彩膜基板及制備方法、顯示面板及制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種彩膜基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法以及顯示裝置。該彩膜基板包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的黑矩陣以及設(shè)置在所述黑矩陣之上的隔墊物；至少一部分所述隔墊物與黑矩陣之間設(shè)置有枕墊層。本發(fā)明通過(guò)在黑矩陣上形成枕墊層，將隔墊物設(shè)置在枕墊層上，從而增加了隔墊物的壓縮量，降低了重力Mura的風(fēng)險(xiǎn)，提升了畫面顯示質(zhì)量以及顯示裝置的可靠性；此外，由于本發(fā)明中枕墊層的厚度可以根據(jù)需求靈活設(shè)定，實(shí)現(xiàn)枕墊層厚度的連續(xù)型變化，因此可以靈活控制隔墊物的壓縮量，不必受限于現(xiàn)有技術(shù)的種種限制，從而為提升顯示裝置的制備效率以及降低生產(chǎn)成本提供有力的技術(shù)支持。
【專利說(shuō)明】彩膜基板及制備方法、顯示面板及制備方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種彩膜基板及其制備方法、應(yīng)用該彩膜基板的顯示面板及其制備方法和應(yīng)該該顯示面板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]平板顯示裝置相比與傳統(tǒng)的陰極射線管顯示裝置具有輕薄、驅(qū)動(dòng)電壓低、沒(méi)有閃爍抖動(dòng)以及使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)；平板顯示裝置分為主動(dòng)發(fā)光顯示裝置與被動(dòng)發(fā)光顯示裝置；例如，薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-1XD)就是一種被動(dòng)發(fā)光顯示裝置，由于其具有畫面穩(wěn)定、圖像逼真、消除輻射、節(jié)省空間以及節(jié)省能耗等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電視、手機(jī)、顯示裝置等電子產(chǎn)品中，已占據(jù)了平面顯示領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示面板主要包括彩膜(Color Filter)基板以及陣列(Array)基板，在彩膜基板和陣列基板之間還灌注有液晶層。其中，液晶層厚度(Cell Gap，盒厚)主要通過(guò)設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的隔墊物的高度來(lái)進(jìn)行控制，液晶層厚度對(duì)液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)參數(shù)和顯示質(zhì)量有重要的影響。目前使用的隔墊物通常為柱狀隔墊物(PS，Post Spacer)，柱狀隔墊物一般通過(guò)掩膜、光刻等工藝形成在彩膜基板上的黑矩陣上；在彩膜基板和陣列基板對(duì)盒后即形成液晶顯示面板，處于彩膜基板和陣列基板之間的柱狀隔墊物對(duì)上述兩個(gè)基板進(jìn)行支撐以及緩沖作用，從而維持預(yù)定的盒厚，保證畫面顯示的穩(wěn)定。
[0004]目前，大尺寸高分辨率的電視(如65寸超高清電視產(chǎn)品等)越來(lái)越受到消費(fèi)者青睞。在大尺寸液晶顯示面板中，通常會(huì)使用多種不同類型的隔墊物防止各種Mura或者不良的發(fā)生。例如如圖1中所示，為現(xiàn)有技術(shù)中的Triple PS (三級(jí)柱狀隔墊物)的結(jié)構(gòu)示意圖，其包括設(shè)置在黑矩陣上的主隔墊物(Main PS) 14、第一輔助隔墊物15以及第二輔助隔墊物16，起到三級(jí)緩沖的作用。其中，主隔墊物14通常處于壓縮狀態(tài)，主要目的是保證防止液晶顯示面板出現(xiàn)重力Mura ;重力Mura是指當(dāng)液晶顯示面板垂直放置時(shí),液晶材料會(huì)由于重力作用聚積到液晶顯示面板的下部，造成液晶顯示面板下部膨脹，同時(shí)液晶顯示面板上部出現(xiàn)真空現(xiàn)象，在外界大氣壓作用下，液晶顯示面板上部被擠壓，導(dǎo)致液晶顯示面板的上部和下部出現(xiàn)盒厚嚴(yán)重不一致，從而引起畫面顯示的不均勻；在大尺寸液晶顯示面板中，由于灌注的液晶量較多，更容易出現(xiàn)重力Mura。主隔墊物14通常主要設(shè)置在液晶顯示面板的上部，在液晶顯示面板垂直放置時(shí)，通過(guò)自身的彈力防止重力Mura的發(fā)生；因此，主隔墊物14壓縮量的多少，與液晶顯示面板能夠灌注的液晶量的上限以及抗重力Mura能力息息相關(guān)。簡(jiǎn)單的說(shuō)，主隔墊物14壓縮量越大，越能承受更強(qiáng)的壓力而維持盒厚不發(fā)生變化，也就越不容易出現(xiàn)重力Mura，與之相應(yīng)的，可以灌注更多的液晶材料，從而提升畫面顯示效果。
[0005]由于隔墊物通常形成在彩膜基板上，如圖2中所示，為了進(jìn)一步增加主隔墊物14的壓縮量，通常會(huì)在陣列基板上利用各個(gè)功能膜層23的厚度做出輔助枕墊層24，主隔墊物14與輔助枕墊層24擠壓接觸，利用輔助枕墊層24增加主隔墊物14的壓縮量。但是，由于輔助枕墊層24的厚度由陣列基板上各個(gè)功能膜層23的厚度決定，例如，當(dāng)輔助枕墊層與柵極金屬層同層設(shè)置時(shí)，輔助枕墊層的厚度等于柵極金屬層的厚度，當(dāng)輔助枕墊層與鈍化層同層設(shè)置時(shí)，輔助枕墊層的厚度等于鈍化層的厚度；而陣列基板上各功能膜層的厚度均為固定值，不可隨意更改，因此輔助枕墊層24的厚度無(wú)法做到連續(xù)型的變化，即只能滿足某些特定的壓縮量，難以滿足各種變化的壓縮量需求。此外，原則上也可以通過(guò)隔墊物自身高度的連續(xù)變化來(lái)實(shí)現(xiàn)壓縮量的連續(xù)變化，但是實(shí)際上隔墊物的高度由隔墊物的直徑?jīng)Q定，一旦隔墊物的直徑根據(jù)陣列基板上的空間以及黑矩陣的尺寸參數(shù)確定下來(lái)后，就意味著隔墊物的高度只能在一小段范圍內(nèi)變化，因此同樣無(wú)法真正的實(shí)現(xiàn)壓縮量的連續(xù)型變化，即無(wú)法滿足各種變化的壓縮量需求。
[0006]另外,在追求大屏幕超高清的同時(shí),勢(shì)必會(huì)帶來(lái)顯示面板功耗的增加,這與節(jié)能低碳的環(huán)保理念相沖突。而在氧化物半導(dǎo)體薄膜金屬管(Oxide-TFT)驅(qū)動(dòng)技術(shù)中，由于氧化物半導(dǎo)體具有較高的電子遷移率(比傳統(tǒng)的非晶硅快100倍左右)，可以大幅度降低液晶顯示面板的功耗，因此在大尺寸液晶顯示產(chǎn)品中具有不可比擬的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，被評(píng)為最具潛力的新一代液晶顯示技術(shù)，具有良好的市場(chǎng)應(yīng)用前景。但是Oxide-TFT液晶顯示面板相對(duì)對(duì)于傳統(tǒng)的非晶硅液晶顯示面板來(lái)說(shuō)，氧化物半導(dǎo)體形成的功能膜層很薄，一般為0.05um，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)非晶硅形成的功能膜層的厚度(一般為0.23um)，這樣雖然降低了陣列基板的厚度，但是也使主隔墊物的壓縮量下降近10% (壓縮量占自身原始高度的百分比)，通常主隔墊物的壓縮量最大也就只有15%左右(壓縮量占自身原始高度的百分比)，而主隔墊物的壓縮量不足，勢(shì)必容易導(dǎo)致重力Mura的發(fā)生；由于輔助枕墊層的厚度相對(duì)固定，因此需要增加隔墊物的高度，而增加隔墊物高度，意味著隔墊物的直徑需要增加，從而造成用料成本的大幅度增加。另外，受限于陣列基板上的空間以及黑矩陣的尺寸參數(shù)限制，隔墊物的直徑以及高度也并不是無(wú)限變化的。以上種種因素都限制了隔墊物的設(shè)計(jì)，導(dǎo)致Oxide-TFT液晶顯示面板的隔墊物壓縮量偏小，存在重力Mura的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)，還會(huì)造成隔墊物用料成本的增加及產(chǎn)能的降低的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007](一)要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0008]本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種可以靈活控制隔墊物壓縮量的彩膜基板以及該彩膜基板制備方法；進(jìn)一步的，本發(fā)明還提供了一種應(yīng)用該彩膜基板的顯示面板及該顯示面板制備方法和應(yīng)該該顯示面板的顯示裝置。
[0009](二)技術(shù)方案
[0010]本發(fā)明技術(shù)方案如下:
[0011]本發(fā)明首先提供了 一種彩膜基板，該彩膜基板，包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的黑矩陣以及設(shè)置在所述黑矩陣之上的隔墊物；至少一部分所述隔墊物與黑矩陣之間設(shè)置有枕墊層。
[0012]優(yōu)選的，所述枕墊層與所述黑矩陣為一體式結(jié)構(gòu)。
[0013]優(yōu)選的，所述枕墊層為多級(jí)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)。
[0014]優(yōu)選的，所述隔墊物包括主隔墊物和輔助隔墊物；所述主隔墊物設(shè)置在所述枕墊層的最高階上，所述輔助隔墊物設(shè)置在所述枕墊層最高階之外的其他階或黑矩陣上。
[0015]優(yōu)選的，所述枕墊層為二級(jí)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)。[0016]優(yōu)選的，所述隔墊物包括主隔墊物和輔助隔墊物；所述主隔墊物設(shè)置在所述枕墊層的最高階上，所述輔助隔墊物包括設(shè)置在所述枕墊層最低階上的第一輔助隔墊物以及設(shè)置在所述黑矩陣上的第二輔助隔墊物。
[0017]優(yōu)選的，所述枕墊層的最高階與所述黑矩陣的厚度之和為1.05?3.15um。
[0018]優(yōu)選的，所述主隔墊物和輔助隔墊物的高度相同。
[0019]本發(fā)明還提供了一種制備上述任意一種彩膜基板的方法:
[0020]一種彩膜基板制備方法，包括形成上述任意一種枕墊層的步驟。
[0021]優(yōu)選的，所述彩膜基板制備方法包括:
[0022]Al.在襯底基板上涂覆一層感光黑色樹脂；
[0023]A2.通過(guò)光刻工藝形成所述黑矩陣以及枕墊層圖案。
[0024]優(yōu)選的，所述步驟A2進(jìn)一步包括:
[0025]A201.通過(guò)雙色調(diào)掩膜板曝光，形成對(duì)應(yīng)所述枕墊層的黑色樹脂完全保留區(qū)域、對(duì)應(yīng)所述黑矩陣區(qū)域的黑色樹脂半保留區(qū)域以及對(duì)應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的黑色樹脂完全去除區(qū)域；
[0026]A202.進(jìn)行顯影處理，黑色樹脂完全保留區(qū)域的黑色樹脂被完全保留，黑色樹脂完全去除區(qū)域的黑色樹脂被完全去除，黑色樹脂半保留區(qū)域部分厚度的黑色樹脂被去除。
[0027]優(yōu)選的，所述彩膜基板制備方法包括:
[0028]S1.在襯底基板上涂覆一層非感光黑色樹脂；
[0029]S2.通過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述黑矩陣以及枕墊層圖案。
[0030]優(yōu)選的,所述步驟S2進(jìn)一步包括:
[0031]S201.在所述黑色樹脂層上涂覆一層光刻膠；
[0032]S202.通過(guò)雙色調(diào)掩膜板曝光，形成對(duì)應(yīng)所述枕墊層的光刻膠完全保留區(qū)域、對(duì)應(yīng)所述黑矩陣區(qū)域的光刻膠半保留區(qū)域以及對(duì)應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠完全去除區(qū)域并進(jìn)行顯影處理；
[0033]S203.通過(guò)刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的黑色樹脂；
[0034]S204.通過(guò)灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；
[0035]S205.通過(guò)刻蝕工藝去除光刻膠半保留區(qū)域部分厚度的黑色樹脂；
[0036]S206.剝離剩余的光刻膠。
[0037]優(yōu)選的，所要形成的枕墊層為二級(jí)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)；所述步驟S206之后還包括:
[0038]S207.在所述彩膜基板上涂覆一層光刻膠；
[0039]S208.通過(guò)掩膜板曝光，形成對(duì)應(yīng)所述枕墊層最低階圖案的光刻膠完全去除區(qū)域以及對(duì)應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠完全去除區(qū)域；
[0040]S209.顯影處理后，通過(guò)刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域部分厚度的黑色樹脂；
[0041]S210.剝離剩余的光刻膠。
[0042]本發(fā)明還提供了一種應(yīng)用上述任意一種彩膜基板的顯示面板:
[0043]一種顯示面板，上述任意一種彩膜基板以及與所述彩膜基板對(duì)盒的陣列基板；至少一部分設(shè)置在所述枕墊層上的隔墊物與所述陣列基板擠壓接觸。
[0044]優(yōu)選的，與所述陣列基板擠壓接觸的隔墊物的壓縮量為該隔墊物初始高度的10% ?20%O
[0045]優(yōu)選的，所述陣列基板包括襯底基板以及形成在所述襯底基板上的若干層功能膜層；所述襯底基板或者功能膜層與隔墊物和陣列基板擠壓接觸區(qū)域?qū)?yīng)的位置上設(shè)置有輔助枕墊層。
[0046]優(yōu)選的，所述隔墊物包括主隔墊物和輔助隔墊物；所述主隔墊物的壓縮量為該主隔墊物初始高度的10%?20%。
[0047]優(yōu)選的，所述陣列基板包括襯底基板以及形成在所述襯底基板上的若干層功能膜層；所述襯底基板或者功能膜層與主隔墊物和陣列基板擠壓接觸區(qū)域?qū)?yīng)的位置上設(shè)置有輔助枕墊層。
[0048]本發(fā)明還提供了一種制備上述任意一種顯示面板的方法:
[0049]一種顯示面板制備方法，包括制備陣列基板的步驟以及根據(jù)上述任意一種彩膜基板制備方法制備彩膜基板的步驟。
[0050]優(yōu)選的，所述制備陣列基板的步驟還包括形成上述的輔助枕墊層的步驟。
[0051]優(yōu)選的，所述功能膜層包括柵極金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層、鈍化層以及透明電極層；
[0052]所述輔助枕墊層與所述柵極金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層、鈍化層或者透明電極層在同一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0053]本發(fā)明還提供了一種應(yīng)用上述任意一種顯示面板的顯示裝置。
[0054](三)有益效果
[0055]本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法以及顯示裝置中，通過(guò)在黑矩陣上形成枕墊層，將隔墊物設(shè)置在枕墊層上，從而增加了隔墊物的壓縮量，降低了重力Mura的風(fēng)險(xiǎn)，提升了畫面顯示質(zhì)量以及顯示裝置的可靠性；此外，由于本發(fā)明中枕墊層的厚度可以根據(jù)需求靈活設(shè)定，實(shí)現(xiàn)枕墊層厚度的連續(xù)型變化，因此可以靈活控制隔墊物的壓縮量，不必受限于現(xiàn)有技術(shù)的種種限制，從而為提升顯示裝置的制備效率以及降低生產(chǎn)成本提供有力的技術(shù)支持。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0056]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中彩膜基板及顯示面板的一種實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中彩膜基板及顯示面板的另一種實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0058]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一中彩膜基板及顯示面板的一種實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖4a_圖4b是本發(fā)明實(shí)施例一中黑色樹脂為感光材料時(shí)的彩膜基板制備方法的流程示意圖；
[0060]圖5a_圖5g是本發(fā)明實(shí)施例一中黑色樹脂為非感光材料時(shí)的彩膜基板制備方法的流程示意圖；
[0061]圖6是本發(fā)明實(shí)施例一中彩膜基板及顯示面板的另一種實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0062]圖7是本發(fā)明實(shí)施例二中彩膜基板及顯示面板的一種實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0063]圖8是本發(fā)明實(shí)施例二中彩膜基板及顯示面板的另一種實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0064]圖中:11:第一襯底基板；12:黑矩陣；13:枕墊層；14:主隔墊物；15:第一輔助隔墊物；16:第二輔助隔墊物；17:色阻層；21:第二襯底基板；23:功能膜層；24:輔助枕墊層；31:雙色調(diào)掩膜板；32:光刻膠；33:黑色樹脂。
【具體實(shí)施方式】
[0065]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0066]本發(fā)明所提供的彩膜基板，包括襯底基板、設(shè)置在襯底基板上的黑矩陣以及設(shè)置在黑矩陣之上的隔墊物；至少一部分隔墊物與黑矩陣之間設(shè)置有枕墊層，利用枕墊層增加了隔墊物的壓縮量，降低了重力Mura的風(fēng)險(xiǎn)，提升了畫面顯示質(zhì)量以及顯示裝置的可靠性；此外，由于本發(fā)明中枕墊層的厚度可以根據(jù)需求靈活設(shè)定，實(shí)現(xiàn)枕墊層厚度的連續(xù)型變化，因此可以靈活控制隔墊物的壓縮量，不必受限于現(xiàn)有技術(shù)的種種限制。下面結(jié)合實(shí)施例一至四，對(duì)本發(fā)明加以更詳細(xì)的說(shuō)明。
[0067]實(shí)施例一
[0068]本實(shí)施例中首先提供了一種彩膜基板，如圖1中所示，該彩膜基板主要包括第一襯底基板11，設(shè)置在第一襯底基板11上的黑矩陣12和色阻層17，以及設(shè)置在黑矩陣12之上的隔墊物等；本實(shí)施例中的隔墊物包括主隔墊物14，第一輔助隔墊物15以及第二輔助隔墊物16，主隔墊物14設(shè)置在枕墊層13上，第一輔助隔墊物15和第二輔助隔墊物16直接設(shè)置在黑矩陣12上；其中，主隔墊物14主要用于防止重力Mura，第一輔助隔墊物15主要用于防止Push (擦拭)Mura,第二輔助隔墊物16主要用于防止壓黑Mura ;當(dāng)然，也可以不設(shè)置第一輔助隔墊物15和第二輔助隔墊物16，或者僅設(shè)置第一輔助隔墊物15和第二輔助隔墊物16之一，又或者設(shè)置其他類型的輔助隔墊物等，并不局限于本實(shí)施例中所列舉的方式；由于主隔墊物14需要保證較大的壓縮量，因此，在主隔墊物14與黑矩陣12之間設(shè)置有枕墊層13，利用枕墊層13增加主隔墊物14的壓縮量，降低重力Mura的風(fēng)險(xiǎn)。
[0069]本實(shí)施例中還提供了一種制備上述彩膜基板的方法，與現(xiàn)有技術(shù)的主要區(qū)別在于，該彩膜基板制備方法還包括形成上述枕墊層13的步驟。枕墊層13可以單獨(dú)形成在第一襯底基板11與黑矩陣12之間，也可以單獨(dú)形成在黑矩陣12之上等等；為了減少工藝次數(shù)，提升生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本以及增加枕墊層13與黑矩陣12之間的穩(wěn)固連接，本實(shí)施例中枕墊層13與黑矩陣12為一體式結(jié)構(gòu)，即可以在形成黑矩陣12的同時(shí)，形成枕墊層13。
[0070]現(xiàn)有技術(shù)中的黑矩陣12通常是由含有黑色著色劑(例如炭黑)的樹脂材料即黑色樹脂制成的，樹脂黑矩陣12具有反射低以及成本低等優(yōu)點(diǎn)。黑色樹脂是分為感光和非感光，對(duì)于感光的黑色樹脂，可以利用光刻工藝制備黑矩陣12 ;對(duì)于非感光的黑色樹脂，可以利用構(gòu)圖工藝制備黑矩陣12。
[0071]具體到本實(shí)施例中，當(dāng)采用感光黑色樹脂制備黑矩陣12以及枕墊層13時(shí)，主要包括步驟:
[0072]Al.清潔第一襯底基板11，第一襯底基板11可以是玻璃基板或者石英基板等等；在第一襯底基板11上涂覆一層感光的黑色樹脂或者其他吸光材料；涂覆的黑色樹脂的厚度直接決定著最后形成的枕墊層13的厚度；枕墊層13的厚度需要根據(jù)最終要形成的顯示面板的盒厚、主隔墊物14的壓縮量等因素具體設(shè)定，例如通過(guò)計(jì)算得到，枕墊層13與黑矩陣12的厚度之和為1.05?3.15um，則與之相應(yīng)的，涂覆的黑色樹脂的厚度為1.05?
3.15um。[0073]A2.通過(guò)光刻工藝形成所述黑矩陣12以及枕墊層13圖案；示例性的，本實(shí)施例中提供了一種該步驟的具體實(shí)現(xiàn)方式，主要包括步驟:
[0074]A201.如圖4a中所示，通過(guò)雙色調(diào)掩膜板31曝光，形成對(duì)應(yīng)所述枕墊層13的黑色樹脂完全保留區(qū)域、對(duì)應(yīng)所述黑矩陣12區(qū)域的黑色樹脂半保留區(qū)域以及對(duì)應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的黑色樹脂完全去除區(qū)域；
[0075]A202.進(jìn)行顯影處理，如圖4b中所示，黑色樹脂完全去除區(qū)域的黑色樹脂33被完全去除；黑色樹脂完全保留區(qū)域的黑色樹脂33被完全保留，作為枕墊層13 ;黑色樹脂半保留區(qū)域部分厚度的黑色樹脂33被去除，作為黑矩陣12。
[0076]通過(guò)控制曝光量、顯影時(shí)間以及顯影時(shí)所用的顯影液濃度等，可以保證感光黑色樹脂厚度的連續(xù)型變化，從而可以靈活的控制黑矩陣12與枕墊層13的段差，即可以根據(jù)需求靈活設(shè)定枕墊層13的厚度。
[0077]當(dāng)采用非感光黑色樹脂制備黑矩陣12以及枕墊層13時(shí)，主要包括步驟:
[0078]S1.清潔第一襯底基板11，第一襯底基板11可以是玻璃基板或者石英基板等等；在第一襯底基板11上涂覆一層非感光黑色樹脂或者其他吸光材料；涂覆的黑色樹脂的厚度直接決定著最后形成的枕墊層13的厚度；枕墊層13的厚度需要根據(jù)最終要形成的顯示面板的盒厚、主隔墊物14的壓縮量等因素(例如，如果在陣列基板上設(shè)置了輔助隔墊物，則也需要考慮輔助隔墊物的影響)具體設(shè)定，例如通過(guò)計(jì)算得到，枕墊層13與黑矩陣12的厚度之和優(yōu)選為1.05?3.15um，則與之相應(yīng)的，涂覆的黑色樹脂的厚度需要為1.05?
3.15um。
[0079]S2.通過(guò)構(gòu)圖工藝形成黑矩陣12以及枕墊層13圖案。示例性的，本實(shí)施例中提供了一種該步驟的具體實(shí)現(xiàn)方式，主要包括步驟:
[0080]S201.如圖5a中所示，在黑色樹脂33層上涂覆一層光刻膠32 ；
[0081]S202.如圖5b中所示，通過(guò)雙色調(diào)掩膜板31曝光，形成對(duì)應(yīng)枕墊層13的光刻膠完全保留區(qū)域、對(duì)應(yīng)黑矩陣12區(qū)域的光刻膠半保留區(qū)域以及對(duì)應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠完全去除區(qū)域并進(jìn)行顯影處理，如圖5c中所示，顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠被完全保留，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域部分厚度的光刻膠被去除；
[0082]S203.如圖5d中所示，通過(guò)第一刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的黑色樹脂33 ；
[0083]S204.如圖5e中所示，通過(guò)灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；
[0084]S205.如圖5f中所示，通過(guò)第二次刻蝕工藝去除光刻膠半保留區(qū)域部分厚度的黑色樹脂33 ；
[0085]通過(guò)控制刻蝕時(shí)間以及刻蝕時(shí)所用的刻蝕液濃度等，可以保證非感光黑色樹脂33厚度的連續(xù)型變化，從而可以靈活的控制黑矩陣12與枕墊層13的段差，即可以根據(jù)需求靈活設(shè)定枕墊層13的厚度。
[0086]S206.如圖5g中所示，剝離剩余的光刻膠，最終留下的黑色樹脂33即黑矩陣12以及枕墊層13。
[0087]本實(shí)施例中的彩膜基板制備方法僅僅是制備本實(shí)施例所提供的彩膜基板的一種實(shí)現(xiàn)方法，實(shí)際使用中還可以通過(guò)增加或減少工藝次數(shù)、選擇不同的材料或材料組合改變實(shí)現(xiàn)方法來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
[0088]本實(shí)施例中還提供了一種應(yīng)用上述彩膜基板的顯示面板；如圖3中所示，該顯示面板包括上述彩膜基板以及與彩膜基板對(duì)盒的陣列基板，陣列基板包括第二襯底基板21以及形成在第二襯底基板21上的若干層功能膜層23 ;設(shè)置在枕墊層13上的主隔墊物14與陣列基板擠壓接觸，第一輔助隔墊物15與陣列基板接觸即可，無(wú)需壓縮量，第二輔助隔墊物16懸空設(shè)置，不與陣列基板接觸；根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中隔墊物的材質(zhì)以及尺寸的綜合計(jì)算，與陣列基板擠壓接觸的主隔墊物14的壓縮量?jī)?yōu)選為該主隔墊物14初始高度的10%?20% ；例如，可以為15%等等。
[0089]為了進(jìn)一步增加主隔墊物14的壓縮量或者在相同壓縮量下，減少主隔墊物14的高度，從而達(dá)到節(jié)省材料、降低成本的目的，如圖6中所示，本實(shí)施例中的第二襯底基板21或者功能膜層23與隔墊物和陣列基板擠壓接觸區(qū)域?qū)?yīng)的位置上設(shè)置有輔助枕墊層24 ；該輔助枕墊層24的作用、結(jié)構(gòu)以及制備方法與相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)類似。
[0090]本實(shí)施例中還提供了一種制備上述顯示面板的方法；與現(xiàn)有技術(shù)的主要區(qū)別在于，該顯示面板制備方法包括利用本實(shí)施例中所提供的彩膜基板制備方法制備彩膜基板的步驟。除此之外，還包括在第二陣列基板上形成各個(gè)功能膜層23，例如依次形成柵極金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層、鈍化層以及透明電極層等(當(dāng)然，各功能膜層23的設(shè)置順序以及功能膜層23的選擇可以根據(jù)需求的不同而相應(yīng)改變，例如，在有源層和鈍化層之間還可以設(shè)置刻蝕阻擋層等)；示例性的，本實(shí)施例中提供了一種該輔助隔墊物的具體實(shí)現(xiàn)方式:
[0091]例如，通過(guò)構(gòu)圖工藝同時(shí)形成柵極金屬層以及輔助枕墊層24:
[0092]清潔第二襯底基板，第二襯底基板可以是玻璃基板或者石英基板等等；
[0093]在第二襯底基板上沉積金屬薄膜；例如采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法在襯底基板上沉積一層金屬薄膜；金屬薄膜可以使用Cr、W、T1、Ta、Mo、Al、Cu等金屬及其合金,也可以為由多層金屬薄膜組成的復(fù)合薄膜；
[0094]在金屬薄膜上涂布一層光刻膠；
[0095]采用普通掩膜板進(jìn)行曝光，形成對(duì)應(yīng)輔助枕墊層24以及柵極金屬層的光刻膠保留區(qū)域以及對(duì)應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠去除區(qū)域；
[0096]對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影處理；顯影處理后，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度沒(méi)有變化，光刻膠去除區(qū)域的光刻膠被去除；
[0097]通過(guò)刻蝕工藝去除光刻膠去除區(qū)域的金屬薄膜；
[0098]顯影處理后，通過(guò)刻蝕工藝去除光刻膠去除區(qū)域的金屬薄膜；
[0099]最后剝離剩余的光刻膠，留下的金屬薄膜即包括柵電極以及掃描線的柵極金屬層和輔助枕墊層24，即輔助枕墊層24的中心正好與枕墊層13的中心重合，輔助枕墊層24的形狀可以是方形、多邊形、圓形等；
[0100]通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)線、源漏金屬層、鈍化層以及過(guò)孔等工藝與現(xiàn)有技術(shù)中的相關(guān)工藝類似；例如:
[0101]在柵極金屬層以及輔助枕墊層24上形成覆蓋整個(gè)襯底基板的柵絕緣層；
[0102]米用PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)等方法在柵絕緣層上依次沉積半導(dǎo)體層以及摻雜半導(dǎo)體層；然后采用磁控濺射或熱蒸發(fā)等方法沉積源漏金屬層；
[0103]在源漏金屬層上涂覆一層光刻膠；
[0104]通過(guò)雙色調(diào)掩膜板曝光，形成對(duì)應(yīng)源電極以及漏電極區(qū)域的光刻膠完全保留區(qū)域、對(duì)應(yīng)溝道區(qū)域的光刻膠半保留區(qū)域以及對(duì)應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠完全去除區(qū)域；
[0105]顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒(méi)有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度變??；然后通過(guò)第一次刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬層、摻雜半導(dǎo)體層以及半導(dǎo)體層，形成有源層圖形；
[0106]通過(guò)灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏金屬層；
[0107]通過(guò)第二次刻蝕工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬層以及摻雜半導(dǎo)體層，并去除部分厚度的半導(dǎo)體層，形成源電極、漏電極以及溝道區(qū)域；
[0108]剝離剩余的光刻膠；
[0109]在源電極、漏電極及溝道區(qū)域上采用PECVD方法或者其他方式沉積形成鈍化層；
[0110]采用普通掩膜板工藝在鈍化層上形成過(guò)孔。
[0111]當(dāng)然，輔助枕墊層24也可以與柵絕緣層、有源層、源漏金屬層、鈍化層或者透明電極層等功能膜層在同一次構(gòu)圖工藝中形成，與上述方法相似，在此不再贅述。
[0112]本實(shí)施例中所提供的彩膜基板以及顯示面板，通過(guò)在黑矩陣12上形成枕墊層13，將隔墊物設(shè)置在枕墊層13上，從而增加了隔墊物的壓縮量，降低了重力Mura的風(fēng)險(xiǎn)，提升了畫面顯示質(zhì)量以及顯示裝置的可靠性；例如可以有效解決氧化物半導(dǎo)體液晶顯示面板中隔墊物壓縮量不足的問(wèn)題，從而極大提高氧化物半導(dǎo)體液晶顯示面板抗重力Mura的性能；同時(shí)，由于本發(fā)明中枕墊層13的厚度可以根據(jù)需求靈活設(shè)定，從而實(shí)現(xiàn)枕墊層13高度的連續(xù)型變化，因此可以靈活控制隔墊物的壓縮量，不必受限于現(xiàn)有技術(shù)的種種限制，此外，本發(fā)明可以方便隔墊物的設(shè)計(jì)，使隔墊物的加工制造更加容易，還可以隨時(shí)對(duì)量產(chǎn)品隔墊物的壓縮量進(jìn)行調(diào)整，從而減少產(chǎn)線波動(dòng)對(duì)畫面顯示品質(zhì)的影響，為提升顯示裝置的制備效率以及降低生產(chǎn)成本提供有力的技術(shù)支持。
[0113]實(shí)施例二
[0114]本實(shí)施例中首先提供了一種彩膜基板；如圖7中所示，該彩膜基板主要包括第一襯底基板11，設(shè)置在第一襯底基板11上的黑矩陣12和色阻層17，以及設(shè)置在黑矩陣12之上的隔墊物等；本實(shí)施例中的隔墊物包括主隔墊物14，第一輔助隔墊物15以及第二輔助隔墊物16 ;與實(shí)施實(shí)例一的主要區(qū)別在于，本實(shí)施例中，枕墊層13為多級(jí)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)；例如，可以為三級(jí)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)，將主隔墊物14設(shè)置在最高階上，將第一輔助隔墊物15設(shè)置在次高階上，將第二輔助隔墊物16設(shè)置在最低階上；又或者，可以為二級(jí)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)，將主隔墊物14設(shè)置在最高階上，將第一輔助隔墊物15設(shè)置在最低階上，將第二輔助隔墊物16直接設(shè)置在黑矩陣12上；當(dāng)然，在具有更多類型的隔墊物時(shí)，可以根據(jù)需要設(shè)計(jì)其他級(jí)數(shù)的臺(tái)階狀枕墊層13。出于盡量不增加工藝難度的目的，本實(shí)施例中的枕墊層13優(yōu)選為二級(jí)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)。
[0115]本實(shí)施例中還提供了一種上述二級(jí)臺(tái)階狀枕墊層13的制備方法；該方法的前一部分與實(shí)施例一中采用非感光黑色樹脂33制備黑矩陣12以及枕墊層13類似；即主要包括步驟:[0116]S1.清潔第一襯底基板11，第一襯底基板11可以是玻璃基板或者石英基板等等；在第一襯底基板11上涂覆一層非感光黑色樹脂33或者其他吸光材料；涂覆的黑色樹脂33的厚度直接決定著最后形成的枕墊層13最高階的厚度；枕墊層13最高階的厚度需要根據(jù)最終要形成的顯示面板的盒厚、主隔墊物14的壓縮量等因素(例如，如果在陣列基板上設(shè)置了輔助隔墊物，則也需要考慮輔助隔墊物的影響)具體設(shè)定，例如通過(guò)計(jì)算得到，枕墊層13的最高階與黑矩陣12的厚度之和優(yōu)選為1.05?3.15um，則與之相應(yīng)的，涂覆的黑色樹脂33的厚度需要為1.05?3.15um。
[0117]S2.通過(guò)兩次光刻工藝形成黑矩陣12以及枕墊層13圖案。示例性的，本實(shí)施例中提供了一種該步驟的具體實(shí)現(xiàn)方式，例如，包括:
[0118]S201.在黑色樹脂33層上涂覆一層光刻膠32 ；
[0119]S202.通過(guò)雙色調(diào)掩膜板31曝光，形成對(duì)應(yīng)枕墊層13的光刻膠完全保留區(qū)域、對(duì)應(yīng)黑矩陣12區(qū)域的光刻膠半保留區(qū)域以及對(duì)應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠完全去除區(qū)域并進(jìn)行顯影處理，顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠被完全保留，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域部分厚度的光刻膠被去除；
[0120]S203.通過(guò)第一刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的黑色樹脂33 ；
[0121]S204.通過(guò)灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；
[0122]S205.通過(guò)第二次刻蝕工藝去除光刻膠半保留區(qū)域部分厚度的黑色樹脂33 ；
[0123]通過(guò)控制刻蝕時(shí)間以及刻蝕時(shí)所用的刻蝕液濃度等，可以保證非感光黑色樹脂33厚度的連續(xù)型變化，從而可以靈活的控制黑矩陣12與枕墊層的段差，即可以根據(jù)需求靈活設(shè)定枕墊層的厚度；
[0124]S206.剝離剩余的光刻膠；
[0125]在此之后，需要將形成的枕墊層進(jìn)一步的形成臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)；例如可以通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn):
[0126]S207.在彩膜基板上涂覆一層光刻膠；
[0127]S208.通過(guò)掩膜板曝光，形成對(duì)應(yīng)枕墊層13最低階圖案的光刻膠完全去除區(qū)域以及對(duì)應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠完全去除區(qū)域；
[0128]S209.顯影處理后，通過(guò)刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域部分厚度的黑色樹脂33 ；
[0129]S210.剝離剩余的光刻膠，最終留下的黑色樹脂33即黑矩陣12以及枕墊層13，并且，枕墊層13為二級(jí)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)。
[0130]本實(shí)施例中的彩膜基板制備方法僅僅是制備本實(shí)施例所提供的彩膜基板的一種實(shí)現(xiàn)方法，實(shí)際使用中還可以通過(guò)增加或減少工藝次數(shù)、選擇不同的材料或材料組合改變實(shí)現(xiàn)方法來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
[0131]本實(shí)施例中還提供了一種應(yīng)用上述彩膜基板的顯示面板；如圖7中所示，該顯示面板包括上述彩膜基板以及與彩膜基板對(duì)盒的陣列基板，陣列基板包括第二襯底基板21以及形成在第二襯底基板21上的若干層功能膜層23 ;設(shè)置在枕墊層13最高階上的主隔墊物14與陣列基板擠壓接觸，設(shè)置在枕墊層13最低階第一輔助隔墊物15與陣列基板接觸即可，無(wú)需壓縮量，第二輔助隔墊物16懸空設(shè)置，不與陣列基板接觸；根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中隔墊物的材質(zhì)以及尺寸的綜合計(jì)算，與陣列基板擠壓接觸的主隔墊物14的壓縮量?jī)?yōu)選為該主隔墊物14初始高度的10%?20%;例如，可以為15%等等。并且，與實(shí)施例一中類似，還可以在第二襯底基板21或者功能膜層23與隔墊物和陣列基板擠壓接觸區(qū)域?qū)?yīng)的位置上設(shè)置輔助枕墊層24，具體如圖8中所示。
[0132]在本實(shí)施例中，通過(guò)優(yōu)化控制二級(jí)臺(tái)階狀枕墊層13最高階與最低階的段差、枕墊層13最低階與黑矩陣12的段差以及輔助枕墊層24的厚度，可以實(shí)現(xiàn)利用相同尺寸(或相同高度)的隔墊物分別作為主隔墊物14、第一輔助隔墊物15以及第二輔助隔墊物16，這樣，減少了隔墊物設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度，而且更有利于批量化生產(chǎn)。
[0133]實(shí)施例三
[0134]本實(shí)施例中提供了一種包括實(shí)施例一或?qū)嵤├峁┑娘@示面板的顯示裝置。由于在該顯示裝置中，通過(guò)設(shè)置在黑矩陣上的枕墊層增加了隔墊物的壓縮量，降低了重力Mura的風(fēng)險(xiǎn)，提升了畫面顯示質(zhì)量以及顯示裝置的可靠性；此外，由于枕墊層的厚度可以根據(jù)需求靈活設(shè)定，因此可以靈活控制隔墊物的壓縮量，不必受限于現(xiàn)有技術(shù)的種種限制，從而可以提升顯示裝置的制備效率以及降低生產(chǎn)成本。上述顯示裝置可以是:液晶顯示面板、電子紙、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0135]以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本發(fā)明，而并非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的保護(hù)范疇。
【權(quán)利要求】
1.一種彩膜基板，其特征在于，包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的黑矩陣以及設(shè)置在所述黑矩陣之上的隔墊物；至少一部分所述隔墊物與黑矩陣之間設(shè)置有枕墊層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述枕墊層與所述黑矩陣為一體式結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的彩膜基板，其特征在于，所述枕墊層為多級(jí)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述隔墊物包括主隔墊物和輔助隔墊物；所述主隔墊物設(shè)置在所述枕墊層的最高階上，所述輔助隔墊物設(shè)置在所述枕墊層最高階之外的其他階或黑矩陣上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述枕墊層為二級(jí)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的彩膜基板，其特征在于，所述隔墊物包括主隔墊物和輔助隔墊物；所述主隔墊物設(shè)置在所述枕墊層的最高階上，所述輔助隔墊物包括設(shè)置在所述枕墊層最低階上的第一輔助隔墊物以及設(shè)置在所述黑矩陣上的第二輔助隔墊物。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或6所述的彩膜基板，其特征在于，所述主隔墊物和輔助隔墊物的高度相問(wèn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述枕墊層的最高階與所述黑矩陣的厚度之和為1.05~3.15um。
9.一種彩膜基板制備方法，其特征在于，包括形成根據(jù)權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的枕墊層的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的彩膜基板制備方法，其特征在于，包括: Al.在襯底基板上涂覆一層感光黑色樹脂； A2.通過(guò)光刻工藝形成所述黑矩陣以及枕墊層圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的彩膜基板制備方法，其特征在于，所述步驟A2進(jìn)一步包括: A201.通過(guò)雙色調(diào)掩膜板曝光，形成對(duì)應(yīng)所述枕墊層的黑色樹脂完全保留區(qū)域、對(duì)應(yīng)所述黑矩陣區(qū)域的黑色樹脂半保留區(qū)域以及對(duì)應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的黑色樹脂完全去除區(qū)域； A202.進(jìn)行顯影處理，黑色樹脂完全保留區(qū)域的黑色樹脂被完全保留，黑色樹脂完全去除區(qū)域的黑色樹脂被完全去除，黑色樹脂半保留區(qū)域部分厚度的黑色樹脂被去除。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的彩膜基板制備方法，其特征在于，包括: 51.在襯底基板上涂覆一層非感光黑色樹脂； 52.通過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述黑矩陣以及枕墊層圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的彩膜基板制備方法，其特征在于，所述步驟S2進(jìn)一步包括: · 5201.在所述黑色樹脂層上涂覆一層光刻膠； ·5202.通過(guò)雙色調(diào)掩膜板曝光，形成對(duì)應(yīng)所述枕墊層的光刻膠完全保留區(qū)域、對(duì)應(yīng)所述黑矩陣區(qū)域的光刻膠半保留區(qū)域以及對(duì)應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠完全去除區(qū)域并進(jìn)行顯影處理； ·5203.通過(guò)刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的黑色樹脂； ·5204.通過(guò)灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；. 5205.通過(guò)刻蝕工藝去除光刻膠半保留區(qū)域部分厚度的黑色樹脂；.5206.剝離剩余的光刻膠。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的彩膜基板制備方法，其特征在于，所要形成的枕墊層為二級(jí)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)；所述步驟S206之后還包括:. 5207.在所述彩膜基板上涂覆一層光刻膠；. 5208.通過(guò)掩膜板曝光，形成對(duì)應(yīng)所述枕墊層最低階圖案的光刻膠完全去除區(qū)域以及對(duì)應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠完全去除區(qū)域；. 5209.顯影處理后，通過(guò)刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域部分厚度的黑色樹脂；. 5210.剝離剩余的光刻膠。
15.一種顯示面板，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的彩膜基板以及與所述彩膜基板對(duì)盒的陣列基板；至少一部分設(shè)置在所述枕墊層上的隔墊物與所述陣列基板擠壓接觸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示面板，其特征在于，與所述陣列基板擠壓接觸的隔墊物的壓縮量為該隔墊物初始高度的10%~20%。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示面板，其特征在于，所述陣列基板包括襯底基板以及形成在所述襯底基板上的若干層功能膜層；所述襯底基板或者功能膜層與隔墊物和陣列基板擠壓接觸區(qū)域?qū)?yīng)的位置上設(shè)置有輔助枕墊層。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的 顯示面板，其特征在于，所述隔墊物包括主隔墊物和輔助隔墊物；所述主隔墊物的壓縮量為該主隔墊物初始高度的10%~20%。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示面板，其特征在于，所述陣列基板包括襯底基板以及形成在所述襯底基板上的若干層功能膜層；所述襯底基板或者功能膜層與主隔墊物和陣列基板擠壓接觸區(qū)域?qū)?yīng)的位置上設(shè)置有輔助枕墊層。
20.一種制備權(quán)利要求15-19任意一項(xiàng)所述的顯示面板的方法，其特征在于，包括制備陣列基板的步驟以及根據(jù)權(quán)利要求9-14任意一項(xiàng)所述的方法制備彩膜基板的步驟。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的顯示面板制備方法，其特征在于，所述制備陣列基板的步驟還包括形成根據(jù)權(quán)利要求17或19所述的輔助枕墊層的步驟。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示面板制備方法，其特征在于，所述功能膜層包括柵極金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層、鈍化層以及透明電極層； 所述輔助枕墊層與所述柵極金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層、鈍化層或者透明電極層在同一次構(gòu)圖工藝中形成。
23.—種顯示裝置，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求15-19任意一項(xiàng)所述的顯示面板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1339GK103529591SQ201310484617
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月15日
【發(fā)明者】郭磊, 尹傛俊, 涂志中, 惠大勝 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司