一種鈮酸鋰光調制器及其制備與封裝方法
【專利摘要】一種鈮酸鋰光調制器及其制備與封裝方法，使用氫化非晶硅在鈮酸鋰基底上制備波導結構，利用非晶硅的高折射率可以有效減小波導尺寸，從而減小鈮酸鋰光調制器上金屬電極之間的間距，進而使得所需調制電壓低。優(yōu)選使用氫化非晶硅制作波導芯片，其Si：H鏈的存在能夠減小光學損耗?？梢酝ㄟ^調節(jié)氫化非晶硅的厚度在保證波導尺寸的前提下最大化器件的光電效應。通過控制二氧化硅的厚度以及金屬電極的厚度，能夠保證較好的射頻匹配，而與外界連接的光纖接口通過在穿過波導層的波導線實現(xiàn)，由于上述波導線都在波導層，能夠留足封裝或測試的金屬區(qū)域。完善的封裝工藝可以降低漏電現(xiàn)象發(fā)生的概率，避免因環(huán)境潮濕而導致的短路現(xiàn)象的發(fā)生。
【專利說明】一種鈮酸鋰光調制器及其制備與封裝方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種光纖通信傳輸通信領域，具體地說是一種鈮酸鋰光調制器及其制備與封裝方法。

【背景技術】
[0002]光調制器的主要功用在于將無意義的連續(xù)光波轉換成高頻率的負載有效信息的光信號。由于鈮酸鋰材料的高光電效應，鈮酸鋰光調制器已經(jīng)成為現(xiàn)有系統(tǒng)中使用最廣泛的光調制器。鈮酸鋰光調制器的主要組成部分為鈮酸鋰波導芯片，將鈮酸鋰波導芯片進行一定的封裝工藝便可以獲得鈮酸鋰光調制器。
[0003]現(xiàn)有的鈮酸鋰波導芯片主要是用鈦摻雜等方式制備而成，但是由于折射率對比度不高，鈮酸鋰波導芯片的波導尺寸一般比較大。這就導致鈮酸鋰光調制器的電極間距比較大，因而便需要較高的電壓來保證足夠的調制驅動場強，或者通過增長調制區(qū)域的長度來實現(xiàn)足夠的調制器相位變化。無論采用哪一種方式都會一定程度上加大工業(yè)制備的難度，也造成了資源的浪費。
[0004]現(xiàn)有技術中也有人提出使用高硅量的氮化硅材料加在鈦摻雜的鈮酸鋰波導上來改善波導芯片尺寸較大的不足的技術方案，進而改進鈮酸鋰光調制器的尺寸。如專利號為“⑶101620296八”，專利名稱為“一種光電襯底上的高約束波導”。這種波導雖然在一定程度上利用氮化硅材料本身的高折射對比度達到減少波導尺寸的效果，但是為了取得較好的光連通效果，需要氮化硅波導與鈦摻雜鈮酸鋰波導兩層波導相結合使用，最終導致整個波導芯片的尺寸其實并未真正縮小，而且由于氮化硅的折射率相對于鈮酸鋰來說并沒有高太多，所以這種設計的實際尺寸優(yōu)化效果不是很好。
[0005]另外，現(xiàn)有的鈮酸鋰光調制器為了實現(xiàn)較好的射頻與匹配，射頻波導的信號線往往很細。而為了避免射頻信號線與光學波導相沖突，一般需要兩層金屬連接以實現(xiàn)與外界射頻接口的連接。并且現(xiàn)有的鈮酸鋰光調制器的相關封裝工藝還不夠完善，例如鈮酸鋰光調制器的波導線往往是采用裸露的金屬線直接與外界光纖接口相連，這種金屬線電極間距即使是在6微米級別都有可能因為環(huán)境潮濕而導致斷路或者短路等的現(xiàn)象，對環(huán)境適應能力較差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為此，本發(fā)明所要解決的技術問題在于現(xiàn)有技術中鈮酸鋰波導芯片的尺寸較大、制備工藝較為復雜、封裝工藝較為簡陋，從而提出一種制造價格低廉，波導芯片尺寸小，所需調制電壓低，并且最大化器件的光電效應的一種鈮酸鋰光調制器及其制備與封裝方法。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案實現(xiàn)。
[0007]—種鈮酸鋰光調制器，包括波導芯片以及在所述波導芯片上端涂覆的保護材料和與外部光纖連接的波導線；所述波導芯片包括鈮酸鋰基底，以及依次設置于所述鈮酸鋰基底上的非晶硅層、二氧化硅層和金屬電極；其中，所述非晶硅層的厚度小于所述鈮酸鋰基底的厚度，所述鈮酸鋰基底和所述非晶硅層共同構成波導；所述二氧化硅層上成型有電極填充區(qū)域，所述金屬電極設置于所述電極填充區(qū)域內(nèi)；所述波導線設置于所述鈮酸鋰基底和所述非晶硅層之間。
[0008]進一步地所述非晶硅層厚度為7011111-20011111。
[0009]進一步地所述非晶娃層厚度為7011111-15011111。
[0010]進一步地所述二氧化娃層厚度為111111-211111。
[0011]進一步地所述非晶硅層為氫化非晶硅層。
[0012]一種鈮酸鋰光調制器的制備方法，包括如下步驟:
[0013]51:在鈮酸鋰基底表面沉積一層非晶硅材料，形成非晶硅層，所述非晶硅層的厚度小于所述鈮酸鋰基底的厚度；
[0014]82:在所述非晶硅層進行光刻顯影，形成波導；
[0015]83:在所述波導上沉積一層二氧化硅，形成二氧化硅層；
[0016]84:在所述二氧化硅層上刻蝕得到電極填充區(qū)域；
[0017]85:在所述電極填充區(qū)域內(nèi)填充金屬，形成金屬電極。
[0018]進一步地所述步驟34包括:
[0019]841:在所述二氧化硅層上依次設置剝離膠層和光阻劑層；在所述光阻劑層上描繪出電極填充區(qū)域的形狀；
[0020]842:根據(jù)所述電極填充區(qū)域形狀進行干法刻蝕以形成電極填充區(qū)域；
[0021]所述步驟35還包括:
[0022]剝離掉光阻劑層并去除所述電極填充區(qū)域之外的金屬，得到波導芯片。
[0023]進一步地所述非晶娃層的厚度為7011111-20011111。
[0024]進一步地所述非晶娃層厚度為7011111-15011111。
[0025]進一步地所述非晶硅為氫化非晶硅。
[0026]一種鈮酸鋰光調制器的封裝方法，包括如下步驟:
[0027]在所述波導芯片上涂覆保護材料；
[0028]在所述金屬電極上的保護材料外表面上設置保護結構；
[0029]在所述波導線上包裹絕緣材料。
[0030]進一步地所述絕緣材料為二氧化硅。
[0031]本發(fā)明的上述技術方案相比現(xiàn)有技術具有以下優(yōu)點:
[0032](1)本發(fā)明所述的鈮酸鋰光調制器及其制備與封裝方法，使用非晶硅制備波導芯片，由于非晶硅超高的折射率，通過合理化設置非晶硅的寬度和厚度優(yōu)化光學損耗，增強光電效應，進而能夠減小調制器中金屬電極之間的間距，進而大幅減小實現(xiàn)低電壓信號調制所需的調制長度，從而可以大幅度減小調制器芯片尺寸。同時整個芯片只需要一個波導就可以實現(xiàn)與外界的光纖通信，無需多個波導以及波導與波導之間的漸變轉換，也在一定程度上減少了波導芯片的尺寸。
[0033](2)本發(fā)明所述的鈮酸鋰光調制器及其制備與封裝方法，優(yōu)選使用氫化非晶硅制作波導芯片，其包含了大量的31:?鏈，其31:?鏈的存在能夠減小光學損耗。
[0034](3)本發(fā)明所述的鈮酸鋰光調制器及其制備與封裝方法，通過控制二氧化硅的厚度以及金屬電極的厚度，能夠保證較好的射頻匹配，而與外界連接的光纖接口通過在穿過波導層的波導線實現(xiàn)，由于上述波導線都在波導層，又能夠留足封裝或測試的金屬區(qū)域。同時相對于傳統(tǒng)的鈮酸鋰光調制器芯片在制備過程中無法直接進行探針測試或者實現(xiàn)芯片連接，需要在芯片上使用兩次光刻步驟才能完全實現(xiàn)金屬連接的繁瑣步驟，節(jié)省了加工過程，簡化了流程，能夠獲得良好的經(jīng)濟效益。
[0035](4)本發(fā)明所述的鈮酸鋰光調制器及其制備與封裝方法，由二氧化硅包裹波導線，同時在波導芯片上涂覆保護材料，并在所述金屬電極上的保護材料外表面上設置保護結構，進一步保護金屬電極。封裝工藝可以降低漏電現(xiàn)象發(fā)生的概率，避免因環(huán)境潮濕而導致的短路現(xiàn)象的發(fā)生，一定程度上提高了鈮酸鋰光調制器對環(huán)境的適應能力。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實施例并結合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明，其中
[0037]圖1是本發(fā)明一種實施例所述的波導芯片結構圖；
[0038]圖2是本發(fā)明一種實施例所述的鈮酸鋰光調制器結構圖；
[0039]圖3是本發(fā)明一種實施例所述的鈮酸鋰光調制器剖面圖；
[0040]圖4是本發(fā)明一種實施例所述的波導芯片與光纖的連接方式；
[0041]圖5是本發(fā)明一種實施例所述的鈮酸鋰光調制器的制備方法流程圖。
[0042]圖中附圖標記表示為:1-鈮酸鋰基底，12-波導，2-非晶硅層，3- 二氧化硅層，4~金屬電極,5-保護材料,6-保護結構,7-波導線,8-光纖。

【具體實施方式】
[0043]實施例1
[0044]下面結合附圖對本實施例所述的鈮酸鋰光調制器進行具體闡述。如圖1、圖2和圖3所示，本實施例所述的鈮酸鋰光調制器包括波導芯片以及在所述波導芯片上端涂覆的保護材料5和與外部光纖連接的波導線7 ；所述波導芯片包括鈮酸鋰基底1，以及依次設置于所述鈮酸鋰基底1上的非晶硅層2、二氧化硅層3和金屬電極4 ；其中，所述非晶硅層2的厚度小于所述鈮酸鋰基底1的厚度，所述鈮酸鋰基底1和所述非晶硅層2共同構成波導12 ；所述二氧化硅層3上成型有電極填充區(qū)域，所述金屬電極4設置于所述電極填充區(qū)域內(nèi)；所述波導線7設置于所述鈮酸鋰基底1和所述非晶硅層2之間。
[0045]本實施例選用非晶硅作為高折射率材料形成波導在鈮酸鋰基底上成型。非晶硅材料本身的折射率不僅高于其他一般材料，也遠高于氮化硅材料。氮化硅材料的折射率為2.2，非晶硅的折射率則達到了 3.5，非晶硅這一晶體特性，使得波導的集成性得到很大的提聞。
[0046]—般而言非晶硅的厚度越薄，光學模式就越大的滲透在鈮酸鋰內(nèi)，就能夠最大化器件的光電效應。但是如果非晶硅的厚度太薄，光學模式會擴大，那就得不到約束性較強的光學模式，不能夠減小電極之間的間距。本實施例優(yōu)選所述非晶硅層2厚度為70:^-200:^,更為優(yōu)選地所述非晶娃層2厚度為7011111-15011111。本領域技術人員應當知曉,所述的非晶娃層的厚度設定為經(jīng)過大量實驗驗證得來的，可以產(chǎn)生較好的技術效果。但是并不是用來限定非晶硅層的厚度，其他可實施的厚度的數(shù)據(jù)變化也在本實施例的保護范圍之內(nèi)。
[0047]本實施例所述的一種鈮酸鋰光調制器，使用非晶硅制備波導芯片，由于非晶硅超高的折射率，通過合理化設置非晶硅的厚度優(yōu)化光學損耗，增強光電效應，進而能夠減小鈮酸鋰光調制器中金屬電極之間的間距，進而大幅減小實現(xiàn)低電壓信號調制所需的調制長度，從而可以大幅度減小鈮酸鋰光調制器芯片尺寸。同時整個芯片只需要一個波導就可以實現(xiàn)與外界的光纖通信，無需多個波導以及波導與波導之間的漸變轉換，也在一定程度上減少了波導芯片的尺寸。
[0048]優(yōu)選使用氫化非晶硅制作波導芯片，其31:?鏈的存在能夠減小光學損耗，能夠在保證波導尺寸的前提下最大化器件的光電效應。
[0049]由于金屬離波導越近，其對光的吸收就越大，也就無法獲得較好的射頻匹配，故金屬電極4不能直接鋪設在波導12上，而需遠離波導的光學模式范圍。本實施例的所述金屬電極4鋪設在二氧化硅上，所述二氧化硅層3厚度優(yōu)選為111111-211111。所述金屬電極4的厚度可以根據(jù)實際需要設定，可以與二氧化硅層3厚度相當，也可以超出二氧化硅層3的厚度。圖4為本實施例所述的一種波導芯片與光纖的連接方式，如圖所示，通過控制二氧化硅的厚度以及金屬電極4的厚度，能夠保證較好的射頻匹配。該波導與外界光纖的輸入輸出通信則通過波導線7和光纖8來實現(xiàn)，一種在硅光通信中普遍使用的漸變式波導可以逐漸的將高約束性的光模式擴大到光纖大小以實現(xiàn)最佳的光學耦合。由于上述波導線都在波導層，所以能夠留足封裝或測試的金屬區(qū)域。同時相對于傳統(tǒng)的鈮酸鋰光調制器芯片在制備過程中由于波導線比較細，無法直接進行探針測試或者實現(xiàn)芯片連接，進而需要在芯片上使用兩次光刻步驟才能完全實現(xiàn)金屬連接的繁瑣步驟，節(jié)省了加工過程，簡化了流程，能夠獲得良好的經(jīng)濟效益。
[0050]由于二氧化硅的包裹已經(jīng)足以保證不漏電，可以滿足實際使用中的需求。所以封裝過程可以使用簡單的鋁線鍵合的封裝方法以降低成本，也可以優(yōu)選使用翻轉芯片封裝工藝進行封裝，實際工業(yè)實施中可以根據(jù)具體需要進行選擇，此處不對具體封裝方法進行限定。由二氧化硅包裹波導線7，同時在波導芯片上涂覆保護材料5，并在所述金屬電極4上的保護材料5外表面上設置保護結構6，進一步保護金屬電極4。完善的封裝工藝可以降低漏電現(xiàn)象發(fā)生的概率，避免因環(huán)境潮濕而導致的短路現(xiàn)象的發(fā)生，一定程度上提高了鈮酸鋰光調制器對環(huán)境的適應能力。
[0051]實施例2
[0052]本實施例所述的一種鈮酸鋰光調制器的制備方法，如圖5所示，包括如下步驟:
[0053]51:在鈮酸鋰基底表面沉積一層非晶硅材料，形成非晶硅層，所述非晶硅層的厚度小于所述鈮酸鋰基底的厚度；
[0054]82:在所述非晶硅層進行光刻顯影及刻蝕剝膠，形成波導；
[0055]83:在所述波導上沉積一層二氧化硅，形成二氧化硅層；
[0056]84:在所述二氧化硅層上刻蝕得到電極填充區(qū)域；
[0057]85:在所述電極填充區(qū)域內(nèi)填充金屬，形成金屬電極。
[0058]本實施例選用非晶硅作為高折射率材料形成波導在鈮酸鋰基底上成型。非晶硅材料本身的折射率不僅高于其他一般材料，也遠高于氮化硅材料。氮化硅材料的折射率為
2.2，非晶硅的折射率則達到了 3.5，非晶硅這一晶體特性，使得波導的集成性得到很大的提聞。
[0059]所述步驟34包括:
[0060]841:在所述二氧化硅層上依次設置剝離膠層和光阻劑層；在所述光阻劑層上描繪出電極填充區(qū)域的形狀；
[0061]842:根據(jù)所述電極填充區(qū)域形狀進行干法刻蝕以形成電極填充區(qū)域；
[0062]所述步驟35還包括:
[0063]剝離掉光阻劑層并去除所述電極填充區(qū)域之外的金屬，得到波導芯片。
[0064]覆蓋上一層剝離膠和光阻劑的目標是在表面建立薄的、均勻的，并且沒有缺陷的薄膜，并且可以描繪出電極填充區(qū)域形狀。所述剝離膠的厚度為11?。。?！以上，所述光阻劑比二氧化硅層更厚，以便于適應干法刻蝕步驟。所述干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕的技術，通過所述步驟341和所述步驟342后整個二氧化硅層上便出現(xiàn)了兩個具有一定間距的電極填充區(qū)域。
[0065]將金屬電極填充到電極填充區(qū)域后，整個波導芯片的所有組件都已經(jīng)齊全，作為刻蝕阻擋層的剝離膠層與光阻劑以及非電極填充區(qū)域內(nèi)的金屬則不再被需要，應當及時的除掉。通過常用的使用剝離溶液便可以去除，由于此剝離溶液已在現(xiàn)有技術中廣泛使用，故此處不在贅述。
[0066]一般而言非晶硅的厚度越薄，光學模式就越大的摻雜在鈮酸鋰內(nèi)，這樣就能夠最大化器件的光電效應。但是如果非晶硅的厚度太薄，那樣光學模式會擴大，那就得不到約束性較強的光學模式，不能夠減小電極之間的間距。本實施例優(yōu)選所述非晶硅層厚度為7011111-20011111，更為優(yōu)選地所述非晶娃層厚度為15011111。本領域技術人員應當知曉，所述的非晶硅層的厚度設定為經(jīng)過大量實驗驗證得來的，可以產(chǎn)生較好的技術效果。但是并不是用來限定非晶硅層的厚度，其他可實施的厚度的數(shù)據(jù)變化也在本實施例的保護范圍之內(nèi)。
[0067]由于非晶硅超高的折射率，通過合理化設置非晶硅的寬度和厚度優(yōu)化光學損耗，增強光電效應，進而能夠減小調制器中金屬電極之間的間距，進而大幅減小實現(xiàn)低電壓信號調制所需的調制長度，從而可以大幅度減小鈮酸鋰光調制器的波導芯片尺寸。同時整個波導芯片只需要一個波導就可以實現(xiàn)與外界的光纖通信，無需多個波導以及波導與波導之間的漸變轉換，也在一定程度上減少了波導芯片的尺寸。
[0068]由于金屬離波導越近，其對光的吸收就越大，也就無法獲得較好的射頻匹配，故金屬電極不能直接鋪設在波導上。本實施例的所述金屬電極鋪設在二氧化硅上，所述二氧化硅層厚度優(yōu)選為111111-21?。。?！。所述金屬電極的厚度可以根據(jù)實際需要設定，可以與二氧化硅層厚度相當，也可以超出二氧化硅層的厚度。通過控制二氧化硅的厚度以及金屬電極的厚度，能夠保證較好的射頻匹配。該波導與外界光纖的輸入輸出通信則通過波導線和光纖來實現(xiàn)，一種在硅光通信中普遍使用的漸變式波導可以逐漸的將高約束性的光模式擴大到光纖大小以實現(xiàn)最佳的光學耦合。而與外界連接的光纖接口通過在穿過波導層的波導線實現(xiàn)，由于上述波導線都在波導層，所以能夠留足封裝或測試的金屬區(qū)域。同時相對于傳統(tǒng)的鈮酸鋰光調制器芯片在制備過程中由于波導線比較細，無法直接進行探針測試或者實現(xiàn)芯片連接，進而需要在芯片上使用兩次光刻步驟才能完全實現(xiàn)金屬連接的繁瑣步驟，節(jié)省了加工過程，簡化了流程，能夠獲得良好的經(jīng)濟效益。
[0069]所述步驟31中，所述沉積方法為氣相沉積法或濺射沉積法。由于氣相沉積法和濺射沉積法已經(jīng)較為成熟，此處不在贅述。但是本領域技術人員應當知曉，本實施例優(yōu)選但不限于這兩種沉積方式，其他可以實現(xiàn)沉積的方式均在本實施例的保護范圍之內(nèi)。
[0070]所述非晶硅優(yōu)選為氫化非晶硅。眾所周知，所謂光電效應是指物體吸收了光能后轉換為該物體中某些電子的能量而產(chǎn)生的電效應。所述的氫化非晶硅，包含了大量的31:?鏈，所述31:?鏈的存在能夠減小光學損耗，即能夠在保證波導尺寸的前提下最大化器件的光電效應。
[0071]所述光阻劑為正性膠或負性膠。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光阻劑作涂層，就能在表面刻蝕所需的圖形。區(qū)別在于二者經(jīng)過干法刻蝕后形成的圖形不同，故在實際生產(chǎn)中需要事先設計好針對不同光阻劑所需要使用的圖形。由于光阻劑的使用為常用技術手段，此處不在詳述。
[0072]實施例3
[0073]本實施例是基于實施例1所述的一種鈮酸鋰光調制器的封裝方法，包括如下步驟:
[0074]在所述波導芯片上涂覆保護材料；
[0075]在所述金屬電極上的保護材料外表面上設置保護結構；
[0076]在所述波導線上包裹絕緣材料。
[0077]所述保護材料優(yōu)選為有機硅類膠、環(huán)氧類膠以及亞克力膠中的一種。所述保護結構優(yōu)選為銦球。所述絕緣材料優(yōu)選為二氧化硅。本領域技術人員應當知曉，以上優(yōu)選實施方式只是為了可以實施本實施例所述的技術方案，并非用于對本實施例的限制，其他顯而易見的材料替換和形式變化均在本實施例的保護范圍之內(nèi)。
[0078]本實施例所述的一種鈮酸鋰光調制器封裝方法，由二氧化硅包裹波導線，同時在波導芯片上涂覆保護材料，并在所述金屬電極上的保護材料外表面上設置保護結構，進一步保護金屬電極。封裝工藝可以降低漏電現(xiàn)象發(fā)生的概率，避免因環(huán)境潮濕而導致的短路現(xiàn)象的發(fā)生，一定程度上提高了鈮酸鋰光調制器對環(huán)境的適應能力。
[0079]顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護范圍之中。
【權利要求】
1.一種鈮酸鋰光調制器，其特征在于，包括波導芯片以及在所述波導芯片上端涂覆的保護材料和與外部光纖連接的波導線； 所述波導芯片包括鈮酸鋰基底，以及依次設置于所述鈮酸鋰基底上的非晶硅層、二氧化硅層和金屬電極；其中，所述非晶硅層的厚度小于所述鈮酸鋰基底的厚度，所述鈮酸鋰基底和所述非晶硅層共同構成波導；所述二氧化硅層上成型有電極填充區(qū)域，所述金屬電極設置于所述電極填充區(qū)域內(nèi)； 所述波導線設置于所述鈮酸鋰基底和所述非晶硅層之間。
2.根據(jù)權利要求1所述的鈮酸鋰光調制器，其特征在于，所述非晶硅層厚度為70nm-200nmo
3.根據(jù)權利要求1或2所述的鈮酸鋰光調制器，其特征在于，所述非晶硅層厚度為70nm_150nmo
4.根據(jù)權利要求1-3任一所述的鈮酸鋰光調制器，其特征在于，所述二氧化硅層厚度為 lum-2um。
5.根據(jù)權利要求1-4任一所述的鈮酸鋰光調制器，其特征在于，所述非晶硅層為氫化非晶硅層。
6.一種鈮酸鋰光調制器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 51:在鈮酸鋰基底表面沉積一層非晶硅材料，形成非晶硅層，所述非晶硅層的厚度小于所述鈮酸鋰基底的厚度； 52:在所述非晶硅層進行光刻顯影及刻蝕剝膠，形成波導； 53:在所述波導上沉積一層二氧化硅，形成二氧化硅層； 54:在所述二氧化硅層上刻蝕得到電極填充區(qū)域； 55:在所述電極填充區(qū)域內(nèi)填充金屬，形成金屬電極。
7.根據(jù)權利要求6所述的鈮酸鋰光調制器的制備方法，其特征在于，所述步驟S4包括: 541:在所述二氧化硅層上依次設置剝離膠層和光阻劑層；在所述光阻劑層上描繪出電極填充區(qū)域的形狀； 542:根據(jù)所述電極填充區(qū)域形狀進行干法刻蝕以形成電極填充區(qū)域； 所述步驟S5還包括: 剝離掉光阻劑層并去除所述電極填充區(qū)域之外的金屬，得到波導芯片。
8.根據(jù)權利要求6或7所述的鈮酸鋰光調制器的制備方法，其特征在于，所述非晶硅層的厚度為70nm-200nm。
9.根據(jù)權利要求6-8任一所述的鈮酸鋰光調制器的制備方法，其特征在于，所述非晶娃層厚度為70nm-150nm。
10.根據(jù)權利要求6-9任一所述的鈮酸鋰光調制器的制備方法，其特征在于，所述非晶硅為氫化非晶硅。
11.一種權利要求1-5任一所述的鈮酸鋰光調制器的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟: 在所述波導芯片上涂覆保護材料； 在所述金屬電極上的保護材料外表面上設置保護結構； 在所述波導線上包裹絕緣材料。
12.根據(jù)權利要求11所述的鈮酸鋰光調制器封裝方法，其特征在于，所述絕緣材料為二氧化硅。
【文檔編號】G02F1/035GK104460054SQ201310606965
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年11月25日 優(yōu)先權日:2013年11月25日
【發(fā)明者】朱忻, 王子昊, 沈雷, 其他發(fā)明人請求不公開姓名 申請人:蘇州矩陣光電有限公司