像素結(jié)構(gòu)及顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)與顯示面板，其使用絕緣凸塊搭配漏極的延伸部或單層導(dǎo)電凸塊作為像素電極與漏極的電性連接結(jié)構(gòu)，而不需于鈍化層形成接觸洞，因此可以大幅提高開口率與解析度。
【專利說明】像素結(jié)構(gòu)及顯示面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及顯示面板，尤指一種利用凸塊結(jié)構(gòu)作為薄膜晶體管元件的漏極與像素電極之間的電性連接結(jié)構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)及顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]一般而言，顯示面板包括多個像素結(jié)構(gòu)，且各像素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管元件、儲存電容以及像素電極等元件。在現(xiàn)有顯示面板中，薄膜晶體管元件上會覆蓋一鈍化層，以保護(hù)薄膜晶體管元件。由于像素電極必須與薄膜晶體管元件的漏極電性連接，因此鈍化層必須具有一接觸洞暴露出漏極，而像素電極會填入接觸洞內(nèi)并與漏極接觸。然而，考量到制程極限與對位偏差，接觸洞的尺寸至少必須在20微米至25微米之間，甚至更大，因此會造成開口率的犧牲，特別是在小尺寸顯示面板上，接觸洞的設(shè)置將使得開口率與解析度無法進(jìn)一步提聞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的之一在于提供一種像素結(jié)構(gòu)及顯示面板，以提升開口率及解析度。
[0004]本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括一第一基板、一薄膜晶體管元件、一第一絕緣凸塊、一第一介電薄膜、一鈍化層以及一第一電極。薄膜晶體管元件設(shè)置于第一基板上，且薄膜晶體管元件包括一柵極、一主動層、一柵極絕緣層、一源極以及一漏極。第一絕緣凸塊設(shè)置于第一基板上，其中第一絕緣凸塊具有一側(cè)壁以及一上表面，且漏極至少覆蓋第一絕緣凸塊的側(cè)壁的一部分與上表面的一部分。第一介電薄膜設(shè)置于第一基板上，其中第一介電薄膜覆蓋薄膜晶體管元件并暴露出漏極的一部分。鈍化層設(shè)置于第一介電薄膜上，其中鈍化層與第一介電薄膜至少部分暴露出位于第一絕緣凸塊的上表面上的漏極。第一電極設(shè)置于鈍化層上并與鈍化層所暴露出的漏極電性連接。
[0005]本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種顯示面板，包括上述像素結(jié)構(gòu)、一第二基板與第一基板相對設(shè)置，以及一顯示介質(zhì)層設(shè)置于第一基板與第二基板之間。
[0006]本發(fā)明的又一實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括一第一基板、一薄膜晶體管元件、一第一單層導(dǎo)電凸塊、一第一介電薄膜、一鈍化層以及一第一電極。薄膜晶體管元件設(shè)置于第一基板上，且薄膜晶體管元件包括一柵極、一主動層、一柵極絕緣層、一源極以及一漏極。第一單層導(dǎo)電凸塊設(shè)置于第一基板上，其中第一單層導(dǎo)電凸塊具有一側(cè)壁、一下表面以及一上表面，且第一單層導(dǎo)電凸塊與漏極電性連接。第一介電薄膜設(shè)置于第一基板上，其中第一介電薄膜覆蓋薄膜晶體管元件并部分暴露出第一單層導(dǎo)電凸塊。鈍化層設(shè)置于第一介電薄膜上，其中鈍化層至少部分暴露出第一單層導(dǎo)電凸塊。第一電極設(shè)置于鈍化層上并與鈍化層所暴露出的第一單層導(dǎo)電凸塊電性連接。
[0007]本發(fā)明的再一實(shí)施例提供一種顯示面板，包括上述像素結(jié)構(gòu)、一第二基板與第一基板相對設(shè)置，以及一顯示介質(zhì)層設(shè)置于第一基板與第二基板之間。
[0008]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)與顯示面板使用絕緣凸塊搭配漏極的延伸部或單層導(dǎo)電凸塊作為像素電極與漏極的電性連接結(jié)構(gòu)，而不需于鈍化層形成接觸洞，因此可以大幅提高開口率與解析度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1至圖6繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖；
[0010]圖7繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的顯示面板的示意圖；
[0011]圖8繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的第一變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0012]圖9繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的第一變化實(shí)施例的顯示面板的示意圖；
[0013]圖10繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的第二變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖，圖11為沿圖10的A-A’剖線繪示的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0014]圖12繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的第二變化實(shí)施例的顯示面板的示意圖；
[0015]圖13繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的第三變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0016]圖14繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的第三變化實(shí)施例的顯示面板的示意圖；
[0017]圖15繪示了本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0018]圖16繪示了本發(fā)明的第二實(shí)施例的顯示面板的示意圖；
[0019]圖17繪示了本發(fā)明的第二實(shí)施例的第一變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0020]圖18繪示了本發(fā)明的第二實(shí)施例的第一變化實(shí)施例的顯示面板的示意圖；
[0021]圖19繪示了本發(fā)明的第二實(shí)施例的第二變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0022]圖20繪示了本發(fā)明的第二實(shí)施例的第二變化實(shí)施例的顯示面板的示意圖。
[0023]其中，附圖標(biāo)記:
[0024]10第一基板
[0025]12第一圖案化導(dǎo)電層
[0026]G 柵極
[0027]GL柵極線
[0028]GI柵極絕緣層
[0029]CH主動層
[0030]14重?fù)诫s半導(dǎo)體層
[0031]16第一絕緣凸塊
[0032]16S 側(cè)壁
[0033]16T上表面
[0034]16B下表面
[0035]18第二圖案化導(dǎo)電層
[0036]S 源極
[0037]D 漏極
[0038]DL數(shù)據(jù)線
[0039]TFT薄膜晶體管元件
[0040]20第一介電薄膜
[0041]22鈍化層
[0042]22T上表面[0043]24第一電極
[0044]30像素結(jié)構(gòu)
[0045]50顯示面板
[0046]40第二基板
[0047]42顯示介質(zhì)層
[0048]43遮光圖案
[0049]44第二電極
[0050]46主間隔物
[0051]48副間隔物
[0052]27觸控元件
[0053]29絕緣層
[0054]31像素結(jié)構(gòu)
[0055]22A凹陷部
[0056]51顯示面板
[0057]32像素結(jié)構(gòu)
[0058]CL共通線
[0059]XL連接線
[0060]26第二電極
[0061]28第二介電薄膜
[0062]24B分支電極
[0063]24S 狹縫
[0064]52顯示面板
[0065]33像素結(jié)構(gòu)
[0066]17第二絕緣凸塊
[0067]17S 側(cè)壁
[0068]17T上表面
[0069]17B下表面
[0070]53顯示面板
[0071]70像素結(jié)構(gòu)
[0072]61第一單層導(dǎo)電凸塊
[0073]6IS 側(cè)壁
[0074]6IB下表面
[0075]61T上表面
[0076]Dl側(cè)表面
[0077]80顯示面板
[0078]71像素結(jié)構(gòu)
[0079]81顯示面板
[0080]72像素結(jié)構(gòu)
[0081]62第二單層導(dǎo)電凸塊[0082]62S 側(cè)壁
[0083]62T上表面
[0084]62B下表面
[0085]82顯示面板
【具體實(shí)施方式】
[0086]為使熟悉本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的一般技藝者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。
[0087]請參考圖1至圖6。圖1至圖6繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖，其中圖1至圖5以剖面型式繪示，而圖6以上視型式繪示。如圖1所示，首先提供第一基板10。第一基板10可為各式硬質(zhì)或可撓式基板例如玻璃基板、塑膠基板或石英基板。接著，于第一基板10上形成第一圖案化導(dǎo)電層12，其中第一圖案化導(dǎo)電層12可包括柵極G以及柵極線GL(如圖6所示)與柵極G電性連接。第一圖案化導(dǎo)電層12可選用不透明圖案化導(dǎo)電層，其材料可為金屬或合金，例如金、銀、銅、鋁、鈦、鑰等金屬或其合金，或其它適合的不透明導(dǎo)電材料。或者，第一圖案化導(dǎo)電層12亦可選用透明圖案化導(dǎo)電層，其材料可為例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或其它適合的透明導(dǎo)電材料。接著，于第一圖案化導(dǎo)電層12上依序形成柵極絕緣層GI，以及主動層CH。柵極絕緣層GI覆蓋柵極G，其材料可為無機(jī)絕緣材料例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等、有機(jī)絕緣材料或有機(jī)/無機(jī)混成絕緣材料。此外，柵極絕緣層GI可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。主動層CH形成于柵極絕緣層GI上并實(shí)質(zhì)上對應(yīng)柵極G。主動層CH作為薄膜晶體管元件的通道層之用，并利用柵極絕緣層GI與柵極G電性隔離。在本實(shí)施例中，主動層CH的材料選用非晶硅，但不以此為限。主動層CH的材料可包括其它種類的硅材料例如多晶硅、單晶硅、微晶硅或納米晶硅、氧化物半導(dǎo)體材料例如氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide, IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化鈦(titanium oxide, TiO)、氧化鋅(zinc oxide, ZnO)、氧化銦(indium oxide, InO)、氧化嫁(gallium oxide, GaO)，或其它各種適合的半導(dǎo)體材料。另外，可選擇性于主動層CH上形成一重?fù)诫s半導(dǎo)體層14，以提升主動層CH與后續(xù)形成的源極與漏極的歐姆接觸(ohmic contact)，其中主動層CH與重?fù)诫s半導(dǎo)體層14可利用同一道圖案化制程定義，但不以此為限。
[0088]如圖2所示，接著于第一基板10上形成第一絕緣凸塊16。第一絕緣凸塊16舉例形成于柵極絕緣層GI上，其中第一絕緣凸塊16具有一側(cè)壁16S、一上表面16T以及一下表面16B,且下表面16B與柵極絕緣層GI接觸。在本實(shí)施例中，第一絕緣凸塊16的下表面16B的面積可大于上表面16T的面積，且第一絕緣凸塊16的側(cè)壁16S為一傾斜側(cè)壁，亦即第一絕緣凸塊16的剖面形狀類似梯形。另外，第一絕緣凸塊16的材料較佳可選用有機(jī)材料例如有機(jī)感光材料如光阻材料，藉此其可利用曝光顯影制程形成。此外，第一絕緣凸塊16的高度可大于I微米，例如為3微米，但不以此為限。
[0089]如圖3所示，隨后于第一基板10上形成一導(dǎo)電層(圖未示)，并對導(dǎo)電層進(jìn)行一圖案化制程例如蝕刻制程以形成第二圖案化導(dǎo)電層18，且重?fù)诫s半導(dǎo)體層14可一并于圖案化制程中進(jìn)一步被定義以分別對應(yīng)于柵極G的兩相對側(cè)并分別與柵極G部分重疊。第二圖案化導(dǎo)電層18包括源極S、漏極D以及數(shù)據(jù)線DL(如圖6所示)，其中源極S設(shè)置于柵極G的一側(cè)的重?fù)诫s半導(dǎo)體層14上并與數(shù)據(jù)線DL電性連接，而漏極D設(shè)置于柵極G的另一相對側(cè)的重?fù)诫s半導(dǎo)體層14上。此外，漏極D并更進(jìn)一步延伸而至少覆蓋第一絕緣凸塊16的側(cè)壁16S的一部分與上表面16T的一部分。在本實(shí)施例中，漏極D完全覆蓋第一絕緣凸塊16的側(cè)壁16S與上表面16T，但不以此為限。在其它變化實(shí)施例中，漏極D可以僅覆蓋第一絕緣凸塊16的側(cè)壁16S的一部分與上表面16T的一部分或僅覆蓋側(cè)壁16S的一部份。柵極G、主動層CH、柵極絕緣層G1、重?fù)诫s半導(dǎo)體層14、源極S以及漏極D構(gòu)成本實(shí)施例的薄膜晶體管元件TFT。本實(shí)施例的薄膜晶體管元件TFT是以底柵型(bottom gate)薄膜晶體管元件為范例，但不以此為限。薄膜晶體管元件TFT亦可以是頂柵型(top gate)薄膜晶體管元件或其它類型的薄膜晶體管元件，例如島狀蝕刻終止(Island stop ；IS)薄膜晶體管元件或是共平面(Coplanar)薄膜晶體管元件。第二圖案化導(dǎo)電層18可選用不透明圖案化導(dǎo)電層或透明圖案化導(dǎo)電層，且其材料可與第一圖案化導(dǎo)電層12相同或不同。如前所述，由于第一絕緣凸塊16的側(cè)壁16S為傾斜側(cè)壁，因此漏極D可以順著側(cè)壁16S形成并延伸至上表面16T而不會產(chǎn)生斷線。
[0090]如圖4所不,接著于第一基板10上形成第一介電薄膜20,其中第一介電薄膜20覆蓋薄膜晶體管元件TFT并暴露出漏極D的一部分。精確地說，在本實(shí)施例中，第一介電薄膜20覆蓋位于第一絕緣凸塊16的側(cè)壁16S的漏極D，并至少暴露出位于第一絕緣凸塊16的上表面16T或/及側(cè)壁16S上的漏極D的一部分。第一介電薄膜20的材料可為無機(jī)絕緣材料例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等、有機(jī)絕緣材料或有機(jī)/無機(jī)混成絕緣材料。隨后，于第一介電薄膜20上形成一鈍化層22，其中鈍化層22至少部分暴露出位于第一絕緣凸塊16的上表面16T上或/及側(cè)壁16S上的漏極D。在本實(shí)施例中，鈍化層22的厚度小于第一絕緣凸塊16的高度，也就是說，鈍化層22的上表面22T低于第一絕緣凸塊16的上表面16T，因此鈍化層22暴露出第一絕緣凸塊16的上表面16T以及一部分的側(cè)壁16S，但不以此為限。在其它變化實(shí)施例中，鈍化層22的厚度可大于第一絕緣凸塊16的高度，但可具有一開口至少暴露出位于第一絕緣凸塊16的上表面16T上的漏極D?；蛘?，鈍化層22的厚度實(shí)質(zhì)上可以等于第一絕緣凸塊16的高度，并暴露出位于第一絕緣凸塊16的上表面16T上的漏極D。在本實(shí)施例中，鈍化層22具有保護(hù)薄膜晶體管元件TFT的作用，且鈍化層22較佳具有一平坦上表面。鈍化層22可為有機(jī)介電層,且其材料較佳可選用有機(jī)感光材料例如光阻材料，藉此其可利用曝光顯影制程形成。另外，鈍化層22亦可為一彩色濾光層，其可為紅色濾光層、綠色濾光層、藍(lán)色濾光層或其它顏色的濾光層。
[0091]如圖5與圖6所示，接著于鈍化層22上形成第一電極24，以形成本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)30。第一電極24與鈍化層22所暴露出的漏極D接觸并電性連接，且第一電極24為一像素電極，其材料例如為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或其它適合的透明導(dǎo)電材料或不透明導(dǎo)電材料。在本實(shí)施例中，第一絕緣凸塊16于鈍化層22之前先形成，且漏極D于形成鈍化層22之前先覆蓋于第一絕緣凸塊16的上表面16T，因此于形成鈍化層22之后會自然地使得第一絕緣凸塊16的上表面16T的漏極D暴露出來而不需于鈍化層22中形成暴露出漏極D的接觸洞，藉此第一電極24可直接與第一絕緣凸塊16的上表面16T的漏極D接觸而電性連接。另外，由于現(xiàn)有鈍化層的接觸洞的尺寸至少必須在20微米至25微米之間，而本實(shí)施例的第一絕緣凸塊16的下表面16B的寬度例如約可介于3微米至5微米，因此本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)30使用第一絕緣凸塊16的作法可大幅提升開口率與解析度。[0092]請參考圖7，并一并參考圖6。圖7繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的顯示面板的示意圖。如圖7所不,本實(shí)施例的顯不面板50包括至少一個像素結(jié)構(gòu)30、一第二基板40以及一顯示介質(zhì)層42。像素結(jié)構(gòu)30如前述實(shí)施例所述，在此不再贅述。第二基板40與第一基板10相對設(shè)置，且第二基板40上可進(jìn)一步設(shè)置遮光圖案43，例如黑色矩陣。第二基板40可與第一基板10選用相同或不同的材料。若像素結(jié)構(gòu)30的鈍化層22是彩色濾光層，則第二基板40上可不需設(shè)置彩色濾光層；若像素結(jié)構(gòu)30的鈍化層22不是彩色濾光層，則第二基板40可另設(shè)置彩色濾光層(圖未示)。另外，顯示介質(zhì)層42設(shè)置于第一基板10與第二基板40之間。在本實(shí)施例中，顯示面板50以一垂直電場型液晶顯示面板為范例，因此顯示介質(zhì)層42為一液晶層，且第二基板40上另設(shè)置有第二電極44，其中第二電極44為一共通電極，其具有一共通電壓，可與第一電極(像素電極)24的像素電壓形成一垂直電場以驅(qū)動顯示介質(zhì)層42。在其它變化實(shí)施例中，顯示面板50可為電泳顯示面板、電濕潤顯示面板或其它類型的顯示面板，且顯示介質(zhì)層42可為電泳材料、電濕潤材料或其它適合的顯示介質(zhì)材料。本實(shí)施例的顯示面板50更可另包括至少一主間隔物46以及至少一副間隔物48，其中主間隔物46以及副間隔物48設(shè)置于第一基板10與第二基板40之間并可設(shè)置于第二基板40上。主間隔物46與副間隔物48實(shí)質(zhì)上可以具有相同的高度，但不以此為限，且主間隔物46可對應(yīng)于第一絕緣凸塊16設(shè)置，而副間隔物48可與薄膜晶體管元件TFT、柵極線GL或數(shù)據(jù)線DL對應(yīng)設(shè)置，換句話說，主間隔物46與第一絕緣凸塊16重疊，而副間隔物48與薄膜晶體管元件TFT重疊。在本實(shí)施例中，由于鈍化層22的上表面低于第一絕緣凸塊16的上表面16T，因此即使主間隔物46與副間隔物48實(shí)質(zhì)上具有相同的高度/厚度，主間隔物46可同時與第一基板10或其上的結(jié)構(gòu)例如第一電極24與第二基板40或其上的結(jié)構(gòu)例如遮光圖案43接觸，以發(fā)揮維持第一基板10與第二基板40的間隙的作用；另一方面，副間隔物48平常不會與第一基板10或其上的結(jié)構(gòu)例如鈍化層22接觸，但在顯示面板50受到外力按壓或因?yàn)槠渌蛩禺a(chǎn)生形變時，副間隔物48會與第一基板10或其上的結(jié)構(gòu)接觸而發(fā)揮輔助支撐的作用。主間隔物46與副間隔物48可設(shè)置于相同或不同的像素結(jié)構(gòu)30內(nèi)，且其數(shù)量與配置密度可視需要加以調(diào)整。另外，本實(shí)施例的顯示面板50更可選擇性地包括觸控元件27，用以提供觸控輸入功能。觸控元件27可包括電容式觸控元件、電阻式觸控元件、光學(xué)式觸控元件或其它適合的觸控元件。在本實(shí)施例中，觸控元件27選用一電容式觸控元件，其可包括多個感應(yīng)電極例如透明感應(yīng)電極，且感應(yīng)電極可由單一層導(dǎo)電圖案或多層導(dǎo)電圖案所構(gòu)成。另外，本實(shí)施例的觸控元件27設(shè)置于第二基板40面對第一基板10的表面(亦即內(nèi)表面)，并利用一絕緣層29與第二電極44電性隔離，但不以此為限。在其它變化實(shí)施例中，觸控元件27亦可設(shè)置于第二基板40的外表面，或是設(shè)置于另一基板上再貼附于第二基板40的外表面。
[0093]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)及顯示面板并不以上述實(shí)施例為限。下文將依序介紹本發(fā)明的其它較佳實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)及顯示面板，且為了便于比較各實(shí)施例的相異處并簡化說明，在下文的各實(shí)施例中使用相同的符號標(biāo)注相同的元件，且主要針對各實(shí)施例的相異處進(jìn)行說明，而不再對重復(fù)部分進(jìn)行贅述。另外，本發(fā)明的所有實(shí)施例或變化實(shí)施例的顯示面板均可因應(yīng)觸控輸入需求整合觸控元件，其類型與位置如前文所述在下文不再贅述。
[0094]請參考圖8。圖8繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的第一變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖8所示，不同于第一實(shí)施例，在第一變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)31中，鈍化層22的厚度大于第一絕緣凸塊16的高度，也就是說，鈍化層22的上表面22T高于第一絕緣凸塊16的上表面16T，但鈍化層22具有一凹陷部22A暴露出位于第一絕緣凸塊16的上表面16T上的漏極D，而第一電極24則填入凹陷部22A內(nèi)而與漏極D接觸并電性連接。
[0095]請參考圖9。圖9繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的第一變化實(shí)施例的顯示面板的示意圖。如圖9所示，第一變化實(shí)施例的顯示面板51包括上述實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)31、第二基板40以及顯示介質(zhì)層42。不同于第一實(shí)施例的顯示面板，在第一變化實(shí)施例中，由于鈍化層22的上表面22T高于第一絕緣凸塊16的上表面16T，因此副間隔物48對應(yīng)于第一絕緣凸塊16設(shè)置，而主間隔物46則與薄膜晶體管元件TFT、柵極線(圖未示)或數(shù)據(jù)線(圖未示)對應(yīng)設(shè)置。在此狀況下，盡管主間隔物46與副間隔物48實(shí)質(zhì)上具有相同的高度/厚度，主間隔物46可同時與第一基板10或其上的結(jié)構(gòu)例如鈍化層22與第二基板40或其上的結(jié)構(gòu)例如遮光圖案43接觸，以發(fā)揮維持第一基板10與第二基板40之間隙的作用，而副間隔物48可以發(fā)揮輔助支撐的作用。
[0096]請參考圖10與圖11。圖10繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的第二變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖，圖11為沿圖10的A-A’剖線繪示的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。如圖10與圖11所示，不同于第一變化實(shí)施例，在第二變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)32中，漏極D僅覆蓋第一絕緣凸塊16的側(cè)壁16S的一部分與上表面16T的一部分，但不以此為限，在其它變化實(shí)施例中，漏極D可僅覆蓋于第一絕緣凸塊16的側(cè)壁16S的一部分。此外，像素結(jié)構(gòu)32另包括共通線CL、連接線XL、第二電極26以及第二介電薄膜28。共通線CL設(shè)置于第一基板10上，用以提供共通電壓。共通線CL可設(shè)置于第一絕緣凸塊16之下，并與第一絕緣凸塊16至少部分重疊，但不以此為限。此外，共通線CL可為第一圖案化導(dǎo)電層12的一部分，但不以此為限。連接線XL與共通線CL接觸并電性連接，其中連接線XL至少覆蓋第一絕緣凸塊16的側(cè)壁16S的另一部分與上表面16T的另一部分，并被第一介電薄膜20所覆蓋，且連接線XL與漏極D電性隔離，即連接線XL與漏極D不電性連接。連接線XL可為第二圖案化導(dǎo)電層18的一部分，但不以此為限。另外，第一介電薄膜20與鈍化層22至少暴露出位于第一絕緣凸塊16的上表面16T的連接線XL與漏極D。第二電極26設(shè)置于鈍化層22上，精確地說，第二電極26設(shè)置于第一電極24與鈍化層22之間，且第二電極26與連接線XL電性連接。第二電極26經(jīng)由連接線XL與共通線CL電性連接，即連接線XL電性連接于第二電極26與共通線CL之間，因此其具有共通電壓，且第二電極26可與第一電極24使用相同或不同材料。第二介電薄膜28設(shè)置于第一電極24與第二電極26之間，并覆蓋第二電極26與暴露出的連接線XL，用以隔絕第一電極24與第二電極26。本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)32為一平面電場型液晶顯示面板例如平面切換型(IPS)液晶顯示面板或邊緣電場切換型(FFS)液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其中第一電極24作為像素電極，而第二電極26作為共通電極，即其具有固定電位，且第一電極24與第二電極26均設(shè)置于第一基板10上，但不以此為限。在其它變化實(shí)施例中，第一電極24可作為共通電極，而第二電極26可作為像素電極而分別接收不同的電壓信號。此外，第一電極24可包括多條分支電極24B，且相鄰的分支電極24B之間具有一狹縫24S。第二電極26則可為平面電極(整面電極)，或?yàn)榘ǚ种щ姌O與狹縫的圖案化電極。另外，在第二變化實(shí)施例中，鈍化層22的厚度小于第一絕緣凸塊16的高度，也就是說，鈍化層22的上表面22T低于第一絕緣凸塊16的上表面16T，因此鈍化層22暴露出第一絕緣凸塊16的上表面16T以及一部分的側(cè)壁16S，但不以此為限。在其它變化實(shí)施例中，鈍化層22的厚度可大于第一絕緣凸塊16的高度，但可具有一凹陷部至少暴露出位于第一絕緣凸塊16的上表面16T上的漏極D。
[0097]請參考圖12。圖12繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的第二變化實(shí)施例的顯示面板的示意圖。如圖12所示,第二變化實(shí)施例的顯示面板52為一平面電場型液晶顯示面板,其包括上述實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)32、第二基板40以及顯示介質(zhì)層42。在第二變化實(shí)施例中，由于鈍化層22的上表面低于第一絕緣凸塊16的上表面16T，因此主間隔物46對應(yīng)于第一絕緣凸塊16設(shè)置，而副間隔物48則與薄膜晶體管元件TFT、柵極線(圖未示)或數(shù)據(jù)線(圖未示)對應(yīng)設(shè)置。在此狀況下，盡管主間隔物46與副間隔物48實(shí)質(zhì)上具有相同的高度/厚度，主間隔物46可同時與第一基板10或其上的結(jié)構(gòu)例如第一電極24與第二基板40或其上的結(jié)構(gòu)例如遮光圖案43接觸，以發(fā)揮維持第一基板10與第二基板40的間隙的作用，而副間隔物48可以發(fā)揮輔助支撐的作用。
[0098]請參考圖13。圖13繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的第三變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖13所示，不同于第二變化實(shí)施例，第三變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)33另包括第二絕緣凸塊17設(shè)置于第一基板10上。第二絕緣凸塊17具有側(cè)壁17S、上表面17T以及下表面17B。共通線CL設(shè)置于第一基板10上以及第二絕緣凸塊17之下，并可與第二絕緣凸塊17部分重疊，但不以此為限。例如，第二絕緣凸塊17的下表面17B可與共通線CL接觸。第一絕緣凸塊16與第二絕緣凸塊17實(shí)質(zhì)上可以具有相等的高度，且由相同的材料與制程所形成。漏極D至少覆蓋第一絕緣凸塊16的側(cè)壁16S的一部分與上表面16T的一部分。在本實(shí)施例中，漏極D完全覆蓋第一絕緣凸塊16的側(cè)壁16S與上表面16T，但不以此為限。在其它變化實(shí)施例中，漏極D可以僅覆蓋第一絕緣凸塊16的側(cè)壁16S的一部分與上表面16T的一部分或僅覆蓋第一絕緣凸塊16的側(cè)壁16S的一部分。另外，連接線XL與共通線CL接觸并電性連接，其中連接線XL至少覆蓋第二絕緣凸塊17的側(cè)壁17S的一部分與上表面17T的一部分。在本實(shí)施例中，連接線XL完全覆蓋第二絕緣凸塊17的側(cè)壁17S與上表面17T，但不以此為限。在其它變化實(shí)施例中，連接線XL可以僅覆蓋第二絕緣凸塊17的側(cè)壁17S的一部分與上表面17T的一部分或僅覆蓋第二絕緣凸塊17的側(cè)壁17S的一部分。此外，第一介電薄膜20與鈍化層22至少暴露出位于第二絕緣凸塊17的上表面17T上的連接線XL。第一電極24設(shè)置于鈍化層22上并與鈍化層22及第一介電薄膜20所暴露出的漏極D電性連接。第二電極26設(shè)置于鈍化層22上與第一電極24下,亦即設(shè)置于鈍化層22與第一電極24之間，且第二電極26與連接線XL接觸且電性連接。第二介電薄膜28設(shè)置于第一電極24與第二電極26之間，用以隔絕第一電極24與第二電極26。在第三變化實(shí)施例中，鈍化層22的厚度小于第一絕緣凸塊16與第二絕緣凸塊17的高度，也就是說，鈍化層22的上表面22T低于第一絕緣凸塊16的上表面16T與第二絕緣凸塊17的上表面17T，因此鈍化層22暴露出第一絕緣凸塊16的上表面16T以及一部分的側(cè)壁16S以及第二絕緣凸塊17的上表面17T以及一部分的側(cè)壁17S，但不以此為限。在其它變化實(shí)施例中，鈍化層22的厚度可大于第一絕緣凸塊16與第二絕緣凸塊17的高度，但可具有至少一凹陷部暴露出位于第一絕緣凸塊16的上表面16T上的漏極D以及位于第二絕緣凸塊17的上表面17T的連接線XL0
[0099]請參考圖14。圖14繪示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的第三變化實(shí)施例的顯示面板的示意圖。如圖14所示,第三變化實(shí)施例的顯示面板53為一平面電場型液晶顯示面板,其包括上述實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)33、第二基板40以及顯示介質(zhì)層42。在第三變化實(shí)施例中，由于鈍化層22的上表面低于第一絕緣凸塊16的上表面16T，因此主間隔物46可對應(yīng)于第一絕緣凸塊16及/或第二絕緣凸塊17設(shè)置，而副間隔物48則與薄膜晶體管元件TFT、柵極線(圖未示)或數(shù)據(jù)線(圖未示)對應(yīng)設(shè)置。在此狀況下，盡管主間隔物46與副間隔物48實(shí)質(zhì)上具有相同的高度/厚度，主間隔物46可同時與第一基板10或其上的結(jié)構(gòu)例如第一電極24與第二基板40或其上的結(jié)構(gòu)例如遮光圖案43接觸，以發(fā)揮維持第一基板10與第二基板40的間隙的作用，而副間隔物48可以發(fā)揮輔助支撐的作用。
[0100]請參考圖15。圖15繪示了本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖15所示，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)70包括第一基板10、薄膜晶體管元件TFT、第一單層導(dǎo)電凸塊61、第一介電薄膜20、鈍化層22以及第一電極24。薄膜晶體管元件TFT設(shè)置于第一基板10上，且薄膜晶體管元件TFT包括柵極G、主動層CH、柵極絕緣層G1、兩個重?fù)诫s半導(dǎo)體層14、源極S以及漏極D。第一單層導(dǎo)電凸塊61設(shè)置于第一基板10上，其中第一單層導(dǎo)電凸塊61具有一側(cè)壁61S、一下表面61B以及一上表面61T,且第一單層導(dǎo)電凸塊61與漏極D接觸以電性連接。在本實(shí)施例中，第一單層導(dǎo)電凸塊61的下表面61B的面積可大于上表面61T的面積，且第一單層導(dǎo)電凸塊61的側(cè)壁61S為一傾斜側(cè)壁，亦即第一單層導(dǎo)電凸塊61的剖面形狀類似梯形。此外，第一單層導(dǎo)電凸塊61的下表面16B的一部份與漏極D接觸且另一部分未與漏極D接觸，且第一單層導(dǎo)電凸塊61與漏極D的側(cè)表面Dl接觸，或是第一單層導(dǎo)電凸塊61覆蓋漏極D的一部份，但不以此為限。第一單層導(dǎo)電凸塊61為單層導(dǎo)電材料所構(gòu)成的單層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，而不是由多層導(dǎo)電材料所堆迭構(gòu)成，因此第一單層導(dǎo)電凸塊61可具有較低及較均勻的電阻值，也具有制程簡單的優(yōu)點(diǎn)。第一單層導(dǎo)電凸塊61的材料可為單一種導(dǎo)電材料或多種導(dǎo)電材料。舉例而言，第一單層導(dǎo)電凸塊61的材料可為金屬或合金,例如金、銀、銅、鋁、鈦、鑰等，或者金屬氧化物例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)，或其它適合的導(dǎo)電材料。第一介電薄膜20設(shè)置于第一基板10上，其中第一介電薄膜20覆蓋薄膜晶體管元件TFT并部分暴露出第一單層導(dǎo)電凸塊61。舉例而言，第一介電薄膜20至少覆蓋第一單層導(dǎo)電凸塊61的側(cè)壁61S的一部分并暴露出第一導(dǎo)電凸塊61的上表面61T，且第一單層導(dǎo)電凸塊61的下表面61B與柵極絕緣層GI接觸。鈍化層22設(shè)置于第一介電薄膜20上，其中鈍化層22至少部分暴露出第一單層導(dǎo)電凸塊61。第一電極24設(shè)置于鈍化層22上并與鈍化層22所暴露出的第一單層導(dǎo)電凸塊61電性連接。在本實(shí)施例中，鈍化層22的厚度大于第一單層導(dǎo)電凸塊61的高度,也就是說,鈍化層22的上表面22T高于第一單層導(dǎo)電凸塊61的上表面61T，但鈍化層22具有一凹陷部22A暴露出第一單層導(dǎo)電凸塊61的上表面61T，而第一電極24則填入凹陷部22A內(nèi)而與第一單層導(dǎo)電凸塊61接觸并電性連接。
[0101]不同于第一實(shí)施例將漏極D延伸至第一絕緣凸塊16的作法，本實(shí)施例直接使用第一單層導(dǎo)電凸塊61作為漏極D與第一電極(像素電極)24之間的電性連接結(jié)構(gòu)，亦可以不需于鈍化層22形成接觸洞。在本實(shí)施例中，薄膜晶體管元件TFT的漏極D的寬度可為3至5微米，而第一單層導(dǎo)電凸塊61的下表面61B的寬度例如約3微米至5微米，相較于現(xiàn)有鈍化層的接觸洞的尺寸至少必須在20微米至25微米之間，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)70使用第一單層導(dǎo)電凸塊61的作法可大幅提升開口率與解析度，同時第一單層導(dǎo)電凸塊61也具有較佳的導(dǎo)電性。
[0102]請參考圖16。圖16繪示了本發(fā)明的第二實(shí)施例的顯示面板的示意圖。如圖16所示，本實(shí)施例的顯示面板80包括至少一個像素結(jié)構(gòu)70、第二基板40以及顯示介質(zhì)層42。像素結(jié)構(gòu)70如前述實(shí)施例所述，在此不再贅述。第二基板40與第一基板10相對設(shè)置，且第二基板40上可進(jìn)一步設(shè)置遮光圖案43，例如黑色矩陣。第二基板40可與第一基板10選用相同或不同的材料。若像素結(jié)構(gòu)70的鈍化層22是彩色濾光層，則第二基板40上可不需設(shè)置彩色濾光層；若像素結(jié)構(gòu)70的鈍化層22不是彩色濾光層，則第二基板40可設(shè)置彩色濾光層(圖未示)。另外，顯示介質(zhì)層42設(shè)置于第一基板10與第二基板40之間。在本實(shí)施例中，顯示面板80以一垂直電場型液晶顯示面板為范例，因此顯示介質(zhì)層42為液晶層，且第二基板40上另設(shè)置有第二電極44，其中第二電極44為共通電極，其具有共通電壓，可與第一電極(像素電極)24的像素電壓形成垂直電場以驅(qū)動顯示介質(zhì)層。在其它變化實(shí)施例中，顯示面板80可為電泳顯示面板、電潤顯示面板或其它類型的顯示面板,則顯示介質(zhì)層42可為電泳材料、電濕潤材料或其它適合的顯示介質(zhì)材料。本實(shí)施例的顯示面板80更另包括至少一主間隔物46以及至少一副間隔物48，其中主間隔物46及副間隔物48設(shè)置于第一基板10與第二基板40之間且可設(shè)置于第二基板40上。主間隔物46與副間隔物48實(shí)質(zhì)上可以具有相同的高度，但不以此為限，且副間隔物48對應(yīng)于第一單層導(dǎo)電凸塊61設(shè)置，而主間隔物46則與薄膜晶體管元件TFT、柵極線(圖未示)或數(shù)據(jù)線(圖未示)對應(yīng)設(shè)置。在此狀況下，盡管主間隔物46與副間隔物48實(shí)質(zhì)上具有相同的高度/厚度，主間隔物46可同時與第一基板10或其上的結(jié)構(gòu)例如鈍化層22與第二基板40或其上的結(jié)構(gòu)例如遮光圖案43接觸，以發(fā)揮維持第一基板10與第二基板40的間隙的作用，而副間隔物48可以發(fā)揮輔助支撐的作用。
[0103]請參考圖17。圖17繪示了本發(fā)明的第二實(shí)施例的第一變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖17所示，不同于第二實(shí)施例，在第一變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)71中，鈍化層22的厚度小于第一單層導(dǎo)電凸塊61的高度，也就是說，鈍化層22的上表面22T低于第一單層導(dǎo)電凸塊61的上表面61T,因此鈍化層22暴露出第一單層導(dǎo)電凸塊61的上表面61T以及一部分的側(cè)壁61S，但不以此為限?；蛘撸g化層22的厚度實(shí)質(zhì)上可以等于第一單層導(dǎo)電凸塊61的高度,并暴露出位于第一單層導(dǎo)電凸塊61的上表面61T。
[0104]請參考圖18。圖18繪示了本發(fā)明的第二實(shí)施例的第一變化實(shí)施例的顯示面板的示意圖。如圖18所示，第一變化實(shí)施例的顯示面板81包括上述實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)71、第二基板40以及顯示介質(zhì)層42。不同于第二實(shí)施例的顯示面板，在第一變化實(shí)施例中，由于鈍化層22的上表面22T低于第一單層導(dǎo)電凸塊61的上表面61T,因此主間隔物46對應(yīng)于第一單層導(dǎo)電凸塊61設(shè)置，而副間隔物48與薄膜晶體管元件TFT、柵極線(圖未示)或數(shù)據(jù)線(圖未示)對應(yīng)設(shè)置。在此狀況下，盡管主間隔物46與副間隔物48實(shí)質(zhì)上具有相同的高度/厚度，主間隔物46可同時與第一基板10或其上的結(jié)構(gòu)例如第一電極24與第二基板40或其上的結(jié)構(gòu)例如遮光圖案43接觸，以發(fā)揮維持第一基板10與第二基板40的間隙的作用，而副間隔物48可以發(fā)揮輔助支撐的作用。
[0105]請參考圖19。圖19繪示了本發(fā)明的第二實(shí)施例的第二變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖19所示，不同于第二實(shí)施例，第二變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)72包括第一單層導(dǎo)電凸塊61、第二單層導(dǎo)電凸塊62、共通線CL、第一電極24、第二電極26以及一第二介電薄膜28。第二單層導(dǎo)電凸塊62設(shè)置于第一基板10上,并具有側(cè)壁62S、上表面62T以及下表面62B。共通線CL設(shè)置于第一基板10上并與第二單層導(dǎo)電凸塊62電性連接，用以提供共通電壓。共通線CL可設(shè)置于第二單層導(dǎo)電凸塊62之下，并可與第二單層導(dǎo)電凸塊62的下表面62B接觸并至少部分重疊，但不以此為限。此外，共通線CL可為第一圖案化導(dǎo)電層12的一部分，但不以此為限。另外，第一介電薄膜20與鈍化層22至少暴露出位于第一單層導(dǎo)電凸塊61的上表面6IT與第二單層導(dǎo)電凸塊62的上表面62T。第一電極24設(shè)置于鈍化層22上并與鈍化層22所暴露出的第一單層導(dǎo)電凸塊61電性連接。第二電極26設(shè)置于鈍化層22上與第一電極24下,且與第一介電薄膜20與鈍化層22所暴露出的第二單層導(dǎo)電凸塊62電性連接。第二電極26經(jīng)由第二單層導(dǎo)電凸塊62與共通線CL電性連接，因此其具有共通電壓，且第二電極26可與第一電極24使用相同或不同材料。第二介電薄膜28設(shè)置于第一電極24與第二電極26之間，用以隔絕第一電極24與第二電極26。本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)32為一平面電場型液晶顯示面板例如平面切換型(IPS)液晶顯示面板或邊緣電場切換型(FFS)液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其中第一電極24作為像素電極，而第二電極26作為共通電極，且第一電極24與第二電極26均設(shè)置于第一基板10上。此外,第一電極24可包括多條分支電極(圖未示)，且相鄰的分支電極之間具有一狹縫(圖未示)。第二電極26則可為與第一電極24的狹縫重疊的平面電極(整面電極)，或?yàn)榘ǚ种щ姌O與狹縫的圖案化電極。另外，在第二變化實(shí)施例中，鈍化層22的厚度大于第一單層導(dǎo)電凸塊61與第二單層導(dǎo)電凸塊62的高度，且鈍化層22具有一凹陷部22A至少暴露出第一單層導(dǎo)電凸塊61與第二單層導(dǎo)電凸塊62。在其它變化實(shí)施例中，鈍化層22的厚度可以小于第一單層導(dǎo)電凸塊61與第二單層導(dǎo)電凸塊62的高度。
[0106]請參考圖20。圖20繪示了本發(fā)明的第二實(shí)施例的第二變化實(shí)施例的顯示面板的示意圖。如圖20所示,第二變化實(shí)施例的顯示面板82為一平面電場型液晶顯示面板,其包括上述實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)72、第二基板40以及顯示介質(zhì)層42。在第二變化實(shí)施例中，由于鈍化層22的上表面22T高于第一單層導(dǎo)電凸塊61的上表面61T與第二單層導(dǎo)電凸塊62的上表面62T，因此副間隔物48對應(yīng)于第一單層導(dǎo)電凸塊61或第二單層導(dǎo)電凸塊62設(shè)置，而主間隔物46則與薄膜晶體管元件TFT、柵極線(圖未示)或數(shù)據(jù)線(圖未示)對應(yīng)設(shè)置。在此狀況下，盡管主間隔物46與副間隔物48實(shí)質(zhì)上具有相同的高度/厚度，主間隔物46可同時與第一基板10或其上的結(jié)構(gòu)例如第二介電薄膜28與第二基板40或其上的結(jié)構(gòu)例如遮光圖案43接觸，以發(fā)揮維持第一基板10與第二基板40的間隙的作用，而副間隔物48可以發(fā)揮輔助支撐的作用。在其它變化實(shí)施例中，鈍化層22的厚度可以小于第一單層導(dǎo)電凸塊61與第二單層導(dǎo)電凸塊62的高度。
[0107]綜上所述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)與顯示面板使用絕緣凸塊搭配漏極的延伸部或單層導(dǎo)電凸塊作為像素電極與漏極的電性連接結(jié)構(gòu)，而不需于鈍化層形成接觸洞，因此可以大幅提高開口率與解析度。
[0108]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一第一基板; 一薄膜晶體管元件，設(shè)置于該第一基板上，該薄膜晶體管元件包括一柵極、一主動層、一柵極絕緣層、一源極以及一漏極； 一第一絕緣凸塊，設(shè)置于該第一基板上，其中該第一絕緣凸塊具有一側(cè)壁以及一上表面，且該漏極至少覆蓋該第一絕緣凸塊的該側(cè)壁的一部分與該上表面的一部分； 一第一介電薄膜，設(shè)置于該第一基板上，其中該第一介電薄膜覆蓋該薄膜晶體管元件并暴露出該漏極的一部分； 一鈍化層，設(shè)置于該第一介電薄膜上，其中該鈍化層與該第一介電薄膜至少部分暴露出位于該第一絕緣凸塊的該上表面上的該漏極；以及 一第一電極，設(shè)置于該鈍化層上并與該鈍化層所暴露出的該漏極電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一介電薄膜更至少覆蓋該第一絕緣凸塊的該側(cè)壁的一部分，且該第一絕緣凸塊與該柵極絕緣層接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，另包括: 一共通線，設(shè)置于該第一基板上； 一連接線，與該共通線電性連接，其中該連接線至少覆蓋該第一絕緣凸塊的該側(cè)壁的一部分與該上表面的一部分，該第一介電薄膜與該鈍化層至少暴露出位于該第一絕緣凸塊的該上表面的該連接線，且該連接線與該漏極電性隔離； 一第二電極，設(shè)置于該鈍化層上并與該第一介電薄膜與該鈍化層所暴露出的該連接線電性連接；以及 一第二介電薄膜，設(shè)置于該第一電極與該第二電極之間，用以隔絕該第一電極與該第二電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該鈍化層包括一彩色濾光層或一有機(jī)介電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，另包括: 一第二絕緣凸塊，設(shè)置于該第一基板上，其中該第二絕緣凸塊具有一側(cè)壁以及一上表面； 一共通線，設(shè)置于該第一基板上； 一連接線，與該共通線電性連接，其中該連接線至少覆蓋該第二絕緣凸塊的該側(cè)壁的一部分與該上表面的一部分，該第一介電薄膜與該鈍化層至少暴露出位于該第二絕緣凸塊的該上表面上的該連接線； 一第二電極，設(shè)置于該鈍化層上并與該第一介電薄膜與該鈍化層所暴露出的該連接線電性連接；以及 一第二介電薄膜，設(shè)置于該第一電極與該第二電極之間，用以隔絕該第一電極與該第二電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一絕緣凸塊與該第二絕緣凸塊實(shí)質(zhì)上具有相等的高度。
7.—種顯示面板，其特征在于，包括: 如權(quán)利要求1所述的該像素結(jié)構(gòu)；一第二基板，與該第一基板相對設(shè)置；以及 一顯不介質(zhì)層，設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板，其特征在于，另包括: 一主間隔物，設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間；以及 一副間隔物，設(shè)置于該第二基板上； 其中該主間隔物與該副間隔物實(shí)質(zhì)上具有相同的高度，該鈍化層的一上表面低于該第一絕緣凸塊的該上表面，且該主間隔物對應(yīng)于該第一絕緣凸塊設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板，其特征在于，另包括: 一主間隔物，設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間；以及 一副間隔物，設(shè)置于該第二基板上； 其中該主間隔物與該副間隔物實(shí)質(zhì)上具有相同的高度，該鈍化層的一上表面高于該第一絕緣凸塊的該上表面，且該副間隔物對應(yīng)于該第一絕緣凸塊設(shè)置。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板，其特征在于，另包括一觸控元件，設(shè)置于該第二基板上。
11.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一第一基板; 一薄膜晶體管元件，設(shè)置于該第一基板上，該薄膜晶體管元件包括一柵極、一主動層、一柵極絕緣層、一源極以及一漏極； 一第一單層導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該第一基板上，其中該第一單層導(dǎo)電凸塊具有一側(cè)壁、一下表面以及一上表面，且該第一單層導(dǎo)電凸塊與該漏極電性連接； 一第一介電薄膜，設(shè)置于該第一基板上，其中該第一介電薄膜覆蓋該薄膜晶體管元件并部分暴露出該第一單層導(dǎo)電凸塊； 一鈍化層，設(shè)置于該第一介電薄膜上，其中該鈍化層至少部分暴露出該第一單層導(dǎo)電凸塊；以及 一第一電極，設(shè)置于該鈍化層上并與該鈍化層所暴露出的該第一單層導(dǎo)電凸塊電性連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一單層導(dǎo)電凸塊的該下表面的一部份未與該漏極接觸，該第一單層導(dǎo)電凸塊與該漏極的一側(cè)表面接觸，其中該薄膜晶體管元件的該漏極的最大寬度為3微米至5微米，該第一單層導(dǎo)電凸塊的該下表面的最大寬度為3微米至5微米。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一介電薄膜更至少覆蓋該第一單層導(dǎo)電凸塊的該側(cè)壁的一部分并暴露出該第一導(dǎo)電凸塊的該上表面，且該第一單層導(dǎo)電凸塊與該柵極絕緣層接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該鈍化層包括一彩色濾光層或一有機(jī)介電層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，另包括: 一第二單層導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該第一基板上，其中該第二單層導(dǎo)電凸塊具有一側(cè)壁以及一上表面； 一共通線，設(shè)置于該第一基板上并與該第二單層導(dǎo)電凸塊電性連接，其中該第一介電薄膜與該鈍化層至少部分暴露出該第二導(dǎo)電凸塊； 一第二電極，設(shè)置于該鈍化層上并與該第一介電薄膜與該鈍化層所暴露出的該第二單層導(dǎo)電凸塊電性連接；以及 一第二介電薄膜，設(shè)置于該第一電極與該第二電極之間，用以隔絕該第一電極與該第二電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一單層導(dǎo)電凸塊與該第二單層導(dǎo)電凸塊實(shí)質(zhì)上具有相等的高度。
17.—種顯示面板，其特征在于，包括: 如權(quán)利要求11所述的該像素結(jié)構(gòu)； 一第二基板，與該第一基板相對設(shè)置；以及 一顯不介質(zhì)層，設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示面板，其特征在于，另包括: 一主間隔物，設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間；以及 一副間隔物，設(shè)置于 該第二基板上； 其中該主間隔物與該副間隔物實(shí)質(zhì)上具有相同的高度，該鈍化層的一上表面低于該第一單層導(dǎo)電凸塊的該上表面，且該主間隔物對應(yīng)于該第一單層導(dǎo)電凸塊設(shè)置。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示面板，其特征在于，另包括: 一主間隔物，設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間；以及 一副間隔物，設(shè)置于該第二基板上； 其中該主間隔物與該副間隔物實(shí)質(zhì)上具有相同的高度，該鈍化層的一上表面高于該第一單層導(dǎo)電凸塊的該上表面，且該副間隔物對應(yīng)于該第一單層導(dǎo)電凸塊設(shè)置。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示面板，其特征在于，另包括一觸控元件，設(shè)置于該第二基板上。
【文檔編號】G02F1/13GK103984130SQ201410197216
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年5月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月28日
【發(fā)明者】張吉和, 李錫烈 申請人:友達(dá)光電股份有限公司