基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器的制造方法
【專利摘要】一種基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，包括：一入射光源；一光放大器，其位于入射光源的光路上，用于調(diào)節(jié)光功率；一可調(diào)諧微環(huán)諧振腔，其位于入射光源的光路上，用于產(chǎn)生可調(diào)節(jié)的MHz量級(jí)光學(xué)振蕩波形；一光信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)，其位于入射光源的光路上，用于測(cè)試輸出光的信號(hào)；一反饋控制系統(tǒng)，其輸入端與光信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)的輸出端連接，其輸出端與光放大器的控制端連接，其控制端與可調(diào)諧微環(huán)諧振腔的電極引腳連接，該反饋控制系統(tǒng)0提取輸出光信號(hào)的碼型和頻率信息，并控制微型加熱器的電流大小和持續(xù)時(shí)間，以及控制光放大器的輸出光功率。本發(fā)明的工藝與CMOS工藝兼容，便于集成化和小型化，其抗外界干擾性能好，輸出振蕩頻率和波形穩(wěn)定性高。
【專利說(shuō)明】基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光通信和光子信息處理領(lǐng)域，尤其涉及全光通信中基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器。
【背景技術(shù)】
[0002]在光通信和光子信息處理領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)全光控制一直是人們努力追求的方向。而全光振蕩器可以用于光學(xué)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生和信號(hào)路由選擇等。目前產(chǎn)生光學(xué)振蕩的一般方法是使用電信號(hào)頻率發(fā)生器與電光調(diào)制器，將電學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)移到光信號(hào)上。但是這種方法的最大弊端是必須使用高頻電信號(hào)發(fā)生器和電光調(diào)制器，因此功耗大，且不利于全光集成和快速路由選擇。
[0003]基于娃基微盤(pán)可以實(shí)現(xiàn)全光振蕩,例如T.J.Johnson等人發(fā)表的文章(“Self—induced optical modulation of the transmission through a high—Q siliconmicrodisk resonator, ” Opt.Express 14 (2)，2006:817.一831)，該微盤(pán)米用懸空結(jié)構(gòu)，周圍為空氣層，采用光纖進(jìn)行耦合，因此其熱擴(kuò)散時(shí)間和載流子壽命很難通過(guò)工藝手段實(shí)現(xiàn)大范圍調(diào)節(jié)，也就意味著基于該結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的全光振蕩的頻率只能在非常狹窄的范圍內(nèi)變化。采用的懸空結(jié)構(gòu)和光纖耦合方式由于缺少外力限制，因此穩(wěn)定性較差，且在強(qiáng)入射光下出現(xiàn)光機(jī)械振蕩現(xiàn)象，因而較難實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定振蕩波形。
[0004]而本發(fā)明的基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器的主要結(jié)構(gòu)為硅基微盤(pán)諧振腔，其采用平面設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，光傳輸波導(dǎo)周圍為低折射率介質(zhì)材料，因而機(jī)械穩(wěn)定性非常好，抗干擾性能非常好；在低折射率介質(zhì)材料四周合理加入高導(dǎo)電介質(zhì)材料，通過(guò)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)尺寸，可以靈活控制光傳輸波導(dǎo)周圍的熱擴(kuò)散時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)大范圍調(diào)節(jié)振蕩頻率的目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于，提供一種基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，其基于硅基微環(huán)諧振腔將入射連續(xù)光波直接調(diào)制為周期振蕩光波，調(diào)節(jié)微環(huán)諧振腔熱擴(kuò)散時(shí)間可實(shí)現(xiàn)IOOkHz — IOOMHz的振蕩頻率變化范圍，調(diào)節(jié)入射光波長(zhǎng)和功率可快速實(shí)現(xiàn)超過(guò)一個(gè)倍頻程的頻率調(diào)節(jié)范圍以及振蕩波形占空比從O到I連續(xù)變化，硅基微環(huán)諧振腔結(jié)構(gòu)的制備與CMOS工藝兼容，抗干擾性能好，頻率和波形穩(wěn)定性高。
[0006]本發(fā)明提供一種基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，包括:
[0007]一入射光源；
[0008]—光放大器,其位于入射光源的光路上,用于調(diào)節(jié)光功率；
[0009]一可調(diào)諧微環(huán)諧振腔，其位于入射光源的光路上，用于產(chǎn)生可調(diào)節(jié)的MHz量級(jí)光學(xué)振蕩波形；
[0010]—光信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)，其位于入射光源的光路上，用于測(cè)試輸出光的信號(hào)；
[0011]一反饋控制系統(tǒng)，其輸入端與光信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)的輸出端連接，其輸出端與光放大器的控制端連接，其控制端與可調(diào)諧微環(huán)諧振腔的電極引腳連接，該反饋控制系統(tǒng)O提取輸出光信號(hào)的碼型和頻率信息，并控制微型加熱器的電流大小和持續(xù)時(shí)間，以及控制光放大器的輸出光功率。
[0012]本發(fā)明的有益效果是，提供一種基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，其基于硅基微環(huán)諧振腔熱光非線性效應(yīng)和自由載流子色散效應(yīng)共同作用，將一束連續(xù)光波直接調(diào)制成為周期振蕩光波，振蕩頻率和振蕩波形占空比均具有可調(diào)節(jié)性，且調(diào)節(jié)簡(jiǎn)單；調(diào)節(jié)微環(huán)諧振腔熱擴(kuò)散時(shí)間可實(shí)現(xiàn)振蕩頻率范圍為IOOkHz?100MHz，調(diào)節(jié)入射光功率和波長(zhǎng)可實(shí)現(xiàn)振蕩頻率變化范圍超過(guò)一個(gè)倍頻程，振蕩波形占空比從O到I變化；制作硅基微環(huán)諧振腔結(jié)構(gòu)的工藝與CMOS工藝兼容，便于集成化和小型化，其抗外界干擾性能好，輸出振蕩頻率和波形穩(wěn)定性高。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]為進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的內(nèi)容及特點(diǎn)，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)描述，其中:
[0014]圖1為本發(fā)明的基于硅基微環(huán)諧振腔實(shí)現(xiàn)可調(diào)全光振蕩器的工作流程示意圖。
[0015]圖2為本發(fā)明的硅基微環(huán)諧振腔環(huán)形波導(dǎo)橫截面示意圖。
[0016]圖3中(a)為本發(fā)明實(shí)施例中，入射光波長(zhǎng)相對(duì)諧振波長(zhǎng)紅移600pm時(shí)實(shí)驗(yàn)測(cè)試的輸出光振蕩波形圖。
[0017]圖3中(b)為本發(fā)明實(shí)施例中，入射光波長(zhǎng)相對(duì)諧振波長(zhǎng)紅移IOOOpm時(shí)實(shí)驗(yàn)測(cè)試的輸出光振蕩波形圖。
[0018]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中模擬得到的不同頻率失諧下輸出光振蕩頻率曲線、波形占空比曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]請(qǐng)參閱圖1和圖2所示，本發(fā)明提供一種基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，包括:
[0020]一入射光源10，所述的入射光源10輸出單波長(zhǎng)連續(xù)波；
[0021]—光放大器20,其位于入射光源10的光路上,用于調(diào)節(jié)光功率,所述的光放大器20是摻鉺光纖放大器，或半導(dǎo)體光放大器；
[0022]一可調(diào)諧微環(huán)諧振腔30，其位于入射光源10的光路上，用于產(chǎn)生可調(diào)節(jié)的光學(xué)振蕩波形，振蕩頻率范圍在IOOkHz?IOOMHz ;所述的可調(diào)諧微環(huán)諧振腔30包括:
[0023]—光學(xué)諧振結(jié)構(gòu)，該光學(xué)諧振結(jié)構(gòu)由一直波導(dǎo)31和一環(huán)形波導(dǎo)32組成,其中直波導(dǎo)31兩端為錐形波導(dǎo)耦合結(jié)構(gòu)；
[0024]一溫度調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，該溫度調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)由一微型加熱器33和電極引腳34組成；
[0025]其中直波導(dǎo)31和環(huán)形波導(dǎo)32是條形結(jié)構(gòu)、脊形結(jié)構(gòu)或slot結(jié)構(gòu)；直波導(dǎo)31與環(huán)形波導(dǎo)32之間的間距為幾十納米至幾百納米，所選的間距使環(huán)形波導(dǎo)32的光譜圖諧振峰消光比超過(guò)5dB ;直波導(dǎo)31與環(huán)形波導(dǎo)32的橫截面尺寸為高度小于500納米，寬度小于I微米，且保證最少有一個(gè)光傳播模式；直波導(dǎo)31和環(huán)形波導(dǎo)32的材料包括絕緣體上硅310’和在絕緣體上硅310’上制作的覆蓋層311’ ；覆蓋層311’的材料是二氧化硅或氮化硅；覆蓋層311’上涂覆金屬導(dǎo)電材料制作微型加熱器33，用于控制環(huán)形波導(dǎo)32的溫度，并降低環(huán)形波導(dǎo)32的溫度擴(kuò)散時(shí)間；覆蓋層311’的厚度應(yīng)保證光在環(huán)形波導(dǎo)32中傳輸時(shí)具有較小的傳輸損耗，且能夠有效降低溫度擴(kuò)散時(shí)間，例如厚度為I?3微米；環(huán)形波導(dǎo)32四周可以制作金屬導(dǎo)電通孔，以進(jìn)一步降低環(huán)形波導(dǎo)32的溫度擴(kuò)散時(shí)間，金屬導(dǎo)電通孔距離硅波導(dǎo)中心的最小距離應(yīng)不影響光在環(huán)形波導(dǎo)32中的傳輸行為，例如該距離為2?5微米。
[0026]由于環(huán)形波導(dǎo)32中心娃波導(dǎo)的橫截面尺寸均小于I微米，對(duì)傳輸光模式有更大的束縛能力，因此實(shí)現(xiàn)全光振蕩需要的入射光功率更低，例如毫瓦量級(jí)。使用的硅基微環(huán)諧振腔的材料和結(jié)構(gòu)均可以通過(guò)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝實(shí)現(xiàn)，因此便于集成化和小型化；由于制作的硅基微環(huán)諧振腔為平面集成結(jié)構(gòu)，其抗外界擾動(dòng)能力強(qiáng)，穩(wěn)定性高。
[0027]環(huán)形波導(dǎo)32中的非線性效應(yīng)有克爾效應(yīng)、雙光子吸收效應(yīng)、自由載流子吸收效應(yīng)、自由載流子色散效應(yīng)和熱光效應(yīng)。一方面，雙光子吸收、自由載流子吸收和波導(dǎo)線性吸收作用可以導(dǎo)致波導(dǎo)溫度升高，發(fā)生熱光效應(yīng)，增大波導(dǎo)折射率；由于波導(dǎo)溫度通過(guò)熱擴(kuò)散等方式降低，因而采用熱擴(kuò)散時(shí)間表征溫度變化的快慢程度。另一方面，自由載流子色散減小波導(dǎo)的折射率，恰好與熱光效應(yīng)的作用相反，而影響自由載流子濃度的最主要因素是雙光子吸收效應(yīng)，即與環(huán)形波導(dǎo)內(nèi)的光強(qiáng)有關(guān)；由于自由載流子濃度主要靠非平衡的電子與空穴對(duì)復(fù)合來(lái)降低，因而采用自由載流子壽命表征自由載流子濃度衰減的快慢程度。對(duì)于硅基納米線波導(dǎo)而言，熱擴(kuò)散時(shí)間的量級(jí)通常為毫秒到微秒量級(jí)，其受到波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、覆蓋層材料和尺寸等因素影響；自由載流子壽命的量級(jí)通常為納秒量級(jí)，其主要受到波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度的影響。當(dāng)熱光效應(yīng)和自由載流子色散效應(yīng)對(duì)折射率變化量的影響在同一個(gè)數(shù)量級(jí)，或相差較小時(shí)，輸出光發(fā)生自脈動(dòng)現(xiàn)象，即輸出光波形發(fā)生振蕩。振蕩頻率受到材料熱擴(kuò)散時(shí)間的影響，量級(jí)通常在MHz左右，范圍為100kHzIOOMHz。
[0028]為了使輸出光出現(xiàn)光強(qiáng)振蕩現(xiàn)象，要求環(huán)形波導(dǎo)32的自由載流子壽命和熱擴(kuò)散時(shí)間保持一定關(guān)系，例如熱擴(kuò)散時(shí)間比自由載流子壽命大13個(gè)數(shù)量級(jí)，使得當(dāng)入射光功率超過(guò)非線性閾值功率時(shí)，自由載流子色散效應(yīng)對(duì)環(huán)形波導(dǎo)32折射率的最大變化絕對(duì)值與熱光效應(yīng)對(duì)環(huán)形波導(dǎo)32折射率的最大變化絕對(duì)值具有相近的數(shù)值。對(duì)于器件的設(shè)計(jì)要求為:環(huán)形波導(dǎo)32中無(wú)深能級(jí)復(fù)合中心，自由載流子壽命在納秒量級(jí)；在不影響光在波導(dǎo)中正常傳輸?shù)臈l件下，在環(huán)形波導(dǎo)32的左右或上下覆蓋高熱擴(kuò)散系數(shù)材料，如金屬導(dǎo)電通孔或金屬導(dǎo)線，提高熱擴(kuò)散速度，降低熱擴(kuò)散時(shí)間。
[0029]輸出光的可調(diào)節(jié)性質(zhì)是指輸出振蕩光的占空比從O變化到1，輸出光的頻率變化范圍可以覆蓋I個(gè)甚至多個(gè)倍頻程。實(shí)現(xiàn)輸出光的可調(diào)節(jié)性質(zhì)通過(guò)調(diào)節(jié)入射光源10的輸出光波長(zhǎng)與環(huán)形波導(dǎo)30的諧振波長(zhǎng)的相對(duì)位置，調(diào)節(jié)入射光經(jīng)光放大器20之后的功率來(lái)實(shí)現(xiàn)。前者調(diào)節(jié)環(huán)形波導(dǎo)32的折射率實(shí)現(xiàn)對(duì)其線性諧振波長(zhǎng)的調(diào)節(jié)，即通過(guò)反饋控制系統(tǒng)50控制微型加熱器33的電流大小和時(shí)間長(zhǎng)短來(lái)控制環(huán)形波導(dǎo)32的溫度，進(jìn)而調(diào)節(jié)環(huán)形波導(dǎo)32的折射率；后者通過(guò)反饋控制系統(tǒng)50控制光放大器20的輸出光功率。反饋控制系統(tǒng)50采取實(shí)時(shí)反饋控制方法，即實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出振蕩光波的頻率和占空比，快速調(diào)節(jié)環(huán)形波導(dǎo)32的線性諧振波長(zhǎng)和光放大器20的輸出功率，實(shí)現(xiàn)振蕩器輸出頻率和波形穩(wěn)定的目的。
[0030]—光信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)40,其位于入射光源10的光路上,用于測(cè)試輸出光的信號(hào)；光信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)40包括一分束器41,該分束器41輸出端分別連接有一光功率計(jì)42和一信號(hào)檢測(cè)系統(tǒng)43 ;其中信號(hào)檢測(cè)系統(tǒng)43包括一高速示波器和/或頻譜儀和/或光譜儀。
[0031]一反饋控制系統(tǒng)50，其輸入端與光信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)40的輸出端連接，其輸出端與光放大器20的控制端連接，其控制端與可調(diào)諧微環(huán)諧振腔30的電極引腳34連接，該反饋控制系統(tǒng)50提取輸出光信號(hào)的碼型和頻率信息，并控制微型加熱器33的電流大小和持續(xù)時(shí)間，以及光放大器20的輸出光功率。
[0032]本實(shí)施例中，為了更直觀了解輸出光的振蕩效果，我們以某一尺寸下的硅基微環(huán)諧振腔為例，但是實(shí)際出現(xiàn)光學(xué)振蕩的硅基微環(huán)諧振腔不限于這一種具體尺寸。環(huán)形波導(dǎo)32的半徑為10微米，截面形狀為脊形，脊高220nm，寬500nm，平板區(qū)高度60nm，波導(dǎo)上覆蓋2微米二氧化硅，并在其上沉積金屬鋁。距離波導(dǎo)4微米的位置制作金屬鋁通孔，降低環(huán)形波導(dǎo)32的熱擴(kuò)散系數(shù)。根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)反推得到該微環(huán)波導(dǎo)中載流子壽命約為3ns，熱擴(kuò)散時(shí)間約為120ns。實(shí)驗(yàn)測(cè)試得到不同相對(duì)波長(zhǎng)(Λ λ )下的輸出光振蕩圖形，如圖3中(a)(b)所示，輸出光的形狀和頻率隨相對(duì)波長(zhǎng)而有所區(qū)別。輸出光振蕩頻率、波形占空比與相對(duì)波長(zhǎng)之間的關(guān)系曲線如圖4所示，振蕩頻率和波形占空比隨相對(duì)波長(zhǎng)發(fā)生變化，波形占空比變化范圍接近O— I。很顯然，固定入射光功率，只需要略微改變?nèi)肷涔庀鄬?duì)波長(zhǎng)，就可以很靈活地調(diào)控輸出光的振蕩頻率和振蕩波形。由于受到特定結(jié)構(gòu)的硅基微環(huán)諧振腔具有固定的熱擴(kuò)散時(shí)間的影響，該硅基微環(huán)諧振腔的輸出振蕩頻率范圍為IlMHz到17MHz。
[0033]需要指出，實(shí)現(xiàn)全光振蕩輸出并不限于本實(shí)施例中舉出的特定硅基微環(huán)諧振腔結(jié)構(gòu)。根據(jù)一般性判據(jù)條件，即降低環(huán)形波導(dǎo)32的熱擴(kuò)散時(shí)間并增大環(huán)形波導(dǎo)32內(nèi)的載流子壽命，使熱光效應(yīng)和載流子色散效應(yīng)對(duì)波導(dǎo)折射率改變的絕對(duì)值在同一個(gè)數(shù)量級(jí)，則可以在較低入射光功率下觀察到明顯的輸出光振蕩現(xiàn)象。
【權(quán)利要求】
1.一種基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，包括: 一入射光源； 一光放大器，其位于入射光源的光路上，用于調(diào)節(jié)光功率； 一可調(diào)諧微環(huán)諧振腔，其位于入射光源的光路上，用于產(chǎn)生可調(diào)節(jié)的MHz量級(jí)光學(xué)振蕩波形； 一光信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)，其位于入射光源的光路上，用于測(cè)試輸出光的信號(hào)； 一反饋控制系統(tǒng)，其輸入端與光信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)的輸出端連接，其輸出端與光放大器的控制端連接，其控制端與可調(diào)諧微環(huán)諧振腔的電極引腳連接，該反饋控制系統(tǒng)O提取輸出光信號(hào)的碼型和頻率信息，并控制微型加熱器的電流大小和持續(xù)時(shí)間，以及控制光放大器的輸出光功率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，其中所述的入射光源輸出單波長(zhǎng)連續(xù)波。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，其中所述的光放大器是摻鉺光纖放大器，或半導(dǎo)體光放大器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，其中所述的可調(diào)諧微環(huán)諧振腔包括: 一光學(xué)諧振結(jié)構(gòu)，該光學(xué)諧振腔結(jié)構(gòu)由一直波導(dǎo)和一環(huán)形波導(dǎo)組成，其中直波導(dǎo)兩端為錐形波導(dǎo)耦合結(jié)構(gòu)； 一溫度調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，該溫度調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)由一微型加熱器和電極引腳組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，其中所述的直波導(dǎo)和環(huán)形波導(dǎo)是條形結(jié)構(gòu)、脊形結(jié)構(gòu)或slot結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，其中所述的直波導(dǎo)與環(huán)形波導(dǎo)之間的間距為幾十納米至幾百納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，其中所述的直波導(dǎo)與環(huán)形波導(dǎo)的橫截面尺寸為高度小于500納米，寬度小于I微米，且保證最少有一個(gè)光傳播模式。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，其中所述的直波導(dǎo)和環(huán)形波導(dǎo)的材料包括絕緣體上硅和在絕緣體上硅上制作的覆蓋層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，其中所述的覆蓋層的材料是二氧化硅或氮化硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基微環(huán)諧振腔熱光調(diào)諧機(jī)構(gòu)的可調(diào)全光振蕩器，其中所述的光信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)包括: 一分束器，該分束器輸出端分別連接有一光功率計(jì)和一信號(hào)檢測(cè)系統(tǒng)；其中信號(hào)檢測(cè)系統(tǒng)包括一高速示波器和/或頻譜儀和/或光譜儀。
【文檔編號(hào)】G02F1/365GK103941518SQ201410188475
【公開(kāi)日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年5月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月6日
【發(fā)明者】張利斌, 陳少武 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所