專利名稱：一種電場控制的反射型磁光開關的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及磁光開關領域，尤其涉及到一種電場控制的反射型磁光開關。
背景技術：
磁光克爾效應是指偏振光從磁性介質表面反射之后，受磁性介質的磁化強度影響，偏振光的偏振方向發(fā)生變化。利用這種反射型的磁光克爾效應能夠做成反射型的磁光開關，能夠調節(jié)偏振光的偏振態(tài)，通過與偏振片的配合實現(xiàn)光的通過與關斷。一般來說，需要用磁場來改變磁性介質的磁化強度，進而改變磁光開關的工作狀態(tài)，但是，磁場的產生往往比較復雜，需要用到電流的電磁感應，也存在著能源浪費的問題。如果直接用電場實現(xiàn)對磁光開關的調控，將是十分有意義的。

實用新型內容本實用新型提供一種電場控制的反射型磁光開關，具有結構簡單、控制精確、節(jié)約能源的優(yōu)點。本實用新型所采取的技術方案為，一種電場控制的反射型磁光開關，包括電極、壓電體、磁性介質、激光源、探測器，其中，壓電體的兩面生長有電極，磁性介質生長于電極上，激光源與探測器位于磁性介質的上方，且激光源與探測器以磁性介質的法線呈鏡面對稱分布。本實用新型的激光源發(fā)射的激光照射到磁性介質上，反射到探測器中。當需要改變磁光開關的工作狀 態(tài)時，在電極上施加電壓，壓電體發(fā)生形變，應力傳遞給磁性介質，使得磁性介質的磁化強度發(fā)生變化，進而調控磁光開關的工作狀態(tài)。本實用新型材料電場控制的結構，具有結構簡單、控制精確、節(jié)約能源的優(yōu)點。

圖1為本實用新型的結構示意圖。圖中:1電極、2壓電體、3磁性介質、4激光、5激光源、6探測器。
具體實施方式
以下結合附圖實施例對本實用新型作進一步詳細描述。圖1為本實用新型的結構示意圖，電極1、壓電體2、磁性介質3、激光4、激光源5、探測器6，其中，壓電體2的兩面生長有電極I，磁性介質3生長于電極I上，激光源5與探測器6位于磁性介質3的上方，且激光源5與探測器6以磁性介質3的法線呈鏡面對稱分布。本實用新型的激光源5發(fā)射的激光4照射到磁性介質3上，反射到探測器6中。當需要改變磁光開關的工作狀態(tài)時，在電極I上施加電壓，壓電體2發(fā)生形變，應力傳遞給磁性介質3，使得磁性介質3的磁化強度發(fā)生變化，進而調控磁光開關的工作狀態(tài)。本實用新型材料電場控制的結構，具有結構簡單、控制精確、節(jié)約能源的優(yōu)點。
權利要求1.一種電場控制的反射型磁光開關，包括電極、壓電體、磁性介質、激光源、探測器，其特征在于:所述的壓電體的兩面生長有電極，磁性介質生長于電極上，激光源與探測器位于磁性介質的上方。
2.根據權利要求1所述的一種電場控制的反射型磁光開關，其特征在于:所述的激光源與探測器以磁性 介質的法線呈鏡面對稱分布。
專利摘要實現(xiàn)電場對磁光開關的調控，是十分有意義的。本實用新型提供一種電場控制的反射型磁光開關，包括電極、壓電體、磁性介質、激光源、探測器，其中，壓電體的兩面生長有電極，磁性介質生長于電極上，激光源與探測器位于磁性介質的上方，且激光源與探測器以磁性介質的法線呈鏡面對稱分布。本實用新型的激光源發(fā)射的激光照射到磁性介質上，反射到探測器中。當需要改變磁光開關的工作狀態(tài)時，在電極上施加電壓，壓電體發(fā)生形變，應力傳遞給磁性介質，使得磁性介質的磁化強度發(fā)生變化，進而調控磁光開關的工作狀態(tài)。本實用新型材料電場控制的結構，具有結構簡單、控制精確、節(jié)約能源的優(yōu)點。
文檔編號G02F1/09GK203149240SQ201320077540
公開日2013年8月21日 申請日期2013年2月18日 優(yōu)先權日2013年2月18日
發(fā)明者胡雨航 申請人:胡雨航