中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明所設(shè)計(jì)的一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，該中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片，其中心波長(zhǎng)4580±40nm，其在航空尾氣氣體檢測(cè)過(guò)程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度。該濾光片的峰值透過(guò)率Tp≥80％、帶寬=140±20nm，400～12000nm（除通帶外），Tavg<0.5%。
【專利說(shuō)明】中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片領(lǐng)域，尤其是中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片。
【背景技術(shù)】
[0002]在自然界，任何物體在絕對(duì)零度(-273度)以上，都有紅外譜線發(fā)出，而每種物質(zhì)都有其特殊的發(fā)射或吸收特征峰。帶通紅外濾光片過(guò)濾、截止可見(jiàn)光同時(shí)允許特定的紅外線通過(guò)。利用帶通紅外濾光片的這種允許物體的特征紅外譜線透過(guò)的特性，可以探測(cè)出特定物質(zhì)的存在，廣泛應(yīng)用于安防、環(huán)保、工業(yè)、科研等。帶通紅外濾光片的質(zhì)量直接影響探測(cè)的精度和靈敏度。目前的N0紅外光學(xué)分析儀器應(yīng)用廣泛，檢測(cè)氣體含量具體有實(shí)時(shí)、連續(xù)和可靠的特點(diǎn)，但是目標(biāo)氣體中通過(guò)N0含量低，紅外特征吸收峰值較弱，檢測(cè)困難，因此目前國(guó)內(nèi)較多采用化學(xué)法和薄膜熱敏探測(cè)法，存在檢測(cè)器壽命短或成本高等問(wèn)題，因此既要降低成本，又要提高探測(cè)精度在N0紅外光學(xué)分析儀器中已經(jīng)相當(dāng)重要。就目前用于N0探測(cè)中的濾光片，檢測(cè)精度不高、透過(guò)率和信噪比低，精度差，有時(shí)候出現(xiàn)誤測(cè)的現(xiàn)象，不能滿足市場(chǎng)發(fā)展的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:65nm厚度的Ge層、216nm厚度的SiO層、139nm厚度的Ge層、292nm厚度的SiO層、81nm厚度的Ge層、300nm厚度的SiO層、145nm厚度的Ge層、114nm厚度的SiO層、134nm厚度的Ge層、454nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層、220nm厚度的SiO層、208nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層、567nm厚度的SiO層、206nm厚度的Ge層、248nm厚度的SiO層、222nm厚度的Ge層、452nm厚度的SiO層、256nm厚度的Ge層、282nm厚度的SiO層、119nm厚度的Ge層、635nm厚度的SiO層、293nm厚度的Ge層、1264nm厚度的SiO層、273nm厚度的Ge層、1109nm厚度的SiO層、414nm厚度的Ge層和526nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、1292nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、2583nm厚度的SiO層、409nm厚度的Ge層、400nm厚度的SiO層、155nm厚度的Ge層和1096nm厚度的SiO層。
[0005]上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在10nm左右。
[0006]本發(fā)明所得到的中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片，其中心波長(zhǎng)4580±40nm，其在航空尾氣氣體檢測(cè)過(guò)程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度。該濾光片的峰值透過(guò)率Tp≤80%、帶寬=140±20nm，400~12000nm (除通帶外)，Tavg〈0.5%。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0008]圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過(guò)率實(shí)測(cè)曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面通過(guò)實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
[0010]實(shí)施例1:
[0011]如圖1、圖2所示，本實(shí)施例描述的中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板2，以Ge、SiO為第一鍍膜層1和以Ge、SiO為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層1和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層1由內(nèi)向外依次排列包含有:65nm厚度的Ge層、216nm厚度的SiO層、139nm厚度的Ge層、292nm厚度的SiO層、81nm厚度的Ge層、300nm厚度的SiO層、145nm厚度的Ge層、114nm厚度的SiO層、134nm厚度的Ge層、454nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層、220nm厚度的SiO層、208nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層、567nm厚度的SiO層、206nm厚度的Ge層、248nm厚度的SiO層、222nm厚度的Ge層、452nm厚度的SiO層、256nm厚度的Ge層、282nm厚度的SiO層、119nm厚度的Ge層、635nm厚度的SiO層、293nm厚度的Ge層、1264nm厚度的SiO層、273nm厚度的Ge層、1109nm厚度的SiO層、414nm厚度的Ge層和526nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有:279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、1292nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、2583nm厚度的SiO層、409nm厚度的Ge層、400nm厚度的SiO層、155nm厚度的Ge層和1096nm厚度的SiO層。
【權(quán)利要求】
1.一種中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是:所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:65nm厚度的Ge層、216nm厚度的SiO層、139nm厚度的Ge層、292nm厚度的SiO層、81nm厚度的Ge層、300nm厚度的SiO層、145nm厚度的Ge層、114nm厚度的SiO層、134nm厚度的Ge層、454nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層、220nm厚度的SiO層、208nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層、567nm厚度的SiO層、206nm厚度的Ge層、248nm厚度的SiO層、222nm厚度的Ge層、452nm厚度的SiO層、256nm厚度的Ge層、282nm厚度的SiO層、119nm厚度的Ge層、635nm厚度的SiO層、293nm厚度的Ge層、1264nm厚度的SiO層、273nm厚度的Ge層、1109nm厚度的SiO層、414nm厚度的Ge層和526nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、1292nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、2583nm厚度的SiO層、409nm厚度的Ge層、400nm厚度的SiO層、155nm厚度的Ge層和1096nm厚度的SiO層。
【文檔編號(hào)】G02B5/20GK103713344SQ201310631445
【公開(kāi)日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】呂晶, 王繼平, 劉晶 申請(qǐng)人:杭州麥樂(lè)克電子科技有限公司