半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其簡(jiǎn)單地減少由微泡引起的顯影缺陷。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序：(a)準(zhǔn)備在一個(gè)主面上形成有光致抗蝕劑膜(2)的碳化硅襯底(1)的工序；(b)將第1顯影液(3)滴下至光致抗蝕劑膜(2)上的工序；(c)在工序(b)結(jié)束后經(jīng)過第1顯影時(shí)間后，使碳化硅襯底(1)旋轉(zhuǎn)，從光致抗蝕劑膜(2)上甩掉第1顯影液(3)的工序；(d)在工序(c)之后向光致抗蝕劑膜(2)上滴下第2顯影液(3)的工序；以及(e)在工序(d)結(jié)束后經(jīng)過第2顯影時(shí)間后，使碳化硅襯底(1)旋轉(zhuǎn)，從光致抗蝕劑膜(2)上甩掉第2顯影液(3)的工序。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體裝置的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造工序中的顯影處理。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，抗蝕圖案的形成是重要的精密加工工序，由以下的工序構(gòu)成。I)首先，在半導(dǎo)體襯底的表面上涂敷光致抗蝕劑(感光性材料)膜。2)然后，使用掩模，通過紫外線曝光裝置將電路圖案印至光致抗蝕劑膜上。3)最后，進(jìn)行光致抗蝕劑膜的顯影處理。經(jīng)過這3個(gè)工序，形成抗蝕圖案。
[0003]顯影處理工序由以下的工序構(gòu)成。I)首先，將印有電路圖案的光致抗蝕劑膜浸潰在顯影液中。2)然后，將光致抗蝕劑膜浸潰在純水等顯影停止液(清洗液)中，置換顯影液而使顯影停止。3)最后，使晶圓旋轉(zhuǎn)，甩掉清洗液，并對(duì)晶圓進(jìn)行干燥。
[0004]在I)的使光致抗蝕劑膜浸潰至顯影液中的工序中，為了使顯影液擴(kuò)展至半導(dǎo)體襯底的整個(gè)面，大多采用下述方式，即，在向半導(dǎo)體襯底上滴下顯影液后或者滴下的同時(shí)，使半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)。此時(shí)，在顯影液滴下時(shí)，有時(shí)會(huì)擠入空氣。另外，在通過氮?dú)獾葘?duì)顯影液進(jìn)行加壓后使其滴下的情況下，如果顯影液被滴下至半導(dǎo)體襯底上并恢復(fù)大氣壓，則在加壓過程中溶入至顯影液中的氮?dú)獾葧?huì)發(fā)泡。另外，在光致抗蝕劑膜是使用酚醛樹脂的正型的情況下，通過曝光時(shí)的感光反應(yīng)生成的氮?dú)膺M(jìn)入光致抗蝕劑膜中。由于上述多種原因，在向光致抗蝕劑膜表面滴下的顯影液中產(chǎn)生微泡(氣泡)。其中，附著在光致抗蝕劑膜的表面上的微泡，成為阻礙顯影液與光致抗蝕劑膜接觸而引起顯影缺陷的原因，使半導(dǎo)體裝置的合格率下降。
[0005]作為去除該微泡的方法，在專利文獻(xiàn)I?3中公開了:分多次進(jìn)行顯影液的噴出這一方式是有效的。在專利文獻(xiàn)I公開的方法中，首先，一邊使半導(dǎo)體襯底以100?500rpm的速度旋轉(zhuǎn)，一邊向半導(dǎo)體襯底滴下顯影液，得到半導(dǎo)體襯底表面的浸潤(rùn)性高的狀態(tài)。然后，使顯影液的滴下停止，使半導(dǎo)體襯底以500?1500rpm的速度旋轉(zhuǎn)。最后，在使半導(dǎo)體襯底靜止的狀態(tài)下，或者在使半導(dǎo)體襯底以小于或等于10rpm的速度旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，再次滴下顯影液形成液池后，向半導(dǎo)體襯底滴下清洗液，對(duì)顯影液進(jìn)行沖洗。
[0006]另外，在專利文獻(xiàn)2中公開了下述內(nèi)容，即，通過第2次及第2次以后的顯影液的噴出，去除在通過第一次的顯影液噴出而形成液池時(shí)附著在光致抗蝕劑膜表面上的微泡。另外，公開了下述內(nèi)容，即，在向半導(dǎo)體襯底上噴出顯影液而形成液池后，通過反復(fù)進(jìn)行半導(dǎo)體襯底的高加速度旋轉(zhuǎn)和停止，也能夠去除微泡。
[0007]另外，在專利文獻(xiàn)3中公開了下述方法，S卩，在將顯影液向光致抗蝕劑膜上噴出后，間隔規(guī)定時(shí)間再次將顯影液向光致抗蝕劑膜上噴出的方法。通過將第2次顯影液的濃度設(shè)為比第I次顯影液的濃度低，從而在第2次顯影工序中，與第I次顯影工序相比能夠抑制顯影的進(jìn)展，有效地去除微泡。
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本專利第3708433號(hào)公報(bào)
[0009]專利文獻(xiàn)2:日本特開平9-244258號(hào)公報(bào)
[0010]專利文獻(xiàn)3:日本特開2011-77120號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]在專利文獻(xiàn)I?3的方法中，通過分多次進(jìn)行顯影液的噴出，或者在噴出顯影液后使半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)，從而使與光致抗蝕劑膜的表面接觸的微泡移動(dòng)。通過這些方法，能夠減少由微泡引起的顯影缺陷，但還是要求更穩(wěn)定地減少顯影缺陷，甚至是消除顯影缺陷。
[0012]另外，根據(jù)專利文獻(xiàn)3的方法，存在下述問題，S卩，需要在顯影裝置中準(zhǔn)備濃度不同的多種顯影液,會(huì)使成本增加。
[0013]本發(fā)明就是鑒于上述問題而提出的，其目的在于，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其簡(jiǎn)單地減少由微泡引起的顯影缺陷。
[0014]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造方法具有以下工序:(a)準(zhǔn)備在一個(gè)主面上形成有光致抗蝕劑膜的半導(dǎo)體襯底的工序；(b)將第I顯影液滴下至光致抗蝕劑膜上的工序；(C)在工序(b)結(jié)束后經(jīng)過第I顯影時(shí)間后，使半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)，從光致抗蝕劑膜上甩掉第I顯影液的工序；(d)在工序(C)之后向光致抗蝕劑膜上滴下第2顯影液的工序；以及(e)在工序(d)結(jié)束后經(jīng)過第2顯影時(shí)間后，使半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)，從光致抗蝕劑膜上甩掉第2顯影液的工序。
[0015]發(fā)明的效果
[0016]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造方法具有以下工序:(a)準(zhǔn)備在一個(gè)主面上形成有光致抗蝕劑膜的半導(dǎo)體襯底的工序；(b)將第I顯影液滴下至光致抗蝕劑膜上的工序；(C)在工序(b)結(jié)束后經(jīng)過第I顯影時(shí)間后，使半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)，從光致抗蝕劑膜上甩掉第I顯影液的工序；(d)在工序(C)之后向光致抗蝕劑膜上滴下第2顯影液的工序；以及(e)在工序
(d)結(jié)束后經(jīng)過第2顯影時(shí)間后，使半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)，從光致抗蝕劑膜上甩掉第2顯影液的工序。由于在甩掉第I顯影液之后滴下第2顯影液，所以在由第2顯影液實(shí)現(xiàn)的顯影處理中，不會(huì)受到第I顯影液中的微泡的影響。另外，在由第I顯影液實(shí)現(xiàn)的顯影處理和由第2顯影液實(shí)現(xiàn)的顯影處理中，在光致抗蝕劑膜上的同一部位處產(chǎn)生微泡的概率極低。由此，減少顯影缺陷。另外，不需要準(zhǔn)備濃度不同的多種顯影液。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是表示實(shí)施方式I的光致抗蝕劑膜的顯影工序的圖。
[0018]圖2是表示實(shí)施方式I的光致抗蝕劑膜的顯影工序的圖。
[0019]圖3是表示實(shí)施方式2的光致抗蝕劑膜的顯影工序的圖。
[0020]圖4是表示實(shí)施方式2的光致抗蝕劑膜的顯影工序的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]<A.實(shí)施方式1>
[0022]〈A-1制造工序>
[0023]圖1、2是表示實(shí)施方式I所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法、即光致抗蝕劑膜的顯影處理工序的圖。圖1示出了第I次顯影處理工序，圖2示出了繼第I次顯影處理工序之后進(jìn)行的第2次顯影處理工序。下面，按照?qǐng)D1、2對(duì)實(shí)施方式I的顯影處理工序進(jìn)行說(shuō)明。
[0024]首先，將光致抗蝕劑膜2受到曝光后的碳化硅襯底I固定于晶圓卡盤11上，從顯影液噴出嘴12向光致抗蝕劑膜2上噴出顯影液3(圖1(a))。此外，由于本發(fā)明適合于從晶圓成本的角度出發(fā)而期望高成品率的碳化硅半導(dǎo)體裝置，所以在以下的說(shuō)明中對(duì)碳化硅襯底I進(jìn)行說(shuō)明，但也可以使用Si等其他半導(dǎo)體襯底。
[0025]圖1(b)示出了顯影液3盛載于碳化硅襯底I上的狀態(tài)。由于在滴下顯影液3時(shí)擠入空氣，所以產(chǎn)生微泡4。另外，在通過氮?dú)獾葘?duì)顯影液3加壓并使該顯影液3滴下的情況下，如果顯影液3滴下至碳化硅襯底I上并恢復(fù)大氣壓，則在加壓過程中溶入顯影液3中的氮?dú)獍l(fā)泡而成為微泡4。另外，在光致抗蝕劑膜2是使用酚醛樹脂的正型的情況下，在曝光時(shí)的感光反應(yīng)中生成的氮?dú)獾冗M(jìn)入光致抗蝕劑膜2，這一點(diǎn)成為產(chǎn)生微泡4的主要原因。
[0026]在圖1 (b)的狀態(tài)下，例如通過使晶圓卡盤11以旋轉(zhuǎn)速度40rpm、旋轉(zhuǎn)時(shí)間0.1秒進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使上述動(dòng)作以5秒的間隔進(jìn)行共計(jì)5次，從而對(duì)顯影液3進(jìn)行攪拌。通過該步進(jìn)式旋轉(zhuǎn)(stepwise rotat1n),從而能夠抑制由沒有附著在光致抗蝕劑膜2表面上的微泡
4、或稍大的微泡4引起的顯影缺陷，能夠使碳化硅襯底I面內(nèi)的光致抗蝕劑膜2的完成形狀穩(wěn)定。
[0027]在顯影液3在光致抗蝕劑膜2的表面上擴(kuò)展開的狀態(tài)下，以規(guī)定的顯影時(shí)間(第I顯影時(shí)間)等待。在該期間，與顯影液3接觸的光致抗蝕劑膜2，按照預(yù)先形成的曝光圖案而開口。但是，如圖1(b)所示，如果在光致抗蝕劑膜2的表面上形成了微泡4，則該部分的光致抗蝕劑膜2不與顯影液3接觸，因此，即使是應(yīng)開口的區(qū)域也不會(huì)開口而成為顯影缺陷。
[0028]然后,一邊從清洗液噴出嘴13噴出清洗液(例如純水)，一邊使晶圓卡盤11旋轉(zhuǎn)，使碳化硅襯底I旋轉(zhuǎn)而甩掉顯影液3 (圖1 (C))。通過一邊噴出清洗液一邊甩掉顯影液3，從而防止水溶性的顯影液3濃縮而使顯影條件大幅變化的情況、以及由于圖案配置而在碳化硅襯底I面內(nèi)產(chǎn)生顯影不均勻的情況。
[0029]接下來(lái)，進(jìn)行第2次顯影處理。從顯影液噴出嘴12再次噴出顯影液3 (圖2(a))，將顯影液3盛載至碳化硅襯底I上。此外，與第I次顯影處理相同地，在盛有顯影液3的狀態(tài)下對(duì)碳化硅襯底I進(jìn)行步進(jìn)式旋轉(zhuǎn)，對(duì)顯影液3進(jìn)行攪拌。與第I次顯影處理相同地，在光致抗蝕劑膜2的表面上產(chǎn)生微泡4。但是，通過第I次顯影處理和第2次顯影處理，使在相同位置處產(chǎn)生微泡4的概率極小。如圖2(b)所示，第2次顯影處理中產(chǎn)生的微泡，在與第I次顯影處理中的產(chǎn)生位置不同的位置處產(chǎn)生。因此，第I次顯影處理中成為顯影缺陷的位置，在第2次顯影處理中與顯影液3接觸而正常地進(jìn)行圖案化。
[0030]此外，期望將第2次的顯影時(shí)間(第2顯影時(shí)間)設(shè)定為比第I次的顯影時(shí)間(第I顯影時(shí)間)短。其原因在于，在第I次顯影處理中形成了碳化硅襯底I上的幾乎全部的抗蝕圖案，由于在第2次顯影處理中形成圖案的區(qū)域極小，所以即使縮短顯影時(shí)間，也能夠?qū)崿F(xiàn)圖案化。由此，抑制在第I次顯影處理中形成于光致抗蝕劑膜2上的圖案的變動(dòng)，同時(shí)能夠消除第I次顯影處理中的顯影缺陷。
[0031]然后,一邊從清洗液噴出嘴13噴出清洗液(例如純水)，一邊使晶圓卡盤11旋轉(zhuǎn)，使碳化硅襯底I旋轉(zhuǎn)而甩掉顯影液3 (圖2(c))。通過一邊噴出清洗液一邊甩掉顯影液3，從而防止水溶性的顯影液3濃縮而使顯影條件大幅變化的情況、以及由于圖案配置而在碳化硅襯底I面內(nèi)產(chǎn)生顯影不均勻的情況。
[0032]圖2(d)示出了第2次顯影處理結(jié)束之后的碳化硅襯底I，并且示出了通過第2次顯影處理使在第I次顯影處理中產(chǎn)生的微泡4正下方的光致抗蝕劑膜2形成圖案。
[0033]在通過以上的方法實(shí)際進(jìn)行顯影處理后，在I次顯影處理中每I片襯底產(chǎn)生的3個(gè)左右的顯影缺陷，減少到O個(gè)。另外，光致抗蝕劑膜2的圖案不會(huì)通過第2次顯影處理而變動(dòng)。根據(jù)實(shí)施方式I的顯影處理工序，即使存在附著于光致抗蝕劑膜2上并且不隨著浸潰在顯影液3中時(shí)的步進(jìn)式旋轉(zhuǎn)而移動(dòng)的微泡4，也能夠通過第2次顯影處理形成抗蝕圖案，而不受該微泡4的影響。因此，減少顯影缺陷，并提高產(chǎn)品合格率。
[0034]此外，在本實(shí)施方式的說(shuō)明中舉出的數(shù)值是例示，也可以使用與這些數(shù)值不同的數(shù)值。另外，說(shuō)明了進(jìn)行2次顯影處理的方法，但也可以進(jìn)行大于或等于3次顯影處理。通過反復(fù)進(jìn)行多次在甩掉顯影液3后進(jìn)行的再次的顯影處理，從而能夠更進(jìn)一步減少顯影缺陷。在此情況下，通過將第3次以及第3次以后的顯影時(shí)間設(shè)為比第I次的顯影時(shí)間(第I顯影時(shí)間)短，從而盡可能不使在第I次顯影處理中形成于光致抗蝕劑膜2上的圖案變動(dòng)，能夠消除顯影缺陷。
[0035]〈A-2.效果〉
[0036]實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序:(a)準(zhǔn)備在一個(gè)主面上形成有光致抗蝕劑膜2的碳化硅襯底I的工序；(b)將顯影液3 (第I顯影液)滴下至光致抗蝕劑膜2上的工序；(c)在工序(b)結(jié)束后經(jīng)過第I顯影時(shí)間后，使碳化硅襯底I旋轉(zhuǎn)，從光致抗蝕劑膜2上甩掉顯影液3的工序；(d)在工序(c)之后向光致抗蝕劑膜2上滴下顯影液3 (第2顯影液)的工序；以及(e)在工序(d)結(jié)束后經(jīng)過第2顯影時(shí)間后，使碳化硅襯底I旋轉(zhuǎn)，從光致抗蝕劑膜2上甩掉顯影液3的工序。通過在甩掉第I次顯影處理中的顯影液3后進(jìn)行第2次顯影處理，從而在第2次顯影處理中，不會(huì)受到在第I次顯影處理中產(chǎn)生的微泡4的影響。另外，在多次顯影處理中，在光致抗蝕劑膜2上的同一個(gè)部位產(chǎn)生微泡4的概率極低。因此，減少顯影缺陷。另外，不需要準(zhǔn)備濃度不同的多種顯影液。
[0037]另外，通過將第2顯影時(shí)間設(shè)為比第I顯影時(shí)間短，從而抑制在第I次顯影處理中形成于光致抗蝕劑膜2上的圖案的變動(dòng)，同時(shí)能夠消除第I次顯影處理中的顯影缺陷。
[0038]另外，在實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，工序(C)是一邊將清洗液滴下至碳化硅襯底I上，一邊使碳化硅襯底I旋轉(zhuǎn)而從光致抗蝕劑膜2上甩掉第I顯影液3的工序，工序(e)是一邊將清洗液滴下至碳化硅襯底I上，一邊使碳化硅襯底I旋轉(zhuǎn)而從光致抗蝕劑膜2上甩掉第2顯影液3的工序。由此，防止水溶性的顯影液3濃縮而使顯影條件大幅變化的情況、以及由于圖案配置而在碳化硅襯底I面內(nèi)產(chǎn)生顯影不均勻的情況。
[0039]另外，實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的制造方法還具有以下工序:(f)在工序(b)和(C)之間使碳化硅襯底I進(jìn)行步進(jìn)式旋轉(zhuǎn)的工序；(g)在工序(d)和(e)之間使碳化硅襯底I進(jìn)行步進(jìn)式旋轉(zhuǎn)的工序。因此，能夠抑制由沒有附著在光致抗蝕劑膜2表面上的微泡4、或稍大的微泡4引起的顯影缺陷，能夠使碳化硅襯底I面內(nèi)的光致抗蝕劑膜2的完成形狀穩(wěn)定。
[0040]另外，實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序:(h)在工序(e)之后將顯影液3 (第3顯影液)滴下至光致抗蝕劑膜2上的工序；以及(i)在工序(h)結(jié)束后經(jīng)過第3顯影時(shí)間之后，使碳化硅襯底I旋轉(zhuǎn)而從光致抗蝕劑膜2上甩掉顯影液3的工序。能夠通過第3次顯影處理工序消除在第I次、第2次顯影處理工序中依然殘留的顯影缺陷，進(jìn)一步減少顯影缺陷。
[0041]另外，通過將第3顯影時(shí)間設(shè)為比第I顯影時(shí)間短，從而抑制在第I次顯影處理中形成于光致抗蝕劑膜2上的圖案的變動(dòng)，同時(shí)能夠消除第1、2次顯影處理中的顯影缺陷。
[0042]另外，在實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，工序(i)是一邊將清洗液滴下至碳化硅襯底I上一邊使碳化硅襯底I旋轉(zhuǎn)而從光致抗蝕劑膜2上甩掉顯影液3 (第3顯影液)的工序。由此，防止水溶性的顯影液3濃縮而使顯影條件大幅變化的情況、以及由于圖案配置而在碳化硅襯底I面內(nèi)產(chǎn)生顯影不均勻的情況。
[0043]另外，在實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，通過使用碳化硅半導(dǎo)體襯底作為碳化硅襯底1，從而有助于提高碳化硅半導(dǎo)體裝置的成品率。
[0044]〈B.實(shí)施方式2>
[0045]〈B-1.制造工序〉
[0046]圖3、4是表示實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法、即光致抗蝕劑膜的顯影處理工序的圖。圖3示出了第I次顯影處理工序，圖4示出了繼第I次顯影處理工序之后進(jìn)行的第2次顯影處理工序。由于圖3所示的第I次顯影處理工序與圖1所示的實(shí)施方式I的第I次顯影處理工序相同，所以省略說(shuō)明，下面，對(duì)圖4所示的第2次顯影處理工序進(jìn)行說(shuō)明。
[0047]繼第I次顯影處理之后進(jìn)行第2次顯影處理。從顯影液噴出嘴12再次噴出顯影液3 (圖4 (a))，將顯影液3盛載至碳化硅襯底I上。然后，如圖4 (b)所示，在碳化硅襯底I上盛有顯影液3的狀態(tài)下，適量地噴出清洗液(例如純水)，降低顯影液3的濃度。此外，與第I次顯影處理相同地，在該狀態(tài)下對(duì)碳化硅襯底I進(jìn)行步進(jìn)式旋轉(zhuǎn)，對(duì)顯影液3進(jìn)行攪拌。與第I次顯影處理相同地，在光致抗蝕劑膜2的表面產(chǎn)生微泡4。但是，在第I次顯影處理和第2次顯影處理中，在相同位置處產(chǎn)生微泡4的概率極小。如圖4(b)所示，第2次顯影處理中產(chǎn)生的微泡，在與第I次顯影處理中的產(chǎn)生位置不同的位置處產(chǎn)生。因此，第I次顯影處理中成為顯影缺陷的位置，在第2次顯影處理中與顯影液3接觸而正常地進(jìn)行圖案化。與實(shí)施方式I相同地，通過將第2次顯影時(shí)間設(shè)定為比第I次顯影時(shí)間短，從而能夠抑制在第I次顯影處理中形成的光致抗蝕劑膜2圖案的變動(dòng)，但通過降低顯影液3的濃度，能夠更進(jìn)一步抑制圖案變動(dòng)。另外，由于使用清洗液而使顯影液3的濃度變化，所以不需要預(yù)先準(zhǔn)備濃度不同的多種顯影液3。
[0048]然后,一邊從清洗液噴出嘴13噴出清洗液(例如純水)，一邊使晶圓卡盤11旋轉(zhuǎn)，使碳化硅襯底I旋轉(zhuǎn)而甩掉顯影液3 (圖4(d))。通過一邊噴出清洗液一邊甩掉顯影液3，從而防止水溶性的顯影液3濃縮而使顯影條件大幅變化的情況、以及由于圖案配置而在碳化硅襯底I面內(nèi)產(chǎn)生顯影不均勻的情況。
[0049]圖4(e)示出了第2次顯影處理結(jié)束之后的碳化硅襯底I，并且示出了通過第2次顯影處理使在第I次顯影處理中產(chǎn)生的微泡4正下方的光致抗蝕劑膜2形成圖案。
[0050]〈B-2.效果〉
[0051 ] 在實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在將顯影液3 (第2顯影液)滴下至光致抗蝕劑膜2之后，滴下清洗液而降低顯影液3濃度，因此，能夠抑制在第I次顯影處理中形成的光致抗蝕劑膜2圖案的變動(dòng)，同時(shí)能夠消除第I次顯影處理中產(chǎn)生的顯影缺陷。另夕卜，由于使用清洗液而使顯影液3的濃度變化，所以不需要預(yù)先準(zhǔn)備濃度不同的多種顯影液3。
[0052]此外，本發(fā)明可以在其發(fā)明的范圍內(nèi)對(duì)各實(shí)施方式進(jìn)行自由組合，或適當(dāng)?shù)貙?duì)各實(shí)施方式進(jìn)行變形、省略。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有以下工序: (a)準(zhǔn)備在一個(gè)主面上形成有光致抗蝕劑膜的半導(dǎo)體襯底的工序； (b)將第I顯影液滴下至所述光致抗蝕劑膜上的工序； (c)在所述工序(b)結(jié)束后經(jīng)過第I顯影時(shí)間后，使所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)，從所述光致抗蝕劑膜上甩掉所述第I顯影液的工序； (d)在所述工序(c)之后向所述光致抗蝕劑膜上滴下第2顯影液的工序；以及 (e)在所述工序(d)結(jié)束后經(jīng)過第2顯影時(shí)間后，使所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)，從所述光致抗蝕劑膜上甩掉所述第2顯影液的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述第2顯影時(shí)間比所述第I顯影時(shí)間短。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述工序(C)是一邊將清洗液滴下至所述半導(dǎo)體襯底上，一邊使所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)而從所述光致抗蝕劑膜上甩掉所述第I顯影液的工序， 所述工序(e)是一邊將清洗液滴下至所述半導(dǎo)體襯底上，一邊使所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)而從所述光致抗蝕劑膜上甩掉所述第2顯影液的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 還具有以下工序: (f)在所述工序(b)和(C)之間使所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行步進(jìn)式旋轉(zhuǎn)的工序；以及 (g)在所述工序(d)和(e)之間使所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行步進(jìn)式旋轉(zhuǎn)的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 還具有以下工序: (h)在所述工序(e)之后將第3顯影液滴下至所述光致抗蝕劑膜上的工序；以及 (i)在所述工序(h)結(jié)束后經(jīng)過第3顯影時(shí)間之后，使所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)而從所述光致抗蝕劑膜上甩掉所述第3顯影液的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述第3顯影時(shí)間比所述第I顯影時(shí)間短。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述工序(i)是一邊將清洗液滴下至所述半導(dǎo)體襯底上一邊使所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)而從所述光致抗蝕劑膜上甩掉所述第3顯影液的工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述工序(d)是在將所述第2顯影液滴下至所述光致抗蝕劑膜上后，滴下清洗液而降低所述第2顯影液的濃度的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述半導(dǎo)體襯底是碳化硅襯底。
【文檔編號(hào)】G03F7/30GK104238286SQ201410280862
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月20日
【發(fā)明者】結(jié)城秀昭, 綾淳, 鹿間省三 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社