一種基板及其信號線的標(biāo)注方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示器領(lǐng)域，具體涉及一種基板及其信號線的標(biāo)注方法。所述基板包括透明襯底以及形成在所述襯底上的多條信號線，還包括位于所述襯底上的多個標(biāo)記，所述多個標(biāo)記分別與所述多條信號線一一對應(yīng)，用于標(biāo)識相對應(yīng)的信號線，其中至少包括相鄰兩個標(biāo)記中的一個為正向圖案標(biāo)記，另一個為反向圖案標(biāo)記。該基板能夠解決讀取基板中信號線的標(biāo)記時容易發(fā)生錯誤的問題。
【專利說明】一種基板及其信號線的標(biāo)注方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器領(lǐng)域，具體涉及一種基板及其信號線的標(biāo)注方法。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示裝置中的基板通常上設(shè)置有信號線，例如液晶顯示裝置中的薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor, TFT)陣列基板上設(shè)置有數(shù)據(jù)線和掃描線。通常需要為基板上的信號線標(biāo)注標(biāo)記即為信號線編上數(shù)字序號，以便在液晶顯示裝置的生成過程中對信號線進行辨識、以及在后續(xù)工程檢測中準(zhǔn)確定位各個像素點。
[0003]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中基板上標(biāo)記的俯視示意圖。如圖1所示，基板包括透明襯底、形成在襯底上的多條信號線10、以及與多條信號線10—一對應(yīng)設(shè)置的多個標(biāo)記11，例如圖中所示的數(shù)字序號“1233”、“1234”、“1235”和“1236”，用于標(biāo)識相對應(yīng)的信號線。
[0004]圖2和圖3分別示出了基板處于陣列工程制作時和成盒工程制作時基板上標(biāo)記的示意圖。以標(biāo)記11中的數(shù)字序號“1235”為例，參考圖2，在基板處于陣列工程制作時，基板被放置為使得其上的標(biāo)記朝上，人眼從上往下觀察數(shù)字序號“1235”時看到的是正向圖案標(biāo)記“ 1235”，然而，參考圖3，在基板處于成盒工程制作時，基板被上下顛倒放置，其上的標(biāo)記
朝下，人眼從上往下觀察數(shù)字序號“1235”時看到的是反向圖案標(biāo)記“珊”，即當(dāng)基板處
于成盒工程時，人眼看到的標(biāo)記11是上下顛倒排列的圖形，這造成了對標(biāo)記的辨識困難，進而影響對該標(biāo)記對應(yīng)的信號線的辨識。圖1的現(xiàn)有技術(shù)中基板上的其他標(biāo)記如“1233”、“ 1234”和“ 1236”以及各自對應(yīng)的信號線在辨識時也相同的困難，容易發(fā)生辨認錯誤，進而出錯。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實施例提出一種基板及其信號線的標(biāo)注方法，解決讀取基板中信號線的標(biāo)記時容易發(fā)生錯誤的問題，提高基板相關(guān)的工作效率。
[0006]一方面，本發(fā)明實施例公開了一種基板，包括透明襯底以及形成在所述襯底上的多條信號線，其中，所述基板還包括位于所述襯底上的多個標(biāo)記，所述多個標(biāo)記分別與所述多條信號線一一對應(yīng)，用于標(biāo)識相對應(yīng)的信號線，其中至少包括相鄰兩個標(biāo)記中的一個為正向圖案標(biāo)記，另一個為反向圖案標(biāo)記。
[0007]另一方面，本發(fā)明實施例還公開了一種基板信號線的標(biāo)注方法，包括透明襯底以及形成在所述襯底上的多條信號線，包括:
[0008]在所述透明襯底上形成多個標(biāo)記，所述多個標(biāo)記分別與所述多條信號線一一對應(yīng)，用于標(biāo)識相對應(yīng)的信號線，其中至少包括相鄰兩個標(biāo)記中的一個為正向圖案標(biāo)記，另一個為反向圖案標(biāo)記。
[0009]本發(fā)明實施例基板上信號線的對應(yīng)位置包括正向圖案標(biāo)記和反向圖案標(biāo)記,人眼由上往下觀察能夠看清正向圖案標(biāo)記，從而能夠通過正向圖案標(biāo)記辨識信號線。當(dāng)基板被顛倒放置，人眼從上往下觀察能夠看清反向圖案標(biāo)記，從而能夠通過反向圖案標(biāo)記辨識信號線。因此，無論基板處于陣列工程制作時還是成盒工程制作時，總能夠借助于正向圖案標(biāo)記或反向標(biāo)記圖案清楚地辨識信號線，從而提高工作效率和準(zhǔn)確率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中基板上標(biāo)記的俯視不意圖；
[0011]圖2是基板處于陣列工程制作時基板上標(biāo)記的示意圖；
[0012]圖3是基板成盒工程制作時基板上標(biāo)記的不意圖；
[0013]圖4是本發(fā)明一實施例的基板的俯視不意圖；
[0014]圖5是本發(fā)明一實施例的基板的側(cè)視示意圖；
[0015]圖6是本發(fā)明一實施例的基板的標(biāo)記示意圖；
[0016]圖7是本發(fā)明一實施例的基板的不意圖；[0017]圖8是本發(fā)明一實施例的底柵結(jié)構(gòu)TFT陣列基板的標(biāo)記示意圖；
[0018]圖9是本發(fā)明一實施例的底柵結(jié)構(gòu)TFT陣列基板的標(biāo)記示意圖；
[0019]圖10是本發(fā)明一實施例中基板信號線的標(biāo)注方法的實現(xiàn)流程圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部。
[0021]圖4和圖5分別示出了本發(fā)明一實施例的基板上標(biāo)記的俯視示意圖和側(cè)視示意圖。如圖4所示，本實施例的基板包括透明襯底以及形成在所述襯底上的多條信號線10，還包括位于所述襯底上的多個標(biāo)記111和112，所述多個標(biāo)記分別與所述多條信號線一一對應(yīng)，用于標(biāo)識相對應(yīng)的信號線，其中，至少包括相鄰兩個標(biāo)記中的一個為正向圖案標(biāo)記111，例如“1233”和“1235”，另一個為反向圖案標(biāo)記112，例如“ T53寸”和“ Τ33Θ ”。需要說
明的是，這里的一一對應(yīng)，是指每一根信號線10都會用一個數(shù)字序號來標(biāo)注，數(shù)字序號與信號線之間--對應(yīng)。
[0022]在基板處于陣列工程制作時，人眼由上往下觀察數(shù)字序號“1233”、“ Π3寸”、“1235”和“ Τ33Θ ”時看到的圖形依次為“1233”、“ T33讀”、“1235”和“ Τ33Θ ”，即此時能夠清楚辨識信號線的正向圖案標(biāo)記111 (包括“1233”和“1235”)。相應(yīng)的，在基板處于成盒工程制作時，基板被顛倒放置，人眼從上往下觀察“1233”、“ T53寸”、“1235”和
“ Τ33Θ ”時看到的圖形依次為“ T533 ”、“1234”、“ T532 ”和“1236”，即此時能夠清
楚辨識信號線的反向圖案標(biāo)記112 (包括“1234”和“1236”)。因此，本實施例中由于標(biāo)記中既包含正向圖案標(biāo)記和反向圖案標(biāo)記，不論基板處于陣列工程制作時還是處于成盒工程制作時，均能夠通過正向圖案標(biāo)記或反向圖案標(biāo)記正確辨識信號線，從而避免辨認錯誤引起的問題。
[0023]請注意，圖4的標(biāo)記圖為一種示例，是數(shù)字標(biāo)記。另外，所述標(biāo)記也可以是字母、字母加數(shù)字等等，本實施例中對標(biāo)記的具體形式不作限定，只要是用于識別的標(biāo)記都可以。進一步，圖4中示出的為對應(yīng)于由左到右所述標(biāo)記從小到大對所述信號線進行標(biāo)記的情況，所述標(biāo)記也可以從大到小對所述信號線進行標(biāo)記。對基板進行相關(guān)操作時，通過從大到小或從小到大的依次排列的標(biāo)記能夠根據(jù)清晰讀取的數(shù)字序號獲得不能清晰讀取的數(shù)字序號，從而辨識基板上的各個標(biāo)識所對應(yīng)的信號線。例如，如圖4所示，基板處于陣列工程制作且人眼由上往下觀察時，能夠清晰讀取信號線101和信號線103所對應(yīng)的數(shù)字序號分別為“1233”和“1235”。由于本例中數(shù)字序號由左至右為從小到大排列，則能夠根據(jù)信號線101和信號線103所對應(yīng)的數(shù)字序號知道信號線102和信號線104的數(shù)字序號依次為“1234”和“1236”。當(dāng)然，當(dāng)特定情況下，也可以以一種約定或協(xié)議的方式，對標(biāo)注這些標(biāo)記的規(guī)則進行定義，在實際操作中按照此種定義或者約定的規(guī)則進行標(biāo)注，在此也不限定。
[0024]圖6是本發(fā)明本實施例提供的基板的標(biāo)記不意圖。請注意，圖6中的標(biāo)記圖僅為一種示例,且在圖6中省略了信號線。其中,所述正向圖案標(biāo)記111和所述反向圖案標(biāo)記112可以位于所述基板的同一層，當(dāng)所述基板是TFT基板時，可以具體的位于所述TFT陣列基板中的TFT開關(guān)的柵極層13。需要特別說明的是，在本實施例中的所述正向圖案標(biāo)記111和所述反向圖案標(biāo)記112還可以與TFT開關(guān)的源漏極14位于同一層。當(dāng)基板為TFT陣列基板時，所述信號線可以為數(shù)據(jù)線或者掃描線，基板上正向圖案標(biāo)記111包括正向數(shù)據(jù)線標(biāo)記或正向掃描線標(biāo)記，反向圖案標(biāo)記112包括反向數(shù)據(jù)線標(biāo)記或反向掃描線標(biāo)記。如前所述，當(dāng)正向圖案標(biāo)記111和反向圖案標(biāo)記112位于所述TFT陣列基板上同一層時,優(yōu)選的，它們可以與所述TFT開關(guān)的柵極或源漏極位于同一層，從而能夠在形成TFT開關(guān)的柵極或者源漏極的同時形成正向圖案標(biāo)記111和反向圖案標(biāo)記112，以簡化工藝步驟。需要特別說明的是，圖6中僅以底柵結(jié)構(gòu)的TFT作為示例，但不應(yīng)以圖6為限。本實施例中正向圖案標(biāo)記111和反向圖案標(biāo)記112位于TFT陣列基板的同一層時，也可以位于不同于柵極和源漏極所在的層的其它層上。
[0025]另外，本實施例中正向圖案標(biāo)記111和反向圖案標(biāo)記112也可以位于所述基板的不同層，例如，當(dāng)所述基板為TFT陣列基板時，所述正向圖案標(biāo)記111與所述TFT開關(guān)的柵極同時形成，也即與所述柵極位于同一層，所述反向圖案標(biāo)記112與所述TFT開關(guān)的源漏極同時形成，也即與所述源漏極位于同一層。此外可選的，正向圖案標(biāo)記111和反向圖案標(biāo)記112也可以分別形成在不同于柵極和源漏極所在的層的其它不同層中。可選的，所述正向圖案標(biāo)記111和所述反向圖案標(biāo)記112為金屬材料。
[0026]圖7是本發(fā)明一實施例的基板的示意圖。所述基板還包括設(shè)置在所述正向圖案標(biāo)記111下方且與所述正向圖案標(biāo)記111電絕緣的正向阻擋層113以及設(shè)置在所述反向圖案標(biāo)記112上方且與所述反向圖案標(biāo)記112電絕緣的反向阻擋層114，所述正向阻擋層113和/或所述反向阻擋層114優(yōu)選的可以為金屬層。正向阻擋層113用于當(dāng)人眼從第一方向觀察時，即人眼由下向上觀察時，對所述正向圖案標(biāo)記111進行阻擋，從而不能看見正向圖案標(biāo)記111,但能夠辨識清楚反向圖案標(biāo)記112,使得能夠通過反向圖案標(biāo)記112正確且清晰的辨識信號線。所述反向阻擋層114用于當(dāng)從與第一方向相反的第二方向觀察時，即人眼由上往下觀察時，對所述反向圖案標(biāo)記112進行阻擋，從而不能看見反向圖案標(biāo)記112，但能夠清晰的辨識正向圖案標(biāo)記111。需要說明的是，在本發(fā)明實施例中不論所述正向圖案標(biāo)記111和所述反向圖案標(biāo)記112具體位于哪一層，正向阻擋層113需要位于所述正向圖案標(biāo)記111的下方，所述反向阻擋層114需要位于所述反向圖案標(biāo)記112的上方。[0027]圖8是本實施例的底柵結(jié)構(gòu)TFT陣列基板的標(biāo)記示意圖。所述基板12為TFT陣列基板，所述TFT陣列基板中TFT開關(guān)具有柵極層13和源漏極層14，由于所述TFT開關(guān)為底柵結(jié)構(gòu)，所述柵極層13位于所述源漏極層14的下方。當(dāng)正向圖案標(biāo)記111和反向圖案標(biāo)記112位于同一層時，由于正向阻擋層113需要位于所述正向圖案標(biāo)記111的下方，反向阻擋層114需要位于所述反向圖案標(biāo)記112的上方，可選的，所述正向圖案標(biāo)記111和所述反向圖案標(biāo)記112與所述TFT開關(guān)的源漏極14形成在同一層，所述正向阻擋層113與所述TFT開關(guān)的柵極13形成在同一層，且正向阻擋層113需要與柵極(圖中未示出)電絕緣。所述反向阻擋層114形成在所述反向圖案標(biāo)記112上方，并且與所述反向圖案標(biāo)記112電絕緣。圖8中都以各個絕緣層進行電絕緣?？蛇x的，正向阻擋層113和反向阻擋層114為金屬層。另外，所述TFT陣列基板上的所述正向圖案標(biāo)記和所述反向圖案標(biāo)記的個數(shù)可以與所述TFT陣列基板中被標(biāo)記的信號線的個數(shù)相一致。
[0028]當(dāng)然，所述正向圖案標(biāo)記111和所述反向圖案標(biāo)記112可以在所述TFT陣列基板中位于不同層。如圖9所示，可選的，所述正向圖案標(biāo)記111和所述反向阻擋層114與所述TFT開關(guān)的源漏極14形成于同一層(三者之間需要電絕緣)，所述正向阻擋層113和所述反向圖案標(biāo)記112與所述TFT開關(guān)的柵極(圖9中未示出)形成在同一層(三者之間需要電絕緣)。由于所述正向圖案標(biāo)記111、所述反向圖案標(biāo)記112、所述正向阻擋層113和所述反向阻擋層114均可以分別與所述TFT開關(guān)的源漏極(圖9中未示出)或者柵極(圖9中未示出)同時形成，使得有效簡化工業(yè)步驟。
[0029]可選的，所述TFT開關(guān)為頂柵結(jié)構(gòu)。頂柵結(jié)構(gòu)的TFT開關(guān)具有兩種結(jié)構(gòu)，一種是柵極層位于源漏極層的下方，一種為柵極層位于源漏極層的上方。當(dāng)正向圖案標(biāo)記和反向圖案標(biāo)記位于同一層時，可選的，它們形成在所述TFT開關(guān)中所述柵極和所述源漏極中距離所述襯底較遠的一層中，且所述正向阻擋層形成在所述TFT開關(guān)中所述柵極和所述源漏極中距離所述襯底較近的一層中，所述反向阻擋層形成在所述反向圖案標(biāo)記上方，并與所述反向圖案標(biāo)記電絕緣。
[0030]可選的，當(dāng)所述TFT開關(guān)為頂柵結(jié)構(gòu)，并且正向圖案標(biāo)記和反向圖案標(biāo)記也位于不同層時，所述正向圖案標(biāo)記和所述反向阻擋層形成在所述TFT開關(guān)中所述柵極和所述源漏極中距離所述襯底較遠的一層中，所述正向阻擋層和所述反向圖案標(biāo)記形成在所述TFT開關(guān)中所述柵極和所述源漏極中距離所述襯底較近的一層中。
[0031 ] 在本實施例中的所述正向圖案標(biāo)記和所述反向圖案標(biāo)記分別用于從第二方向和第一方向正確辨識基板上的信號線。所述正向阻擋層和所述反向阻擋層分別用于從第一方向或第二方向觀察時，阻擋所述正向圖案標(biāo)記和所述反向圖案標(biāo)記。當(dāng)所述基板為TFT陣列基板時并且所述TFT陣列基板中TFT開關(guān)的結(jié)構(gòu)不同時，為了對所述基板上數(shù)據(jù)線或掃描線進行有效標(biāo)識，分別當(dāng)，所述正向圖案標(biāo)記、所述反向圖案標(biāo)記、所述正向阻擋層和所述反向阻擋層位于不同的位置，從而使得能夠清晰讀取所述正向圖案標(biāo)記和所述反向圖案標(biāo)記，以辨識信號線。
[0032]圖10是本發(fā)明一實施例中基板信號線的標(biāo)注方法的實現(xiàn)流程圖。如圖10所示，所述方法包括:
[0033]步驟101、在所述透明襯底上形成多條信號線。
[0034]通過涂布光刻膠、曝光、顯影等光刻工藝在所述透明襯底上形成多條信號線，例如在TFT陣列基板上形成多條數(shù)據(jù)線或多條掃描線。
[0035]步驟102、通過光刻工藝在所述透明襯底上形成多個標(biāo)記，所述多個標(biāo)記分別與所述多條信號線一一對應(yīng)，用于標(biāo)識相對應(yīng)的信號線，其中至少包括相鄰兩個標(biāo)記中的一個為正向圖案標(biāo)記，另一個為反向圖案標(biāo)記。
[0036]可選的，本實施例在所述透明基板上依次從大到小或從小到大形成所述信號線的標(biāo)記。即正向排列保留圖案或反向排列保留圖案可以依次從大到小或從小到大排列。
[0037]所述正向圖案標(biāo)記和所述反向圖案標(biāo)記形成在同一層或者不同層，優(yōu)選的，所述正向圖案標(biāo)記和所述反向圖案標(biāo)記間隔排列。
[0038]優(yōu)選的，所述正向圖案標(biāo)記和/或反向圖案標(biāo)記也可以在形成所述信號線(包括數(shù)據(jù)線或者柵極線)的同時形成。示例性的，所述基板為TFT陣列基板時，可以通過光刻工藝在形成所述TFT開關(guān)的柵極或源漏極的同時形成所述正向圖案標(biāo)記和/或所述反向圖案標(biāo)記。需要說明的是，也可以在TFT陣列基板中其他任意金屬層上同時形成正向圖案標(biāo)記和反向圖案標(biāo)記。
[0039]進一步的，所述基板信號線的標(biāo)注方法還可以包括在所述正向圖案標(biāo)記前先形成正向阻擋層。具體的，在所述透明基板上通過光刻工藝先形成正向阻擋層，后在所述正向阻擋層的上方形成正向圖案標(biāo)記，其中，所述正向阻擋層與所述正向圖案標(biāo)記電絕緣(例如可以通過一層覆蓋所述正向阻擋層的絕緣層，并在所述絕緣層上形成所述正向圖案標(biāo)記來實現(xiàn)兩者電絕緣)，并且當(dāng)從第一方向觀察時所述正向阻擋層阻擋所述正向圖案標(biāo)記。
[0040]可選的，所述基板信號線的標(biāo)注方法也可以包括在所述反向圖案標(biāo)記后再形成反向阻擋層。具體的，在所述透明基板上通過光刻工藝先形成反向圖案標(biāo)記，然后在所述反向圖案標(biāo)記上方形成反向阻擋層，其中，所述反向阻擋層與所述反向圖案標(biāo)記電絕緣(例如可以通過一層覆蓋所述反向圖案標(biāo)記的絕緣層，并在所述絕緣層上形成所述反向阻擋層來實現(xiàn)兩者電絕緣)，并且當(dāng)從第二方向觀察時所述反向阻擋層阻擋所述反向圖案標(biāo)記。
[0041]優(yōu)選的，更進一步的，本實施例所述的基板信號線的標(biāo)注方法還可以與本發(fā)明前述實施例所述的基板相對應(yīng)。例如示例性的，所述基板為TFT陣列基板，并且所述TFT陣列基板中的TFT開關(guān)為底柵結(jié)構(gòu)，首先通過光刻工藝在形成TFT開關(guān)的柵極的同時形成正向阻擋層；其次在形成TFT開關(guān)的源漏極的同時形成正向圖案標(biāo)記和反向圖案標(biāo)記，然后，在所述TFT開關(guān)的源漏極的上方形成反向阻擋層。
[0042]又如示例性的，所述基板為TFT陣列基板，并且所述TFT陣列基板中的TFT開關(guān)為底柵結(jié)構(gòu)，首先通過光刻工藝形成所述TFT開關(guān)的柵極的同時形成所述正向阻擋層和所述反向圖案標(biāo)記，然后通過光刻工藝形成所述TFT開關(guān)的源漏極的同時形成正向圖案標(biāo)記和反向阻擋層。
[0043]需要說明的是，當(dāng)TFT陣列基板中TFT開關(guān)為頂柵結(jié)構(gòu)時，本領(lǐng)域技術(shù)人員只需區(qū)分柵極和源漏極的相對位置即可以采用與底柵結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板信號線的標(biāo)注方法相類似的標(biāo)注方法完成標(biāo)識，在此不再贅述。
[0044]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【權(quán)利要求】
1.一種基板，包括透明襯底以及形成在所述襯底上的多條信號線，其特征在于， 所述基板還包括位于所述襯底上的多個標(biāo)記，所述多個標(biāo)記分別與所述多條信號線一一對應(yīng)，用于標(biāo)識相對應(yīng)的信號線，其中至少包括相鄰兩個標(biāo)記中的一個為正向圖案標(biāo)記，另一個為反向圖案標(biāo)記。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于， 所述標(biāo)記從大到小對所述信號線進行標(biāo)記，或者從小到大對所述信號線進行標(biāo)記。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于， 所述基板還包括設(shè)置在所述正向圖案標(biāo)記下方且與所述正向圖案標(biāo)記電絕緣的正向阻擋層以及設(shè)置在所述反向圖案標(biāo)記上方且與所述反向圖案標(biāo)記電絕緣的反向阻擋層， 其中，所述正向阻擋層用于當(dāng)從第一方向觀察時對所述正向圖案標(biāo)記進行阻擋，所述反向阻擋層用于當(dāng)從與第一方向相反的第二方向觀察時對所述反向圖案標(biāo)記進行阻擋。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板，其特征在于， 所述正向圖案標(biāo)記和/或反向圖案標(biāo)記為金屬，所述正向阻擋層和/或所述反向阻擋層為金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板，其特征在于， 所述正向圖案標(biāo)記和所述反向圖案標(biāo)記位于同一層或者不同層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板，所述基板為TFT陣列基板，所述正向圖案標(biāo)記和所述反向圖案標(biāo)記與所述TFT開關(guān)的柵極或源漏極位于同一層。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板，其特征在于， 所述基板為TFT陣列基板，當(dāng)所述TFT陣列基板中的TFT開關(guān)為底柵結(jié)構(gòu)，所述正向圖案標(biāo)記和所述反向圖案標(biāo)記與所述TFT開關(guān)的源漏極形成在同一層，所述正向阻擋層與所述TFT開關(guān)的柵極形成在同一層，所述反向阻擋層形成在所述反向圖案標(biāo)記上方，并與所述反向圖案標(biāo)記電絕緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板，其特征在于， 所述基板為TFT陣列基板，當(dāng)所述TFT陣列基板中的TFT開關(guān)為底柵結(jié)構(gòu)，所述正向圖案標(biāo)記和所述反向阻擋層與所述TFT開關(guān)的源漏極形成于同一層，所述正向阻擋層和所述反向圖案標(biāo)記與所述TFT開關(guān)的柵極形成在同一層。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板，其特征在于， 所述基板為TFT陣列基板，當(dāng)所述TFT陣列基板中的TFT開關(guān)為頂柵結(jié)構(gòu)，所述正向圖案標(biāo)記和所述反向圖案標(biāo)記形成在所述TFT開關(guān)中所述柵極和所述源漏極中距離所述襯底較遠的一層中，且所述正向阻擋層形成在所述TFT開關(guān)中所述柵極和所述源漏極中距離所述襯底較近的一層中，所述反向阻擋層形成在所述反向圖案標(biāo)記上方，并與所述反向圖案標(biāo)記電絕緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板，其特征在于， 所述基板為TFT陣列基板，當(dāng)所述TFT陣列基板中的TFT開關(guān)為頂柵結(jié)構(gòu)，所述正向圖案標(biāo)記和所述反向阻擋層形成在所述TFT開關(guān)中所述柵極和所述源漏極中距離所述襯底較遠的一層中，所述正向阻擋層和所述反向圖案標(biāo)記形成在所述TFT開關(guān)中所述柵極和所述源漏極中距離所述襯底較近的一層中。
11.一種基板信號線的標(biāo)注方法，包括透明襯底以及形成在所述襯底上的多條信號線，其特征在于，包括: 在所述透明襯底上形成多個標(biāo)記，所述多個標(biāo)記分別與所述多條信號線一一對應(yīng)，用于標(biāo)識相對應(yīng)的信號線，其中至少包括相鄰兩個標(biāo)記中的一個為正向圖案標(biāo)記，另一個為反向圖案標(biāo)記。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于， 所述正向圖案標(biāo)記和所述反向圖案標(biāo)記形成在同一層或者不同層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于， 所述基板為TFT陣列基板，在形成所述TFT開關(guān)的柵極或源漏極時，在同一層中形成所述正向圖案標(biāo)記和所述反向圖案標(biāo)記。
14.根據(jù)權(quán)利要 求11或12所述的方法，其特征在于，還包括: 在所述透明基板上先形成正向阻擋層，后在所述正向阻擋層的上方形成正向圖案標(biāo)記，其中，所述正向阻擋層與所述正向圖案標(biāo)記電絕緣，并且當(dāng)從第一方向觀察時所述正向阻擋層阻擋所述正向圖案標(biāo)記。
15.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其特征在于，還包括: 在所述透明基板上先形成反向圖案標(biāo)記，后在所述反向圖案標(biāo)記上方形成反向阻擋層，其中，所述反向阻擋層與所述反向圖案標(biāo)記電絕緣并且當(dāng)從第二方向觀察時所述反向阻擋層阻擋所述反向圖案標(biāo)記。
【文檔編號】G02F1/13GK103926716SQ201310724480
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月24日
【發(fā)明者】徐偉, 曹兆鏗, 賈彥, 譚湘民, 竺笛, 莫英華, 單文澤 申請人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司