一種鉻板制造工藝中殘余點的處理方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種鉻板制造工藝中殘余點的處理方法，其包括的步驟：一是基片清洗；二是濺射鍍膜；三是一次光刻，在玻璃基片表面均勻地涂覆一層正型感光材料，通過掩膜曝光將圖形復制到鉻膜層上面；四是二次光刻，在復制有圖形的鉻膜層上再次涂覆正型感光材料，通過對準掩膜版上預先設計的標記對準進行二次曝光，將第二張掩膜圖形復制到鉻膜層上，然后對其整板進行蝕刻，藉此二次光刻去除第一次光刻留下的殘余點，藉由前述結構或其構造的結合，實現(xiàn)了該處理方法，從而達成了可在較低的環(huán)境潔凈度下徹底清除陽區(qū)中的小島缺陷，且可批量生產(chǎn)以及保證品質(zhì)的良好效果。
【專利說明】一種鉻板制造工藝中殘余點的處理方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及鉻板制造工藝，尤指鉻板制造工藝中殘余點的處理方法。
【背景技術】
[0002]在鉻板制造過程中，常出現(xiàn)浮膠、鉆蝕、毛刺、針孔、殘余點(鉻殘留)等缺陷。尤其是殘余點，它的形狀不規(guī)則，很像島嶼，尺寸一般比針孔大，俗稱“小島”，至今仍然是業(yè)界在批量生產(chǎn)中的一道難題。然而，光學零器件對產(chǎn)品外觀要求非常高，為了改善生產(chǎn)過程中造成的不良，通常的做法是:
一、提高光刻加工過程中所有環(huán)節(jié)的潔凈度；
二、利用顯微鏡全檢，對不良處進行人為修復。
[0003]上述第一種作法，需要采用FFU(風機過濾系統(tǒng))和嚴格的潔凈控制體系，這種作法所產(chǎn)生的成本高；然而，第二種作法，工作量大且人工長時間使用顯微鏡，容易造成視覺疲勞和疏漏，批量生產(chǎn)成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明的主要目的在于提供一種鉻板制造工藝中殘余點的處理方法，具體在于通過二次光刻方式去除陽區(qū)中的微細殘余點，該方式是通過鍍膜、光刻等工序，在符合所需的材質(zhì)玻璃基板上制作圖形，使用第二塊與第一次掩膜圖形大致相當?shù)难谀ぐ孢M行二次光刻，去除一次光刻留下的殘余點。
[0005]為達成上述目的，本發(fā)明應用的技術方案是:一種鉻板制造工藝中殘余點的處理方法，包括的步驟是:基片清洗，將玻璃基片表面清洗干凈；濺射鍍膜，在玻璃基片表面鍍上一層不透光的鉻膜層及氧化鉻抗反射涂層；一次光刻，在玻璃基片表面均勻地涂覆一層正型感光材料，通過掩膜曝光將圖形復制到鉻膜層上面，以及二次光刻，在復制有圖形的鉻膜層上再次涂覆正型感光材料，通過對準掩膜版上預先設計的標記對準進行二次曝光，將第二張掩膜圖形復制到鉻膜層上，然后對其整板進行蝕刻，藉此二次光刻去除第一次光刻留下的殘余點。
[0006]在本實施例中優(yōu)選，所述的基片清洗為采用超聲波清洗。
[0007]在本實施例中優(yōu)選，所述的濺射鍍膜采用的是磁控濺射方式。
[0008]在本實施例中優(yōu)選，所述的鉻膜層為工作層，其鍍在玻璃基片表面的厚度約為IOOnm0
[0009]在本實施例中優(yōu)選，所述的氧化鉻抗反射涂層約為20nm。
[0010]在本實施例中優(yōu)選，所述的正型感光材料的涂覆厚度約為lum。
[0011]在本實施例中優(yōu)選，所述的第二掩膜與第一掩膜圖形相當。
[0012]在本實施例中優(yōu)選，所述的曝光為采用紫外線曝光方式。
[0013]本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，其有益的效果是:可在較低的環(huán)境潔凈度下徹底清除陽區(qū)中的小島缺陷，且處理完后，勿需逐個檢查亦可保證品質(zhì)?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0014]圖1是鉻板及其鍍膜層結構示意圖。
[0015]圖2是鉻板制成中呈現(xiàn)殘余點的放大結構示意圖。
[0016]圖3是鉻板制成中呈現(xiàn)難以去除區(qū)域殘余點的平面結構示意圖。
[0017]圖4是本實施例之工藝流程方框結構示意圖。
[0018]圖5是本實施例之一次光刻掩膜圖形的平面結構示意圖。
[0019]圖6是本實施例之二次光刻掩膜圖形的平面結構示意圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。
[0021]請參閱圖1并結合參閱圖2至圖6所示，鉻板通常由玻璃襯底1，再鍍上一層鉻膜層2，然后加一層減反射的氧化鉻膜層3組成。然而，在通過光刻加工光學零器件時，利用圖4中掩膜設計圖，對鍍好膜的基板進行一次光刻成型，即制成帶有產(chǎn)品圖形的基板，然后將此塊帶有鉻膜圖形的基板進行清洗、檢驗。在光刻過程中通常因為感光材料、掩膜版或曝光環(huán)境等諸多環(huán)節(jié)，受到灰塵或者異物的影響而導致一次光刻完成后，如呈現(xiàn)在圖2中的鉻框內(nèi)側形成數(shù)量不等、形狀不同、大小各異的殘余點10。
[0022]請參閱圖4并結合參閱圖5和圖6所示,為了解決這一技術問題,經(jīng)過研究和實驗，本發(fā)明人提供了一種鉻板制造工藝中殘余點的處理方法，是將一次光刻完成后的基板表面再次均勻的涂覆一層約Ium厚度的正型感光材料，然后按照預先設計掩膜圖形選擇需要被保護的區(qū)域(如圖5)，其所需要達到的目的是將圖6中的“十”標記對準圖5中的“十”標記，使之達到重合后，一次掩膜中保留下來的圖形區(qū)域能再次得到感光材料的保護，而產(chǎn)品圖形中間的空白區(qū)域不需要得到保護。如此再對其進行蝕刻加工，空白區(qū)域的小島即可被去除。值得說明的是:由于對準曝光存在一定的誤差，我們假設這個誤差為n，為了完全能保護一次掩膜中的圖形區(qū)域，二次掩膜的圖形設計時，需比一次掩膜的圖形至少大n，參照圖6的線寬尺寸標注，這樣的話距離鉻框內(nèi)側η值范圍以內(nèi)如果存在小島是不能被去除的，如圖4中外框與內(nèi)框之間的區(qū)域，而η的大小取決于光刻機的對準精度，故光刻機對準精度越高越好。
[0023]綜合以上所述，此種采用帶有圖5中掩膜圖形的掩膜進行二次對準光刻，即可不用手工的方式對鉻板所有的有需要保護起來的區(qū)域都進行保護，然后再進行一次蝕刻，即可將圖形中空白區(qū)域的小島全部去除。
[0024]綜上所述，僅為本發(fā)明之較佳實施例，不以此限定本發(fā)明的保護范圍，凡依本發(fā)明專利范圍及說明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆為本發(fā)明專利涵蓋的范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種鉻板制造工藝中殘余點的處理方法，其特征在于:該方法包括: 步驟一，基片清洗:將玻璃基片表面清洗干凈； 步驟二，濺射鍍膜:在玻璃基片表面鍍上一層不透光的鉻膜層及氧化鉻抗反射涂層； 步驟三，一次光刻:在玻璃基片表面均勻地涂覆一層正型感光材料，通過掩膜曝光，將圖形復制到鉻膜層上面； 步驟四，二次光刻:承接步驟三，在復制有圖形的鉻膜層上再次涂覆正型感光材料，通過對準掩膜版上預先設計的標記對準進行二次曝光，將第二張掩膜圖形復制到鉻膜層上，然后對其整板進行蝕刻，藉此二次光刻去除第一次光刻留下的殘余點。
2.如權利要求1所述的鉻板制造工藝中殘余點的處理方法，其特征在于:所述的基片清洗為采用超聲波清洗。
3.如權利要求2所述的鉻板制造工藝中殘余點的處理方法，其特征在于:所述的濺射鍍膜采用的是磁控濺射方式。
4.如權利要求3所述的鉻板制造工藝中殘余點的處理方法，其特征在于:所述的鉻膜層為工作層，其鍍在玻璃基片表面的厚度約為lOOnm。
5.如權利要求4所述的鉻板制造工藝中殘余點的處理方法，其特征在于:所述的氧化鉻抗反射涂層約為20nm。
6.如權利要求5所述的鉻板制造工藝中殘余點的處理方法，其特征在于:所述的正型感光材料的涂覆厚度約為lum。
7.如權利要求6所述的鉻板制造工藝中殘余點的處理方法，其特征在于:所述的第二掩膜與第一掩膜圖形相當。
8.如權利要求7所述的鉻板制造工藝中殘余點的處理方法，其特征在于:所述的曝光為采用紫外線曝光方式。
【文檔編號】G03F7/20GK103869610SQ201410110349
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2014年3月24日 優(yōu)先權日:2014年1月14日
【發(fā)明者】陳翻, 范利康 申請人:武漢正源高理光學有限公司