掩膜版、掩膜圖案生成控制系統(tǒng)及方法、掩膜系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供了一種掩膜版、掩膜圖案生成控制系統(tǒng)、掩膜系統(tǒng)及掩膜圖案生成控制方法，上述的掩膜版，包括一能夠透過曝光激勵的本體，所述本體內形成有一圖案形成腔，所述圖案形成腔的底部為一水平面，所述本體上還設置有一用于容納能夠阻擋曝光激勵透過的粉狀物質的容納腔，所述容納腔與所述圖案形成腔連通，使得所述粉狀物質能夠在一圖案生成激勵的作用下，進入所述圖案形成腔，并在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。本發(fā)明降低了掩膜版的成本。
【專利說明】掩膜版、掩膜圖案生成控制系統(tǒng)及方法、掩膜系統(tǒng)【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及光刻【技術領域】，特別是一種掩膜版、掩膜圖案生成控制系統(tǒng)、掩膜系統(tǒng)及掩膜圖案生成控制方法。
【背景技術】
[0002]在半導體制作過程中，各層電路的制作都需要一套相應的光刻掩膜版，用來形成半導體制作中所需要的各類電路圖形。
[0003]傳統(tǒng)的光刻掩膜版的制作方法采用石英玻璃上鍍一層金屬鉻，再通過光刻和刻蝕工藝得到與待形成的電路圖形相對應的掩膜圖形。
[0004]光刻掩膜版的金屬鉻具有極佳的紫外光阻擋性能，而石英玻璃具有較好的紫外光透射性能。在半導體制作過程中，首先需要在光刻掩膜版上成形與電路圖案對應的掩膜圖案，半導體各層的電路圖形與光刻掩膜版上的金屬鉻刻蝕后的圖形相對應。
[0005]通過紫外光的照射，被金屬鉻阻擋的紫外光不能照射到基板上的光刻膠，而沒有金屬鉻阻檔的部分，紫外光可以照射到基板上的光刻膠，使光刻膠發(fā)生反應，對于正性光刻膠而言，進行顯影時，被紫外光照射的光刻膠在顯影液中溶解，而未被紫外光照射的光刻膠不溶解于顯影液中。對于負性光刻膠而言，正好相反。從而在基板上形成所需要的光刻膠電路圖形，通過刻蝕工藝后即 可得到所需要的電路圖形。
[0006]然而現有的掩膜版存在成本較高的缺點，說明如下。
[0007]現有的掩膜版制作是通過在石英玻璃上沉積金屬鉻，再進行光刻和濕刻工藝得到半導體制作過程中所需要的各層電路圖形。因此，一塊光刻掩膜版只能對應一個電路圖形，如果對應的電路圖形發(fā)生變化，則需要重新定義掩膜圖案，重新制造新的掩膜版。
[0008]而光刻掩膜版在進行重新制作的過程中，工藝復雜，成本很高，幾乎與制作一塊新的光刻掩膜版的制作成本相當，因此掩膜版存在成本高昂的缺點。
[0009]上述是以紫外線曝光為例進行的說明，但其他的通過阻擋射線作用于光刻膠的曝光方式也存在同樣的缺點，在此不說明。

【發(fā)明內容】

[0010]本發(fā)明實施例的目的在于提供一種掩膜版、掩膜圖案生成控制系統(tǒng)、掩膜系統(tǒng)及掩膜圖案生成控制方法，降低掩膜版的成本。
[0011]為了實現上述目的，本發(fā)明實施例提供了一種掩膜版，包括一能夠透過曝光激勵的本體，所述本體內形成有一圖案形成腔，所述圖案形成腔的底部為一水平面，所述本體上還設置有一用于容納能夠阻擋曝光激勵透過的粉狀物質的容納腔，所述容納腔與所述圖案形成腔連通，使得所述粉狀物質能夠在一圖案生成激勵的作用下，進入所述圖案形成腔，并在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
[0012]上述的掩膜版，其中，所述本體上還形成有一從外部通向所述容納腔的通道，所述掩膜版還包括:[0013]開口控制單元，用于打開或關閉所述通道。
[0014]上述的掩膜版，其中，所述曝光激勵為紫外線，所述粉狀物質為磁粉，所述圖案生成激勵為磁場。
[0015]為了實現上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，用于作用于一掩膜版以生成掩膜圖案，所述掩膜版具有一水平面，所述掩膜圖案生成控制系統(tǒng)包括:
[0016]激勵生成裝置，用于生成一作用于能夠阻擋曝光激勵透過的粉狀物質的圖案生成激勵，使得所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
[0017]上述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，其中，所述掩膜版包括一能夠透過曝光激勵的本體，所述本體內形成有一圖案形成腔，所述水平面為所述圖案形成腔的底部，所述本體上還設置有一用于容納所述粉狀物質的容納腔，所述容納腔與所述圖案形成腔連通。
[0018]上述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，其中，所述激勵源生成裝置具體包括:
[0019]獲取模塊，用于獲取所述電路圖案；
[0020]轉換模塊，用于將所述電路圖案轉換為所述掩膜圖案；
[0021]第一激勵生成模塊，用于根據所述掩膜圖案，生成作用于所述圖案形成腔中的粉狀物質的圖案生成激勵，使得進入所述圖案形成腔的所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
[0022]上述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，其中，所述掩膜圖案生成控制系統(tǒng)還包括:
[0023]第二激勵生成模塊，用于生成作用于所述容納腔的粉狀物質，使得所述容納腔的粉狀物質進入所述圖案形成腔的位置控制激勵。
[0024]上述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，其中，還包括:
[0025]第三激勵生成模塊，用于生成作用于形成所述掩膜圖案的粉狀物質的還原激勵，破壞所述粉狀物質之間的結合力，使得所述粉狀物質散布于所述水平面。
[0026]上述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，其中，所述本體上還形成有一從外部通向所述容納腔的通道，所述掩膜版還包括:
[0027]開口控制單元，用于打開或關閉所述通道。
[0028]上述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，其中，還包括:
[0029]第四激勵生成模塊，用于生成作用于所述圖案形成腔中的粉狀物質，使得所述圖案形成腔中的粉狀物質進入所述容納腔的復位激勵。
[0030]上述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，其中，所述曝光激勵為紫外線，所述圖案生成激勵為磁場，所述粉狀物質為磁粉。
[0031]為了實現上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種掩膜圖案生成控制方法，用于作用于一掩膜版以生成掩膜圖案，所述掩膜版具有一水平面，所述掩膜圖案生成控制系統(tǒng)包括:
[0032]激勵生成步驟，生成一作用于能夠阻擋曝光激勵透過的粉狀物質的圖案生成激勵，使得所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
[0033]上述的掩膜圖案生成控制方法，其中，所述掩膜版包括一能夠透過曝光激勵的本體，所述本體內形成有一圖案形成腔，所述水平面為所述圖案形成腔的底部，所述本體上還設置有一用于容納所述粉狀物質的容納腔，所述容納腔與所述圖案形成腔連通。
[0034]上述的掩膜圖案生成控制方法，其中，所述激勵生成步驟具體包括:
[0035]獲取所述電路圖案；
[0036]將所述電路圖案轉換為所述掩膜圖案；
[0037]根據所述掩膜圖案，生成作用于所述圖案形成腔中的粉狀物質的圖案生成激勵，使得進入所述圖案形成腔的所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
[0038]為了實現上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種掩膜系統(tǒng)，包括一掩膜版，所述掩膜版包括一能夠透過曝光激勵的本體，所述本體內形成有一圖案形成腔，所述圖案形成腔的底部為一水平面，所述本體上還設置有一用于容納能夠阻擋曝光激勵透過的粉狀物質的容納腔，所述容納腔與所述圖案形成腔連通，所述掩膜系統(tǒng)還包括:
[0039]激勵生成裝置，用于生成一作用于所述粉狀物質的圖案生成激勵，使得所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
[0040]本發(fā)明實施例的掩膜版、掩膜圖案生成控制系統(tǒng)、掩膜系統(tǒng)及掩膜圖案生成控制方法中，依據電路圖案確定掩膜圖案后，即可通過外力控制能阻擋光線透過的粉狀物質的運動軌跡和位置，形成所述掩膜圖案。因此，外力不同即可形成不同的圖案，而整個掩膜圖案是由粉狀物質形成的，容易被破壞用于下一次的掩膜圖案的形成。因此，本發(fā)明實施例中的掩膜版是可重復利用的，大大降低了掩膜版的成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]圖1表示本發(fā)明實施例的掩膜版的結構示意圖；
[0042]圖2表不本發(fā)明實施例的掩膜系統(tǒng)的結構不意圖。
【具體實施方式】
[0043]本發(fā)明實施例的掩膜版、掩膜圖案生成控制系統(tǒng)、掩膜系統(tǒng)及掩膜圖案生成控制方法中，依據電路圖案確定掩膜圖案后，即可通過外力控制能阻擋光線透過的粉狀物質的運動軌跡和位置，形成所述掩膜圖案。因此，外力不同即可形成不同的圖案，而整個掩膜圖案是由粉狀物質形成的，容易被重新構圖用于下一次的掩膜圖案的形成。因此，本發(fā)明實施例中的掩膜版是可重復利用的，大大降低了掩膜版的成本。
[0044]在對本發(fā)明實施例進行詳細說明之前，先對本發(fā)明實施例涉及到的概念和對象進行說明，以便于更好的理解本發(fā)明實施例。
[0045]曝光激勵
[0046]本發(fā)明具體實施例中，曝光激勵泛指由曝光機產生的用于作用于光刻膠的光線(如紫外光)、射線(如X射線)、電子束或離子束等。
[0047]粉狀物質
[0048]本發(fā)明具體實施例中，粉狀物質需要能夠隔離曝光激勵，如對于紫外光這種曝光激勵而言，各種磁粉就是很好的阻隔材料，如對于X射線而言，各種金屬粉末就是很好的阻隔材料。對于電子束或離子束，也有相應的能夠很好的吸收這些曝光激勵的相應物質，在此
不一一列舉。[0049]圖案生成激勵
[0050]本發(fā)明具體實施例中，是通過控制能阻擋曝光激勵透過的粉狀物質的位置來形成掩膜圖案，而這些控制粉狀物質運動到預定位置以形成掩膜圖案的因素統(tǒng)稱為圖案生成激勵。
[0051]在本發(fā)明的具體實施例中，在圖案生成激勵可以是各種形式的因素，以曝光激勵為紫外光為例說明如下。
[0052]當曝光激勵為紫外光時，本發(fā)明實施例中的粉狀物質可以采用釹鐵硼磁粉，此時該圖案生成激勵可以是磁場，通過該磁場將這些磁粉吸附到預定的位置，以形成掩膜圖案。
[0053]當然，當純粹的磁粉不能很好的阻擋曝光激勵時，可以制作同時具有磁性和曝光激勵阻擋特性的物質來代替磁粉，在此不再詳細說明。
[0054]當然，在此僅僅是舉例以方便本領域技術人員了解本發(fā)明實施例的概念，本發(fā)明實施例的圖案生成激勵并不局限于磁場，如粉狀物質也可以是能夠被電場吸附，且能阻擋曝光激勵的物質，進而使用電場作為圖案生成激勵來控制粉末的位置，形成掩膜圖案。
[0055]位置控制激勵、還原激勵以及復位激勵
[0056]位置控制激勵、還原激勵以及復位激勵也是與圖案生成激勵相類似，其差別僅在于激勵的作用的不同，如位置控制激勵是用于將粉狀物質輸送到圖案形成腔，還原激勵是將粉狀物質形成的已有掩膜圖案打亂，以便于下一次形成新的掩膜圖案，復位激勵是將圖案形成腔中的粉狀物質回收到存儲腔。
[0057]本發(fā)明實施例的目的在于提供一種掩膜版、掩膜圖案生成控制系統(tǒng)、掩膜系統(tǒng)及掩膜圖案生成控制方法，降低掩膜版的成本。
[0058]為了實現上述目的，本發(fā)明實施例提供了一種掩膜版，包括一能夠透過曝光激勵的本體101，所述本體101內形成有一圖案形成腔102，所述圖案形成腔102的底部為一水平面1021，所述本體上還設置有一用于容納能夠阻擋曝光激勵透過的粉狀物質200的容納腔103，所述容納腔103與所述圖案形成腔102連通，使得所述粉狀物質能夠在一圖案生成激勵的作用下，進入所述圖案形成腔102，并在所述水平面1021上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
[0059]在本發(fā)明的具體實施例中，上述的曝光激勵、粉狀物質以及圖案生成激勵可以是各種不同方式的組合，之前已經進行了詳細描述，在此不再贅述。在一種用途較廣、實現較為簡單的方式中，所述曝光激勵為紫外線，所述粉狀物質為磁粉，所述圖案生成激勵為磁場?？紤]到構圖所需粉末量的不同，以及隨著時間的流逝，磁粉的磁性保持不夠，需要更換磁粉的需求，本發(fā)明實施例中所述本體上還形成有一從外部通向所述容納腔的通道，所述掩膜版還包括:
[0060]開口控制單元，用于打開或關閉所述通道。
[0061]在通常情況下，開口控制單元關閉所述通道，而在需要向容納腔中增加磁粉、更換磁粉或倒出磁粉時，通過開口控制單元打開該通道即可。
[0062]上述的開口控制單元可以是一個具有彈性的塞子，在通常情況下，塞子塞入通道中關閉所述通道，而在需要向容納腔中增加磁粉、更換磁粉或倒出磁粉時，拔出塞子即可打開該通道。
[0063]當然該開口控制單元也可以是其它的結構，在此不一一舉例說明。[0064]上述的掩膜版僅僅是一個形成掩膜圖案的載體，在本發(fā)明具體實施例中，還需要一個控制系統(tǒng)來與之配合，控制其中的粉狀物質形成掩膜圖案。
[0065]本發(fā)明實施例的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，用于作用于一掩膜版以生成掩膜圖案，其特征在于，所述掩膜版具有一水平面，所述掩膜圖案生成控制系統(tǒng)包括:
[0066]激勵生成步驟，生成一作用于能夠阻擋曝光激勵透過的粉狀物質的圖案生成激勵，使得所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
[0067]本發(fā)明實施例的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)中，通過圖案生成激勵作用于粉狀物質，使之運動到對應的位置來形成掩膜圖案。
[0068]通過改變圖案生成激勵就可以改變掩膜圖案，使得掩膜版可以重復使用。
[0069]本發(fā)明具體實施例中，該水平面可以是掩膜版的上表面。這種方式下，需要單獨的容器來存儲上述的粉狀物質，不方便使用，因此，本發(fā)明的具體實施例中，所述掩膜版包括一能夠透過曝光激勵的本體，所述本體內形成有一圖案形成腔，所述水平面為所述圖案形成腔的底部，所述本體上還設置有一用于容納所述粉狀物質的容納腔，所述容納腔與所述圖案形成腔連通。
[0070]通過上述的設置，不再需要使用單獨的容器來容納粉狀物質，使用更加方便。
[0071]在本發(fā)明的具體實施例中，所述激勵源生成裝置具體包括:
[0072]獲取模塊，用于獲取所述電路圖案；
[0073]轉換模塊，用于將所述電路圖案轉換為所述掩膜圖案；
[0074]第一激勵生成模塊，用于根據所述掩膜圖案，生成作用于所述圖案形成腔中的粉狀物質的圖案生成激勵，使得進入所述圖案形成腔的所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
[0075]根據電路圖案形成掩膜圖案屬于現有技術的范疇在此不作進一步的描述。
[0076]如圖1所示，該粉末物質初始位于容納腔中，可以通過第一激勵生成模塊來產生使之進入圖案形成腔的激勵，但在某些情況下，圖案生成激勵不足以使之進入到圖案形成腔，或者會造成粉末在水平面上的分布不均，影響掩膜圖案的均一性。
[0077]為了這些粉末物質快速均勻進入圖案形成腔中，上述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)還包括:
[0078]第二激勵生成模塊，用于生成作用于所述容納腔的粉狀物質，使得所述容納腔的粉狀物質進入所述圖案形成腔的位置控制激勵。
[0079]在本發(fā)明的具體實施例中，該第二激勵生成模塊可以通過向容納腔底部充入高壓氣體，使之形成霧狀進入圖案形成腔，并在停止充入高壓氣體后均勻散布于水平面，方便后續(xù)形成掩膜圖案。
[0080]當然，當粉末狀物質為磁粉時，該第二激勵生成模塊也可以通過產生一個變化的磁場作用于磁粉，使之形成霧狀進入圖案形成腔，并在停止充入高壓氣體后均勻散布于水平面，方便后續(xù)形成掩膜圖案。
[0081 ] 當然，還可以是其它的方式使得其進入到圖案形成腔，在此不一一列舉。
[0082]之前提到，本發(fā)明實施例的掩膜版可以重復利用，為了方便后續(xù)形成均一性較好的新的掩膜圖案，本發(fā)明實施例的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)還包括:
[0083]第三激勵生成模塊，用于生成作用于形成所述掩膜圖案的粉狀物質的還原激勵，破壞所述粉狀物質之間的結合力，使得所述粉狀物質散布于所述水平面。
[0084]在破壞形成所述掩膜圖案的粉狀物質之間的結合力之后，使得所述粉狀物質散布于所述水平面，新的圖案生成激勵能夠更好的作用于上述的散布于所述水平面的粉狀物質，形成新的掩膜圖案。
[0085]該第三激勵生成模塊也可以是一氣流充入模塊，或者當粉末狀物質為磁粉時，可以生成一均勻分布的磁場，使得粉狀物質散布于所述水平面。
[0086]掩膜版使用完成之后，需要將粉末物質收回容納腔，此時，上述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)還包括:
[0087]第四激勵生成模塊，用于生成作用于所述圖案形成腔中的粉狀物質，使得所述圖案形成腔中的粉狀物質進入所述容納腔的復位激勵。
[0088]該當粉末狀物質為磁粉時，第四激勵生成模塊可以是一個磁場產生單元，在容納腔中產生強磁場，將磁粉吸附回容納腔。
[0089]上述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)中，一種實現簡單的方案中，所述曝光激勵為紫外線，所述圖案生成激勵為磁場，所述粉狀物質為磁粉。
[0090]為了實現上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種掩膜圖案生成控制方法，用于作用于一掩膜版以生成掩膜圖案，所述掩膜版具有一水平面，所述掩膜圖案生成控制系統(tǒng)包括:
[0091]激勵生成步驟，生成一作用于能夠阻擋曝光激勵透過的粉狀物質的圖案生成激勵，使得所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
[0092]上述的掩膜圖案生成控制方法，其中，所述掩膜版包括一能夠透過曝光激勵的本體，所述本體內形成有一圖案形成腔，所述水平面為所述圖案形成腔的底部，所述本體上還設置有一用于容納所述粉狀物質的容納腔，所述容納腔與所述圖案形成腔連通。
[0093]上述的掩膜圖案生成控制方法，其中，所述激勵生成步驟具體包括:
[0094]獲取所述電路圖案；
[0095]將所述電路圖案轉換為所述掩膜圖案；
[0096]根據所述掩膜圖案，生成作用于所述圖案形成腔中的粉狀物質的圖案生成激勵，使得進入所述圖案形成腔的所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
[0097]為了實現上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種掩膜系統(tǒng)，包括一掩膜版，所述掩膜版包括一能夠透過曝光激勵的本體，所述本體內形成有一圖案形成腔，所述圖案形成腔的底部為一水平面，所述本體上還設置有一用于容納能夠阻擋曝光激勵透過的粉狀物質的容納腔，所述容納腔與所述圖案形成腔連通，所述掩膜系統(tǒng)還包括:
[0098]激勵生成裝置，用于生成一作用于所述粉狀物質的圖案生成激勵，使得所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
[0099]本發(fā)明實施例的掩膜版、掩膜圖案生成控制系統(tǒng)、掩膜系統(tǒng)及掩膜圖案生成控制方法中，依據電路圖案確定掩膜圖案后，即可通過外力控制能阻擋光線透過的粉狀物質的運動軌跡和位置，形成所述掩膜圖案。因此，外力不同即可形成不同的圖案，而整個掩膜圖案是由粉狀物質形成的，容易被破壞用于下一次的掩膜圖案的形成。因此，本發(fā)明實施例中的掩膜版是可重復利用的，大大降低了掩膜版的成本。[0100]下面對本發(fā)明實施例作進一步詳細的說明如下。
[0101]本發(fā)明實施例中，可以通過計算機對具有較好的紫外光阻擋性能的微細磁粉的控制來制作半導體所需要的掩膜圖案。在對光刻掩膜版進行重新制作時，只需要通過計算機控制微細磁粉的重新排列即可，對光刻掩膜版無損傷，并且制造周期短，工藝簡單，成本低廉。與傳統(tǒng)光刻掩膜版的制作相比，具有更大的競爭力。
[0102]本發(fā)明實施例中，利用微細磁粉的吸附原理，通過計算機的控制，對所需要的電路圖形利用磁粉進行圖形定位。半導體的電路圖形經過計算機的處理，將所需要的圖形數據通過數據線轉移到一磁場生成裝置中。位于光刻掩膜版內部的容納腔中的微細磁粉腔體，被外部磁粉霧化控制設備6產生的磁場霧化，并吸入圖案形成腔中，實現本發(fā)明實施例的第三激勵生成模塊的功能。
[0103]在光刻圖形定義控制主體5的作用下，微細磁粉受磁力的作用而進入預定的位置，最終形成整張電路圖形，實現本發(fā)明實施例的第一激勵生成模塊的功能。在自身磁力的作用下，對位置進行固定。
[0104]圖形定義完成后，圖形在外力的作用下也不會發(fā)生改變。如需要改變光刻掩膜版的電路圖形，光刻圖形定義控制主體5接收計算機4發(fā)出指令，光刻圖形定義控制主體產生變化的磁力線，使圖案形成腔內部的磁粉受磁力的作用而再次霧化，實現本發(fā)明實施例的第三激勵生成模塊的功能。
[0105]同時，光刻掩膜版兩端的磁粉霧化控制設備產生相應的磁力，使圖案形成腔中的微細磁粉吸入微細磁粉腔，使光刻掩膜版復原，圖案形成腔內部無微細磁粉，成為白板光刻掩膜版，實現了本發(fā)明實施例的第三激勵生成模塊的功能。
[0106]最后，將要構建的另外一張光刻電路圖形輸入光刻圖形定義控制主體的計算機，通過同樣的方法即可得到另外一張光刻電路圖形。本發(fā)明不會對光刻掩膜版造成任何損傷，并且操作簡單，制作容易，制作效率高，制作成本低。
[0107]本發(fā)明具體實施例中，微細磁粉采用磁性較好的合金磁粉，如釹鐵硼磁粉，磁粉在受外部磁力的作用下可以產生霧化的效果。磁粉顆粒直徑〈0.lum。
[0108]本發(fā)明具體實施例中，本體為石英材質。具有較好的紫外光穿透能力。
[0109]本發(fā)明具體實施例中，光刻圖形定義控制主體通過數據線9計算機的控制，接收掩膜圖案并形成相應的磁場。其中光刻圖形定義控制主體的尺寸與光刻掩膜版的有效曝光區(qū)域等大。
[0110]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種掩膜版，包括一能夠透過曝光激勵的本體，其特征在于，所述本體內形成有一圖案形成腔，所述圖案形成腔的底部為一水平面，所述本體上還設置有一用于容納能夠阻擋曝光激勵透過的粉狀物質的容納腔，所述容納腔與所述圖案形成腔連通，使得所述粉狀物質能夠在一圖案生成激勵的作用下，進入所述圖案形成腔，并在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
2.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述曝光激勵為紫外線，所述粉狀物質為磁粉，所述圖案生成激勵為磁場。
3.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述本體上還形成有一從外部通向所述容納腔的通道，所述掩膜版還包括: 開口控制單元，用于打開或關閉所述通道。
4.一種掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，用于作用于一掩膜版以生成掩膜圖案，其特征在于，所述掩膜版具有一水平面，所述掩膜圖案生成控制系統(tǒng)包括: 激勵生成裝置，用于生成一作用于能夠阻擋曝光激勵透過的粉狀物質的圖案生成激勵，使得所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
5.根據權利要求4所述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，其特征在于，所述掩膜版包括一能夠透過曝光激勵的本體，所述本體內形成有一圖案形成腔，所述水平面為所述圖案形成腔的底部，所述本體上還設置有一用于容納所述粉狀物質的容納腔，所述容納腔與所述圖案形成腔連通。
6.根據權利要求5所述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，其特征在于，所述激勵源生成裝置具體包括: 獲取模塊，用于獲取所述電路圖案； 轉換模塊，用于將所述電路圖案轉換為所述掩膜圖案； 第一激勵生成模塊，用于根據所述掩膜圖案，生成作用于所述圖案形成腔中的粉狀物質的圖案生成激勵，使得進入所述圖案形成腔的所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
7.根據權利要求6所述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，其特征在于，所述掩膜圖案生成控制系統(tǒng)還包括: 第二激勵生成模塊，用于生成作用于所述容納腔的粉狀物質，使得所述容納腔的粉狀物質進入所述圖案形成腔的位置控制激勵。
8.根據權利要求6所述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，其特征在于，還包括: 第三激勵生成模塊，用于生成作用于形成所述掩膜圖案的粉狀物質的還原激勵，破壞所述粉狀物質之間的結合力，使得所述粉狀物質散布于所述水平面。
9.根據權利要求6所述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，其特征在于，還包括: 第四激勵生成模塊，用于生成作用于所述圖案形成腔中的粉狀物質，使得所述圖案形成腔中的粉狀物質進入所述容納腔的復位激勵。
10.根據權利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述本體上還形成有一從外部通向所述容納腔的通道，所述掩膜版還包括: 開口控制單元，用于打開或關閉所述通道。
11.根據權利要求4-10中任意一項所述的掩膜圖案生成控制系統(tǒng)，其特征在于，所述曝光激勵為紫外線，所述圖案生成激勵為磁場，所述粉狀物質為磁粉。
12.一種掩膜圖案生成控制方法，用于作用于一掩膜版以生成掩膜圖案，其特征在于，所述掩膜版具有一水平面，所述掩膜圖案生成控制系統(tǒng)包括: 激勵生成步驟，生成一作用于能夠阻擋曝光激勵透過的粉狀物質的圖案生成激勵，使得所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
13.根據權利要求12所述的掩膜圖案生成控制方法，其特征在于，所述掩膜版包括一能夠透過曝光激勵的本體，所述本體內形成有一圖案形成腔，所述水平面為所述圖案形成腔的底部，所述本體上還設置有一用于容納所述粉狀物質的容納腔，所述容納腔與所述圖案形成腔連通。
14.根據權利要求13所述的掩膜圖案生成控制方法，其特征在于，所述激勵生成步驟具體包括: 獲取所述電路圖案； 將所述電路圖案轉換為所述掩膜圖案； 根據所述掩膜圖案，生成作用于所述圖案形成腔中的粉狀物質的圖案生成激勵，使得進入所述圖案形成腔的所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
15.一種掩膜系統(tǒng)， 包括一掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括一能夠透過曝光激勵的本體，所述本體內形成有一圖案形成腔，所述圖案形成腔的底部為一水平面，所述本體上還設置有一用于容納能夠阻擋曝光激勵透過的粉狀物質的容納腔，所述容納腔與所述圖案形成腔連通，所述掩膜系統(tǒng)還包括: 激勵生成裝置，用于生成一作用于所述粉狀物質的圖案生成激勵，使得所述粉狀物質能夠在所述水平面上生成與待形成的電路圖案相對應的掩膜圖案。
【文檔編號】G03F1/76GK103913957SQ201410112466
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年3月24日 優(yōu)先權日:2014年3月24日
【發(fā)明者】沈奇雨 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司