置進(jìn)行顯示時(shí)，與狹縫151其余部分形成的電場(chǎng)相比，拐角區(qū)域Al形成的電場(chǎng)會(huì)造成光的透過率降低，如果較多的的拐角區(qū)域Al位于開口區(qū)中，還會(huì)增加液晶顯示裝置顯示圖像出現(xiàn)滑動(dòng)拖尾問題的風(fēng)險(xiǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中位于開口區(qū)中的狹縫的拐角區(qū)域造成光的透過率降低，同時(shí)會(huì)增加液晶顯示裝置顯示圖像出現(xiàn)滑動(dòng)拖尾問題的風(fēng)險(xiǎn)的技術(shù)問題。
[0006]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括:
[0007]多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線；
[0008]所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條掃描線交叉形成的多個(gè)像素單元，其中，所述像素單元與一條數(shù)據(jù)線和一條掃描線對(duì)應(yīng)；
[0009]位于所述像素單元中的像素電極和薄膜晶體管，其中，所述像素電極具有多條狹縫，所述狹縫具有拐角區(qū)域；
[0010]其中，所述像素單元中的像素電極和與其相鄰的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域向該薄膜晶體管所在的位置處延伸。
[0011]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:
[0012]形成多個(gè)薄膜晶體管；
[0013]形成多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線，其中，所述多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線交叉形成多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括一個(gè)薄膜晶體管；
[0014]形成多個(gè)像素電極，每個(gè)像素電極位于一個(gè)像素單元中，所述像素電極具有多條狹縫，且所述狹縫具有拐角區(qū)域，其中，所述像素電極和與其相鄰的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域向該薄膜晶體管所在的位置處延伸。
[0015]第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括上述第一方面所述的像素結(jié)構(gòu)。
[0016]第四方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括上述第三方面所述的陣列基板。
[0017]第五方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述第四方面所述的顯示面板。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置，通過將像素單元中的像素電極和與其相鄰的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域向該薄膜晶體管所在的位置處延伸，由于靠近薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域可以在彩膜基板和陣列基板貼合后被彩膜基板中的黑色矩陣完全地覆蓋，因此，可以減少在開口區(qū)中拐角區(qū)域的數(shù)量，使得光的透過率得到提高，同時(shí)還可以降低顯示圖像出現(xiàn)滑動(dòng)拖尾問題的風(fēng)險(xiǎn)，從而可以改善相應(yīng)的顯示面板和顯示裝置的顯示效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]通過閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0020]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3a是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3b是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5a是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖5b是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖5c是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖6a是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖6b是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖6c是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖；
[0032]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0035]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。
[0036]本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)。圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。所述像素結(jié)構(gòu)包括:多條數(shù)據(jù)線21和多條掃描線22 ;所述多條數(shù)據(jù)線21和所述多條掃描線22交叉形成的多個(gè)像素單元23，其中，所述像素單元23與一條數(shù)據(jù)線21和一條掃描線22對(duì)應(yīng)；位于所述像素單元23中的像素電極25和薄膜晶體管24，其中，所述像素電極25具有多條狹縫251，所述狹縫251具有拐角區(qū)域BI ;其中，所述像素單元23中的像素電極25和與其相鄰的且位于其上一行的像素單元23中的薄膜晶體管24電連接，且所述像素電極25中靠近該薄膜晶體管24側(cè)的拐角區(qū)域BI向該薄膜晶體管24所在的位置處延伸。
[0037]需要說明的是，像素單元進(jìn)行顯示是由位于像素單元中的像素電極和與該像素電極電連接的且控制該像素電極的薄膜晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)的，在薄膜晶體管對(duì)像素電極進(jìn)行控制的同時(shí)，也就實(shí)現(xiàn)了薄膜晶體管對(duì)所述像素電極所在的像素單元的控制。與薄膜晶體管的柵極電連接的掃描線可以控制薄膜晶體管的開啟或者關(guān)閉，與薄膜晶體管的源極電連接的數(shù)據(jù)線可以在薄膜晶體管開啟時(shí)，為與其電連接的像素電極提供數(shù)據(jù)信號(hào)。鑒于此，上述的像素單元23與一條數(shù)據(jù)線21和一條掃描線22對(duì)應(yīng)，可以理解為:與像素單元23對(duì)應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線21為控制該像素單元23的薄膜晶體管24所電連接的數(shù)據(jù)線21，與像素單元23對(duì)應(yīng)的一條掃描線22為控制該像素單元23的薄膜晶體管24所電連接的掃描線22。
[0038]通過將像素單元23中的像素電極25和與其相鄰的且位于其上一行的像素單元23中的薄膜晶體管24電連接，且所述像素電極25中靠近該薄膜晶體管24側(cè)的拐角區(qū)域BI向該薄膜晶體管24所在的位置處延伸，這樣靠近薄膜晶體管24側(cè)的拐角區(qū)域BI可以在彩膜基板和陣列基板貼合后被彩膜基板中的黑色矩陣完全地覆蓋，與現(xiàn)有技術(shù)相比，減少了在開口區(qū)中拐角區(qū)域的數(shù)量，相應(yīng)地使得光的透過率得到提高，同時(shí)還可以降低顯示圖像出現(xiàn)滑動(dòng)拖尾問題的風(fēng)險(xiǎn)。
[0039]在圖2所示的像素結(jié)構(gòu)中，像素單元采用了矩陣排列方式，然而像素單元也可以采用交錯(cuò)排列方式，即相鄰像素單元行之間錯(cuò)開約半個(gè)像素單元的寬度。如圖3a所示，與圖2中的像素結(jié)構(gòu)不同的是，像素單元23中的像素電極25和與其左側(cè)相鄰的且位于其上一行的像素單元23中的薄膜晶體管24電連接，且所述像素電極25中靠近該薄膜晶體管24側(cè)的拐角區(qū)域BI向該薄膜晶體管24所在的位置處延伸。另外，在圖3a中B2表示當(dāng)彩膜基板和TFT陣列基板正常貼合時(shí)被彩膜基板上的黑色矩陣覆蓋的區(qū)域。
[0040]參見圖3a，優(yōu)選為所述像素電極25上方的拐角區(qū)域BI拐向與所述像素電極25電連接的薄膜晶體管24側(cè)。通過這樣設(shè)置拐角區(qū)域BI，可以使更多的拐角區(qū)域BI能夠向相應(yīng)的薄膜晶體管24所在的位置延伸，從而可以使彩膜基板中的黑色矩陣能夠更好地覆蓋拐角區(qū)域BI。
[0041]圖3a僅是采用交錯(cuò)排列方式的像素單元形成像素結(jié)構(gòu)的一個(gè)具體示例。在另一個(gè)具體示例中，參見圖3b，與圖3a中的像素結(jié)構(gòu)不同的是，像素單元23中的像素電極25和與其右側(cè)相鄰的且位于其上一行的像素單元23中的薄膜晶體管24電連接，且所述像素電極25中靠近該薄膜晶體管24側(cè)的拐角區(qū)域BI向該薄膜晶體管24所在的位置處延伸。在圖3b中，同樣地，可以優(yōu)選為所述像素電極25上方的拐角區(qū)域BI拐向與所述像素電極25電連接的薄膜晶體管24側(cè)。
[0042]在本發(fā)明實(shí)施例中，在上述的像素結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，參見圖4，像素結(jié)構(gòu)還包括公共電極26，所述公共電極26位于所述像素電極25和與所述像素電極25電連接的薄膜晶體管24的源極242和漏極243所在的膜層之間，且公共電極26與像素電極25之間通過第三絕緣層273電絕緣，公共電極26與源極242和漏極243通過第二絕緣層272電絕緣。此外，在圖4中，柵極241上覆蓋有第一絕緣層271，且有源層244位于第一絕緣層271上，源極242和漏極243設(shè)置在有源層244兩側(cè)且分別與有源層244電連接，源極242、漏極243和有源層244通過第一絕緣層271與柵極241電絕緣，以及漏極243與像素電極25電連接。
[0043]由于像素電極25和與其電連接的薄膜晶體管24對(duì)應(yīng)的掃描線22有交疊，在工作時(shí)，在交疊處可能會(huì)產(chǎn)生電信號(hào)的影響，因此，通過在薄膜晶體管24的源極242和漏極243與像素電極25之間設(shè)置公共電極26，可以對(duì)像素電極25和掃描線22的交疊處起到電信號(hào)屏蔽的作用。
[0044]需要說明的是，在圖4中的薄膜晶體管24的柵極241設(shè)置在源極242和漏極243的下方，然而這僅是設(shè)置柵極241的具體示例，在其他示例中，柵極241也可以設(shè)置在源極242和漏極243的上方，在此不做限定。
[0045]在本發(fā)明實(shí)施例中，進(jìn)一步地，所述像素電極中靠近與其相鄰的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域與控制該薄膜晶體管的掃描線的區(qū)域交疊且電絕緣。例如，參見圖5a-圖5c，分別與圖2、圖3a和圖3b中的像素結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)，像素電極25上方的拐角區(qū)域BI和與該像素電極25電連接的薄膜晶體管24對(duì)應(yīng)的掃描線22區(qū)域交疊且電絕緣。通過將拐角區(qū)域向與其所在的像素電極電連接的薄膜晶體管所在位置延伸，并與控制該薄膜晶體管的掃描線區(qū)域形成交疊，這樣可以使彩膜基板中的黑色矩陣能夠更好地覆蓋所述拐角區(qū)域，從而可以使該拐角區(qū)域在透過方向上被黑色矩陣完全地覆蓋，進(jìn)而可以提高光的透過率，同時(shí)還可以降低顯示圖像出現(xiàn)滑動(dòng)拖尾問題的風(fēng)險(xiǎn)。
[0046]在本發(fā)明實(shí)施例中，像素電極的形狀可以優(yōu)選為指形。如圖6a所示，像素電極25的形狀為指形，在像素電極25中的狹縫251的一端(在圖中的上端)有拐角區(qū)域BI，在另一端(在圖中的上端)沒有拐角區(qū)域BI。將像素電極25帶有拐角區(qū)域BI的一端與上一行的且相鄰的像素單元中的薄膜晶體管電連接，其中，拐角區(qū)域BI向該薄膜晶體管所在的位置延伸，這樣像素電極25中的拐角區(qū)域BI就可以全部被彩膜基板中的黑色矩陣覆蓋，沒有拐角區(qū)域BI在開口區(qū)，從而可以更進(jìn)一步地提高光的透過率，同時(shí)也可以進(jìn)一步地降低顯示圖像出現(xiàn)滑動(dòng)拖尾問題的風(fēng)險(xiǎn)。
[0047]需要說明的是，除了上述的像素電極的結(jié)構(gòu)外，像素電極的結(jié)構(gòu)還可以有其它的類型。例如，如圖6b所示，像素電極25中的狹縫251的兩端同樣均有拐角區(qū)域BI，然而兩端的拐角區(qū)域BI拐向相同的方向，即兩端的拐角區(qū)域BI均拐向右側(cè)；如圖6c所示，像素電極25中的狹縫251的兩端均有拐角區(qū)域BI，且均拐向右側(cè)，與圖6b不同的是，圖6c中的狹縫251包括一個(gè)V形結(jié)構(gòu)，使得像素電極25形成了雙疇結(jié)構(gòu)。
[0048]在本發(fā)明實(shí)施例中，進(jìn)一步地，所述薄膜晶體管的源極和與其所在的像素單元對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線電連接；所述薄膜晶體管的柵極和與其所在的像素單元對(duì)應(yīng)的掃描線電連接。通過上述薄膜晶體管的電連接方式，可以使像素電極由與其相鄰的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管來(lái)控制。
[0049]在本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選為所述像素電極和與其電連接的薄膜晶體管所在的像素單元中的像素電極之間的距離為大于等于4 μπι且小于等于6 μπι。通過將像素電極和與其電連接的薄膜晶體管所在的像素單元中的像素電極之間的距離設(shè)置在上述的數(shù)值范圍內(nèi)，不僅可以減少在開口區(qū)中的拐角區(qū)域的數(shù)量，而且還可以避免像素電極和與其電連接的薄膜晶體管所在的像素單元中的像素電極之間相互的電場(chǎng)信號(hào)的干擾。
[0050]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法。圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。參見圖7，所述像素結(jié)構(gòu)的制造方法包括:
[0051]步驟301、形成多個(gè)薄膜晶體管；
[0052]具體地，形成的薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極以及位于源極和漏極之間的有源區(qū)，其中，薄膜晶體管的柵極可以位于源極和漏極上方(頂柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管)，也可以位于源極和漏極下方(底柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管)，在此不作限定。
[0053]步驟302、形成多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線，其中，所述多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線交叉形成多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括一個(gè)薄膜晶體管；
[0054]步驟303、形成多個(gè)像素電極，每個(gè)像素電極位于一個(gè)像素單元中，所述像素電極具有多條狹縫，且所述狹縫具有拐角區(qū)域，其中，所述像素電極和與其相鄰的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域向該薄膜晶體管所在的位置處延伸。
[0055]在本實(shí)施例中，進(jìn)一步地，所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域向該薄膜晶體管所在的位置處延伸，可以包括:所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域與控制該薄膜晶體管的掃描線的區(qū)域完全交疊且電絕緣。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板。圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖8，所述陣列基板包括:玻璃基板41和像素結(jié)構(gòu)42，所述像素結(jié)構(gòu)42為上述各實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板。圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖9，所述顯示面板包括陣列基板51、與陣列基板51相對(duì)設(shè)置的彩膜基板52以及位于陣列基板51和彩膜基板52之間的液晶層53，其中，液晶層53由液晶分子531形成。本實(shí)施例中的陣列基板51為上述實(shí)施例中所述的陣列基板。
[0058]需要說明的是，上述顯示面板可以具有觸控功能，也可以不具有觸控功能，在實(shí)際制作時(shí)，可以根據(jù)具體的需要進(jìn)行選擇和設(shè)計(jì)。其中，觸控功能可以為電磁觸控功能、電容觸控功能或者電磁電容觸控功能等。
[0059]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置。圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖10，顯示裝置60包括顯示面板61，還可以包括驅(qū)動(dòng)電路和其他用于支持顯示裝置60正常工作的器件。其中，所述顯示面板61為上述實(shí)施例中所述的顯示面板。上述的顯示裝置60可以為手機(jī)、臺(tái)式電腦、筆記本、平板電腦、電子紙中的一種。
[0060]本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置，通過將像素單元中的像素電極和與其相鄰的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域向該薄膜晶體管所在的位置處延伸，由于靠近薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域可以在彩膜基板和陣列基板貼合后被彩膜基板中的黑色矩陣完全地覆蓋，因此，可以減少在開口區(qū)中拐角區(qū)域的數(shù)量，使得光的透過率得到提高，同時(shí)還可以降低顯示圖像出現(xiàn)滑動(dòng)拖尾問題的風(fēng)險(xiǎn)，從而可以改善相應(yīng)的顯示面板和顯示裝置的顯示效果。
[0061]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線； 所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條掃描線交叉形成的多個(gè)像素單元，其中，所述像素單元與一條數(shù)據(jù)線和一條掃描線對(duì)應(yīng)； 位于所述像素單元中的像素電極和薄膜晶體管，其中，所述像素電極具有多條狹縫，所述狹縫具有拐角區(qū)域； 其中，所述像素單元中的像素電極和與其相鄰的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域向該薄膜晶體管所在的位置處延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極中靠近與其相鄰的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域與控制該薄膜晶體管的掃描線的區(qū)域交疊且電絕緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素單元的排列方式為交錯(cuò)排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素單元中的像素電極和與其一側(cè)相鄰的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域向該薄膜晶體管所在的位置處延伸；或者 所述像素單元中的像素電極和與其另一側(cè)相鄰的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域向該薄膜晶體管所在的位置處延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極上方的拐角區(qū)域拐向與所述像素電極電連接的薄膜晶體管側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素單元的排列方式為矩陣排列。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素單元中的像素電極和與其位于同一列的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域向該薄膜晶體管所在的位置處延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包括:公共電極，所述公共電極位于所述像素電極和與所述像素電極電連接的薄膜晶體管的源極和漏極所在的膜層之間且與兩者均電絕緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極的形狀為指形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極和與其電連接的薄膜晶體管所在的像素單元中的像素電極之間的距離為大于等于4賴且小于等于6
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管的源極和與其所在的像素單元對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線電連接； 所述薄膜晶體管的柵極和與其所在的像素單元對(duì)應(yīng)的掃描線電連接。
12.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括: 形成多個(gè)薄膜晶體管； 形成多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線，其中，所述多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線交叉形成多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括一個(gè)薄膜晶體管； 形成多個(gè)像素電極，每個(gè)像素電極位于一個(gè)像素單元中，所述像素電極具有多條狹縫，且所述狹縫具有拐角區(qū)域，其中，所述像素電極和與其相鄰的且位于其上一行的像素單元中的薄膜晶體管電連接，且所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域向該薄膜晶體管所在的位置處延伸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域向該薄膜晶體管所在的位置處延伸，包括: 所述像素電極中靠近該薄膜晶體管側(cè)的拐角區(qū)域與控制該薄膜晶體管的掃描線的區(qū)域完全交疊且電絕緣。
14.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。
15.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求14所述的陣列基板。
16.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求15所述的顯示面板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK104483788SQ201410531217
【公開日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年10月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月10日
【發(fā)明者】林珧, 秦丹丹, 曹兆鏗, 莫英華 申請(qǐng)人:上海中航光電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司