光寫入裝置以及圖像形成裝置制造方法
【專利摘要】提供一種光寫入裝置以及圖像形成裝置。在光寫入裝置中，抑制在副掃描方向上基板的尺寸擴大，此外提高受光元件的受光效率。光寫入裝置用于將基于圖像數據而調制的光照射到感光體上從而在該感光體上形成靜電潛影，所述光寫入裝置具有：基板；發(fā)光元件陣列，由在所述基板上在主掃描方向（Y）上排列的多個發(fā)光元件（A1～An）構成；以及受光元件陣列，由在所述基板上與發(fā)光元件大致平行地在主掃描方向（Y）上排列的多個受光元件（B1～Bn）構成。針對一個發(fā)光元件（A1）的光量檢測，至少利用在與該發(fā)光元件的主掃描方向（Y）的中心位置不同的位置具有中心位置的受光元件（B1）的輸出值。
【專利說明】光寫入裝置以及圖像形成裝置

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及光寫入裝置，特別涉及用于在感光體上形成靜電潛影的光寫入裝置、以及具有該光寫入裝置的圖像形成裝置。

【背景技術】
[0002]近年來，基于電子照相方式的打印機、復印機等圖像形成裝置的小型化的要求進一步強烈。因此，在稱為打印機頭的光寫入裝置中，從以往的以激光二極管(LD)作為發(fā)光源的光掃描型逐漸替換為在主掃描方向上線狀地配置了微小點的發(fā)光元件的線光學型。
[0003]作為線光學型的光寫入裝置，開發(fā)了作為發(fā)光源而利用了發(fā)光二極管(LED)的光寫入裝置，近年來提出了作為發(fā)光源而利用有機EL元件的光寫入裝置。從成本上來說，能夠將發(fā)光部及其驅動電路部形成于同一個基板上的有機EL元件比將發(fā)光部及其驅動電路部由不同的基板構成的LED有利。
[0004]但是，在有機EL元件中，原理上存在以下的光量劣化特性。
[0005]隨著累積發(fā)光時間的增加，光量降低。
[0006]根據亮度，光量降低的速度不同。
[0007]根據溫度，光量的降低有變動。
[0008]S卩，當作為發(fā)光部而使用具有所述光量劣化特性的有機EL元件時，根據寫入圖像，每個發(fā)光元件的累積發(fā)光時間不同，因此每個元件的光量劣化度不同。因此每個元件需要光量校正功能。
[0009]因此，在專利文獻I中，記載了如下結構的發(fā)光裝置:將受光元件陣列和發(fā)光元件陣列形成于同一個基板上，發(fā)光元件陣列與受光元件陣列的距離相隔以臨界角規(guī)定的距離(臨界角分隔距離Lc)以上。在該結構中，在受光元件中提高全反射光的受光效率，能夠實現良好的光量檢測精度。
[0010]但是，在專利文獻I中記載的發(fā)光裝置中，為了受光元件高效地接受全反射光，需要在副掃描方向上從發(fā)光元件保持約1.1mm以上的距離，導致基板的尺寸變大。進而，由于以往基板的副掃描方向的尺寸約為10mm，因此所述分隔距離(約1.1mm)的值即便微小也會增加面積。因此，在所述大規(guī)格的玻璃(母玻璃)上盡可能同時形成大量元件，從而降低制造成本，但若基板面積增大，則從母玻璃切出的個數大幅減少，相應地，制造成本、材料成本上升。
[0011]現有技術文獻
[0012]專利文獻1:(日本)特開2010-87245號公報


【發(fā)明內容】

[0013]本發(fā)明的第一目的在于，提供一種能夠抑制在副掃描方向上基板的尺寸擴大的光寫入裝置。本發(fā)明的第二目的在于，提供一種能夠提高受光元件的受光效率的光寫入裝置。本發(fā)明的第三目的在于，提供一種利用所述光寫入裝置執(zhí)行發(fā)光元件的光量校正的圖像形成裝置。
[0014]本發(fā)明的第一方式的光寫入裝置，用于將基于圖像數據而調制的光照射到感光體上，從而在該感光體上形成靜電潛影，其特征在于，所述光寫入裝置具有:
[0015]基板；
[0016]發(fā)光兀件陣列，由在所述基板上在主掃描方向上排列的多個發(fā)光兀件構成；以及
[0017]受光元件陣列，由在所述基板上與所述發(fā)光元件大致平行地在主掃描方向上排列的多個受光元件構成，
[0018]針對一個發(fā)光兀件的光量檢測，至少利用在與該發(fā)光兀件的主掃描方向的中心位置不同的位置具有中心位置的受光元件的輸出值。
[0019]在所述第一方式的光寫入裝置中，針對一個發(fā)光元件的光量檢測，至少利用在與該發(fā)光元件的主掃描方向的中心位置不同的位置具有中心位置的受光元件的輸出值，因此，發(fā)光元件與受光元件在副掃描方向上的距離可以縮短，相應地，基板的副掃描方向的尺寸變小。
[0020]在第一實施方式的光寫入裝置中，優(yōu)選所述基板透過光，一個發(fā)光元件與檢測該發(fā)光元件的光量的受光元件之間的距離是臨界角分隔距離Lc的0.54倍以上。
[0021]若將一個發(fā)光元件與檢測該發(fā)光元件的光量的受光元件之間的距離設定為臨界角分隔距離Lc的0.54倍以上，則受光元件高效地接受從發(fā)光元件放射的光中的對感光體的照射不起作用的漫射光。
[0022]本發(fā)明的第二方式的圖像形成裝置的特征在于，具有:
[0023]所述第一方式的光寫入裝置；以及
[0024]光量校正部，基于由所述受光元件檢測到的光量值，校正所述發(fā)光元件的發(fā)光量。
[0025]根據本發(fā)明，能夠抑制在副掃描方向上基板的尺寸擴大，此外能夠提高受光元件的受光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是表示一實施例的圖像形成裝置的概略結構圖。
[0027]圖2是表示光寫入裝置的副掃描方向的截面圖。
[0028]圖3是表示光寫入裝置的主要部分的主掃描方向的截面圖。
[0029]圖4是表示控制部的模塊圖。
[0030]圖5是示意性地表示第一實施例的光寫入裝置的平面圖。
[0031]圖6是表示圖5所示的光寫入裝置的動作時序的時序圖。
[0032]圖7是示意性地表示第二實施例的光寫入裝置的平面圖。
[0033]圖8是示意性地表示第三實施例的光寫入裝置的平面圖。
[0034]圖9是示意性地表示第四實施例的光寫入裝置的平面圖。
[0035]圖10是表示受光元件離發(fā)光元件的距離與受光強度的關系的圖表。
[0036]圖11是放大表示圖10的圖表的主要部分的圖表。
[0037]圖12是表示受光元件的尺寸和S/N比之間的關系的圖表。
[0038]圖13是表示驅動電路的第一例的模塊圖。
[0039]圖14是表示驅動電路的第二例的模塊圖。
[0040]圖15是示意性地表示與發(fā)光元件和受光元件的配置有關的變形例的平面圖。
[0041]圖16是示意性地表示與發(fā)光元件和受光元件的配置有關的變形例的平面圖。
[0042]標號說明
[0043]I……圖像形成裝置
[0044]11......感光體鼓
[0045]13......光寫入裝置
[0046]50......基板
[0047]51……有機EL層
[0048]71……光量校正部
[0049]72......驅動電路部
[0050]73......光量檢測電路部
[0051]A……發(fā)光元件
[0052]B......受光元件
[0053]C……移位寄存器
[0054]S……選擇開關
[0055]Y......主掃描方向

【具體實施方式】
[0056]以下，參照【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的光寫入裝置以及圖像形成裝置的實施例。
[0057](圖像形成裝置、參照圖1)
[0058]圖1表示圖像形成裝置的一實施例。該圖像形成裝置I是基于電子照相方式的彩色打印機，其構成為以所謂的串聯式形成四個顏色(Y:黃、M:品紅、C:青、K:黑)的圖像。圖像在各圖像形成站10形成，并在中間轉印帶20上合成。另外，在各附圖中，對參照數字賦予的Y、M、C、K的字符表示分別是黃、品紅、青、黑用的部件。
[0059]說明各圖像形成站10 (10Y、10M、10C、10K)的概略，其包含感光體鼓11 (11Y、11M、11C、11K)、帶電充電器12 (12Y、12M、12C、12K)、以下詳述的光寫入裝置13 (13Y、13M、13C、13K)、顯影器 14 (14Y、14M、14C、14K)、轉印充電器 15 (15Y、15M、15C、15K)等。
[0060]從各光寫入裝置13放射的光束照射各感光體鼓11，從而在感光體鼓11上形成靜電潛影，該靜電潛影在各顯影器14中顯影成各顏色的調色劑圖像。另一方面，在圖像形成站10的正下方，中間轉印帶20以環(huán)狀架設在輥21、22、23上，向箭頭Z方向旋轉驅動，在設置了驅動輥21且與中間轉印帶20對置的部分(二次轉印部)配置有二次轉印輥24。此外，在圖像形成裝置I的下級，設置有用于將堆積的轉印材料一張張?zhí)峁┑淖詣庸┘埐?0。
[0061]圖像數據從未圖示的圖像讀取裝置(掃描儀)或者計算機等作為按照YMCK的圖像數據向未圖示的圖像處理部發(fā)送，基于這些圖像數據而驅動各光寫入裝置13，在各感光體鼓11上形成調色劑圖像。這樣的電子照相處理是已知的，省略其說明。
[0062]形成于各感光體鼓11上的調色劑圖像依次被一次轉印到向箭頭Z方向旋轉驅動的中間轉印帶20上，四個顏色的圖像被合成。另一方面，轉印材料一張張從供紙部30被提供給上方，且在二次轉印部通過由轉印輥24提供的電場，合成圖像從中間轉印帶20被二次轉印。此后，轉印材料被傳送到未圖示的定影裝置而被施加調色劑的加熱定影，并排出到圖像形成裝置I的上面部。
[0063](光寫入裝置、參照圖2以及圖3)
[0064]參照圖2以及圖3說明光寫入裝置13。另外，為了避免麻煩，圖3省略了向截面的影線。以下，說明光寫入裝置13的一種，其他的光寫入裝置也是同樣的。
[0065]光寫入裝置13是將基于圖像數據而調制的光照射到感光體鼓11上，從而在鼓11上形成靜電潛影的裝置，具有由在基板50上在主掃描方向Y上排列的多個發(fā)光元件A(A1、A2……)構成的發(fā)光元件陣列、以及由在基板50上與發(fā)光元件A大致平行地在主掃描方向Y上排列的多個受光元件B (BUB2……)構成的受光元件陣列。
[0066]發(fā)光元件A是有機EL元件，通過陰極層52和陽極層53夾著EL層51，具有對發(fā)光波長透明的玻璃基板54、具備開口 55a的柵極層55、絕緣層56、57。此外，受光元件B在絕緣層56、57中由場效應晶體管形成。另外，由有機EL元件構成的發(fā)光元件A以及由場效應晶體管構成的受光元件B的結構、發(fā)光作用、受光作用是已知的，省略其詳細的說明。
[0067]基板50與棒狀透鏡陣列(rod lens array) 61收容于支持架60。從EL層51放射的光通過開口 55a，且透過玻璃基板54。從玻璃基板54射出的光C通過棒狀透鏡陣列61成像于感光體鼓11上，使感光體曝光。受光兀件B接受不對感光體的曝光產生作用且在玻璃基板54的表面反射的漫射光?；诟魇芄庳＜﨎的輸出值,檢測各發(fā)光兀件A的光量。
[0068]玻璃基板54的折射率ng比空氣的折射率n0高，角度大于臨界角Θ c的漫射光在玻璃基板54的表面被全反射，不會從玻璃基板54導出到外部。受光元件B接受這樣的全反射光。臨界角Θ c通過Θ c=arcsin(nO/ng)來表示。臨界角分隔距離Lc通過Lc=2.tg.tan Θ c來表示。然后，發(fā)光元件A的發(fā)光中心和受光元件B的受光中心的距離L能夠通過與臨界角分隔距離Lc的關系來規(guī)定。如以下詳細敘述，優(yōu)選設定為L的0.54倍至7.6倍。
[0069](控制部、參照圖4)
[0070]在圖像形成裝置I的控制部70設有光量校正部71。各光寫入裝置13具有發(fā)光元件A的驅動電路部72和受光元件B的光量檢測電路部73。從控制部70對光寫入裝置13輸出控制信號以及圖像數據光量設定值。光量檢測電路部73將受光元件B的輸出值變換為光量輸出信號，光量輸出信號被轉發(fā)到光量校正部71。
[0071]在通常的光寫入動作時，從控制部70向光寫入裝置13轉發(fā)控制信號(水平同步信號、時鐘信號等)以及圖像數據。光寫入裝置13基于接收到的圖像數據，通過驅動電路部72控制各發(fā)光元件A的點燈/滅燈時間，在感光體鼓11上形成靜電潛影。
[0072]然而，各發(fā)光元件A的發(fā)光量(強度)的設定先于光寫入動作而實施。例如，在圖像形成裝置I的電源接通時，從控制部70或光寫入裝置13中設置的存儲器對驅動電路部72寫入光量設定值，各發(fā)光元件A被控制成為規(guī)定的發(fā)光量。
[0073]光量校正處理由受光元件B的漫射光的檢測、光量檢測電路部73的光量檢測、光量校正部71的校正值運算和光量設定的復合處理構成。將在后面參照圖6敘述光量檢測以及校正值運算。
[0074](第一實施例、參照圖5以及圖6)
[0075] 如圖5所示，第一實施例的光寫入裝置13中，發(fā)光元件A (發(fā)光元件陣列)和受光元件B (受光元件陣列)以針對副掃描方向Z大致平行地在主掃描方向Y上偏移的狀態(tài)排列。即，受光兀件陣列與發(fā)光兀件陣列在主掃描方向Y上是大致相同的長度，且在主掃描方向Y上偏移而配置。主掃描方向Y的偏移量被設定為使對應的兀件A、B之間的分隔距尚(在圖5中表示為元件An與元件Bn的距離)成為所述臨界角分隔距離Lc。從而，發(fā)光元件A與受光元件B的副掃描方向Z的間隔是距離Lc以下，基板50的副掃描方向Z的尺寸變小。
[0076]受光元件B與發(fā)光元件A的配置個數與配置間距相同，處于一對一的關系。因此，發(fā)光兀件Al的發(fā)光光量被受光兀件BI檢測,發(fā)光兀件A2的發(fā)光光量被受光兀件B2檢測，以下同樣地，發(fā)光兀件An的發(fā)光光量被受光兀件Bn檢測。如此,使發(fā)光兀件A與受光兀件B 一對一對應，從而能夠簡化檢測電路部73的結構。
[0077]接著，參照圖6說明光量檢測的動作時序。首先，以一定的光量設定值依次對所有的發(fā)光元件A進行發(fā)光控制，通過對應的受光元件B檢測其光量。光量檢測優(yōu)選從發(fā)光元件Al依次時序地實施。具體來說，在定時I僅使發(fā)光元件Al發(fā)光，從光量檢測電路部73輸出受光兀件BI的輸出。在定時2僅使發(fā)光兀件A2發(fā)光,從光量檢測電路部73輸出受光元件B2的輸出。以下同樣檢測光量，最后，在定時η僅使發(fā)光元件An發(fā)光，從光量檢測電路部73輸出受光元件Bn的輸出。
[0078]如以上所述，通過將發(fā)光元件A和受光元件B依次時序地掃描的簡單的驅動，能夠檢測所有的發(fā)光元件A的光量，電路結構也能夠簡化、小型化。
[0079]針對光量校正動作，在執(zhí)行一個發(fā)光兀件A的光量檢測處理的期間,進行在前一個期間檢測到的發(fā)光元件A的光量校正運算。光量校正運算計算通過受光元件B檢測到的光量輸出信號和參照值的差，算出該差成為零的光量設定值。算出的光量設定值被寫入并保存在光寫入裝置13內的存儲器。
[0080](第二實施例、參照圖7)
[0081]如圖7所示，在第二實施例的光寫入裝置13中，受光元件B的配置個數(BI?Bm)比發(fā)光元件的配置個數(Al?An)少，且受光元件陣列被配置成在主掃描方向Y上比發(fā)光元件陣列短。其他結構與所述第一實施例相同。由于受光元件B的個數少，因此光量檢測的動作時序不同于第一實施例，從而存在在光量檢測中被二次使用的受光兀件B。
[0082]S卩，通過受光元件BI檢測發(fā)光元件Al的光量，以下同樣依次檢測，不足的部分通過在反方向對應的受光元件B檢測。通過受光元件Bm檢測最后的發(fā)光元件An的光量，通過受光元件Bm-1檢測前一個發(fā)光元件An-1的光量。
[0083]在本第二實施例中，能夠將基板50的主掃描方向Y的尺寸減少與受光元件陣列的長度縮短的部分相應的量。
[0084](第三實施例、參照圖8)
[0085]如圖8所示，在第三實施例的光寫入裝置13中，受光元件B的配置個數(BI?Bm)比發(fā)光元件的配置個數(Al?An)多，受光元件陣列被配置為在主掃描方向Y上比發(fā)光元件陣列長。其他結構與所述第一實施例相同。由于受光元件B的個數多，因此在本第三實施例中，能夠對各發(fā)光兀件A的光量檢測使用在主掃描方向Y的方向互相配置為反方向的受光元件B。
[0086]S卩，通過受光元件B1、Β7檢測發(fā)光元件Al的光量,通過受光元件Β2、Β8檢測發(fā)光元件Α2的光量，以下同樣地，通過每兩個受光元件依次檢測。通過受光元件Bn、Bm檢測最后的發(fā)光元件An的光量。兩個受光元件的輸出值也可以在運算光量校正值時被累積計算，或者平均化。在本第三實施例中，通過兩個受光元件B檢測各受光元件A的光量，提高光量檢測的靈敏度(精度)，其結果提高光量校正精度。
[0087](第四實施例，參照圖9)
[0088]如圖9所示，在第四實施例的光寫入裝置13中，受光元件B的配置個數(BI?Bn+12)在主掃描方向Y的兩端部比發(fā)光元件的配置個數(Al?An)分別多6個，受光元件陣列被配置為在主掃描方向Y上比發(fā)光元件陣列長。其他結構與所述第一實施例相同。在本第四實施例中，對各發(fā)光兀件A的光量檢測使用在主掃描方向Y的方向互相配置為反方向的8個受光元件B。
[0089]S卩，通過受光元件BI?B4、BlO?B13的8個受光元件檢測發(fā)光元件Al的光量，通過受光兀件B2?B5、Bll?B14的8個受光兀件檢測發(fā)光兀件A2的光量，以下同樣地，通過8個受光元件依次檢測。通過受光元件Bn?Bn+4、Bn+9?Bn+12的8個受光元件檢測最后的發(fā)光元件An的光量。8個受光元件的輸出值也可以在計算光量校正值時被累積計算，或者平均化。在本第四實施例中，通過8個受光元件B檢測各發(fā)光元件A的光量，從而提高光量檢測的靈敏度(精度)，其結果提高光量校正精度。
[0090](受光分隔距離L，參照圖10?圖12)
[0091]當將所述受光元件陣列進行組合而用于所述發(fā)光元件陣列時，受光分隔距離L(元件A、B各自的中心位置之間的距離)存在最佳的范圍。
[0092]圖10表示相對于離發(fā)光元件的中心的分隔距離L的、受光元件的入射光強度，圖11放大表示其主要部分D。光強度根據像素尺寸多多少少有些不同，在圖10以及圖11中例示了直徑200μπι (127dpi)的像素尺寸的特性。此外，像素尺寸分隔距離L通過臨界角分隔距離Lc被標準化。
[0093]發(fā)光元件的表面積不同的多個條件中，光強度相對于分隔距離L，在臨界角分隔距離Lc附近存在峰值。當分隔距離L小于0.54Lc時，從發(fā)光元件放射的漫射光在玻璃基板54的表面，透過多于全反射的情況較多。因此，最小分隔距離(例如，圖9中的元件A2與元件B5的距離)優(yōu)選是0.54Lc以上，更優(yōu)選為0.9Lc以上。
[0094]圖12表示受光元件的尺寸(在相鄰元件之間結合連續(xù)的多個受光元件并看做一個元件時的尺寸)和S/N比(光輸出/暗輸出)之間的關系。從圖12可知，存在S/N比成為最大的受光元件的尺寸。若將受光元件的尺寸設定為7.1OLc以上，則S/N比降低，受光元件的尺寸擴大引起的信號增加效果被抵消。暗輸出相對于尺寸直線變化，但光輸出具有規(guī)定的分布。鑒于這一點，最大分隔距離(例如，圖9中的元件A2和元件B2的距離)優(yōu)選為
7.64Lc (0.54Lc+7.1Lc)以下，更優(yōu)選為 3.72Lc (0.54Lc+3.18Lc)以下。
[0095](驅動電路的第一例、參照圖13)
[0096]圖13表不用于驅動光寫入裝置13的最佳的驅動電路的第一例。該驅動電路被表示為應用于所述第四實施例(參照圖9 )。在該第一例中，在光量檢測電路部73和各受光元件BI?Bn+12之間具有選擇開關SI?Sn+12，進一步設有用于依次掃描開關SI?Sn+12的導通/截止的移位寄存器Cl?Cn+12。
[0097]在圖13所示的驅動電路中，僅將成為光量檢測對象的發(fā)光元件設為發(fā)光狀態(tài)的基礎上，將連接于用于檢測光量的規(guī)定的受光元件的選擇開關通過移位寄存器同時導通，并將規(guī)定的受光元件連接于光量檢測電路部73。通過光量檢測電路部73 —并檢測來自被導通的受光元件的輸出信號，從而取得光量輸出信號，結束作為檢測對象的發(fā)光元件的測量。此后，將移位寄存器掃描一個階段，檢測作為接下來的檢測對象的發(fā)光元件的光量。重復這樣的控制而依次掃描發(fā)光元件和受光元件，從而進行所有的發(fā)光元件的測量。
[0098](驅動電路的第二例、參照圖14)
[0099]圖14表示用于驅動光寫入裝置13的最佳的驅動電路的第二例。該驅動電路表示為用于所述第四實施例(參照圖9)。在該第二例中，按照各受光元件配置光量檢測電路部73，在光量檢測電路部73的后級經由選擇開關SI?Sn+12連接輸出合算部74。進而，設有用于依次掃描開關SI?Sn+12的導通/截止的移位寄存器Cl?Cn+12。
[0100]在圖14所示的驅動電路中，基本的動作與所述第一例相同，通過輸出合算部74僅合算連接于用于檢測成為檢測對象的發(fā)光元件的光量的受光元件的光量檢測電路73的輸出，從而取得成為檢測對象的發(fā)光元件的光量輸出信號。
[0101 ] 在以上的驅動電路(第一例以及第二例)中，以設有通過移位寄存器來導通/截止的開關元件的簡單結構，能夠利用多個受光元件檢測發(fā)光元件的光量。
[0102](其他實施例)
[0103]另外，本發(fā)明的光寫入裝置以及圖像形成裝置并不限定于所述實施例，在其要點的范圍內能夠進行各種變更。
[0104]例如，驅動電路部72和光量檢測電路部73優(yōu)選一體形成于基板50。當然，也可以將具有這些功能的集成電路安裝在基板50。在對光量的檢測使用多個受光元件的情況下，也可以將用于取得光量輸出信號的輸出合算部74也一體形成在基板50上，也可以作為另外的電路結構而安裝于基板50上。此外，作為發(fā)光元件，除了所述的有機EL元件以外，還可以利用發(fā)光二極管(LED)。
[0105]光量的檢測不需要每次對一個發(fā)光元件執(zhí)行。例如，即使同時發(fā)光，只要是相隔互相不影響的程度的發(fā)光元件，即便同時執(zhí)行光量檢測也不會有障礙。此外，圖14所示的光量校正部71也可以設置于光寫入裝置13。
[0106]在所述各實施例中，將發(fā)光元件與受光元件的主掃描方向的配置間距設定為相同，但也沒必要必須是相同間距。但是，優(yōu)選分隔距離L滿足0.54Lc?7.64Lc。當配置間距不同時，在第一實施例中(參照圖5 )，受光元件與發(fā)光元件的個數不相同，此外，發(fā)光元件與用于檢測其光量的受光元件之間的關系不是一對一。
[0107]在所述各實施例中，表示發(fā)光元件陣列在主掃描方向上配置了一列的情況，但并不限定于此。例如，如圖15所示，多個發(fā)光元件Al也可以配置成曲折狀。此外，發(fā)光元件也可以配置成對一個像素假設了復用曝光的多個列。此外，如圖15所示，受光元件BI也可以被配置于發(fā)光元件的列之間。此時，通過一個受光元件檢測周圍8個發(fā)光元件的光量。例如，受光元件BI檢測發(fā)光元件Al?A8的光量。
[0108]關于規(guī)定的發(fā)光元件的光量檢測不必要只由主掃描方向位置不同的受光元件來執(zhí)行。例如，如圖16所示，當發(fā)光元件陣列與受光元件陣列存在0.54Lc?Lc的空間時，對發(fā)光元件利用主掃描方向Y的位置一致的受光元件(例如，對發(fā)光元件Al利用受光元件B2)而檢測光量也可以發(fā)揮提高受光效率的效果。即，如果分隔距離L在臨界角分隔距離Lc附近，則即使只由主掃描方向Y的位置一致的受光元件檢測光量也提高受光效果。此時，當受光元件的尺寸比發(fā)光元件大時有效。即，重要的是分隔距離L滿足0.54Lc?7.64Lc。
[0109]如以上，本發(fā)明對光寫入裝置有用，尤其在能夠抑制在副掃描方向上基板的尺寸擴大，此外能夠提高受光元件的受光效率這一點上非常出色。
【權利要求】
1.一種光寫入裝置，用于將基于圖像數據而調制的光照射到感光體上，從而在該感光體上形成靜電潛影，其特征在于，所述光寫入裝置具有: 基板； 發(fā)光元件陣列，由在所述基板上在主掃描方向上排列的多個發(fā)光元件構成；以及 受光元件陣列，由在所述基板上與所述發(fā)光元件大致平行地在主掃描方向上排列的多個受光元件構成， 針對一個發(fā)光元件的光量檢測，至少利用在與該發(fā)光元件的主掃描方向的中心位置不同的位置具有中心位置的受光元件的輸出值。
2.如權利要求1所述的光寫入裝置，其特征在于， 所述基板透過光。
3.如權利要求1或2所述的光寫入裝置，其特征在于， 一個發(fā)光元件與檢測該發(fā)光元件的光量的受光元件之間的距離是臨界角分隔距離Lc的0.54倍以上。
4.如權利要求1至3中的任一項所述的光寫入裝置，其特征在于， 一個發(fā)光元件與檢測該發(fā)光元件的光量的受光元件之間的距離是臨界角分隔距離Lc的0.9倍以上。
5.如權利要求1至4中的任一項所述的光寫入裝置，其特征在于， 一個發(fā)光元件與檢測該發(fā)光元件的光量的受光元件之間的距離是臨界角分隔距離Lc的7.64倍以下。
6.如權利要求1至5中的任一項所述的光寫入裝置，其特征在于， 一個發(fā)光元件與檢測該發(fā)光元件的光量的受光元件之間的距離是臨界角分隔距離Lc的3.72倍以下。
7.如權利要求1至6中的任一項所述的光寫入裝置，其特征在于， 所述發(fā)光元件是有機EL元件。
8.如權利要求1至7中的任一項所述的光寫入裝置，其特征在于， 受光兀件陣列在主掃描方向上比發(fā)光兀件陣列長。
9.如權利要求8所述的光寫入裝置，其特征在于， 在多個受光元件中進行與一個發(fā)光元件有關的光量的檢測。
10.如權利要求1至7中的任一項所述的光寫入裝置，其特征在于， 受光兀件陣列在主掃描方向上比發(fā)光兀件陣列短。
11.如權利要求1至7中的任一項所述的光寫入裝置，其特征在于， 受光兀件陣列在主掃描方向上的長度與發(fā)光兀件陣列大致相同，且在主掃描方向上偏移而配置。
12.如權利要求8或9所述的光寫入裝置，其特征在于， 檢測一個發(fā)光兀件的光量的受光兀件是相對該發(fā)光兀件在主掃描方向的方向互相配置為反方向的受光元件。
13.如權利要求1至12中的任一項所述的光寫入裝置，其特征在于， 具有被輸入各受光兀件的輸出值的光量檢測電路部， 在各受光元件和光量檢測電路部之間具有開關元件。
14.如權利要求13所述的光寫入裝置，其特征在于，具有用于控制所述開關元件的移位寄存器。
15.一種圖像形成裝置，其特征在于，具有:如權利要求1至14中的任一項所述的光寫入裝置；以及光量校 正部，基于由所述受光元件檢測到的光量值，校正所述發(fā)光元件的發(fā)光量。
【文檔編號】G03G15/00GK104049493SQ201410092839
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年3月13日 優(yōu)先權日:2013年3月13日
【發(fā)明者】增田敏, 渡邊義和, 大林誠, 飯島成幸, 矢野壯 申請人:柯尼卡美能達株式會社