顯示面板及其主動元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示面板及其主動元件。主動元件包括柵極、半導(dǎo)體層、第一源極及多個第一漏極。第一源極包括相對向的第一側(cè)邊以及第二側(cè)邊。第一側(cè)邊具有多個第一凹口，且第二側(cè)邊具有多個第二凹口。每一個第一凹口與對應(yīng)的一個第二凹口相對向配置以構(gòu)成一組凹口對。每一對凹口的第一凹口與第二凹口之間的一最短距離為A，且每一凹口對與鄰近的另一凹口對之間的一最短距離為B，其中A>B。多個第一漏極電性連接在一起，且每一個第一漏極是對應(yīng)配置于第一源極的其中一個凹口內(nèi)。
【專利說明】顯示面板及其主動元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示面板及其主動元件，且特別是有關(guān)于一種在顯示面板的驅(qū)動電路中的主動元件。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著光電與半導(dǎo)體技術(shù)的演進(jìn)，帶動了顯示面板的蓬勃發(fā)展。在諸多顯示器中，平面顯示器近來已被廣泛地使用，并取代陰極射線管顯示器成為下一代顯示器的主流。以液晶顯示面板為例，顯示面板的驅(qū)動電路包括主動元件，該主動元件接收來自芯片的信號并將信號傳送至像素陣列。
[0003]由于驅(qū)動電路的主動元件需將信號傳送至具有多個像素主動元件及像素電極的像素陣列，因此驅(qū)動電路的主動元件將負(fù)載相當(dāng)大的電流，此大的電流容易在主動元件中產(chǎn)生大的內(nèi)部電流密度，使得主動元件受到較大的應(yīng)力效應(yīng)(stress effect),進(jìn)而降低主動元件穩(wěn)定性。由于主動元件損壞時，可能會使得整面顯示面板無法正常運(yùn)作，因此如何提高主動元件的穩(wěn)定性及使用壽命，將是一門很重要的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種顯示面板及其中的主動元件，其中主動元件的設(shè)計(jì)可有效降低主動元件的內(nèi)部電流的密度，并且可增加主動元件的散熱面積,進(jìn)而增加主動元件的穩(wěn)定性及使用壽命。
[0005]本發(fā)明的顯示面板包括像素陣列及驅(qū)動電路。驅(qū)動電路與像素陣列電性連接，且驅(qū)動電路包括至少一主動元件。主動元件包括柵極、半導(dǎo)體層、第一源極及多個第一漏極。半導(dǎo)體層配置在柵極上。第一源極配置在半導(dǎo)體層上，且第一源極包括相對向的第一側(cè)邊以及第二側(cè)邊。第一側(cè)邊具有多個第一凹口，且第二側(cè)邊具有多個第二凹口。每一個第一凹口與對應(yīng)的一個第二凹口相對向配置以構(gòu)成一組凹口對。每一組凹口對的第一凹口與第二凹口之間的一最短距離為A，且每一凹口對與鄰近的另一凹口對之間的一最短距離為B，其中A>B。多個第一漏極配置在半導(dǎo)體層上。多個第一漏極電性連接在一起，且每一個第一漏極是對應(yīng)配置于該第一源極的其中一個凹口內(nèi)。
[0006]本發(fā)明的主動元件包括柵極、半導(dǎo)體層、第一源極及多個第一漏極。半導(dǎo)體層配置在柵極上。第一源極配置在半導(dǎo)體層上，且第一源極包括第一主干部多個第一分支部。多個第一分支部分別配置在第一主干部的兩側(cè)，從而形成多個凹口。第一主干部的寬度為A，且多個第一分支部的寬度為B，其中A>B。多個第一漏極配置在半導(dǎo)體層上。多個第一漏極電性連接在一起，且每一個第一漏極是對應(yīng)配置于第一源極的其中一個凹口內(nèi)。
[0007]基于上述，本發(fā)明的主動元件的源極的主干部的寬度大于分支部的寬度，因此當(dāng)電流通過主動元件時，主動元件的內(nèi)部電流的密度可有效地下降，進(jìn)而改善主動元件的應(yīng)力效應(yīng)及熱效應(yīng)，并且增加主動元件的穩(wěn)定性及使用壽命。
[0008]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳 細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的上視示意圖。
[0010]圖2為圖1中的柵極驅(qū)動電路單元的等效電路圖。
[0011]圖3為本發(fā)明的第一實(shí)施例的柵極驅(qū)動電路單元的主動元件的上視示意圖。
[0012]圖4是圖3沿線Y-Y’所截取的剖面圖。
[0013]圖5為本發(fā)明的第二實(shí)施例的柵極驅(qū)動電路單元的主動元件的上視示意圖。
[0014]圖6為本發(fā)明的第三實(shí)施例的柵極驅(qū)動電路單元的主動元件的上視示意圖。
[0015]圖7為本發(fā)明實(shí)例的主動元件的示意圖。
[0016]圖8為本發(fā)明比較例的主動元件的示意圖。
[0017]圖9表示在進(jìn)行應(yīng)力效應(yīng)測試之后，本發(fā)明的實(shí)例及比較例的主動元件的臨界電壓偏移情形。
[0018]圖10表示在進(jìn)行應(yīng)力效應(yīng)測試之后，本發(fā)明的實(shí)例及比較例的主動元件的電流衰退(ion drop)情形。
[0019]其中，附圖標(biāo)記:
[0020]100:顯示面板
[0021]110:像素陣列
[0022]120:柵極驅(qū)動電路
[0023]122:柵極驅(qū)動電路單元
[0024]124:芯片
[0025]130:源極驅(qū)動電路
[0026]300:基板
[0027]310:柵極
[0028]315:絕緣層
[0029]320:半導(dǎo)體層
[0030]330:第一源極
[0031]331:第一主干部
[0032]332,632:第一側(cè)邊
[0033]333:第一分支部
[0034]334,634:第二側(cè)邊
[0035]336、636:第一凹口
[0036]338、638:第二凹口
[0037]340、640:凹口對
[0038]350:第一漏極
[0039]352、354、652、654、656:漏極線
[0040]360:通道區(qū)
[0041]630:第二源極
[0042]631:第二主干部[0043]633:第二分支部
[0044]650:第二漏極
[0045]700、800:主動元件
[0046]730,830:源極
[0047]731,831:主干部
[0048]732、832:凹口
[0049]733,833:分支部
[0050]750,850:漏極
[0051]A、A1 ?A4、A’I ?A’4、B、B’:距離 / 寬度
[0052]C:電容器
[0053]DLl ?DLm:數(shù)據(jù)線
[0054]P:像素結(jié)構(gòu)
[0055]PT:像素主動元件
[0056]PE:像素電極
[0057]SLl ?SLn:掃描線
[0058]Tl ?Tl7、Tl’、Tl’’:主動元件
[0059]Y-Y’:線
【具體實(shí)施方式】
[0060]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的上視示意圖。請參照圖1,顯示面板100包括像素陣列110、柵極驅(qū)動電路120及源極驅(qū)動電路130，且柵極驅(qū)動電路120及源極驅(qū)動電路130分別與像素陣列110電性連接。
[0061]像素陣列包括110多條掃描線SLl?SLn、多條數(shù)據(jù)線DLl?DLm以及多個像素結(jié)構(gòu)P。
[0062]掃描線SLl?SLn與數(shù)據(jù)線DLl?DLm彼此交越設(shè)置，且掃描線SLl?SLn與數(shù)據(jù)線DLl?DLm之間夾有絕緣層。換言之，掃描線SLl?SLn的延伸方向與數(shù)據(jù)線DLl?DLm的延伸方向不平行，較佳的是，掃描線SLl?SLn的延伸方向與數(shù)據(jù)線DLl?DLm的延伸方向垂直。基于導(dǎo)電性的考量，掃描線SLl?SLn與數(shù)據(jù)線DLl?DLm —般是使用金屬材料。然而，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實(shí)施例，掃描線SLl?SLn與數(shù)據(jù)線DLl?DLm也可以使用其他導(dǎo)電材料。例如:合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料、或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆迭層。
[0063]另外，像素結(jié)構(gòu)P包括像素主動元件PT以及像素電極PE。像素主動元件PT可以是底部柵極型薄膜晶體管或是頂部柵極型薄膜晶體管，其包括柵極、通道、源極以及漏極。像素主動元件PT與對應(yīng)的一條掃描線SLl?SLn及對應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線DLl?DLm電性連接。另外，像素主動元件PT與像素電極PE電性連接。
[0064]柵極驅(qū)動電路120與像素陣列110電性連接，柵極驅(qū)動電路120包括多個柵極驅(qū)動電路單元122，且各柵極驅(qū)動電路單元122與像素陣列110中的其中一條掃描線SLn電性連接。此外，源極驅(qū)動電路130亦與像素陣列110電性連接。以下將針對柵極驅(qū)動電路單元區(qū)120中的柵極驅(qū)動電路單元122做進(jìn)一步的描述。[0065]圖2為圖1中的柵極驅(qū)動電路單元的等效電路圖。請參照圖2，柵極驅(qū)動電路單元122包括多個主動元件Tl?T17及至少一個電容器C。柵極驅(qū)動電路單元122是用以驅(qū)動像素陣列110。特別是，柵極驅(qū)動電路單元122中的主動元件Tl是電性連接于芯片124與掃描線SLn之間。因此，主動元件Tl是柵極驅(qū)動電路單元122中最靠近像素陣列110的主動元件，因此其所遭受的電流及應(yīng)力效應(yīng)最大。以下將針對主動元件Tl的結(jié)構(gòu)作詳細(xì)說明。
[0066]第一實(shí)施例
[0067]圖3為本發(fā)明的第一實(shí)施例的柵極驅(qū)動電路單元的主動元件的上視示意圖。圖4是圖3沿線Y-Y’所截取的剖面圖。請同時參照圖2、3及4，主動元件Tl包括柵極310、半導(dǎo)體層320、第一源極330以及多個第一漏極350。柵極310配置在基板300上，且柵極310的材料例如是金屬、金屬氧化物或金屬氮化物。此外，主動元件Tl的柵極310與電容器C的一端電性連接。半導(dǎo)體層320配置在柵極310上，且半導(dǎo)體層320的材料例如是非晶硅、多晶硅、金屬氧化物半導(dǎo)體或是其他半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體層320與柵極310之間可配置有絕緣層315。第一漏極350及第一源極330配置在半導(dǎo)體層320上,且第一漏極350及第一源極330的材料例如是金屬、金屬氧化物或金屬氮化物。第一源極330與掃描線SLn電性連接且與電容器C的一端電性連接。第一漏極350與芯片124電性連接。由于主動元件Tl的第一漏極350與芯片124電性連接且第一源極330與掃描線SLn電性連接，因此主動元件Tl是電性連接于芯片124與掃描線SLn之間，從而將來自芯片124的信號(例如是電流)傳送至掃描線SLn。此外，在第一漏極350與第一源極330之間可形成通道區(qū)360。
[0068]更詳細(xì)來說，如圖3所示，第一源極330包括相對向的第一側(cè)邊332以及第二側(cè)邊334，其中第一側(cè)邊332與第二側(cè)邊334可彼此平行。第一側(cè)邊332具有多個第一凹口 336，而第二側(cè)邊334具有多個第二凹口 338。除了配置方向不一樣之外，多個第一凹口 336與多個第二凹口 338彼此實(shí)質(zhì)上相同。換句話說，將第一凹口 336順時針旋轉(zhuǎn)180度后可實(shí)質(zhì)上與第二凹口 338相同。此外，雖然在圖3中將各第一凹口 336及各第二凹口 338繪示為馬蹄形或U形，但本發(fā)明并不以此為限。每一個第一凹口 336與對應(yīng)的一個第二凹口 338相對向配置以構(gòu)成一組凹口對340，亦即每一個凹口 336與其順時針旋轉(zhuǎn)180度后所得的第二凹口 338可構(gòu)成一組凹口對340。每一組凹口對340的第一凹口 336與第二凹口 338之間的最短距離為A，且每一組凹口對340與鄰近的另一凹口對340之間的最短距離為B，其中A>B。換句話說，第一源極包括第一主干部331及多個第一分支部333，且多個第一分支部333分別在第一主干部331的兩側(cè)以形成多個第一凹口 336及多個第二凹口 338。第一主干部331的寬度為A，而各第一分支部的寬度為B，其中A>B。A與B的比值(A/B)至少大于I，在本實(shí)施例中，A與B的比值(A/B)大于2。
[0069]第一漏極350可藉由漏極線352及354而電性連接在一起，并且電性連接至芯片124。每一個第一漏極350是對應(yīng)配置于第一源極330的其中一個第一凹口 336或其中一個第二凹口 338內(nèi)。在本實(shí)施例中，由于第一側(cè)邊332與第二側(cè)邊334彼此平行，因此多個第一凹口 336與多個第二凹口 338彼此平行，因此主動元件Tl的整體布局實(shí)質(zhì)上為端正的矩形。換句話說，由于連接多個第一漏極350的漏極線352及354彼此平行，故對應(yīng)其的柵極310及半導(dǎo)體層320的上下兩側(cè)邊彼此平行。柵極310及半導(dǎo)體層320的左右兩側(cè)邊亦彼此平行，故柵極310及半導(dǎo)體層320的上下兩側(cè)邊與左右兩側(cè)邊可構(gòu)成一個端正的矩形，從而使得主動元件Tl的整體布局實(shí)質(zhì)上為一個端正的矩形。
[0070]承上所述，由于主動元件Tl的第一漏極350連接芯片124，且第一源極330電性連接至掃描線SLn，因此當(dāng)主動元件Tl接收來自芯片124的信號(例如是電流)時，大部分的電流將通過第一漏極350而匯入第一源極330的主干部331以傳送至掃描線SLn。在本發(fā)明中，由于第一源極330的主干部331寬度A大于分支部330的寬度B，因此透過寬度較大的主干部331來傳送匯集的電流至掃描線SLn，可使得主動元件Tl的內(nèi)部電流密度降低，從而降低主動元件Tl的應(yīng)力效應(yīng)及熱效應(yīng)。
[0071]第二實(shí)施例
[0072]圖5為本發(fā)明的第二實(shí)施例的柵極驅(qū)動電路單元的主動元件的上視示意圖。請參照圖5，圖5的實(shí)施例與圖3的實(shí)例相同，因此相同的元件以相同的符號表示且不再重復(fù)贅述。圖5與圖3的不同之處在于，圖5的主動元件Tl’的第一側(cè)邊332與第二側(cè)邊334彼此不平行，因此第一源極330的各組凹口對340的第一凹口 336與第二凹口 338之間的最短距離分別為A1、A2、A3及A4，且最短距離Al至A4彼此不相同。舉例而言，Al至A4可為遞增的態(tài)樣，亦即A4>A3>A2>A1。每一凹口對340與鄰近的另一凹口對340之間的一最短距離為B，且A1>B，因此A4>A3>A2>A1>B。主動元件Tl’的第一源極330以及多個第一漏極350是構(gòu)成一個梯形圖案，以使得主動元件Tl’的整體布局為梯形圖案。換句話說，在圖5的主動元件Tl’中，由于連接多個第一漏極350的漏極線352及354彼此不平行，故對應(yīng)其的柵極310及半導(dǎo)體層320的上下兩側(cè)邊亦彼此不平行。柵極310及半導(dǎo)體層320彼此不平行的上下兩側(cè)邊與彼此平行的左右兩側(cè)邊可構(gòu)成一個梯形圖案，從而使得主動元件Tl’的整體布局為梯形圖案。
[0073]須說明的是，雖然在圖5中僅繪示4組凹口對340，但本發(fā)明并不以此為限。本發(fā)明的第一源極330可具有N組凹口對340，且第N組凹口對340的第一凹口 336與第二凹口 338之間的最短距離為An。Al至An不相同而為遞增的態(tài)樣，且A1>B，故Αη>Αη-1>Α1>Β。從另一方面來說，第一源極330的第一主干部331可經(jīng)設(shè)置而具有多種寬度Al至An，其中Al至An各自為第I組至第N組凹口對340的第一凹口 336與第二凹口 338之間的最短距離。Al至An不相同而為遞增的態(tài)樣,且A1>B,故Αη>Αη-1>Α1>Β。舉例而言,若將第一源極330設(shè)置為圖5所繪示的形狀，則第一主干部331具有多種寬度Al至An且Αη>Αη_1>Α1>Β，因此配置于各個凹口 336及338中的多個第一漏極350與第一源極330可構(gòu)成一個梯形圖案。
[0074]在本實(shí)施例中，由于第一源極330的第一側(cè)邊332及第二側(cè)邊334彼此不平行，因此第一源極330及多個第一漏極350是構(gòu)成一個第一梯形圖案，以使得主動元件Tl’的整體布局為一個梯形圖案。
[0075]第三實(shí)施例
[0076]圖6為本發(fā)明的第三實(shí)施例的柵極驅(qū)動電路單元的主動元件的上視示意圖。請參照圖6，圖6的實(shí)施例與圖5的實(shí)例相同，因此相同的元件以相同的符號表示且不再重復(fù)贅述。圖6與圖5的不同之處在于，主動元件Tl’’更包括第二源極630及多個第二漏極650。第二源極630與第一源極330彼此電性連接，且第二源極630及第一源極330可與同一條掃描線SLn電性連接。第二源極630包括多組凹口對640，且每一組凹口對640具有彼此相對配置的第一凹口 636以及第二凹口 638。在第二源極630中，每一凹口對640的第一凹口 636與第二凹口 638之間的一最短距離為A’，且每一凹口對640與鄰近的另一凹口對640之間的一最短距離為B’，其中A’ >B’。換句話說，第二源極630包括第二主干部631及多個第二分支部633，且多個第二分支部633分別在第二主干部631的兩側(cè)以形成多個第一凹口 636及第二凹口 638。第二主干部631的寬度為A’，且第二分支部的寬度為B’，其中A，>B，。
[0077]在本實(shí)施例中，第二源極630的第一側(cè)邊632及第二側(cè)邊634彼此不平行，因此第二源極630的各組凹口對640的第一凹口 636與第二凹口 638之間的最短距離分別為A’ 1、A’ 2、A’ 3及A’ 4，且最短距離A’ I?A’ 4彼此不相同。A’ I至A’ 4可為遞增的態(tài)樣，亦即A’ 4>A’ 3>A’ 2>A’ I。在第二源極630中，每一凹口對640與鄰近的另一凹口對640之間的一最短距離為B’，且A’ DB’，因此A’ 4>A’ 3>A’ 2>A’ DB’。藉此，主動元件Tl’ ’的第一源極330以及多個第一漏極350是構(gòu)成第一梯形圖案,而第二源極630以及多個第一漏極650是構(gòu)成第二梯形圖案，且第一梯形圖案及第二梯形圖案可對構(gòu)成一個矩形圖案，以使得主動元件Tl’’的整體布局為一個矩形圖案。換句話說，在圖6的主動元件Tl’’中，由于連接多個第一漏極350的漏極線652及654彼此不平行，故對應(yīng)其的柵極310及半導(dǎo)體層320可構(gòu)成第一梯形圖案。此外，由于連接多個第二漏極650的漏極線654及656彼此不平行，故對應(yīng)其的柵極310及半導(dǎo)體層320可構(gòu)成第二梯形圖案。第一梯形圖案與第二梯形圖案分別位于漏極線654的兩側(cè)而對構(gòu)成一個矩形圖案，從而使得主動元件Tl’ ’的整體布局為一個矩形圖案。
[0078]須說明的是，雖然在圖6中僅繪示4組凹口對640，但本發(fā)明并不以此為限。換句話說，本發(fā)明的第二源極630可具有N組凹口對640，且第N組凹口對640的第一凹口 636與第二凹口 638之間的最短距離為A’η。A’ I至A’η不相同且為遞增的態(tài)樣，故A，η>Α，η-1>Α，DB，。
[0079]從另一方面來說，第二源極630的第二主干部631可經(jīng)設(shè)置而具有多種寬度Α’ I至Α’η，其中Α’ I至Α’η各自為第I組至第N組凹口對640的第一凹口 636與第二凹口 638之間的最短距離。A’l至Α’η不相同且為遞增的態(tài)樣，故A’n>A’n-l>A’l。。此外，第二源極的第二分支部633可經(jīng)設(shè)置而具有寬度B’且Α’ DB’，因此Α’η>Α’η-1>Α’ DB’。
[0080]漏極線652及654將第一漏極350電性連接在一起，而漏極線654及656將第二漏極650電性連接在一起，因此第一漏極350及第二漏極650可彼此電性連接在一起。每一個第一漏極350是對應(yīng)配置于第一源極330的其中一個第一凹口 336或其中一個第二凹口 338，而每一個第二漏極650是對應(yīng)配置于第二源極630的其中一個第一凹口 636或其中一個第二凹口 638內(nèi)。
[0081]在本實(shí)施例中，由于第二源極630的第一側(cè)邊632及第二側(cè)邊634彼此不平行，因此第二源極630及多個第二漏極650是構(gòu)成一個第二梯形圖案。第二梯形圖案與第一源極330及多個第一漏極350所構(gòu)成的第一梯形圖案兩者對構(gòu)成一個矩形圖案，以使得主動元件Tl’’的整體布局為矩形圖案。
[0082]實(shí)驗(yàn)例
[0083]以下將藉由實(shí)驗(yàn)例與比較例進(jìn)一步說明本發(fā)明的主動元件的優(yōu)點(diǎn)。
[0084]< 實(shí)例 >
[0085]圖7為本發(fā)明實(shí)例的主動元件的示意圖。請參照圖7,主動元件700的源極730的主干部731的寬度為20微米，且各分支部733的寬度為4.4微米。在主動元件700的源極730的兩側(cè)各具有10個凹口 732，且各凹口 732中各配置有一個漏極750，因此主動元件700的源極730及多個漏極750的總面積為6972平方微米。
[0086]<比較例>
[0087]圖8為本發(fā)明比較例的主動元件的示意圖。請參照圖8,主動元件800的源極830的主干部831的寬度為4.4微米，且各分支部833的寬度為8.92微米。在主動元件800的源極830的兩側(cè)各具有10個凹口 832，且各凹口 832中各配置有一個漏極850，因此主動元件800的源極830及多個漏極850的總面積為6970平方微米。
[0088]<面積評估>
[0089]由以上描述可得知，雖然本發(fā)明實(shí)例的源極的主干部寬度為比較例的約4.45倍，但是兩者的源極與漏極的總面積大約相當(dāng)。換句話說，本發(fā)明的實(shí)例可在實(shí)質(zhì)上不增加源極與漏極的總面積的情形下，有效地提高漏極的主干部寬度，且因此當(dāng)本發(fā)明的主動元件配置于驅(qū)動電路中時，并不會造成整體驅(qū)動電路的總面積上升。
[0090]<應(yīng)力效應(yīng)的測試及結(jié)果評估>
[0091]以定電流測試的方式對實(shí)例及比較例的主動元件分別進(jìn)行應(yīng)力效應(yīng)測試250秒，并紀(jì)錄其結(jié)果，如圖9及圖10所示。
[0092]圖9表示在進(jìn)行應(yīng)力效應(yīng)測試之后，本發(fā)明的實(shí)例及比較例的主動元件的臨界電壓偏移情形。請參照圖9，在250秒的應(yīng)力效應(yīng)測試之后，本發(fā)明實(shí)例的主動元件的臨界電壓偏移約為6.24伏特，小于比較例的主動元件的臨界電壓偏移(約為7.06伏特)，故可判定實(shí)例的主動元件的穩(wěn)定性較佳。
[0093]圖10表示在進(jìn)行應(yīng)力效應(yīng)測試之后，本發(fā)明的實(shí)例及比較例的主動元件的電流衰退(ion drop)情形。請參照圖10，在進(jìn)行250秒的應(yīng)力效應(yīng)測試之后，實(shí)例的主動元件在通入20伏特的柵極電壓下的電流保持率約為16.81 % (即電流衰退率為83.19% )，而比較例的電流保持率約為12.06% (即電流衰退率為87.94% )0相較于比較例而言，實(shí)例的主動元件具有較大的電流保持率及較小的電流衰退率，從而可判定實(shí)例的主動元件的穩(wěn)定性較佳。
[0094]綜上所述，在本發(fā)明的主動元件中，當(dāng)電流通過多個漏極而匯流至源極而傳送至像素陣列時，大部分的電流將集中通過源極的主干部。本發(fā)明的主動元件的主干部寬度經(jīng)設(shè)置而大于分支部寬度，因此能有效降低通過主動元件的電流的密度，進(jìn)而可降低主動元件的應(yīng)力效應(yīng)及熱效應(yīng)，并且增加主動元件的穩(wěn)定性及使用壽命。另外，藉由本發(fā)明的主動元件設(shè)計(jì)，更可在不增加驅(qū)動電路面積的情形下有效提升主動元件的穩(wěn)定性。
[0095]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開如上，但其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與修改，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書保護(hù)范圍所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示面板，其特征在于，包括: 一像素陣列；以及 一驅(qū)動電路，與該像素陣列電性連接，其中該驅(qū)動電路包括至少一主動元件，且該主動元件包括: 一柵極； 一半導(dǎo)體層，配置在該柵極上； 一第一源極，配置在該半導(dǎo)體層上，該第一源極包括相對向的一第一側(cè)邊以及一第二側(cè)邊，該第一側(cè)邊具有多個第一凹口，該第二側(cè)邊具有多個第二凹口，且每一個第一凹口與對應(yīng)的一個第二凹口相對向配置以構(gòu)成一組凹口對，每一組凹口對的該第一凹口與該第二凹口之間的一最短距離為A，每一組凹口對與鄰近的另一組凹口對之間的一最短距離為B，其中A>B ； 多個第一漏極，配置在該半導(dǎo)體層上，其中該多個第一漏極電性連接在一起，且每一個第一漏極是對應(yīng)配置于該第一源極的其中一個凹口內(nèi)。
2.如權(quán)利要求 1所述的顯示面板，其特征在于，A與B的比值(A/B)大于2。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該驅(qū)動電路還包括一電容器，該電容器的一端電性連接至該第一源極，而該電容器的另一端電性連接至該柵極。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，還包括一芯片，且該驅(qū)動電路的該主動元件電性連接于該芯片與該像素陣列之間。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該像素陣列包括多條數(shù)據(jù)線、多條掃描線以及多個像素單元，且該驅(qū)動電路的該主動元件與其中一條掃描線電性連接。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該第一源極具有N組凹口對，第N組凹口對的該第一凹口與該第二凹口之間的該最短距離為An，且該多個最短距離Al至An不相同。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于，Αη>Αη-1>Α1>Β。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示面板，其特征在于，該第一源極以及該多個第一漏極構(gòu)成一梯形圖案。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示面板，其特征在于，該主動元件還包括: 一第二源極，配置在該半導(dǎo)體層上并與該第一源極電性連接，該第二源極包括多組凹口對，且該第二源極的每一組凹口對具有彼此相對配置的一第一凹口以及一第二凹口，該第二源極的每一組凹口對的該第一凹口與該第二凹口之間的一最短距離為A’，且該第二源極的每一組凹口對與鄰近的另一組凹口對之間的一最短距離為B’，其中A’ >B’ ；以及 多個第二漏極，配置在該半導(dǎo)體層上，其中該多個第二漏極電性連接在一起，且每一個第二漏極是對應(yīng)配置于該第二源極的其中一個凹口內(nèi)。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于，該第二源極具有N組凹口對，該第二源極的第N組凹口對的該第一凹口與該第二凹口之間的該最短距離為A’ η,且該多個最短距離Α’ I至A’ η不相同。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示面板，其特征在于，A’η>Α’ η-1>Α’ DB’。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其特征在于，該第一源極以及該多個對第一漏極構(gòu)成一第一梯形圖案，該第二源極以及該多個對第二漏極構(gòu)成一第二梯形圖案，且該第一梯形圖案與該第二梯形圖案對構(gòu)成一矩形圖案。
13.—種主動元件，其特征在于，包括: 一柵極； 一半導(dǎo)體層，配置在該柵極上； 一第一源極，配置在該半導(dǎo)體層上，該第一源極包括: 一第一主干部；以及 多個第一分支部，分別配置在該第一主干部的兩側(cè)，以形成多個凹口，該第一主干部的寬度為A，該多個第一分支部的寬度為B，其中A>B ；以及 多個第一漏極，配置在該半導(dǎo)體層上，其中該多個第一漏極電性連接在一起，且每一個第一漏極是對應(yīng)配置于該第一源極的其中一個凹口內(nèi)。
14.如權(quán)利要求13所述的主動元件，其特征在于，A與B的比值(A/B)大于2。
15.如權(quán)利要求13所述的主動元件，其特征在于，該第一主干部具有多個寬度Al至An，其中 Αη>Αη-1>Α1>Β。
16.如權(quán)利要求15所述的主動元件，其特征在于，該第一源極以及該多個第一漏極構(gòu)成一梯形圖案。
17.如權(quán)利要求15所述的主動元件，其特征在于，還包括: 一第二源極，配置在該半導(dǎo)體層上并與該第一源極電性連接，該第二源極包括: 一第二主干部；以及 多個第二分支部，分別配置在該第二主干部的兩側(cè)，以形成多個凹口，其中該第二主干部的寬度為A’，該多個第二分支部的寬度為B’，且A’ >B’ ；以及 多個第二漏極，配置在該半導(dǎo)體層上，其中該多個第二漏極電性連接在一起，且每一個第二漏極是對應(yīng)配置于該第二源極的其中一個凹口內(nèi)。
18.如權(quán)利要求17所述的主動元件，其特征在于，該第二主干部具有多個寬度A’I至A’ n，其中 A’ n?A’ n_l>A’ DB’。
19.如權(quán)利要求18所述的主動元件，其特征在于，該第一源極以及該多個第一漏極構(gòu)成一第一梯形圖案，該第二源極以及該多個第二漏極構(gòu)成一第二梯形圖案，且該第一梯形圖案與該第二梯形圖案對構(gòu)成一矩形圖案。
【文檔編號】G02F1/133GK103984137SQ201410198291
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年5月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月10日
【發(fā)明者】林煒力, 蔡明諺, 廖一遂 申請人:友達(dá)光電股份有限公司