Tft陣列基板的制作方法及tft陣列基板結構的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種TFT陣列基板的制作方法及TFT陣列基板結構，所述TFT陣列基板結構包括基板(1)、位于基板(1)上的第一金屬電極(2)、位于基板(1)上且完全覆蓋所述第一金屬電極(2)的柵極絕緣層(3)、位于柵極絕緣層(3)上的島狀半導體層(4)、位于柵極絕緣層(3)與島狀半導體層(4)上的第二金屬電極(6)、位于第二金屬電極(6)上的保護層(8)、位于保護層(8)上的色阻層(7)、位于色阻層(7)上的保護層(12)、及位于保護層(12)上的第一像素電極層(9)；所述保護層(8)、色阻層(7)與保護層(12)上具有一過孔(81)，所述過孔(81)內(nèi)部填充有機材料層(10)。
【專利說明】TFT陣列基板的制作方法及TFT陣列基板結構

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種TFT陣列基板的制作方法及TFT陣列基 板結構。

【背景技術】
[0002] 平面顯示裝置具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應用?，F(xiàn)有的 平面顯示裝置主要包括液晶顯示裝置（Liquid Crystal Display, IXD)及有機電致發(fā)光顯 示裝置（Organic Light Emitting Display, 0LED)。在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶 顯不器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Dsiplay，簡稱 TFT-LCD)具有體積小、功 耗低、制造成本相對較低和無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導地位。
[0003] 目前的液晶顯示器屏幕主要原理為背光源發(fā)出白光，通過陣列基板偏光片后，由 于液晶旋轉(zhuǎn)角度的不同，造成光偏振態(tài)的改變，通過CF上的偏光片后，造成不同像素亮度 的不同。而全彩顯示器則是在CF基板上面加了一層彩色濾光片，使得不同像素RGB三基色 的混光強度不同，以實現(xiàn)彩色顯示。
[0004] 為了增大開口率以及降低像素寄生電容等的影響，目前C0A(Color Filter on Array)技術被廣泛采用。C0A技術是將彩色濾光片與陣列基板集成在一起的其中一種集成 技術。即將彩色光阻涂布于已完成的陣列上形成彩色濾光層，可以改善傳統(tǒng)彩色濾光片開 口率低的問題。
[0005] 傳統(tǒng)的液晶顯示器的結構為兩片玻璃基板中間夾有液晶層，在其中一片玻璃基板 上制備薄膜晶體管（TFT)，用于驅(qū)動液晶的旋轉(zhuǎn)，控制每個像素的顯示；另一塊基板上制備 彩色濾光層，用于形成每個像素的色彩。彩色濾光片集成技術是將TFT和彩色濾光層制備 在同一片玻璃基板上，采用這種技術具有以下優(yōu)點：
[0006] (1)上下基板自對準。在傳統(tǒng)結構下，當前后兩片玻璃基板上分別加工完成TFT和 彩色濾光層后，需要將兩片玻璃上相應的像素位置對準后再封盒，即存在一個對準工藝，改 工藝的準確性將直接影響顯示器的質(zhì)量。采用C0A技術后，因兩者都在一片玻璃上，可以自 對準，省卻了對準工藝，簡化了加工過程，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。
[0007] (2)降低成本。彩色濾光片在液晶顯示器的成本中占有很大的比重，將彩色濾光片 制備在TFT上可以減少彩色濾光片的制造工藝，有效降低成本；另外，彩色濾光片對性能的 影響很大，而彩色濾光片和液晶顯示屏往往由不同廠商生產(chǎn)，在配合上需要消耗人力物力， 質(zhì)量難以保證。而C0A集成技術可以解決上述問題，降低成本。
[0008] (3)提高產(chǎn)品性能，增大開口率，提高透過率。采用彩色濾光片技術可將黑色矩陣 的線寬從27 μ m降低到10 μ m左右，可將開口率提高15%，相應的透過率也大大提高。
[0009] 但是，由于彩色濾光片較厚，通常會有幾個微米的厚度，這就使得聯(lián)通信號線與像 素電極的過孔需要做很大才能保證有效接觸。由于較大的過孔，會造成氣泡、開口率降低、 液晶導向錯亂以及配向異常等問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本發(fā)明的目的在于提供一種TFT陣列基板的制作方法，該制作方法簡單，該方法 制得的TFT陣列基板用于液晶顯示器時，可避免出現(xiàn)氣泡等問題，提高像素開口率，防止液 晶導向錯亂并增大固化制程中電場的均勻性。
[0011] 本發(fā)明的另一目的在于提供一種TFT陣列基板結構，其結構簡單，制程簡便，且使 用其的液晶顯示器不易產(chǎn)生氣泡，像素開口率較高，不會出現(xiàn)液晶導向錯亂的現(xiàn)象。
[0012] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板的制作方法，包括如下步驟：
[0013] 步驟1、提供一基板，在該基板上沉積第一金屬層并圖案化，形成第一金屬電極；
[0014] 步驟2、在所述第一金屬電極與基板上依次形成柵極絕緣層、及島狀半導體層；
[0015] 步驟3、在柵極絕緣層與島狀半導體層上沉積第二金屬層并圖案化，形成第二金屬 電極；
[0016] 步驟4、在所述第二金屬電極上沉積保護層并圖案化，形成保護層；
[0017] 步驟5、在所述保護層上涂布色阻層，在所述色阻層上沉積保護層并圖案化，形成 保護層，并在保護層、色阻層與保護層上形成過孔；
[0018] 步驟6、在所述保護層和第二金屬電極上形成像素電極層與有機材料層。
[0019] 所述步驟6具體為：
[0020] 步驟61、在所述保護層和第二金屬電極上沉積第一像素電極層并圖案化，形成第 一像素電極層，所述第一像素電極層通過過孔與第二金屬電極連接；
[0021] 步驟62、在所述第一像素電極層上涂覆有機材料層，所述有機材料層填充過孔；
[0022] 步驟63、對所述有機材料層顯影處理，去除過孔外部的有機材料層。
[0023] 所述步驟6具體為：
[0024] 步驟611、在所述保護層和第二金屬電極上沉積第一像素電極層；
[0025] 步驟612、在所述第一像素電極層上涂覆有機材料層，所述有機材料層填充過孔；
[0026] 步驟613、對所述有機材料層顯影處理，去除過孔周圍的有機材料層；
[0027] 步驟614、在所述第一像素電極層和有機材料層上沉積第二像素電極層；
[0028] 步驟615、采用一道光刻制程同時對第一像素電極層和第二像素電極層進行圖案 化處理，形成第一像素電極層和第二像素電極層，所述第一像素電極層和第二像素電極層 通過過孔與第二金屬電極連接。
[0029] 所述步驟1-4中，采用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法沉積第一金屬電極、柵 極絕緣層、島狀半導體層、蝕刻阻擋層、第二金屬電極、及保護層。
[0030] 所述步驟1中，所述基板為玻璃基板；所述步驟2中，所述島狀半導體層為非晶硅， 所述柵極絕緣層、及島狀半導體層經(jīng)成膜、曝光、顯影、及刻蝕工藝依次形成。。
[0031] 步驟5所述色阻層為RGB色阻層，所述過孔頂部的直徑為20 μ m，所述有機材料層 為光阻類材料。
[0032] 所述步驟61中，采用物理氣相沉積法沉積所述第一像素電極層，所述第一像素電 極層材料為ΙΤ0或ΙΖ0。
[0033] 采用物理氣相沉積法沉積所述第一像素電極層和第二像素電極層，第一像素電極 層和所述第二像素電極層材料為ΙΤ0或ΙΖ0。
[0034] 本發(fā)明還提供一種TFT陣列基板結構，包括基板、位于基板上的第一金屬電極、位 于基板上且完全覆蓋所述第一金屬電極的柵極絕緣層、位于柵極絕緣層上的島狀半導體 層、位于柵極絕緣層與島狀半導體層上的第二金屬電極、位于第二金屬電極上的保護層、位 于保護層上的色阻層、位于色阻層上的保護層、及位于保護層上的第一像素電極層；所述 保護層、色阻層與保護層上具有一過孔，所述過孔內(nèi)部填充有機材料層；所述基板為玻璃 基板，所述島狀半導體層為非晶硅，所述色阻層為RGB色阻層，所述第一像素電極層材料為 ITO或IZO,所述有機材料層為光阻類材料。
[0035] 還包括位于第一像素電極層與有機材料層上的第二像素電極層，所述第二像素電 極層材料為ΙΤ0或ΙΖ0。
[0036] 本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的TFT陣列基板的制作方法及TFT陣列基板結構， 通過在過孔內(nèi)部填滿有機材料，以及設置兩層像素電極層，減小了地形斷差，使得采用該結 構的像素將基本上完全平坦，且像素電極有效控制面積增大，提高了像素開口率；由于較大 的過孔被填平，減小了地形斷差，使得氣泡風險降低；由于過孔處液晶也可有效控制，且電 場無地形差異，使得固化電場均勻性提高，防止液晶導向錯亂。
[0037] 為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內(nèi)容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細 說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0038] 下面結合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案 及其他有益效果顯而易見。
[0039] 附圖中，
[0040] 圖1為本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法的示意流程圖；
[0041] 圖2為本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法第一實施例步驟7的示意圖；
[0042] 圖3為本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法第一實施例步驟8的示意圖；
[0043] 圖4為本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法第二實施例步驟7的示意圖；
[0044] 圖5為本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法第二實施例步驟8的示意圖；
[0045] 圖6為本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法第二實施例步驟9的示意圖；
[0046] 圖7為本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法第二實施例步驟10的示意圖。

【具體實施方式】
[0047] 為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施 例及其附圖進行詳細描述。
[0048] 圖1為本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法的示意流程圖；本說明書采用兩個具體實 施例對本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法進行描述。
[0049] 請參閱圖1-圖3,本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法的第一實施例包括如下步驟：
[0050] 步驟1、提供一基板1，在該基板1上沉積第一金屬層并圖案化，形成第一金屬電極 2〇
[0051] 優(yōu)選的，所述基板1為玻璃基板。
[0052] 步驟2、在所述第一金屬電極2與基板1上經(jīng)成膜、曝光、顯影、刻蝕等工藝依次形 成柵極絕緣層3、及島狀半導體層4。
[0053] 優(yōu)選的，所述島狀半導體層4為非晶硅。所述柵極絕緣層3完全覆蓋第一金屬電 極2。
[0054] 步驟3、在所述柵極絕緣層3與島狀半導體層4上沉積第二金屬層并圖案化，形成 第二金屬電極6。
[0055] 步驟4、在所述第二金屬電極6上沉積保護層并圖案化，形成保護層8。
[0056] 值得一提的是，所述步驟1-4中，均采用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法沉積 第一金屬電極2、柵極絕緣層3、島狀半導體層4、第二金屬電極6、及保護層8。
[0057] 步驟5、在所述保護層8上涂布色阻層7,在所述色阻層7上沉積保護層并圖案化， 形成保護層12,并在保護層8,色阻層7和保護層12上形成過孔81。
[0058] 具體的，所述色阻層7為RGB色阻層。優(yōu)選的，所述過孔81頂部的直徑為20 μ m 左右。
[0059] 步驟6、在所述保護層12和第二金屬電極6上沉積第一像素電極層并圖案化，形成 第一像素電極層9,所述第一像素電極層9通過過孔81與第二金屬電極6連接。
[0060] 具體的，采用物理氣相沉積法沉積所述第一像素電極層9。優(yōu)選的，所述第一像素 電極層9材料為ΙΤ0 (氧化銦錫）或ΙΖ0 (銦鋅氧化物）。
[0061] 步驟7、在所述第一像素電極層9上涂覆有機材料層10,所述有機材料層10填充 過孔81。
[0062] 此時，不僅過孔81內(nèi)部，整個陣列基板最上層也都涂布滿了平坦的有機材料層 10。優(yōu)選的，所述有機材料層10為光阻類材料。
[0063] 步驟8、對所述有機材料層10顯影處理，去除過孔81周圍的有機材料層10。
[0064] 值得一提的是，通過控制顯影速度，使得顯影結束時，只有過孔81內(nèi)部存在有機 材料層10,過孔81周圍的其它地方無有機材料層10殘留。
[0065] 該第一實施例中通過涂布有機材料層10,使過孔81內(nèi)部填滿有機材料，減小了地 形斷差，防止了液晶導向錯亂。更重要的是，減小了過孔81內(nèi)液晶藏匿氣體的可能，減少了 出現(xiàn)氣泡問題的風險。
[0066] 請參閱圖1與圖4-7,本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法的第二實施例包括如下步 驟：
[0067] 步驟1、提供一基板1，在該基板1上沉積第一金屬層并圖案化，形成第一金屬電極 2〇
[0068] 優(yōu)選的，所述基板1為玻璃基板。
[0069] 步驟2、在所述第一金屬電極2與基板1上經(jīng)成膜、曝光、顯影、刻蝕等工藝依次形 成柵極絕緣層3、及島狀半導體層4。
[0070] 優(yōu)選的，所述島狀半導體層4為非晶硅。所述柵極絕緣層3完全覆蓋第一金屬電 極2。
[0071] 步驟3、在所述柵極絕緣層3與島狀半導體層4上沉積第二金屬層并圖案化，形成 第二金屬電極6。
[0072] 步驟4、在所述第二金屬電極6上沉積保護層并圖案化，形成保護層8。
[0073] 值得一提的是，所述步驟1-4中，均采用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法沉積 第一金屬電極2、柵極絕緣層3、島狀半導體層4、蝕刻阻擋層5、第二金屬電極6、及保護層 8〇
[0074] 步驟5、在所述保護層8上涂布色阻層7,在所述色阻層7上沉積保護層并圖案化， 形成保護層12,并在保護層8,色阻層7和保護層12上形成過孔81。
[0075] 具體的，所述色阻層7為RGB色阻層。優(yōu)選的，所述過孔81頂部的直徑為20 μ m 左右。
[0076] 步驟6、在所述保護層12和第二金屬電極6上沉積第一像素電極層。
[0077] 具體的，采用物理氣相沉積法沉積所述第一像素電極層。優(yōu)選的，所述第一像素電 極層材料為ΙΤ0或ΙΖ0。
[0078] 步驟7、在所述第一像素電極層上涂覆有機材料層10,所述有機材料層10填充過 孔81。
[0079] 此時，不僅過孔81內(nèi)部，整個陣列基板最上層也都涂布滿了平坦的有機材料層 10。優(yōu)選的，所述有機材料層10為光阻類材料。
[0080] 步驟8、對所述有機材料層10顯影處理，去除過孔81周圍的有機材料層10。
[0081] 值得一提的是，通過控制顯影速度，使得顯影結束時，只有過孔81內(nèi)部存在有機 材料層10,過孔81周圍的其它地方無有機材料層10殘留。
[0082] 步驟9、在所述第一像素電極層和有機材料層10上沉積第二像素電極層。
[0083] 具體的，采用物理氣相沉積法沉積所述第二像素電極層。優(yōu)選的，所述第二像素電 極層材料為ΙΤ0或ΙΖ0。
[0084] 步驟10、采用一道光刻制程同時對第一像素電極層和第二像素電極層進行圖案化 處理，形成第一像素電極層9和第二像素電極層11，所述第一像素電極層9和第二像素電極 層11通過過孔81與第二金屬電極6連接。
[0085] 與第一實施例相比，該第二實施例的不同之處在于，步驟6中在所述保護層12上 沉積第一像素電極層后，先不對其進行圖案化處理，而是直接進行步驟7-8的操作，最后在 步驟8得到的基板上進行步驟9的操作，即沉積第二像素電極層，最后進行步驟10的操作， 將第二像素電極層與第一像素電極層統(tǒng)一進行圖案化處理。
[0086] 該第二實施例中，在沉積第一像素電極層后，將C0A制程所形成的巨大的過孔81 通過有機材料層10的涂覆制程進行填充，然后進行平坦化處理。之后，再次進行沉積第二 像素電極層的制程，最后對兩層像素電極層進行統(tǒng)一的圖案化制程。這樣不僅可以使過孔 處的地形斷差有效消除，減少產(chǎn)生液晶氣泡的風險，并且由于像素電極層在整個像素區(qū)幾 乎無地形斷差，使得VA (Vertical Alignment liquid crystal,垂直排列液晶）模式制程中 的固化制程的電場均勻性得到提升，不會出現(xiàn)液晶錯亂的現(xiàn)象。同時，由于過孔81處的液 晶也能有效控制，對于像素的開口率也會有一定程度的改善。
[0087] 請參考圖3,本發(fā)明提供一種TFT陣列基板結構，包括基板1、位于基板1上的第一 金屬電極2、位于基板1上且完全覆蓋所述第一金屬電極2的柵極絕緣層3、位于柵極絕緣 層3上的島狀半導體層4、位于柵極絕緣層3與島狀半導體層4上的第二金屬電極6、位于 第二金屬電極6上的保護層8、位于保護層8上的色阻層7、位于色阻層7上的保護層12、 位于保護層12上的第一像素電極層9 ;所述保護層8、色阻層7及保護層12上具有一過孔 81，所述過孔81內(nèi)部填充有機材料層10 ;所述基板1為玻璃基板，所述島狀半導體層4為 非晶硅，所述色阻層7為RGB色阻層，所述第一像素電極層9材料為ΙΤ0或ΙΖ0,所述有機材 料層10為光阻類材料。
[0088] 請參考圖7,本發(fā)明還提供一種TFT陣列基板結構，與上一實施例相比，其不同之 處在于，還包括位于第一像素電極層9與有機材料層10上的第二像素電極層11。優(yōu)選的， 所述第二像素電極層11材料為ΙΤ0或ΙΖ0。
[0089] 綜上所述，本發(fā)明提供的TFT陣列基板的制作方法及TFT陣列基板結構，通過在過 孔內(nèi)部填滿有機材料，以及設置兩層像素電極層，減小了地形斷差，使得采用該結構的像素 將基本上完全平坦，且像素電極有效控制面積增大，提高了像素開口率；由于較大的過孔被 填平，減小了地形斷差，使得氣泡風險降低；由于過孔處液晶也可有效控制，且電場無地形 差異，使得固化電場均勻性提高，防止液晶導向錯亂。
[0090] 以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術 構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明后附的權利 要求的保護范圍。
【權利要求】
1. 一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1、提供一基板（1)，在該基板（1)上沉積第一金屬層并圖案化，形成第一金屬電極 (2)； 步驟2、在所述第一金屬電極（2)與基板（1)上形成柵極絕緣層（3)、及島狀半導體層 (4)； 步驟3、在柵極絕緣層（3)與島狀半導體層（4)上沉積第二金屬層并圖案化，形成第二 金屬電極（6); 步驟4、在所述第二金屬電極（6)上沉積保護層并圖案化，形成保護層（8); 步驟5、在所述保護層（8)上涂布色阻層（7)，在所述色阻層（7)上沉積保護層并圖案 化，形成保護層（12)，并在保護層（8)、色阻層（7)與保護層（12)上形成過孔（81); 步驟6、在所述保護層（12)和第二金屬電極￠)上形成像素電極層與有機材料層 (10)。
2. 如權利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟6具體為： 步驟61、在所述保護層（12)和第二金屬電極（6)上沉積第一像素電極層并圖案化，形 成第一像素電極層（9)，所述第一像素電極層（9)通過過孔（81)與第二金屬電極（6)連接； 步驟62、在所述第一像素電極層（9)上涂覆有機材料層（10)，所述有機材料層（10)填 充過孔（81); 步驟63、對所述有機材料層（10)顯影處理，去除過孔（81)外部的有機材料層（10)。
3. 如權利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟6具體為： 步驟611、在所述保護層（12)和第二金屬電極（6)上沉積第一像素電極層； 步驟612、在所述第一像素電極層上涂覆有機材料層（10)，所述有機材料層（10)填充 過孔（81); 步驟613、對所述有機材料層（10)顯影處理，去除過孔（81)周圍的有機材料層（10); 步驟614、在所述第一像素電極層和有機材料層（10)上沉積第二像素電極層； 步驟615、采用一道光刻制程同時對第一像素電極層和第二像素電極層進行圖案化處 理，形成第一像素電極層（9)和第二像素電極層（11)，所述第一像素電極層（9)和第二像素 電極層（11)通過過孔（81)與第二金屬電極（6)連接。
4. 如權利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟1-4中，采用 物理氣相沉積法或化學氣相沉積法沉積第一金屬電極（2)、柵極絕緣層（3)、島狀半導體層 (4)、蝕刻阻擋層（5)、第二金屬電極（6)、及保護層（8)。
5. 如權利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，所述基 板⑴為玻璃基板；所述步驟2中，所述島狀半導體層⑷為非晶娃，所述柵極絕緣層（3)、 及島狀半導體層（4)經(jīng)成膜、曝光、顯影、及刻蝕工藝依次形成。
6. 如權利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，步驟5所述色阻層（7) 為RGB色阻層，所述過孔（81)頂部的直徑為20 μ m，所述有機材料層（10)為光阻類材料。
7. 如權利要求2所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟61中，采用物 理氣相沉積法沉積所述第一像素電極層（9)，所述第一像素電極層（9)材料為ITO或IZO。
8. 如權利要求3所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，采用物理氣相沉積法沉 積所述第一像素電極層（9)和第二像素電極層（11)，第一像素電極層（9)和所述第二像素 電極層（11)材料為ITO或IZO。
9. 一種TFT陣列基板結構，其特征在于，包括基板（1)、位于基板（1)上的第一金屬電 極（2)、位于基板（1)上且完全覆蓋所述第一金屬電極（2)的柵極絕緣層（3)、位于柵極絕 緣層（3)上的島狀半導體層（4)、位于柵極絕緣層（3)與島狀半導體層（4)上的第二金屬電 極（6)、位于第二金屬電極（6)上的保護層（8)、位于保護層（8)上的色阻層（7)、位于色阻 層（7)上的保護層（12)、及位于保護層（12)上的第一像素電極層（9);所述保護層（8)、色 阻層（7)與保護層（12)上具有一過孔（81)，所述過孔（81)內(nèi)部填充有機材料層（10);所 述基板⑴為玻璃基板，所述島狀半導體層⑷為非晶娃，所述色阻層（7)為RGB色阻層， 所述第一像素電極層（9)材料為IT0或IZ0,所述有機材料層（10)為光阻類材料。
10. 如權利要求9所述的TFT陣列基板結構，其特征在于，還包括位于第一像素電極層 (9)與有機材料層（10)上的第二像素電極層（11)，所述第二像素電極層（11)材料為IT0 或 IZ0。
【文檔編號】G02F1/136GK104157612SQ201410415951
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月21日 優(yōu)先權日:2014年8月21日
【發(fā)明者】孫博, 徐洪遠, 蕭祥志, 蘇長義, 曾勉, 王笑笑 申請人:深圳市華星光電技術有限公司