一種陣列基板及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法，屬于顯示領(lǐng)域，其可解決現(xiàn)有技術(shù)中由于有機膜層較厚在有機膜層上開過孔會造成其上方的開口區(qū)域較深，從而導(dǎo)致后續(xù)各個功能層的段差較大，液晶取向不良的問題。本發(fā)明的陣列基板，所述的陣列基板包括設(shè)置在基板上的有機膜層，所述的有機膜層具有第一過孔區(qū)域，在所述的第一過孔區(qū)域的遠離基板的方向上具有開口區(qū)域，所述的開口區(qū)域設(shè)有第一金屬層。由于第一金屬層填充了開口區(qū)域，整個取向?qū)訒陂_口區(qū)域具有較小的段差，更有利于避免液晶取向不良。同時，第一金屬層完全覆蓋下方的第三金屬層，可以使第三金屬層免于裸露在陣列基板的外面、接觸到潮濕的空氣發(fā)生腐蝕。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板制備工藝中，由于有機膜層4較厚(較厚的有機膜的能夠減小電容，降低基板負載，從而降低功耗)，在有機膜層4開設(shè)第一過孔區(qū)域9時，該第一過孔區(qū)域9的深度較大，導(dǎo)致后續(xù)沉積的各功能層的段差較大。例如，第三金屬層6 (例如ITO層)、鈍化層5 (例如PVX層)都造成了較大的段差。同時，第三金屬層6的上方形成了較深的開口區(qū)域11，若后續(xù)工藝在第三金屬層6上涂覆取向?qū)?，整個取向?qū)訒陂_口區(qū)域11具有較大的段差，更易造成液晶取向不良。同時，第三金屬層6裸露在陣列基板的外面、接觸到潮濕的空氣發(fā)生腐蝕。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中由于有機膜層較厚在有機膜層上開過孔會造成上方的開口區(qū)域較深，從而導(dǎo)致后續(xù)各個功能層的段差較大，液晶取向不良的問題，提供一種將上述開口區(qū)域填充的陣列基板。
[0004]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，包括設(shè)置在基板上的功能層，所述的功能層具有第一過孔區(qū)域，在所述的第一過孔區(qū)域的遠離基板的方向上具有開口區(qū)域，其特征在于，所述的開口區(qū)域設(shè)有第一金屬層。
[0005]由于第一金屬層填充了上述的開口區(qū)域，若后續(xù)工藝在上述的第一金屬層上涂覆取向?qū)?，整個取向?qū)訒谏鲜龅拈_口區(qū)域具有較小的段差，更有利于避免液晶取向不良。同時，第一金屬層完全覆蓋下方的第三金屬層，可以使第三金屬層免于裸露在陣列基板的外面、接觸到潮濕的空氣發(fā)生腐蝕。
[0006]優(yōu)選的是，所述的功能層為有機膜層。
[0007]優(yōu)選的是，所述的功能層的第一過孔區(qū)域靠近基板的一側(cè)設(shè)有第二金屬層。
[0008]進一步優(yōu)選的是，所述的第二金屬層為源漏金屬層。
[0009]優(yōu)選的是，所述的第二金屬層和所述的第一金屬層之間設(shè)有第三金屬層，所述的第三金屬層和第二金屬層通過設(shè)置在兩者之間的絕緣層的第二過孔連接。
[0010]優(yōu)選的是，所述的第一金屬層的材料為氧化銦錫、金、銀、銅、鋁、鈦、鉻、鑰、鎘、鎳、鈷、導(dǎo)電合金中的任意一種。
[0011]本發(fā)明的另一個目的是提供一種上述陣列基板的制備方法，包括通過構(gòu)圖工藝在所述的開口區(qū)域形成第一金屬層的步驟。
[0012]優(yōu)選的是，在形成第一金屬層的步驟之前還包括以下步驟:
[0013]S1.通過構(gòu)圖工藝在有機膜層與第二金屬層相對應(yīng)的部分形成第一過孔區(qū)域；
[0014]S2.在有機膜層及第一過孔區(qū)域沉積絕緣層；
[0015]S3.通過構(gòu)圖工藝在絕緣層與第一過孔區(qū)域相對應(yīng)的部分開設(shè)第二過孔；[0016]S4.在絕緣層及第二過孔形成第三金屬層。
[0017]進一步優(yōu)選的是，形成第一金屬層采用負型光刻膠，形成第一過孔區(qū)域采用正型光刻膠，形成第一金屬層和形成第一過孔區(qū)域的步驟中使用同一掩膜板。
[0018]本發(fā)明的陣列基板由于將上述的開口區(qū)域填充，后續(xù)的涂覆取向?qū)訒r，取向?qū)诱w段差得到降低，能將避免造成取向?qū)拥囊壕∠虿涣?。同時，第一金屬層完全覆蓋下方的第三金屬層，可以使第三金屬層免于裸露在陣列基板的外面、接觸到潮濕的空氣發(fā)生腐蝕。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的截面示意圖。
[0020]圖2為本發(fā)明實施例1中具有第一金屬層的陣列基板的截面示意圖。
[0021]圖3為本發(fā)明實施例2中形成了絕緣層和第二金屬層的陣列基板的截面示意圖。
[0022]圖4為本發(fā)明實施例2中形成了第一過孔區(qū)域的陣列基板的截面示意圖。
[0023]圖5為本發(fā)明實施例2中形成了第二過孔的陣列基板的截面示意圖。
[0024]圖6為本發(fā)明實施例2中形成了第三金屬層的陣列基板的截面示意圖。
[0025]圖7為本發(fā)明實施例2中形成了第一金屬層的陣列基板的截面示意圖。
[0026]其中:1.基板；2.絕緣層；3.第二金屬層；4.有機膜層；5.鈍化層；6.第三金屬層；7.第一金屬層；8.掩膜板；9.第一過孔區(qū)域；10.第二過孔；11.開口區(qū)域。
【具體實施方式】
[0027]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0028]實施例1
[0029]如圖2所示，本實施例提供一種陣列基板，包括基板1，和基板I上設(shè)置的絕緣層2，在絕緣層2上設(shè)置圖形化的第二金屬層3，第二金屬層3設(shè)置在有機膜層4的第一過孔區(qū)域9 ;接著依次設(shè)置圖形化的鈍化層5、圖形化的第三金屬層6，第二金屬層3通過鈍化層5的位于第一過孔區(qū)域9內(nèi)的第二過孔10和第三金屬層6連接；第三金屬層6位于第一過孔區(qū)域9內(nèi)的遠離基板I的方向上具有開口區(qū)域11 (圖中與第一金屬層7重合)，開口區(qū)域11內(nèi)設(shè)有圖形化的第一金屬層7。
[0030]由于第一金屬層7填充了開口區(qū)域11，若后續(xù)工藝在第一金屬層7上涂覆取向?qū)樱麄€取向?qū)訒陂_口區(qū)域11具有較小的段差，更有利于避免液晶取向不良。
[0031]如圖2所示，優(yōu)選的，第二金屬層3為源漏金屬層；優(yōu)選的，第一金屬層7的材料為氧化銦錫、金、銀、銅、鋁、鈦、鉻、鑰、鎘、鎳、鈷、導(dǎo)電合金中的任意一種。第一金屬層7完全覆蓋下方的第三金屬層6，可以使第三金屬層6免于裸露在陣列基板的外面、接觸到潮濕的空氣發(fā)生腐蝕。
[0032]實施例2
[0033]如圖3-7所示，本實施例提供一種上述陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0034]A.如圖3所示，在基板I上依次沉積絕緣層2和第二金屬層3，沉積方法是現(xiàn)有技術(shù)范疇，例如，可以采用氣相沉積法?；錓可以玻璃基板、塑料基板等；絕緣層2的材料可以是二氧化硅或氮化硅；第二金屬層3可以是源漏金屬層，源漏金屬層的材料選擇為現(xiàn)有技術(shù)范疇。接著對第二金屬層3進行圖形化，圖形化工藝包括掩膜曝光、顯影、刻蝕等步驟，是現(xiàn)有技術(shù)的范疇，在此不再一一贅述。
[0035]B.如圖4所示，在基板I上形成有機膜層4，鋪滿整個基板I。有機膜層4的材料為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的材料，形成方法可以旋涂、噴涂等。有機膜層4可以防止上下兩層導(dǎo)電層串擾等；但有機膜層4的厚度比采用沉積方法制備的其它功能層的厚度較大。將有機膜層4與第一金屬層7相對應(yīng)的部分通過圖形化工藝形成第一過孔區(qū)域9。優(yōu)選的，有機膜層4的圖形化工藝中采用正型光刻膠。
[0036]C.如圖5所示，接著在有機膜層4和第一過孔區(qū)域9沉積鈍化層5，鈍化層5的制備方法可以與絕緣層2的制備方法相同。接著對鈍化層5進行圖形化，在鈍化層5與第一過孔區(qū)域9相對應(yīng)的部分開設(shè)第二過孔10。其中，圖形化工藝包括掩膜曝光、顯影、刻蝕等步驟，是現(xiàn)有技術(shù)的范疇，在此不再一一贅述。
[0037]D.如圖6所不,在鈍化層5及第二過孔10區(qū)域沉積第三金屬層6,第三金屬層6的制備方法可以與第二金屬層3的制備方法相同。
[0038]E.如圖7所不,在第二金屬層3上沉積第一金屬層7,其中，第一金屬層7的制備方法可以與第二金屬層3的制備方法相同。優(yōu)選的，圖形化工藝形成第一金屬層7采用負型光刻膠，圖形化工藝形成第一金屬層7采用的掩膜板8可以是步驟B中的掩膜板8。采用相同掩膜8更能簡化工藝，節(jié)省成本。
[0039]可以理解的是，本發(fā)明的功能層也可以是陣列基板中任意的一層，只要該功能層比較厚，在該功能層開過孔時，形成的開口區(qū)域比較深，影響到后續(xù)的功能層都屬于本發(fā)明的保護范圍；本發(fā)明所述的“填充”是指只要將上述的開口區(qū)域的深度降低，不影響后續(xù)功能層的使用都屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0040]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括設(shè)置在基板上的功能層，所述的功能層具有第一過孔區(qū)域，在所述的第一過孔區(qū)域的遠離基板的方向上具有開口區(qū)域，其特征在于，所述的開口區(qū)域設(shè)有第一金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述的功能層為有機膜層。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述的功能層的第一過孔區(qū)域靠近基板的一側(cè)設(shè)有第二金屬層。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述的第二金屬層為源漏金屬層。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述的第二金屬層和所述的第一金屬層之間設(shè)有第三金屬層，所述的第三金屬層和第二金屬層通過設(shè)置在兩者之間的絕緣層的第二過孔連接。
6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述的第一金屬層的材料為氧化銦錫、金、銀、銅、招、鈦、鉻、鑰、鎘、鎳、鈷、導(dǎo)電合金中的任意一種。
7.—種如權(quán)利要求1-6任一所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括通過構(gòu)圖工藝在所述的開口區(qū)域形成第一金屬層的步驟。
8.—種如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,在形成第一金屬層的步驟之前還包括以下步驟: 51.通過構(gòu)圖工藝在有機膜層與第二金屬層相對應(yīng)的部分形成第一過孔區(qū)域； 52.在有機膜層及第一過孔區(qū)域沉積絕緣層； 53.通過構(gòu)圖工藝在絕緣層與第一過孔區(qū)域相對應(yīng)的部分開設(shè)第二過孔； 54.在絕緣層及第二過孔形成第三金屬層。
9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，形成第一金屬層采用負型光刻膠，形成第一過孔區(qū)域采用正型光刻膠，形成第一金屬層和形成第一過孔區(qū)域的步驟中使用同一掩膜板。
【文檔編號】G02F1/1333GK103744213SQ201310736155
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月25日
【發(fā)明者】木素真, 胡明 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司