檢查裝置及檢查方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種檢查裝置及檢查方法。檢查裝置具備接觸位置取得部和檢查狀態(tài)判定部。上述接觸位置取得部使用保持對象的檢查面上的粒子有無的檢查結(jié)果和靜電吸盤保持機構(gòu)的凸部分的坐標信息，取得上述凸部分對上述檢查面的接觸位置。上述檢查狀態(tài)判定部針對在上述檢查面的與上述凸部分的接觸區(qū)域附著的粒子的尺寸，使用第1判斷基準值來判定是否在容許范圍內(nèi)，針對在上述檢查面的與上述凸部分的非接觸區(qū)域附著的粒子的尺寸，使用比上述第1判斷基準值大的第2判斷基準值來判定是否在容許范圍內(nèi)。
【專利說明】檢查裝置及檢查方法

【技術(shù)領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及檢查裝置及檢查方法。

【背景技術(shù)】
[0002]伴隨半導體裝置的微細化，曝光裝置使用的光源進一步短波長化，采用波長10nm左右以下的極端紫外光(Extreme Ultra V1let light:以下稱為EUV光)的曝光裝置(EUV曝光裝置)逐步應用到半導體裝置。EUV光具有在大氣中衰減，難以透過用作以往的曝光裝置的掩模的玻璃等材質(zhì)的性質(zhì)。因此，在真空腔內(nèi)通常采用具備Mo或Si等的多層膜的反射型掩模進行EUV曝光。
[0003]這樣，作為保持掩模的機構(gòu)，由于EUV曝光在真空腔內(nèi)進行，因此難以適用以往的曝光裝置采用的通過真空吸附吸盤保持掩模外周部的方法。因此，通常采用通過靜電吸盤保持掩模背面?zhèn)鹊姆椒ā?br> [0004]靜電吸盤保持機構(gòu)具有在基體表面形成電極層，在該電極層上2維地配置與掩模背面接觸的多個凸部的構(gòu)造。該凸部配置為還與掩模的圖形區(qū)域所包含的背面接觸。因此，靜電吸盤保持機構(gòu)與掩模背面接觸的面積比通過以往的真空吸附吸盤保持時增加。由此，在掩模背面或靜電吸盤附著粒子(particle，顆粒)的可能性高。另外，若在掩模背面附著粒子的狀態(tài)下用靜電吸盤保持機構(gòu)保持掩模，則無法實現(xiàn)平坦的掩模夾持(clamp)，也存在無法正常形成曝光圖案的情況。
[0005]因而，進行掩模背面檢查，在容許預定尺寸的粒子或預定數(shù)量的粒子對掩模背面的附著的情況下，進行曝光處理。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實施例提供一種在檢查靜電吸盤保持機構(gòu)保持的保持對象的表面有無粒子時合適的檢查裝置及檢查方法。
[0007]根據(jù)實施例，提供一種檢查裝置，檢查在由靜電吸盤保持機構(gòu)的凸部分保持的保持對象的與上述凸部分接觸一側(cè)的面有無附著粒子。上述檢查裝置具備接觸位置取得部和檢查狀態(tài)判定部。上述接觸位置取得部使用有無存在于上述保持對象的檢查面的粒子的檢查結(jié)果、和上述靜電吸盤保持機構(gòu)的凸部分的坐標信息，取得上述凸部分對上述檢查面的接觸位置。上述檢查狀態(tài)判定部針對在上述檢查面的與上述凸部分接觸的接觸區(qū)域附著的粒子的尺寸，使用第I判斷基準值來判定是否在容許范圍內(nèi)，針對在上述檢查面的與上述凸部分接觸的區(qū)域以外的非接觸區(qū)域附著的粒子的尺寸，使用比上述第I判斷基準值大的第2判斷基準值來判定是否在容許范圍內(nèi)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1A是表示靜電吸盤保持機構(gòu)的一例的俯視圖。
[0009]圖1B是表示由靜電吸盤保持機構(gòu)保持掩模的狀態(tài)的一例的側(cè)視圖。
[0010]圖2是表示第I實施例的判定基準值的考慮方法的一例的圖。
[0011]圖3是示意表示第I實施例的靜電吸盤保持對象檢查裝置的功能的框圖。
[0012]圖4是示意表示檢查部的構(gòu)成的一例的圖。
[0013]圖5是示意表示第2實施例的靜電吸盤保持對象檢查裝置的功能的框圖。
[0014]圖6是表示第2實施例的靜電吸盤保持對象檢查方法的處理順序的一例的流程圖。
[0015]圖7和圖8是表示凸部接觸區(qū)域的求出方法的一例的圖。
[0016]圖9是表示第3實施例的靜電吸盤保持對象檢查方法的處理順序的一例的流程圖。
[0017]圖1OA?圖1OC是表示凸部接觸區(qū)域的求出方法的一例的圖。
[0018]圖11是示意表示第4實施例的靜電吸盤保持對象檢查裝置的構(gòu)成的一例的框圖。
[0019]圖12是表示第4實施例的判定基準值的考慮方法的一例的圖。
[0020]圖13是表示第4實施例的靜電吸盤保持對象的檢查方法的處理順序的一例的流程圖。

【具體實施方式】
[0021]以下參照附圖，詳細說明實施例的檢查裝置及方法。另外，這些實施例不限定本發(fā)明。
[0022](第I實施例)
[0023]圖1A是表示靜電吸盤保持機構(gòu)的一例的俯視圖，圖1B是表示使靜電吸盤保持機構(gòu)保持掩模的狀態(tài)的一例的側(cè)視圖。靜電吸盤保持機構(gòu)50在平板上的基體51的一方的主面具有設置了導電層52的構(gòu)造。另外，在導電層52的表面設有多個凸部53?；w51可以采用熱膨脹非常小的玻璃或陶瓷等的材料。另外，具有凸部53的導電層52可以采用TiN或CrN等的導電性材料。
[0024]凸部53在基體51的一方的主面上以預定間距2維地配置。凸部53的高度h為例如5?50 μ m，凸部53的直徑為Imm左右。另外，以凸部53與掩模100接觸的面積成為掩模100的面積的I?5%左右的方式,配置凸部53。另外，圖1A中，夸大描繪了凸部53的直徑(面積)。
[0025]如圖1B所示，通過使靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53與保持對象的掩模100的背面接觸并對導電層52施加電壓，靜電吸盤保持機構(gòu)50能夠固定掩模100。另外，掩模100的背面是未形成掩模圖案101 —側(cè)的面，涂敷有CrN等導電性物質(zhì)。
[0026]如圖1A和圖1B所示，凸部53設置在基體51整個面。即，凸部53也與掩模的圖案區(qū)域所包含的背面接觸。
[0027]EUV曝光裝置中，在真空腔內(nèi)通過靜電吸盤保持機構(gòu)50保持掩模100，進行曝光處理。靜電吸盤保持機構(gòu)50中，如上所述，大量的凸部53和掩模100的背面接觸，接觸面積增加，因此在靜電吸盤保持機構(gòu)50或掩模100的背面附著粒子的可能性變高。若由靜電吸盤保持機構(gòu)50保持附著粒子的掩模100，則無法實現(xiàn)平坦的掩模夾持，存在無法正常形成曝光圖案的情況。因而，以往進行掩模100的背面檢查，在存在預定尺寸以上的粒子時或存在預定數(shù)量以上的粒子時，進行該掩模100的清洗。
[0028]但是，該方法中，粒子的位置不管是不是與掩模100的背面的靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的接觸位置，都一律進行了判斷。因此，本來存在于凸部53之間的區(qū)域，即使與獲得平坦的掩模夾持無關，也會進行掩模100的清洗。
[0029]因而，第I實施例中，在掩模100的背面檢查中，求出掩模100的背面中與靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的接觸位置或接觸推定位置，作為凸部接觸區(qū)域。另外，除此以外的區(qū)域設為凸部非接觸區(qū)域。然后，通過將這些區(qū)域與表示作為掩模100的背面檢查的結(jié)果獲得的粒子的存在位置的粒子圖(map)重疊，改變在凸部接觸區(qū)域和凸部非接觸區(qū)域作為可容許的粒子大小的判定基準值，由此來判定掩模100是否清洗。
[0030]圖2是表示第I實施例的判定基準值的考慮方法的一例的圖。該圖中，橫軸表示掩模100的背面附著的粒子的尺寸，縱軸表示離由曝光處理形成的圖案的形成位置的理想位置的偏移量(偏差量)。在凸部接觸區(qū)域中，隨著凸部接觸區(qū)域上存在的粒子尺寸增大，偏移量增大。但是，在偏移量為不影響隨后的半導體器件的形成的容許值以下時，將掩模100的背面附著的粒子的尺寸與該容許值所對應的粒子尺寸進行比較即可。
[0031]如圖1B所示，靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53和凸部53之間是凹部。因此，在粒子進入該凸部53和凸部53間的區(qū)域的情況下，與凸部53上附著粒子的情況比，可以使容許值對應的粒子尺寸增大凸部53的高度h這么多。圖2中，將表示相對于凸部接觸區(qū)域的粒子尺寸的偏移量的曲線LI在右方向上平行移動了凸部53的高度h這么多，成為表示相對于凸部非接觸區(qū)域的粒子尺寸的偏移量的曲線L2。凸部接觸區(qū)域上附著粒子時的容許值對應的粒子尺寸為al，而凸部非接觸區(qū)域上附著粒子時的容許值對應的粒子尺寸成為al+h=a20
[0032]S卩，第I實施例中，在凸部接觸區(qū)域中，若存在粒子，則與曝光圖案在容許范圍內(nèi)的粒子的大小即第I判定基準值al進行比較，判定掩模100是否清洗。另外，在凸部非接觸區(qū)域中，若存在粒子，則與曝光圖案在容許范圍內(nèi)的粒子的大小即第2判定基準值a2進行比較，判定掩模100是否清洗。
[0033]作為將粒子圖與凸部接觸區(qū)域和凸部非接觸區(qū)域重疊的方法，可以采用如下方法等:在粒子圖應用表示靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的形成位置的凸部位置數(shù)據(jù)的方法；或者使用從粒子圖獲得的已經(jīng)附著的粒子或者與凸部53的接觸痕，通過計算求出凸部接觸區(qū)域和凸部非接觸區(qū)域，將結(jié)果與粒子圖重疊的方法。
[0034]圖3是示意表示第I實施例靜電吸盤保持對象檢查裝置的功能構(gòu)成的框圖。靜電吸盤保持對象檢查裝置10具備:檢查部11 ;檢查結(jié)果信息取得部12 ;靜電吸盤接觸位置取得部13 ;檢查對象狀態(tài)判定部14 ;控制這些各處理部的控制部15。
[0035]檢查部11檢查靜電吸盤保持對象的背面?zhèn)鹊臓顟B(tài)。檢查部11可以采用例如激光顯微鏡等。圖4是示意表示檢查部的構(gòu)成的一例的圖。檢查部11具備:照射激光的激光源111 ;使來自激光源111的激光反射的多角鏡(polygon mirror) 112 ;使多角鏡112反射的激光形成平行光線的準直透鏡113 ;將激光的焦點聚焦到檢查對象100的檢查位置的對物透鏡114 ;會聚檢查對象100上的粒子散射的激光的曲面鏡115 ;將曲面鏡115反射的激光導向散射光檢測部117的反射鏡116 ;檢測檢查對象100上的粒子散射的散射光的散射光檢測部117。
[0036]另外，檢查部11具有:出射用于算出焦距值的激光的自動對焦用激光源118 ;接受由檢查對象反射的來自自動對焦用激光源118的激光的自動對焦用受光部119 ;在自動對焦用受光部119的自動對焦用激光源側(cè)配置，調(diào)節(jié)角度使激光入射到自動對焦用受光部119的玻璃平板120。未圖示的控制部取得玻璃平板120的角度的調(diào)節(jié)值，利用該調(diào)節(jié)值，算出焦距值。
[0037]說明這樣構(gòu)成的檢查部11中的靜電吸盤保持對象的檢查的概要。首先，作為檢查對象的例如掩模100以背面作為上面而載置在未圖示的載物臺。接著，激光源111照射的激光光線由高速旋轉(zhuǎn)的多角鏡112反射，進一步，穿過準直透鏡113及對物透鏡114等，向檢查對象照射。此時，若在檢查對象的激光的照射位置存在粒子105，則發(fā)生散射光。該散射光由曲面鏡115等會聚，經(jīng)由反射鏡116而由散射光檢測部117接受。這里，根據(jù)多角鏡112的旋轉(zhuǎn)速度等的信息和檢測出散射光的時間，可以計測粒子的外形尺寸。
[0038]通過檢查部11的檢查，生成包含檢查對象的背面附著的粒子的位置及其大小等的信息的粒子圖等檢查結(jié)果信息。
[0039]檢查結(jié)果信息取得部12取得由檢查部11生成的檢查結(jié)果信息。
[0040]靜電吸盤接觸位置取得部13取得檢查對象(靜電吸盤保持對象)的由靜電吸盤保持機構(gòu)50保持側(cè)的面中的靜電吸盤保持機構(gòu)50的接觸位置即凸部接觸區(qū)域信息。作為該凸部接觸區(qū)域信息，可以采用從例如靜電吸盤保持機構(gòu)50的設計信息等獲得的靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的坐標信息等。
[0041]檢查對象狀態(tài)判定部14采用檢查結(jié)果信息取得部12取得的檢查結(jié)果信息和靜電吸盤接觸位置取得部13取得的靜電吸盤接觸位置信息，判定是否存在曝光處理時成為障礙的粒子。此時，如上所述，在凸部接觸區(qū)域采用第I判定基準值al進行判定，在凸部非接觸區(qū)域采用第2判定基準值a2進行判定。另外，第2判定基準值a2為比第I判定基準值al緩和(松)的判定基準值。
[0042]由此，能夠?qū)ν共拷佑|區(qū)域附著的粒子和凸部非接觸區(qū)域附著的粒子采用不同判定基準值，判定是否是在EUV曝光處理中容許的。因此，例如，即使是在凸部接觸區(qū)域不容許的大小的粒子，只要它是比第2判定基準值小的尺寸、且存在于凸部非接觸區(qū)域，則成為被容許的粒子。結(jié)果，例如靜電吸盤保持對象為掩模時，與以往的方法相比，能夠抑制清洗次數(shù)等。
[0043]在第I實施例中，作為靜電吸盤保持對象附著的粒子尺寸的容許值，在凸部接觸區(qū)域上和凸部非接觸區(qū)域上設定為不同的值。由此，也存在如下情況:在尺寸超出凸部接觸區(qū)域上附著的粒子尺寸的容許值(第I判定基準值)的粒子附著于凸部非接觸區(qū)域上的情況下，也不需要進行掩模清洗。結(jié)果，具有如下效果:能夠減少靜電吸盤保持對象的背面管理中的掩模清洗次數(shù)，能夠削減清洗靜電吸盤保持對象時產(chǎn)生的曝光處理停止的期間。
[0044](第2實施例)
[0045]在第2實施例中，說明從作為靜電吸盤保持對象的背面檢查的結(jié)果獲得的信息求出凸部接觸區(qū)域和凸部非接觸區(qū)域的方法的具體例。
[0046]圖5是示意表示第2實施例的靜電吸盤保持對象檢查裝置的功能構(gòu)成的框圖。該靜電吸盤保持對象檢查裝置1A的第I實施例的靜電吸盤保持對象檢查裝置10的靜電吸盤接觸位置取得部13具備:凸部實際接觸區(qū)域確定功能131 ;凸部接觸區(qū)域推定功能132 ；凸部接觸區(qū)域取得功能133。
[0047]凸部實際接觸區(qū)域確定功能131從檢查結(jié)果信息中的檢查對象的背面的檢查圖像，選擇多個可推測為與靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53接觸了的位置。檢查圖像與粒子圖關聯(lián)，因此，與所選擇的檢查圖像關聯(lián)的粒子圖上的位置成為可推測為與凸部53接觸了的位置。另外，作為可推測與靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53接觸了的位置，可以采用凸部的接觸痕。
[0048]而且，凸部實際接觸區(qū)域確定功能131采用最小自乘法或傅里葉變換等的方法根據(jù)多個選擇的位置來算出間距，在算出的間距為靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的間距的整數(shù)倍時，判斷為形成掩模背面的規(guī)則間距的坐標為凸部實際接觸區(qū)域。
[0049]凸部接觸區(qū)域推定功能132在算出的間距為靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的間距的整數(shù)倍的情況下，在掩模背面不存在與規(guī)則間距的凸部53接觸的痕跡的區(qū)域，也采用上述的靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的間距信息來推定凸部接觸推定區(qū)域。
[0050]凸部接觸區(qū)域取得功能133將由凸部實際接觸區(qū)域確定功能131確定的凸部實際接觸區(qū)域和由凸部接觸區(qū)域推定功能132推定的凸部接觸推定區(qū)域合并來作為凸部接觸區(qū)域。
[0051]除了粒子圖以外，檢查結(jié)果信息取得部12還取得包含與粒子圖的各粒子等的位置對應拍攝的檢查圖像的檢查結(jié)果信息。如上所述，檢查圖像與粒子圖上的位置關聯(lián)地保存。
[0052]另外，對于與第I實施例中說明過的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，標記相同的標號，省略其說明。
[0053]接著，說明這樣構(gòu)成的靜電吸盤保持對象檢查裝置1A的處理。圖6是表示第2實施例的靜電吸盤保持對象檢查方法的處理順序的一例的流程圖。另外，圖7和圖8是表示凸部接觸區(qū)域的求出方法的一例的圖。
[0054]首先，在靜電吸盤保持對象檢查裝置1A的檢查部11的載物臺上載置作為檢查對象的用于EUV曝光處理的掩模。接著，檢查部11實施掩模背面檢查(步驟S11)。此時，檢查部11中，例如圖7所示，生成粒子圖200，并且，對各粒子的位置拍攝檢查圖像211-1?211-6。并且，生成這些粒子圖200和檢查圖像211-1?211-6來作為檢查結(jié)果信息。檢查圖像211-1?211-6分別是拍攝粒子圖200上的位置210-1?210-6的位置獲得的。
[0055]然后，檢查者確認檢查圖像(步驟S12)，判定與靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53接觸的特異粒子的圖像(接觸痕)是否有多個(步驟S13)。例如圖7的例中，粒子圖200上的位置210-1的檢查圖像211-1是在掩模背面產(chǎn)生了劃痕的圖像，位置210-5的檢查圖像211-5呈現(xiàn)粒狀。在其他位置 210-2、210-3、210-4、210-6 的檢查圖像 211_2、211-3、211-4、211_6，呈現(xiàn)靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的接觸痕。該接觸痕是例如粒子在凸部53和掩模背面之間被夾碎而形成的。該處理工序中，從檢查圖像抽出可確認這樣的接觸痕的檢查圖像，進一步判定其是否存在多個。
[0056]特異粒子的圖像不是多個時(步驟S13為“否”的情況下)，不能獲得執(zhí)行后續(xù)的處理的數(shù)據(jù)，因此處理結(jié)束。
[0057]另一方面，特異粒子的圖像為多個時(步驟S13為“是”的情況下)，凸部實際接觸區(qū)域確定功能131用最小自乘法或傅里葉變換等的手法算出特異粒子的間距(步驟S14)。作為間距，例如在為矩形狀的掩模100的場合，可以求出與構(gòu)成外周的2個方向的邊相同方向的間距。另外，凸部實際接觸區(qū)域確定功能131判定算出的間距是否為靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的間距的整數(shù)倍(步驟S15)。在算出的間距不是靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的間距的整數(shù)倍時(步驟S15為“否”的情況下)，判斷為算出的間距不是靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53形成的，處理結(jié)束。
[0058]另外，在算出的間距是靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的間距的整數(shù)倍時(步驟S15為“是”的情況下)，凸部實際接觸區(qū)域確定功能131將所選擇的區(qū)域作為凸部實際接觸區(qū)域(步驟S16)。另外，凸部接觸區(qū)域推定功能132在粒子圖的不存在粒子的區(qū)域也應用所算出的間距信息，作為凸部接觸推定區(qū)域(步驟S17)。然后，凸部接觸區(qū)域取得功能133將凸部實際接觸區(qū)域和凸部接觸推定區(qū)域合并來作為凸部接觸區(qū)域，除此以外的區(qū)域設為凸部非接觸區(qū)域(步驟S18)。
[0059]例如，圖8表示從圖7選擇的接觸痕的位置(包含位置210-2?210_4、210_6)算出間距，在粒子圖200上直線描畫算出的結(jié)果的狀態(tài)。結(jié)果，在粒子圖200描繪了直線xl、x2、x3、x4,并描繪與這些直線xl?x4正交的直線yl、y2。這里,直線xi (i=l,2,3,…)和直線yj (j=l，2，…)的交點成為凸部實際接觸區(qū)域或凸部接觸推定區(qū)域。
[0060]接著，檢查對象狀態(tài)判定部14判定在凸部接觸區(qū)域是否存在粒子尺寸超過第I判定基準值的粒子(步驟S19)。例如，圖8的粒子圖200中，取得在成為凸部實際接觸區(qū)域或凸部接觸推定區(qū)域的部分存在的粒子的尺寸，與第I判定基準值比較來進行判定。
[0061]在凸部接觸區(qū)域存在粒子尺寸超過第I判定基準值的粒子時(步驟S19為“是”的情況下)，研討掩模清洗(步驟S20)，處理結(jié)束。
[0062]另外，在凸部接觸區(qū)域不存在粒子尺寸超過第I判定基準值的粒子時(步驟S19為“否”的情況下)，檢查對象狀態(tài)判定部14進一步判定在凸部非接觸區(qū)域是否存在粒子尺寸超過第2判定基準值的粒子(步驟S21)。在凸部非接觸區(qū)域存在粒子尺寸超過第2判定基準值的粒子時(步驟S21為“是”的情況下)，研討掩模清洗(步驟S22)，處理結(jié)束。
[0063]另一方面，在凸部非接觸區(qū)域不存在粒子尺寸超過第2判定基準值的粒子時(步驟S21為“否”的情況下)，在掩模背面不存在妨礙EUV曝光裝置的曝光處理的粒子，能夠進行曝光(步驟S23)。以上，靜電吸盤保持對象的檢查方法結(jié)束。
[0064]在第2實施例中，從檢查圖像選擇多個凸部53的接觸痕，從這些多個接觸痕求出凸部接觸區(qū)域。由此，除了第I實施例的效果之外，還能夠獲得對于向EUV曝光裝置內(nèi)的靜電吸盤保持機構(gòu)50的夾持次數(shù)少、粒子的附著量少的掩模求出凸部接觸區(qū)域的效果。
[0065](第3實施例)
[0066]在第2實施例中，例示了使用粒子圖和檢查照片求出凸部接觸區(qū)域的情況，而在第3實施例中，說明僅使用粒子圖求出凸部接觸區(qū)域的情況。
[0067]第3實施例的靜電吸盤保持對象檢查裝置與第2實施例說明的裝置是同樣的。但是，檢查結(jié)果信息取得部12從檢查部11僅取得粒子圖來作為檢查結(jié)果信息。
[0068]另外，凸部實際接觸區(qū)域確定功能131在由檢查結(jié)果信息取得部12取得的粒子圖內(nèi)，例如從由檢查者選擇的粒子存在位置規(guī)則的區(qū)域，使用最小自乘法或傅里葉變換算出規(guī)則的粒子的間距，在算出的間距為靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的間距的整數(shù)倍時，將形成規(guī)則的間距的坐標確定為凸部實際接觸區(qū)域。
[0069]另外，其他構(gòu)成要素與第I及第2實施例是同樣的，因此說明省略。
[0070]接著，說明這樣構(gòu)成的靜電吸盤保持對象檢查裝置的處理。圖9是表示第3實施例的靜電吸盤保持對象檢查方法的處理順序的一例的流程圖。另外，圖1OA?圖1OC是表示凸部接觸區(qū)域的求出方法的一例的圖。
[0071]首先，在檢查部11的載物臺上載置檢查對象。作為檢查對象，可以例示例如在EUV曝光裝置使用的掩模。接著，檢查部11實施掩模背面檢查(步驟S31)。此時，在檢查部11中，生成粒子圖來作為檢查結(jié)果信息。圖1OA是粒子圖200的一例，在粒子圖200中，粒子105用點來表示。
[0072]然后，檢查者確認200 (步驟S32)，判定是否有粒子105規(guī)則地存在的區(qū)域(步驟
533)。在沒有粒子規(guī)則地存在的區(qū)域時(步驟S33為“否”的情況下)，無法獲得執(zhí)行后續(xù)的處理的數(shù)據(jù)，因此處理結(jié)束。
[0073]另一方面，有粒子規(guī)則地存在的區(qū)域時(步驟S33為“是”的情況下)，凸部實際接觸區(qū)域確定功能131采用最小自乘法或傅里葉變換等的方法算出規(guī)則粒子的間距(步驟
534)。
[0074]例如，在圖1OA的情況下，檢查者從粒子圖200選擇粒子105規(guī)則地存在的區(qū)域Rl0另外，選擇的區(qū)域Rl是任意的，但是為了減小誤差，優(yōu)選為粒子105的數(shù)目多的區(qū)域、或面積大的區(qū)域。但是，在粒子105的數(shù)目多的情況下或區(qū)域Rl的面積大的情況下，粒子105的間距的算出需要花費時間。因此，區(qū)域Rl根據(jù)可容許的誤差和靜電吸盤保持對象檢查裝置1A的處理能力來確定。
[0075]圖1OB是所選擇的區(qū)域Rl的放大圖。采用最小自乘法或傅里葉變換等的方法，從該圖1OB的區(qū)域Rl內(nèi)的各粒子105算出間距。作為間距，在為例如矩形狀的掩模100的情況下，可以求出與構(gòu)成外周的2個方向的邊相同方向的間距。
[0076]另外，凸部實際接觸區(qū)域確定功能131判定算出的間距是否為靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的間距的整數(shù)倍(步驟S35)。在算出的間距不是靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的間距的整數(shù)倍時(步驟S35為“否”的情況下)，判斷為算出的間距不是靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53形成的，處理結(jié)束。
[0077]另外，在算出的間距是靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的間距的整數(shù)倍時(步驟S35為“是”的情況下)，凸部實際接觸區(qū)域確定功能131將在間距的算出中使用的區(qū)域設為凸部實際接觸區(qū)域(步驟S36)。另外，凸部接觸區(qū)域推定功能132也在粒子圖的不存在粒子的區(qū)域應用算出的間距信息，設為凸部接觸推定區(qū)域(步驟S37)。然后，凸部接觸區(qū)域取得功能133將凸部實際接觸區(qū)域和凸部接觸推定區(qū)域合并來作為凸部接觸區(qū)域，除此以外的區(qū)域設為凸部非接觸區(qū)域(步驟S38)。
[0078]例如，在圖1OB算出的粒子105的間距為靜電吸盤保持機構(gòu)50的凸部53的間距的整數(shù)倍時，在200的區(qū)域Rl描繪將與算出的間距的方向垂直的方向的粒子105之間連結(jié)的直線。然后，將其也應用到區(qū)域Rl以外的區(qū)域。該狀態(tài)如圖1OC所示。圖1OC中，直線xl,x2,x3,…以規(guī)定的間隔配置,與直線xi (i=l,2,3,…)垂直的直線yl, y2, y3,…在直線xi的延伸方向以規(guī)定的間隔配置。在區(qū)域Rl內(nèi)的直線xi和直線yj (j=l，2，3，…)的交點存在粒子的區(qū)域成為凸部實際接觸區(qū)域。在區(qū)域Rl中，在直線xi和yj的交點配置有粒子105a。因此，用于間距的算出的區(qū)域Rl內(nèi)的粒子105a為位于凸部實際接觸區(qū)域的粒子。
[0079]另外，在比區(qū)域Rl大的區(qū)域R2的無粒子105的區(qū)域也應用直線xi和yj，直線xi和yj的交點成為凸部接觸推定區(qū)域PU。另外，這里，對區(qū)域R2應用直線xi和yj,但是實際上可對粒子圖20整體全體應用直線xi和yj。
[0080]然后，將凸部實際接觸區(qū)域和凸部接觸推定區(qū)域Pll合并來作為凸部接觸區(qū)域。另外，將凸部接觸區(qū)域以外的區(qū)域作為凸部非接觸區(qū)域。在圖1OC的區(qū)域Rl中，在非直線xi和直線yj的交點的區(qū)域存在粒子105b。
[0081]接著，檢查對象狀態(tài)判定部14判定在凸部接觸區(qū)域是否存在粒子尺寸超過第I判定基準值的粒子(步驟S39)。在凸部接觸區(qū)域存在粒子尺寸超過第I判定基準值的粒子時(步驟S39為“是”的情況下)，研討掩模清洗(步驟S40)，處理結(jié)束。
[0082]例如，在圖1OC的情況下，對凸部接觸區(qū)域存在的粒子105a，判定其尺寸是否超過第I判定基準值。
[0083]另外，在凸部接觸區(qū)域不存在粒子尺寸超過第I判定基準值的粒子時(步驟S39為“否”的情況下)，檢查對象狀態(tài)判定部14進一步在凸部非接觸區(qū)域判定是否存在粒子尺寸超過第2判定基準值的粒子(步驟S41)。在凸部非接觸區(qū)域存在粒子尺寸超過第2判定基準值的粒子時(步驟S41為“是”的情況下)，研討掩模清洗(步驟S42)，處理結(jié)束。
[0084]例如，在圖1OC的情況下，對凸部非接觸區(qū)域存在的粒子105b，判定是否存在其尺寸超過第2判定基準值的粒子。判定的結(jié)果若是尺寸在第2判定基準值以下，則判斷為能夠進行EUV曝光裝置的曝光處理，尺寸若超過第2判定基準值，則研討掩模清洗。
[0085]另一方面，在凸部非接觸區(qū)域不存在粒子尺寸超過第2判定基準值的粒子時(步驟S41為“否”的情況下)，在掩模背面不存在妨礙EUV曝光裝置的曝光處理的粒子，能夠進行曝光(步驟S43)。以上，靜電吸盤保持對象的檢查方法結(jié)束。
[0086]在第3實施例中，從粒子圖選擇粒子規(guī)則地排列的區(qū)域，從該區(qū)域內(nèi)的規(guī)則地排列的粒子求出凸部接觸區(qū)域。由此，除了第I實施例的效果之外，還具有如下效果:能夠使用被EUV曝光裝置內(nèi)的靜電吸盤保持機構(gòu)50夾持的次數(shù)多且粒子的附著量多的掩模來求出凸部接觸區(qū)域。
[0087](第4實施例)
[0088]在第I?第3實施例中，用凸部接觸區(qū)域和凸部非接觸區(qū)域附著的粒子的大小判斷掩?？煞袷褂谩５?，粒子包括例如由無機材料形成的硬粒子或由有機材料形成的軟粒子。硬粒子難以變形，而軟粒子容易變形。因此，與向半導體晶片形成圖案時的形成位置偏移量的容許值對應的軟粒子的尺寸比硬粒子大。因而，在第4實施例中，說明如下情況:對特性不同的多種粒子設定分別的判定基準值，判定靜電吸盤保持對象可否清洗。
[0089]圖11是示意表示第4實施例的靜電吸盤保持對象檢查裝置的構(gòu)成的一例的框圖。靜電吸盤保持對象檢查裝置1B的檢查部IlB和檢查對象狀態(tài)判定部14B的功能不同于第2實施例的靜電吸盤保持對象檢查裝置10A，在第2實施例的靜電吸盤保持對象檢查裝置1A還具備粒子特性判定部16和檢查對象狀態(tài)判定基準存儲部17。
[0090]檢查部IlB除了生成粒子圖的功能外，還具有進行粒子的組成分析的功能。作為進行粒子的組成分析的功能，可以采用能量分散型X射線分光法(Energy DispersiveX-ray Spectroscopy:以下，稱為EDX)或波長分散型X射線分光法(WavelengthDispersive X-ray Spectroscopy:WDX)等。對于粒子的組成分析,例如在凸部接觸區(qū)域有尺寸超過第I判定基準值的粒子的情況下或在凸部非接觸區(qū)域有尺寸超過第2判定基準值的粒子的情況下，對該粒子進行粒子的組成分析。
[0091]粒子特性判定部16根據(jù)檢查部IlB的粒子的組成分析的結(jié)果，判定分析對象的粒子是硬物質(zhì)還是軟物質(zhì)。判定中，通過保存例如硬物質(zhì)的組成信息和軟物質(zhì)的組成信息，將粒子的組成結(jié)果與這些組成信息進行比較，由此來進行粒子的鑒定處理。例如，組成分析的結(jié)果為碳比例多的物質(zhì)時，判定為該粒子是有機物的軟物質(zhì)，在為不含碳的物質(zhì)時，判定為該粒子為無機物的硬物質(zhì)。
[0092]檢查對象狀態(tài)判定部14B在凸部接觸區(qū)域有尺寸超過第I判定基準值的粒子且根據(jù)組成分析的結(jié)果知道該粒子為軟質(zhì)物質(zhì)時，進行如下處理:進一步判定考慮了掩模夾持時的粒子變形量的粒子的尺寸是否超過第I判定基準值。另外，在凸部非接觸區(qū)域有尺寸超過第2判定基準值的粒子且根據(jù)組成分析的結(jié)果知道該粒子為軟質(zhì)物質(zhì)時，進一步進行如下處理:判定考慮了掩模夾持時的粒子變形量的粒子的尺寸是否超過第2判定基準值。
[0093]作為一例，保存硬粒子的判定基準值和軟粒子的判定基準值，根據(jù)組成分析的結(jié)果，按粒子的種類改變判定基準值來進行判定。
[0094]圖12是表示第4實施例的判定基準值的考慮方法的一例的圖。該圖中，橫軸表示掩模100的背面附著的粒子的尺寸，縱軸表示離曝光處理形成的圖形的形成位置的理想位置的偏移量。另外，表示了相對于硬粒子的粒子尺寸的位置偏移量和相對于軟粒子的粒子尺寸的位置偏移量(偏差量)。另外，對于相對于硬粒子的粒子尺寸的位置偏移量，示出了表示相對于凸部接觸區(qū)域中的粒子尺寸的位置偏移量的曲線LU、和表示相對于凸部非接觸區(qū)域中的粒子尺寸的位置偏移量的曲線L12。對于相對于軟粒子的粒子尺寸的位置偏移量，同樣，示出了表示相對于凸部接觸區(qū)域中的粒子尺寸的位置偏移量的曲線L13、和表示相對于凸部非接觸區(qū)域中的粒子尺寸的位置偏移量的曲線L14?？扇菰SEUV曝光處理的位置偏移量的界限值下的粒子尺寸在硬粒子的凸部接觸區(qū)域是第I判定基準值bl，在硬粒子的凸部非接觸區(qū)域是第2判定基準值b2，在軟粒子的凸部接觸區(qū)域是第3判定基準值Cl，在軟粒子的凸部非接觸區(qū)域是第4判定基準值c2。
[0095]如該圖所示，軟粒子在掩模夾持時粒子變形，因此位置偏移量的容許值中的粒子尺寸比硬粒子的情況下的粒子尺寸大。
[0096]檢查對象狀態(tài)判定部14B在為硬粒子的情況下，用第I判定基準值bl和第2判定基準值b2進行判定，在為軟粒子的情況下，用第3判定基準值Cl和第4判定基準值c2進行判定。
[0097]另外，檢查對象狀態(tài)判定部14B中的判定處理與第2實施例中說明過的處理基本上是同樣的，因此詳細說明省略。
[0098]檢查對象狀態(tài)判定基準存儲部17存儲檢查對象狀態(tài)判定部14B進行判定處理時使用的判定基準值。在上述的例子中，將硬粒子的情況下的凸部接觸區(qū)域中的第I判定基準值bl和凸部非接觸區(qū)域中的第2判定基準值b2和軟粒子的情況下的凸部接觸區(qū)域中的第3判定基準值Cl和凸部非接觸區(qū)域中的第4判定基準值c2作為檢查對象判定基準來加以存儲。
[0099]另外，其他構(gòu)成要素與第I?第3實施例中說明過的是同樣的，因此省略其詳細說明。
[0100]接著，說明這樣構(gòu)成的靜電吸盤保持對象檢查裝置1B的處理。圖13是表示第4實施例的靜電吸盤保持對象的檢查方法的處理順序的一例的流程圖。與第3實施例的圖9的步驟S31?S38同樣，檢查部IlB進行掩模背面檢查，在粒子規(guī)則地存在的區(qū)域算出間距，在整個粒子圖求出凸部接觸區(qū)域和凸部非接觸區(qū)域(步驟S51?S58)。
[0101]接著，檢查對象狀態(tài)判定部14B判定在凸部接觸區(qū)域是否存在粒子尺寸超過第I判定基準值的粒子(步驟S59)。在凸部接觸區(qū)域存在粒子尺寸超過第I判定基準值的粒子時(步驟S59為“是”的情況下)，檢查部IlB進行相應的粒子的組成分析(元素分析)(步驟S60)。然后，粒子特性判定部16根據(jù)組成分析的結(jié)果判定相應的粒子是否為軟質(zhì)物質(zhì)(步驟S61)。在粒子不是軟質(zhì)物質(zhì)時(步驟S61為“否”的情況下)，即為硬粒子時，研討掩模清洗(步驟S62)，處理結(jié)束。
[0102]另外，粒子為軟質(zhì)物質(zhì)時(步驟S61為“是”的情況下)，檢查對象狀態(tài)判定部14B還考慮掩模夾持時的粒子變形量，判定粒子尺寸是否超過第I判定基準值(步驟S63)。另外，這里，比較考慮了粒子變形量的粒子尺寸和第I判定基準值，但是，也可以比較在凸部接觸區(qū)域有軟粒子時的粒子尺寸和第3判定基準值。
[0103]在即使考慮掩模夾持時的粒子變形量、粒子尺寸也不超過第I判定基準值的情況下(步驟S63為“否”的情況下)，或者在步驟S59中在凸部接觸區(qū)域沒有粒子尺寸超過第I判定基準值的情況下(步驟S59為“否”的情況下)，相應的粒子設為可容許的尺寸，然后，判定在凸部非接觸區(qū)域是否有粒子尺寸超過第2判定基準值的情況(步驟S64)。
[0104]在凸部非接觸區(qū)域存在粒子尺寸超過第2判定基準值的粒子時(步驟S64為“是”的情況下)，檢查部IlB進行相應粒子的組成分析(元素分析)(步驟S65)。然后，粒子特性判定部16根據(jù)組成分析的結(jié)果，判定相應粒子是否為軟質(zhì)物質(zhì)(步驟S66)。在粒子不是軟質(zhì)物質(zhì)時(步驟S66為“否”的情況下)，即為硬粒子時，研討掩模清洗(步驟S69)，處理結(jié)束。
[0105]另外，粒子為軟質(zhì)物質(zhì)時(步驟S66為“是”的情況下)，檢查對象狀態(tài)判定部14B對是否即使考慮掩模夾持時的粒子變形量、粒子尺寸也超過第2判定基準值進行判定(步驟S67)。另外，這里，比較考慮了粒子變形量的粒子尺寸和第2判定基準值，但是也可以比較在凸部非接觸區(qū)域有軟粒子時的粒子尺寸和第4判定基準值。
[0106]在即使考慮掩模夾持時的粒子變形量、粒子尺寸也不超過第2判定基準值的情況下(步驟S67為“否”的情況下)，或者在步驟S64中在凸部非接觸區(qū)域沒有粒子尺寸超過第2判定基準值的情況下(步驟S64為“否，，的情況下)，在掩模背面不存在妨礙EUV曝光裝置的曝光處理的粒子，能夠進行曝光(步驟S68)。以上，靜電吸盤保持對象的檢查方法結(jié)束。
[0107]另外，在考慮掩模夾持時的粒子變形量后、粒子尺寸超過第2判定基準值時(步驟S67為“是”的情況下)，研討掩模清洗(步驟S69)，處理結(jié)束。
[0108]在第4實施例中，對凸部接觸區(qū)域和凸部非接觸區(qū)域附著的粒子的尺寸超過判定基準值的粒子進行組成分析，鑒定是硬粒子還是軟粒子，在為軟粒子時，與硬粒子時相比，以更寬松(緩和)的條件判定粒子的尺寸是否影響EUV曝光處理。從而，與第I?第3實施例的情況相比，能夠進一步區(qū)分清洗掩模的條件，因此能夠降低掩模清洗次數(shù)，具有能夠削減掩模清洗中的曝光處理停止的期間的效果。
[0109]另外，在上述說明中，靜電吸盤保持對象以掩模為例，但是不限于掩模，也可以適用于曝光對象的晶片等。通過檢查晶片的背面附著的粒子，能夠知道保持晶片的靜電吸盤保持機構(gòu)50的污染程度，當污染程度嚴重時，可以進行清洗靜電吸盤保持機構(gòu)50的處理。從而，具有能夠防止粒子附著到后續(xù)載置的晶片的效果。
[0110]雖然說明了本發(fā)明的幾個實施例，但是這些實施例只是例示，而不是限定發(fā)明的范圍。這些新實施例可以用各種形態(tài)來實施，在不脫離發(fā)明的要旨的范圍，可以進行各種省略、置換、變更。這些實施例及其變形包含于發(fā)明的范圍和要旨，并且包含在權(quán)利要求記載的發(fā)明及其等同的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種檢查裝置，其特征在于，具備: 接觸位置取得部，其使用有無存在于保持對象的檢查面的粒子的檢查結(jié)果、和靜電吸盤保持機構(gòu)的凸部分的坐標信息，取得上述凸部分對上述檢查面的接觸位置；和 檢查狀態(tài)判定部，其針對在上述檢查面的與上述凸部分接觸的接觸區(qū)域附著的粒子的尺寸，使用第I判斷基準值來判定是否在容許范圍內(nèi)，針對在上述檢查面的與上述凸部分接觸的區(qū)域以外的非接觸區(qū)域附著的粒子的尺寸，使用比上述第I判斷基準值大的第2判斷基準值來判定是否在容許范圍內(nèi)， 上述檢查裝置檢查在由靜電吸盤保持機構(gòu)的上述凸部分保持的保持對象的與上述凸部分接觸一側(cè)的面有無附著粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查裝置，其特征在于， 上述第2判斷基準值比上述第I判斷基準值大了上述凸部分的高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查裝置，其特征在于， 上述接觸位置取得部具備: 實際接觸區(qū)域確定部，其使用從拍攝上述檢查面而得到的檢查圖像選擇的可推測為上述檢查面與上述凸部分接觸的多個位置的坐標，算出上述多個位置間的間距，在上述間距為上述凸部分的間距的整數(shù)倍的情況下，將上述多個位置作為實際接觸區(qū)域； 接觸區(qū)域推定部，其使用上述實際接觸區(qū)域的坐標和算出的上述間距，推定在上述檢查面內(nèi)與上述凸部分接觸的接觸推定區(qū)域；以及 接觸區(qū)域取得部，其從上述實際接觸區(qū)域和上述接觸推定區(qū)域取得上述接觸區(qū)域，將上述檢查面內(nèi)的上述接觸區(qū)域以外的區(qū)域作為上述非接觸區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢查裝置，其特征在于， 上述實際接觸區(qū)域確定部在上述間距的算出中使用最小自乘法或傅里葉變換來進行運算。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查裝置，其特征在于， 上述接觸位置取得部具備: 實際接觸區(qū)域確定部，其從表示上述檢查面的粒子的位置的粒子圖內(nèi)使用規(guī)則地配置有上述粒子的區(qū)域的上述粒子的坐標，算出上述粒子間的間距，在上述間距為上述凸部分的間距的整數(shù)倍的情況下，將上述規(guī)則的上述粒子的位置作為實際接觸區(qū)域； 接觸區(qū)域推定部，其使用上述粒子的坐標和算出的上述間距，推定在上述檢查面內(nèi)與上述凸部分接觸的接觸推定區(qū)域；以及 接觸區(qū)域取得部，其從上述實際接觸區(qū)域和上述接觸推定區(qū)域取得上述接觸區(qū)域，將上述檢查面內(nèi)的上述接觸區(qū)域以外的區(qū)域作為上述非接觸區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢查裝置，其特征在于， 上述實際接觸區(qū)域確定部在上述間距的算出中使用最小自乘法或傅里葉變換來進行運算。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查裝置，其特征在于， 上述檢查結(jié)果包括在上述檢查面存在的上述粒子的坐標和尺寸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢查裝置，其特征在于， 上述檢查結(jié)果還包括拍攝在上述檢查面存在的上述粒子的位置而得到的檢查圖像。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查裝置，其特征在于， 上述檢查結(jié)果還包括在上述檢查面存在的上述粒子的組成分析結(jié)果， 上述檢查狀態(tài)判定部根據(jù)上述粒子的組成，具有上述接觸區(qū)域的判斷基準值和上述非接觸區(qū)域的判斷基準值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢查裝置，其特征在于， 上述檢查狀態(tài)判定部將上述粒子的組成分類為硬粒子的組成和軟粒子的組成，在判斷對象為上述硬粒子、且附著于上述接觸區(qū)域的情況下，上述粒子的尺寸與第3判斷基準值進行比較來判定是否在容許范圍內(nèi)，在判斷對象為上述硬粒子、且附著于上述非接觸區(qū)域的情況下，上述粒子的尺寸與比上述第3判斷基準值大的第4判斷基準值進行比較來判定是否在容許范圍內(nèi)，在判斷對象為上述軟粒子、且附著于上述接觸區(qū)域的情況下，上述粒子的尺寸與比上述第3判斷基準值大的第5判斷基準值進行比較來判定是否在容許范圍內(nèi)，在判斷對象為上述軟粒子、且附著于上述非接觸區(qū)域的情況下，上述粒子的尺寸與比上述第5判斷基準值大的第6判斷基準值進行比較來判定是否在容許范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查裝置，其特征在于， 上述保持對象是半導體曝光裝置的掩?；蚱毓鈱ο蟮木?br> 12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查裝置，其特征在于， 上述保持對象是EUV曝光裝置的反射型掩模。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查裝置，其特征在于， 還具備檢查部，該檢查部檢查在上述保持對象的檢查面有無存在粒子，并生成上述檢查結(jié)果。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的檢查裝置，其特征在于， 上述檢查部還具有取得檢查圖像的功能，該檢查圖像是拍攝在上述檢查面存在的上述粒子的位置而得到的。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的檢查裝置，其特征在于， 上述檢查部還具有分析在上述檢查面存在的上述粒子的組成的功能。
16.—種檢查方法,其特征在于， 檢查有無存在于保持對象的檢查面的粒子， 使用上述檢查的檢查結(jié)果和靜電吸盤保持機構(gòu)的凸部分的坐標信息，取得上述凸部分對上述檢查面的接觸位置， 針對在上述檢查面的與上述凸部分接觸的接觸區(qū)域附著的粒子的尺寸，使用第I判斷基準值來判定是否在容許范圍內(nèi)，針對在上述檢查面的與上述凸部分接觸的區(qū)域以外的非接觸區(qū)域附著的粒子的尺寸，使用比上述第I判斷基準值大的第2判斷基準值來判定是否在容許范圍內(nèi)， 檢查由靜電吸盤保持機構(gòu)的上述凸部分保持的保持對象的與上述凸部分接觸一側(cè)的面有無附著粒子。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的檢查方法，其特征在于， 上述第2判斷基準值比上述第I判斷基準值大了上述凸部分的高度。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的檢查方法，其特征在于， 上述接觸位置的取得中， 使用從拍攝上述檢查面而得到的檢查圖像選擇的可推測為上述檢查面與上述凸部分接觸的多個位置的坐標，算出上述多個位置間的間距， 在上述間距為上述凸部分的間距的整數(shù)倍的情況下，將上述多個位置作為實際接觸區(qū)域， 使用上述實際接觸區(qū)域的坐標和算出的上述間距，推定在上述檢查面內(nèi)與上述凸部分接觸的接觸推定區(qū)域， 從上述實際接觸區(qū)域和上述接觸推定區(qū)域取得上述接觸區(qū)域，將上述檢查面內(nèi)的上述接觸區(qū)域以外的區(qū)域作為上述非接觸區(qū)域。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的檢查方法，其特征在于， 上述接觸位置的取得中， 從表示上述檢查面的粒子的位置的粒子圖內(nèi)使用規(guī)則地配置有上述粒子的區(qū)域的上述粒子的坐標，算出上述粒子間的間距， 在上述間距為上述凸部分的間距的整數(shù)倍的情況下，將上述規(guī)則的上述粒子的位置作為實際接觸區(qū)域， 使用上述粒子的坐標和算出的上述間距，推定在上述檢查面內(nèi)與上述凸部分接觸的接觸推定區(qū)域， 從上述實際接觸區(qū)域和上述接觸推定區(qū)域取得上述接觸區(qū)域，將上述檢查面內(nèi)的上述接觸區(qū)域以外的區(qū)域作為上述非接觸區(qū)域。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的檢查方法，其特征在于， 在上述檢查中，還分析在上述檢查面存在的上述粒子的組成， 在上述判定中，使用根據(jù)上述粒子的組成而設定的上述接觸區(qū)域的判斷基準值和上述非接觸區(qū)域的判斷基準值，判定可容許的上述粒子的尺寸。
【文檔編號】G03F1/84GK104423147SQ201410012280
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年1月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月27日
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