一種檢測裝置、陣列基板檢測系統(tǒng)及其方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種檢測裝置、陣列基板檢測系統(tǒng)及其方法，涉及基板測試【技術(shù)領(lǐng)域】。能夠同時(shí)對陣列基板上反射率差異較大的各個(gè)膜層進(jìn)行不良檢測。該陣列基板檢測系統(tǒng)包括檢測裝置，該檢測裝置通過采集裝置可以生成待測基板上反射率不同的各個(gè)膜層表面的灰階圖片，再利用處理器根據(jù)上述灰階圖片，得出待測基板的缺陷坐標(biāo)圖。
【專利說明】一種檢測裝置、陣列基板檢測系統(tǒng)及其方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及基板測試【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種檢測裝置、陣列基板檢測系統(tǒng)及其方法。
【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點(diǎn)，而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中?，F(xiàn)有TFT-LCD的制造工藝主要包括四個(gè)階段，分別為彩色濾光片制備、Array (陣列基板制造)工藝、Cell (液晶盒制備)工藝以及Module (模塊組裝)工藝。作為TFT-1XD生產(chǎn)的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，Array工藝通常是在一張玻璃基板上形成獨(dú)立的TFT陣列電路，每個(gè)陣列電路分別對應(yīng)一個(gè)像素單元，陣列電路的質(zhì)量將直接影響產(chǎn)品的顯示質(zhì)量。
[0003]為了及時(shí)發(fā)現(xiàn)陣列基板制作存在的各種不良，確保陣列基板的質(zhì)量，在Array工藝過程中或在Array工藝之后，需要對TFT陣列基板進(jìn)行檢測，以確定其中是否存在短路、斷路等不良現(xiàn)象。
[0004]目前可以采用光學(xué)檢測設(shè)備對TFT陣列基板進(jìn)行檢測。具體的，該光學(xué)檢測設(shè)備如圖1所示，光源系統(tǒng)10傳出光源，該光源通過半反半透鏡11進(jìn)行透射后，再通過透鏡裝置12匯聚傳輸?shù)疥嚵谢?3的表面；該光線在陣列基板13的表面反射后經(jīng)過透鏡裝置12傳輸?shù)桨敕窗胪哥R11的反射面，然后傳輸至全反射鏡14，最后被CXD感光元件15 (ChargeCoupled Device,電荷稱合器件)接收。這樣一來,通過(XD接收照射在陣列基板上的光線，并根據(jù)接收光線灰度值的不同來判斷該陣列基板是否存在不良。
[0005]然而，由于陣列基板是由多個(gè)膜層構(gòu)成的，在測試時(shí)各個(gè)膜層的反射率差異很大。因此，現(xiàn)有的光學(xué)檢測設(shè)備在對陣列基板進(jìn)行檢測時(shí)存在以下問題:
[0006]當(dāng)光源系統(tǒng)10提供的光線光強(qiáng)較高時(shí)，可以檢測到陣列基板上反射率較低的膜層，但是這樣一來，陣列基板上反射率較高的膜層會(huì)反射出光強(qiáng)更高的光線，從而導(dǎo)致檢測設(shè)備出現(xiàn)誤報(bào)錯(cuò)。
[0007]當(dāng)光源系統(tǒng)10提供的光線光強(qiáng)較低時(shí)，可以檢測到陣列基板上反射率較高的膜層，但是這樣一來，反射率較低的膜層幾乎無發(fā)將入射到的光線反射至CCD，從而使得反射率較低的膜層出現(xiàn)被漏檢的可能。
[0008]因此，當(dāng)陣列基板上的膜層之間的反射率差異較大時(shí)，現(xiàn)有的光學(xué)檢測設(shè)備無法同時(shí)對各個(gè)膜層的不良進(jìn)行檢測，而只能有選擇性的進(jìn)行檢測。從而導(dǎo)致工藝監(jiān)控的部分失效，影響對后續(xù)制作工藝結(jié)果的判斷，大大降低制作工藝的穩(wěn)定性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種檢測裝置、陣列基板檢測系統(tǒng)及其方法。能夠同時(shí)對陣列基板上反射率差異較大的各個(gè)膜層進(jìn)行不良檢測。[0010]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0011]本發(fā)明實(shí)施例的一方面提供一種檢測裝置，包括用于承載待測基板的承載臺(tái)，所述承載臺(tái)一側(cè)設(shè)置有光源，所述光源發(fā)出的光線通過分束器照射到所述待測基板的表面，經(jīng)過反射后進(jìn)入所述分束器并輸出，其特征在于，所述檢測裝置還包括:
[0012]第一半反半透鏡，與所述分束器輸出的光線之間具有預(yù)設(shè)夾角，用于將所述分束器輸出的光線分為第一光束和第二光束；
[0013]采集裝置，用于采集所述第一光束和所述第二光束，根據(jù)所述第一光束和所述第二光束生成所述待測基板上第一膜層表面和第二膜層表面的灰階圖片；其中，所述第一膜層具有第一反射率；所述第二膜層具有第二反射率，所述第二反射率與所述第一反射率不同；
[0014]處理器，用于將所述采集裝置生成的灰階圖片進(jìn)行對比得出所述待測基板的缺陷坐標(biāo)圖。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例的另一方面提供一種陣列基板檢測系統(tǒng)，包括如上所述的任意一種檢測裝置。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例的又一方面提供一種陣列基板檢測系統(tǒng)的檢測方法，包括參數(shù)處理的步驟、待測基板檢測的步驟以及缺陷確認(rèn)的步驟，其特征在于，所述待測基板檢測的步驟包括:
[0017]光源發(fā)出的光線通過分束器照射到待測基板的表面，經(jīng)過反射后進(jìn)入所述分束器并輸出；
[0018]第一半反半透鏡將分束器輸出的光線分為第一光束和第二光束；
[0019]采集裝置采集所述第一光束和所述第二光束，根據(jù)所述第一光束和所述第二光束生成所述待測基板上第一膜層表面和第二膜層表面的灰階圖片；其中，所述第一膜層具有第一反射率；所述第二膜層具有第二反射率，所述第二反射率與所述第一反射率不同；
[0020]處理器將所述采集裝置生成的灰階圖片進(jìn)行對比得出所述待測基板的缺陷坐標(biāo)圖。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例提供一種檢測裝置、陣列基板檢測系統(tǒng)及其方法。陣列基板檢測系統(tǒng)包括檢測裝置，該檢測裝置通過采集裝置可以生成待測基板上反射率不同的各個(gè)膜層表面的灰階圖片，再利用處理器根據(jù)上述灰階圖片，得出待測基板的缺陷坐標(biāo)圖。這樣一來，通過該陣列基板檢測系統(tǒng)就可以同時(shí)對陣列基板上反射率差異較大的各個(gè)膜層進(jìn)行不良檢測，得出整張陣列基板上存在缺陷的位置。從而避免現(xiàn)有技術(shù)中存在的漏檢或誤報(bào)錯(cuò)現(xiàn)象的廣生，提聞檢測精度和生廣效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；[0025]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板檢測方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例提供一種檢測裝置，如圖2所示，可以包括用于承載待測基板20的承載臺(tái)21，承載臺(tái)21 —側(cè)設(shè)置有光源22，光源22發(fā)出的光線通過分束器23照射到待測基板20的表面，經(jīng)過反射后進(jìn)入分束器23并輸出，該檢測裝置還可以包括:
[0031]第一半反半透鏡24，與分束器23輸出的光線之間具有預(yù)設(shè)夾角α，用于將分束器23輸出的光線分為第一光束Y和第二光束X。
[0032]其中，預(yù)設(shè)夾角α可優(yōu)選為45°。
[0033]采集裝置01，用于采集第一光束Y和第二光束X，根據(jù)第一光束Y和第二光束X生成待測基板20上第一膜層表面和第二膜層表面的灰階圖片；其中，第一膜層具有第一反射率；第二膜層具有第二反射率，第二反射率與第一反射率不同。
[0034]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的待測基板20為陣列基板。待測基板20上第一膜層和第二膜層具體是指，由于陣列基板是由各個(gè)膜層構(gòu)成，因此各個(gè)膜層之間的反射率也不盡相同。例如陣列基板上用于形成柵線的柵極金屬層可以采用金屬鋁制成，而柵線的圖案一般形成于透明基板的表面，該透明基板可以采用玻璃制成。而金屬鋁與玻璃之間的反射率相差比較大。因此第一膜層具有的第一反射率與第二膜層具有的第二反射率不同。
[0035]其中，如圖3所示，采集裝置01可以包括:
[0036]第一子米集裝置30,用于米集第一光束Y ;以及，
[0037]第二子采集裝置31，用于采集第二光束X。
[0038]該檢測裝置還可以包括:處理器32，用于將采集裝置01生成的灰階圖片進(jìn)行對比得出待測基板20的缺陷坐標(biāo)圖。
[0039]需要說明的是，陣列基板上設(shè)置有橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，該柵線和數(shù)據(jù)線可以交叉界定多個(gè)呈矩陣形式排列的像素單元。一般情況下，沒有短路或斷路等不良現(xiàn)象的陣列基板的各個(gè)像素單元以及構(gòu)成該像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線應(yīng)該是一模一樣的，這樣才可以使得顯示畫面均勻。然而，在生產(chǎn)加工過程中，由于粉塵或其它因素導(dǎo)致陣列基板上的膜層圖案，例如柵線或數(shù)據(jù)線會(huì)出現(xiàn)短路或斷路，這樣一來，會(huì)發(fā)現(xiàn)構(gòu)成該像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線會(huì)與構(gòu)成其它位置像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線不同，存在缺陷。而這一缺陷信息，可以通過對多個(gè)像素單元及構(gòu)成該像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線進(jìn)行拍照生成灰階圖片，并將該灰階圖片進(jìn)行對比才可以發(fā)現(xiàn)。具體的對比方法，可以是將該灰階圖片依次與標(biāo)準(zhǔn)圖片進(jìn)行對比。其中，該標(biāo)準(zhǔn)圖片為對陣列基板上沒有缺陷的像素單元以及構(gòu)成該像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線進(jìn)行拍照并生成的灰階圖片?；蛘?，在上述圖片之間進(jìn)行重復(fù)性區(qū)域間對比從而找出差異點(diǎn)，進(jìn)而可以確定出缺陷的位置。因此，采集裝置01生成的灰階圖片需要通過對比才可以得出待測基板20的缺陷坐標(biāo)圖。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例提供一種檢測裝置。該檢測裝置通過采集裝置可以生成待測基板上反射率不同的各個(gè)膜層表面的灰階圖片，再利用處理器根據(jù)上述灰階圖片，得出待測基板的缺陷坐標(biāo)圖。這樣一來，通過該陣列基板檢測系統(tǒng)就可以同時(shí)對陣列基板上反射率差異較大的各個(gè)膜層進(jìn)行不良檢測，得出整張陣列基板上存在缺陷的位置。從而避免現(xiàn)有技術(shù)中存在的漏檢或誤報(bào)錯(cuò)現(xiàn)象的廣生，提聞檢測精度和生廣效率。
[0041]進(jìn)一步地，如圖3所示，第一子采集裝置30和第二子采集裝置31均可以包括:電荷耦合相機(jī)301。
[0042]第二子采集裝置31與第一半透半反鏡24之間還可以包括光學(xué)膜片層311，光學(xué)膜片層311用于改變?nèi)肷涞降诙硬杉b置31的第二光束X的亮度。
[0043]需要說明的是，以下實(shí)施例均以以第一膜層具有的第一反射率小于第二膜層具有的第二反射率為例進(jìn)行說明。
[0044]具體的，可以對光學(xué)膜層311進(jìn)行舉例說明:
[0045]例如，光學(xué)膜片層311可以采用灰鏡，這樣一來，該灰鏡可以非選擇性的過濾透過的光線，并對各個(gè)波段的光線同等均勻的減弱。當(dāng)光源22輸出的光線光強(qiáng)較高時(shí)，通過灰鏡的過濾可以將待測基板20上具有第一反射率的第一膜層反射的光線在一定程度上過濾掉，從而使得第二子采集裝置31的電耦合相機(jī)301能夠接受大部分具有第二反射率的第二膜層反射的光線。而反射率較低的第一膜層反射的光線大部分可以被第一子采集裝置30的電耦合相機(jī)301所接收。
[0046]其中，灰鏡311可以分為10%_90%不同灰度的鏡片，具體的，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際檢測的陣列基板反射率差異情況進(jìn)行選擇，本發(fā)明實(shí)施例對此不做限定。
[0047]又例如，光學(xué)膜片層311可以采用具有增加光線光強(qiáng)功能的增光器件。這樣一來，該增光器件可以對各個(gè)波段的光線同等均勻的增強(qiáng)。當(dāng)光源22輸出的光線光強(qiáng)較低時(shí)，通過增光器件可以將待測基板20上具有反射率較低的第一膜層反射的光線增強(qiáng)，從而使得第二子采集裝置31的電耦合相機(jī)301可以接受大部分具有反射率較低的第一膜層反射的光線。而反射率較高的第二膜層反射的光線大部分可以被第二子采集裝置30的電耦合相機(jī)301所接收。
[0048]這樣一來，就可以實(shí)現(xiàn)同時(shí)對陣列基板上反射率差異較大的各個(gè)膜層進(jìn)行不良檢測，得出整張陣列基板上存在缺陷的位置。從而避免現(xiàn)有技術(shù)中存在的漏檢現(xiàn)象的產(chǎn)生，提高檢測精度和生產(chǎn)效率。
[0049]進(jìn)一步地，如圖3所示，處理器32還可以包括數(shù)據(jù)整合單元302 ;用于刪除缺陷坐標(biāo)圖中的重復(fù)坐標(biāo)刪除，以得新的缺陷坐標(biāo)圖。
[0050]具體的，如上所述，當(dāng)光源22輸出光線時(shí)，第二子采集裝置31的電耦合相機(jī)301可以采集如圖3中的光線X。當(dāng)?shù)诙硬杉b置31與第一半透半反鏡24之間的光學(xué)膜片層311為灰鏡時(shí)，可以對光線X中的各個(gè)波段的光線進(jìn)行同等均勻的減弱，這樣一來待測基板20上具有第一反射率的第一膜層(例如反射率較低的玻璃基板)反射的光線被削弱，使得第二子采集裝置31的電荷耦合相機(jī)301能夠采集到待測基板20上大部分具有第二反射率的第二膜層(例如反射率較高的柵極金屬層)反射的光線。[0051]然而，第一子采集裝置30的電荷耦合相機(jī)301可以采集如圖3所示的光線Y。由于光線Y中既包含待測基板20上反射率較低的第一膜層(例如玻璃基板)反射的光線又包含待測基板20上反射率較高的第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線，而上述第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線已經(jīng)被第二子采集裝置31的電荷耦合相機(jī)301所采集。同理，由于光線X中也同時(shí)包含待測基板20上反射率較低的第一膜層(例如玻璃基板)反射的光線以及待測基板20上反射率較高的第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線。這樣一來，第一膜層(例如玻璃基板)以及第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線均被采集了兩次。因此，處理器32將采集裝置01生成的灰階圖片進(jìn)行對比得出待測基板20的缺陷坐標(biāo)圖中具有重復(fù)坐標(biāo)。為了使得檢測結(jié)果更加精準(zhǔn)，因此需要通過數(shù)據(jù)整合單元302將缺陷坐標(biāo)圖中的重復(fù)坐標(biāo)刪除。其中，該重復(fù)坐標(biāo)的公差范圍可以控制再±2μπι以內(nèi)。
[0052]和/ 或，
[0053]數(shù)據(jù)整合單元302還可以用于刪除灰階值大于預(yù)設(shè)定閾值的灰度圖片。其中，上述預(yù)設(shè)定閾值可以為250。需要說明的是，灰階圖片的灰階值范圍一般為0-255，即256個(gè)灰階。
[0054]具體的，當(dāng)?shù)谝蛔硬杉b置30的電荷耦合相機(jī)301采集如圖3所示的光線Y時(shí)，由于光線Y中既包含待測基板20上第一膜層(例如玻璃基板)反射的光線又包含待測基板20上第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線；因此，如果光源22輸出光線的光強(qiáng)較高，可能會(huì)導(dǎo)致待測基板20上反射率較高第一膜層(例如柵極金屬層)反射光線的光強(qiáng)較高，從而使得生成的第一膜層表面的灰階圖片的灰階數(shù)值過大，進(jìn)而導(dǎo)致檢測設(shè)備無法真實(shí)檢測到第二膜層的缺陷而出現(xiàn)誤報(bào)錯(cuò)現(xiàn)象。因此，需要通過數(shù)據(jù)整合單元302將灰階值大于預(yù)設(shè)定閾值，例如250的灰階圖片刪除。從而保證檢測系統(tǒng)，檢測數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，避免誤報(bào)錯(cuò)現(xiàn)象的產(chǎn)生。當(dāng)然，以上僅僅是當(dāng)?shù)诙硬杉b置31與第一半透半反鏡24之間的光學(xué)膜片層311為灰鏡時(shí)，對檢測裝置的數(shù)據(jù)整合單元工作原理的舉例說明。當(dāng)光學(xué)膜片層311采用可以對入射的各個(gè)波段的光線進(jìn)行同等均勻增強(qiáng)的增光器件時(shí)，該數(shù)據(jù)整合單元的工作原理同上。這里不再詳細(xì)贅述。
[0055]這樣一來，該檢測裝置就可以同時(shí)對待測基板20上具有不同反射率的膜層的缺陷進(jìn)行檢測。從而避免漏檢和誤報(bào)錯(cuò)現(xiàn)象的產(chǎn)生，提高了檢測設(shè)備的精度和效率。
[0056]進(jìn)一步地，如圖4所示，分束器23可以包括:
[0057]第二半反半透鏡25，與光源22發(fā)出的光線之間具有預(yù)設(shè)夾角α ;以及，
[0058]透鏡裝置12，位于第二半反半透鏡11與承載臺(tái)21之間，用于匯聚透過第二半反半透鏡11的光線。
[0059]其中，預(yù)設(shè)夾角α可以為45° ,這樣一來通過該分束器分出的第一光束Y和第二光束X可以相互垂直。
[0060]具體的，光源23發(fā)出的光線經(jīng)過第二半反半透鏡25的透射面射入透鏡裝置12，在經(jīng)過透鏡裝置12匯聚傳導(dǎo)到待測基板20的表面，在待測基板20表面反射后經(jīng)過透鏡裝置12再在第二半反半透鏡25的反射面反射夠傳導(dǎo)至第一半反半透鏡24。
[0061]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的檢測系統(tǒng)，包括如上所述的任意一種檢測裝置100，具有與前述實(shí)施例提供的檢測裝置相同的有益效果，由于檢測裝置在前述實(shí)施例中已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)說明，此處不再贅述。[0062]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板檢測系統(tǒng)。該陣列基板檢測系統(tǒng)包括檢測裝置，該檢測裝置通過采集裝置可以生成待測基板上反射率不同的各個(gè)膜層表面的灰階圖片，再利用處理器根據(jù)上述灰階圖片，得出待測基板的缺陷坐標(biāo)圖。這樣一來，通過該陣列基板檢測系統(tǒng)就可以同時(shí)對陣列基板上反射率差異較大的各個(gè)膜層進(jìn)行不良檢測，得出整張陣列基板上存在缺陷的位置。從而避免現(xiàn)有技術(shù)中存在的漏檢或誤報(bào)錯(cuò)現(xiàn)象的產(chǎn)生，提高檢測精度和生產(chǎn)效率。
[0063]進(jìn)一步地，如圖5所示，該陣列基板的檢測系統(tǒng)還可以包括:
[0064]參數(shù)加載單元101，用于在對待檢測基板20進(jìn)行檢測前，向陣列基板檢測系統(tǒng)載入檢測參數(shù)。該參數(shù)包括光源22的輸入光線的光強(qiáng)參數(shù)，光學(xué)膜片層的參數(shù)以及電荷耦合相機(jī)301的坐標(biāo)系統(tǒng)等等。
[0065]以及，
[0066]卸載單元104，用于在對待檢測基板20進(jìn)行檢測后，清除上述檢測參數(shù)，從而結(jié)束測試過程。
[0067]進(jìn)一步地，該陣列基板檢測系統(tǒng)還可以包括:
[0068]拍照單元103，用于根據(jù)檢測裝置100的檢測結(jié)果，對待測基板20上的缺陷進(jìn)行拍照，以確認(rèn)上述缺陷。需要說明的是，這里拍照單元103對待測基板20上的缺陷進(jìn)行有選擇性的拍照，從而可以看清楚缺陷的具體形式，例如短路或者斷路。
[0069]進(jìn)一步地，該陣列基板檢測系統(tǒng)還可以包括:
[0070]對位單元102，用于將放入載物臺(tái)21上的待測基板20的位置通過機(jī)械或光學(xué)的方式進(jìn)行對位。其中，可以通過機(jī)械方式將待測基板20置于待檢測位置，進(jìn)一步通過光學(xué)對位對待測基板20的位置進(jìn)行微調(diào)，從而可以提高對位精度。
[0071]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板檢測系統(tǒng)的檢測方法，包括參數(shù)處理的步驟、待測基板檢測的步驟以及缺陷確認(rèn)的步驟，如圖6所示，待測基板檢測的步驟可以包括:
[0072]S101、如圖2所示，光源22發(fā)出的光線通過分束器23照射到待測基板20的表面，經(jīng)過反射后進(jìn)入分束器23并輸出。
[0073]S102、第一半反半透鏡24將分束器輸出的光線分為第一光束Y和第二光束X。其中，第一半反半透鏡24與分束器23輸出的光線之間具有預(yù)設(shè)夾角α，該預(yù)設(shè)夾角α可以為 45。。
[0074]S103、采集裝置01采集第一光束Y和第二光束X，根據(jù)第一光束Y和第二光束X生成待測基板20上第一膜層表面和第二膜層表面的灰階圖片；其中，第一膜層具有第一反射率；第二膜層具有第二反射率，第二反射率與第一反射率不同。
[0075]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的待測基板20為陣列基板。待測基板20上第一膜層和第二膜層具體是指，由于陣列基板是由各個(gè)膜層構(gòu)成，因此各個(gè)膜層之間的反射率也不盡相同。例如陣列基板上用于形成柵線的柵極金屬層可以采用金屬鋁制成，而柵線的圖案一般形成于透明基板的表面，該透明基板可以采用玻璃制成。而金屬鋁與玻璃之間的反射率相差比較大。因此第一膜層具有的第一反射率與第二膜層具有的第二反射率不同。
[0076]其中，如圖3所示，采集裝置01可以包括:
[0077]第一子米集裝置30,用于米集第一光束Y ;以及，
[0078]第二子采集裝置31，用于采集第二光束X。[0079]S104、處理器32將采集裝置01生成的灰階圖片進(jìn)行對比得出待測基板20的缺陷坐標(biāo)圖。
[0080]需要說明的是，陣列基板上設(shè)置有橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，該柵線和數(shù)據(jù)線可以交叉界定多個(gè)呈矩陣形式排列的像素單元。一般情況下，沒有短路或斷路等不良現(xiàn)象的陣列基板的各個(gè)像素單元以及構(gòu)成該像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線應(yīng)該是一模一樣的，這樣才可以使得顯示畫面均勻。然而，在生產(chǎn)加工過程中，由于粉塵或其它因素導(dǎo)致陣列基板上的膜層圖案，例如柵線或數(shù)據(jù)線會(huì)出現(xiàn)短路或斷路，這樣一來，會(huì)發(fā)現(xiàn)構(gòu)成該像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線會(huì)與構(gòu)成其它位置像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線不同，存在缺陷。而這一缺陷信息，可以通過對多個(gè)像素單元及構(gòu)成該像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線進(jìn)行拍照生成灰階圖片，并將該灰階圖片進(jìn)行對比才可以發(fā)現(xiàn)。具體的對比方法，可以是將該灰階圖片依次與標(biāo)準(zhǔn)圖片進(jìn)行對比。其中，該標(biāo)準(zhǔn)圖片為對陣列基板上沒有缺陷的像素單元以及構(gòu)成該像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線進(jìn)行拍照并生成的灰階圖片?；蛘?，在上述圖片之間進(jìn)行重復(fù)性區(qū)域間對比從而找出差異點(diǎn)，進(jìn)而可以確定出缺陷的位置。因此，采集裝置01生成的灰階圖片需要通過對比才可以得出待測基板20的缺陷坐標(biāo)圖。
[0081]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板檢測系統(tǒng)的方法。陣列基板檢測系統(tǒng)包括檢測裝置，該檢測裝置通過采集裝置可以生成待測基板上反射率不同的各個(gè)膜層表面的灰階圖片，再利用處理器根據(jù)上述灰階圖片，得出待測基板的缺陷坐標(biāo)圖。這樣一來，通過該陣列基板檢測系統(tǒng)就可以同時(shí)對陣列基板上反射率差異較大的各個(gè)膜層進(jìn)行不良檢測，得出整張陣列基板上存在缺陷的位置。從而避免現(xiàn)有技術(shù)中存在的漏檢或誤報(bào)錯(cuò)現(xiàn)象的產(chǎn)生，提高檢測精度和生產(chǎn)效率。
[0082]進(jìn)一步地，在處理器32得出待測基板20的缺陷坐標(biāo)圖的步驟之后，該方法還包括:
[0083]數(shù)據(jù)整合單元302刪除上述缺陷坐標(biāo)圖中的重復(fù)坐標(biāo)，以得新的缺陷坐標(biāo)圖。
[0084]具體的，如上所述，當(dāng)光源22輸出光線時(shí)，第二子采集裝置31的電耦合相機(jī)301可以采集如圖3中的光線X。當(dāng)?shù)诙硬杉b置31與第一半透半反鏡24之間的光學(xué)膜片層311為灰鏡時(shí)，可以對光線X中的各個(gè)波段的光線進(jìn)行同等均勻的減弱，這樣一來待測基板20上具有第一反射率的第一膜層(例如反射率較低的玻璃基板)反射的光線被削弱，使得第二子采集裝置31的電荷耦合相機(jī)301能夠采集到待測基板20上大部分具有第二反射率的第二膜層(例如反射率較高的柵極金屬層)反射的光線。
[0085]然而，第一子采集裝置30的電荷耦合相機(jī)301可以采集如圖3所示的光線Y。由于光線Y中既包含待測基板20上反射率較低的第一膜層(例如玻璃基板)反射的光線又包含待測基板20上反射率較高的第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線，而上述第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線已經(jīng)被第二子采集裝置31的電荷耦合相機(jī)301所采集。同理，由于光線X中也同時(shí)包含待測基板20上反射率較低的第一膜層(例如玻璃基板)反射的光線以及待測基板20上反射率較高的第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線。這樣一來，第一膜層(例如玻璃基板)以及第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線均被采集了兩次。因此，處理器32將采集裝置01生成的灰階圖片進(jìn)行對比得出待測基板20的缺陷坐標(biāo)圖中具有重復(fù)坐標(biāo)。為了使得檢測結(jié)果更加精準(zhǔn)，因此需要通過數(shù)據(jù)整合單元302將缺陷坐標(biāo)圖中的重復(fù)坐標(biāo)刪除。其中，該重復(fù)坐標(biāo)的公差范圍可以控制再±2μπι以內(nèi)。[0086]和/ 或，
[0087]數(shù)據(jù)整合單元302刪除灰階值大于預(yù)設(shè)定閾值的上述灰度圖片。其中，上述預(yù)設(shè)定閾值可以為250。需要說明的是，灰階圖片的灰階值范圍一般為0-255，即256個(gè)灰階。具體的，當(dāng)?shù)谝蛔硬杉b置30的電荷耦合相機(jī)301采集如圖3所示的光線Y時(shí)，由于光線Y中既包含待測基板20上第一膜層(例如玻璃基板)反射的光線又包含待測基板20上第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線；因此，如果光源22輸出光線的光強(qiáng)較高，可能會(huì)導(dǎo)致待測基板20上反射率較高第一膜層(例如柵極金屬層)反射光線的光強(qiáng)較高，從而使得生成的第一膜層表面的灰階圖片的灰階數(shù)值過大，進(jìn)而導(dǎo)致檢測設(shè)備無法真實(shí)檢測到第二膜層的缺陷而出現(xiàn)誤報(bào)錯(cuò)現(xiàn)象。因此，需要通過數(shù)據(jù)整合單元302將灰階值大于預(yù)設(shè)定閾值，例如250的灰階圖片刪除。從而保證檢測系統(tǒng)，檢測數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，避免誤報(bào)錯(cuò)現(xiàn)象的產(chǎn)生。當(dāng)然，以上僅僅是當(dāng)?shù)诙硬杉b置31與第一半透半反鏡24之間的光學(xué)膜片層311為灰鏡時(shí)，對檢測裝置的數(shù)據(jù)整合單元工作原理的舉例說明。當(dāng)光學(xué)膜片層311采用可以對入射的各個(gè)波段的光線進(jìn)行同等均勻增強(qiáng)的增光器件時(shí)，該數(shù)據(jù)整合單元的工作原理同上。這里不再詳細(xì)贅述。
[0088]這樣一來，該檢測裝置就可以同時(shí)對待測基板20上具有不同反射率的膜層的缺陷進(jìn)行檢測。從而避免漏檢和誤報(bào)錯(cuò)現(xiàn)象的產(chǎn)生，提高了檢測設(shè)備的精度和效率。
[0089]進(jìn)一步地，在待測基板20檢測的步驟之前，該檢測方法還可以包括:
[0090]參數(shù)加載單元101向陣列基板檢測系統(tǒng)載入檢測參數(shù)。其中，該參數(shù)包括光源22的輸入光線的光強(qiáng)參數(shù)，光學(xué)膜片層311的參數(shù)以及電荷耦合相機(jī)301的坐標(biāo)系統(tǒng)等等。
[0091]進(jìn)一步地，在待測基板20檢測的步驟之后，該檢測方法還可以包括:
[0092]拍照單元103根據(jù)檢測裝置100的檢測結(jié)果，對待測基板20上的缺陷進(jìn)行拍照，以確認(rèn)上述缺陷。需要說明的是，這里拍照單元103對待測基板20上的缺陷進(jìn)行有選擇性的拍照，從而可以看清楚缺陷的具體形式，例如短路或者斷路。
[0093]進(jìn)一步地，在待測基板20檢測的步驟之后，該檢測方法還可以包括:
[0094]卸載單元105清除用于檢測待測基板20的檢測參數(shù)，結(jié)束測試過程。
[0095]進(jìn)一步地，在待測基板20檢測的步驟之前，該檢測方法還可以包括:
[0096]對位單元102將放入載物臺(tái)的待測基板的位置通過機(jī)械或光學(xué)的方式進(jìn)行對位。其中，可以通過機(jī)械方式將待測基板20置于待檢測位置，進(jìn)一步通過光學(xué)對位對待測基板20的位置進(jìn)行微調(diào)，從而可以提高對位精度。
[0097]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0098]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測裝置，包括用于承載待測基板的承載臺(tái)，所述承載臺(tái)一側(cè)設(shè)置有光源，所述光源發(fā)出的光線通過分束器照射到所述待測基板的表面，經(jīng)過反射后進(jìn)入所述分束器并輸出，其特征在于，所述檢測裝置還包括: 第一半反半透鏡，與所述分束器輸出的光線之間具有預(yù)設(shè)夾角，用于將所述分束器輸出的光線分為第一光束和第二光束； 采集裝置，用于采集所述第一光束和所述第二光束，根據(jù)所述第一光束和所述第二光束生成所述待測基板上第一膜層表面和第二膜層表面的灰階圖片；其中，所述第一膜層具有第一反射率；所述第二膜層具有第二反射率，所述第二反射率與所述第一反射率不同；處理器，用于將所述采集裝置生成的灰階圖片進(jìn)行對比得出所述待測基板的缺陷坐標(biāo)圖。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述采集裝置包括: 第一子采集裝置，用于采集所述第一光束； 第二子采集裝置，用于采集所述第二光束。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測裝置，其特征在于， 所述第一子采集裝置和所述第二子采集裝置均包括電荷耦合相機(jī)； 所述第二子采集裝置與所述第一半透半反鏡之間還包括光學(xué)膜片層，所述光學(xué)膜片層用于改變?nèi)肷涞剿龅诙硬杉b置的第二光束的亮度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測裝置，其特征在于，所述處理器還包括數(shù)據(jù)整合單元，所述數(shù)據(jù)整合單元用于: 刪除所述缺陷坐標(biāo)圖中的重復(fù)坐標(biāo)刪除；和/或， 刪除灰階值大于預(yù)設(shè)定閾值的所述灰度圖片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述分束器包括: 第二半反半透鏡，與所述光源發(fā)出的光線之間具有所述預(yù)設(shè)夾角；以及， 透鏡裝置，位于所述第二半反半透鏡與所述承載臺(tái)之間，用于匯聚透過所述第二半反半透鏡的光線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的檢測裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)夾角為45°。
7.—種陣列基板檢測系統(tǒng)，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的檢測裝置。
8.根據(jù)權(quán)要求7所述的陣列基板檢測系統(tǒng)，其特征在于，還包括: 參數(shù)加載單元，用于在對待檢測基板檢測前，向所述陣列基板檢測系統(tǒng)載入檢測參數(shù)；以及， 卸載單元，用于在對所述待檢測基板檢測后，清除所述檢測參數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)要求8所述的陣列基板檢測系統(tǒng)，其特征在于，還包括: 拍照單元，用于根據(jù)所述檢測裝置的檢測結(jié)果，對所述待測基板上的缺陷進(jìn)行拍照，以確認(rèn)所述缺陷。
10.根據(jù)權(quán)要求7所述的陣列基板檢測系統(tǒng)，其特征在于，還包括: 對位單元，用于將放入載物臺(tái)上的所述待測基板的位置通過機(jī)械或光學(xué)的方式進(jìn)行對位。
11.一種陣列基板檢測系統(tǒng)的檢測方法，包括參數(shù)處理的步驟、待測基板檢測的步驟以及缺陷確認(rèn)的步驟，其特征在于，所述待測基板檢測的步驟包括:光源發(fā)出的光線通過分束器照射到待測基板的表面，經(jīng)過反射后進(jìn)入所述分束器并輸出； 第一半反半透鏡將分束器輸出的光線分為第一光束和第二光束； 采集裝置采集所述第一光束和所述第二光束，根據(jù)所述第一光束和所述第二光束生成所述待測基板上第一膜層表面和第二膜層表面的灰階圖片；其中，所述第一膜層具有第一反射率；所述第二膜層具有第二反射率，所述第二反射率與所述第一反射率不同； 處理器將所述采集裝置生成的灰階圖片進(jìn)行對比得出所述待測基板的缺陷坐標(biāo)圖。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板檢測系統(tǒng)的檢測方法，其特征在于，在所述處理器得出所述待測基板的缺陷坐標(biāo)圖的步驟之后，該方法還包括: 數(shù)據(jù)整合單元?jiǎng)h除所述缺陷坐標(biāo)圖中的重復(fù)坐標(biāo)；和/或， 刪除灰階值大于預(yù)設(shè)定閾值的所述灰度圖片。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板檢測系統(tǒng)的檢測方法，其特征在于，在所述待測基板檢測的步驟之前，所述方法還包括: 參數(shù)加載單元向所述陣列基板檢測系統(tǒng)載入檢測參數(shù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板檢測系統(tǒng)的檢測方法，其特征在于，在所述待測基板檢測的步驟之后，所述方法還包括: 拍照單元根據(jù)所述檢測裝置的檢測結(jié)果，對所述待測基板上的缺陷進(jìn)行拍照，以確認(rèn)所述缺陷。`
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板檢測系統(tǒng)的檢測方法，其特征在于，在所述待測基板檢測的步驟之后，所述方法還包括: 卸載單元清除用于檢測所述待測基板的所述檢測參數(shù)，結(jié)束測試。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板檢測系統(tǒng)的檢測方法，其特征在于，在所述待測基板檢測的步驟之前，所述方法還包括: 對位單元將放入載物臺(tái)的待測基板的位置通過機(jī)械或光學(xué)的方式進(jìn)行對位。
【文檔編號(hào)】G02F1/13GK103676234SQ201310630165
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】盧彥春 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司