電子照相感光構(gòu)件、其制造方法、處理盒與電子照相設(shè)備和吸附有化合物的顆粒的制作方法
【專利摘要】提供電子照相感光構(gòu)件、其制造方法、處理盒與電子照相設(shè)備和吸附有化合物的顆粒。所述顆粒包括：二氧化硅顆粒和吸附至各所述二氧化硅顆粒的化合物A，其中所述二氧化硅顆粒具有0.1μm以上且4μm以下的體積平均粒徑和400m2/g以上且1000m2/g以下的比表面積，所述化合物A為叔胺化合物和/或脲化合物，且所述化合物A具有150以上且550以下的分子量。
【專利說明】電子照相感光構(gòu)件、其制造方法、處理盒與電子照相設(shè)備和吸附有化合物的顆粒
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件和電子照相感光構(gòu)件的制造方法。本發(fā)明還涉及處理盒和電子照相設(shè)備。本發(fā)明還涉及吸附有化合物的顆粒。
【背景技術(shù)】
[0002]作為安裝至電子照相設(shè)備的電子照相感光構(gòu)件，已知迄今已被深入研究的、含有有機(jī)光導(dǎo)電性物質(zhì)(電荷產(chǎn)生物質(zhì))的電子照相感光構(gòu)件。特別地，為了延長所述電子照相感光構(gòu)件的壽命并提高圖像品質(zhì)，已經(jīng)嘗試改善電子照相感光構(gòu)件的耐久性。
[0003]作為延長電子照相感光構(gòu)件壽命的方法，已提出，例如涉及補(bǔ)強(qiáng)用于電荷輸送層的樹脂和導(dǎo)入固化性保護(hù)層的方法。然而，存在因所述層的耐磨性增強(qiáng)而發(fā)生圖像缺失的問題。圖像缺失為由于靜電潛像的模糊使輸出圖像變得模糊的現(xiàn)象。該現(xiàn)象被認(rèn)為是由以下引起:由充電產(chǎn)生的放電產(chǎn)物殘留在電子照相感光構(gòu)件的表面上而改變光電感光構(gòu)件表面的構(gòu)成材料的特性。
[0004]作為抑制圖像缺失的方法，給出涉及將抗氧化劑或堿性化合物摻入至電子照相感光構(gòu)件中的方法。日本專利申請?zhí)亻_2007-279678號提出涉及通過將特殊的胺化合物摻入至含有固化性樹脂的電子照相感光構(gòu)件的表面層而抑制圖像缺失的方法。另外，日本專利申請?zhí)亻_2011-118046號提出涉及使中空顆粒承載對抑制圖像缺失有效的物質(zhì)的制造方法。另外，日本專利申請?zhí)亻_2010-139618號提出含有金屬氧化物顆粒和除酸劑的保護(hù)層以改善機(jī)械耐久性和圖像缺失的抑制。
[0005]然而，作為由本發(fā)明的發(fā)明人研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)當(dāng)如日本專利申請?zhí)亻_2007-279678和2010-139618號中所述添加叔胺化合物或抗氧化劑時(shí)，電位穩(wěn)定性和抑制圖像缺失的效果不充分，并且有時(shí)固化不能充分地進(jìn)行，因此機(jī)械耐久性易于降低。還發(fā)現(xiàn)日本專利申請?zhí)亻_2011-118046號中描述的電子照相感光構(gòu)件在中空顆粒表面上不包含對抑制圖像缺失有效的物質(zhì)，因此有時(shí)抑制圖像缺失的效果不充分盡管電位穩(wěn)定性與固化受影響較小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于上述，本發(fā)明涉及提供機(jī)械耐久性和電位穩(wěn)定性優(yōu)異、并且能夠抑制圖像缺失的電子照相感光構(gòu)件，并涉及所述電子照相感光構(gòu)件的制造方法。另外，本發(fā)明涉及提供各自具有所述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。此外，本發(fā)明涉及提供吸附有化合物的顆粒。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供電子照相感光構(gòu)件，其包括:支承體和形成在所述支承體上的感光層，其中所述電子照相感光構(gòu)件的表面層包括顆粒，所述顆粒含二氧化硅顆粒和吸附至各二氧化硅顆粒的化合物A，所述二氧化硅顆粒具有0.1 μ m以上且4 μ m以下的體積平均粒徑和400m2/g以上且IOOOmVg以下的比表面積，所述化合物A為選自由叔胺化合物和脲化合物組成的組的至少一種，且化合物A具有150以上且550以下的分子量。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備主體的處理盒，其中所述處理盒一體化地支承:上述電子照相感光構(gòu)件和選自由充電裝置、顯影裝置、轉(zhuǎn)印裝置與清潔裝置組成的組的至少一種裝置。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供電子照相設(shè)備，其包括:上述電子照相感光構(gòu)件、充電裝置、圖像曝光裝置、顯影裝置和轉(zhuǎn)印裝置。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的另外方面，提供含二氧化硅顆粒和吸附至二氧化硅顆粒的化合物A的顆粒，其中所述二氧化硅顆粒具有0.1 μ m以上且4 μ m以下的體積平均粒徑和400m2/g以上且IOOOmVg以下的比表面積，所述化合物A為選自由叔胺化合物和脲化合物組成的組的至少一種，和所述化合物A具有150以上且550以下的分子量。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另外方面，提供包括支承體和形成在所述支承體上的感光層的電子照相感光構(gòu)件的制造方法，所述制造方法包括:通過將所述二氧化硅顆粒與所述化合物A混合于溶劑中接著研磨而獲得顆粒，所述顆粒含二氧化硅顆粒和吸附至各二氧化硅顆粒的化合物A ;制備包含含所述二氧化硅顆粒和吸附至各二氧化硅顆粒的化合物A的顆粒的表面層涂布液；形成表面層涂布液的涂膜；以及通過將該涂膜干燥而形成表面層，其中所述二氧化硅顆粒具有0.1 μ m以上且4 μ m以下的體積平均粒徑和400m2/g以上且IOOOmVg以下的比表面積，所述化合物A為選自由叔胺化合物和脲化合物組成的組的至少一種，且所述化合物A具有150以上且550以下的分子量。
[0012]根據(jù)本發(fā)明，通過在電子照相感光構(gòu)件的表面層中使用上述顆粒可以提供即使當(dāng)長時(shí)間用于輸出速度高的復(fù)印機(jī)或打印機(jī)時(shí)仍滿足機(jī)械耐久性、電氣耐久性并在高水平上抑制圖像缺失的高性能電子照相感光構(gòu)件和所述電子照相感光構(gòu)件的制造方法。另外，根據(jù)本發(fā)明，提供各自具有電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。此外，根據(jù)本發(fā)明，提供可以提高機(jī)械耐久性并抑制圖像缺失的高功能性顆粒。
[0013]參考附圖從示例性實(shí)施方案的以下描述中，本發(fā)明的進(jìn)一步的特征將變得顯而易見。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1A和IB為各自示出根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的層構(gòu)成的實(shí)例的視圖。
[0015]圖2為示出包括具有根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的處理盒的電子照相設(shè)備的示意性構(gòu)成的實(shí)例的視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]以下詳細(xì)描述本發(fā)明。
[0017]在包括支承體和形成在所述支承體上的感光層的電子照相感光構(gòu)件中，所述電子照相感光構(gòu)件的表面層包括顆粒，所述顆粒含二氧化硅顆粒和吸附至各二氧化硅顆粒的化合物A。所述二氧化娃顆粒具有0.Ιμπι至4μηι的體積平均粒徑和400m2/g至1000m2/g的比表面積。所述化合物A具有150至550的分子量，并且為選自由叔胺化合物和脲化合物組成的組的至少一種。
[0018]以下，本發(fā)明的發(fā)明人描述為什么本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件可以提高機(jī)械耐久性和電位穩(wěn)定性并抑制圖像缺失的理由。
[0019]已報(bào)道可以通過將抗氧化劑和堿性化合物摻入至電子照相感光構(gòu)件的表面層中而抑制圖像缺失。然而，當(dāng)將抗氧化劑和堿性化合物簡單地?fù)饺胫帘砻鎸又袝r(shí)，在多數(shù)情況下所述電子照相感光構(gòu)件的電位穩(wěn)定性和機(jī)械耐久性降低。為了提高電子照相感光構(gòu)件的機(jī)械耐久性，存在使抗氧化劑和堿性化合物與固化性樹脂組合的步驟。根據(jù)該步驟，抗氧化劑和堿性化合物抑制固化反應(yīng)，因此所述電子照相感光構(gòu)件的機(jī)械耐久性可能易于降低。
[0020]鑒于上述，本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)使用包括以下的顆粒:具有在上述范圍內(nèi)的體積平均粒徑與在上述范圍內(nèi)的比表面積的具有眾多孔的多孔二氧化硅顆粒和吸附至各二氧化硅顆粒的化合物A，所述化合物A具有高抑制圖像缺失的效果且強(qiáng)烈地吸附于各二氧化硅顆粒。本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)當(dāng)將含二氧化硅顆粒和吸附至各二氧化硅顆粒的化合物A的顆粒摻入至表面層中時(shí)，顯示抑制圖像缺失的效果。本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)為，通過使用包括二氧化硅顆粒和吸附至各二氧化硅顆粒的化合物A的顆粒(以下有時(shí)稱為“吸附顆粒”)，作為另外的效果，可以提高電子照相感光構(gòu)件的機(jī)械耐久性，而不損害電位穩(wěn)定性。
[0021]更優(yōu)選二氧化娃顆粒具有550m2/g至1000m2/g的比表面積。仍更優(yōu)選二氧化娃顆粒具有3 μ m至4 μ m的體積平均粒徑和500m2/至760m2/g的比表面積。為什么更優(yōu)選二氧化硅顆粒具有550m2/g至1000mVg的比表面積的理由在于以下:在所述吸附顆粒中，二氧化硅顆粒與電子照相感光構(gòu)件表面層中包含的化合物A的接觸面積增加，并抑制圖像缺失的效果增強(qiáng)。
[0022]另外，由于吸 附至二氧化硅顆粒的化合物A的量增加，所以優(yōu)選二氧化硅顆粒具有孔且平均孔徑為5nm以下，并更優(yōu)選二氧化硅顆粒具有Inm至5nm的平均孔徑。其中，優(yōu)選具有3nm至6nm平均孔徑的二氧化娃顆粒,并更優(yōu)選具有3nm至5nm的平均孔徑的二氧
化娃顆粒。
[0023]所述化合物A為選自由叔胺化合物和脲化合物組成的組的至少一種，并具有150至550的分子量。更優(yōu)選化合物A具有240至448的分子量。
[0024]具有150至550的分子量的叔胺化合物中，由于電位穩(wěn)定性的較少降低和高的抑
制圖像缺失效果而更優(yōu)選由以下結(jié)構(gòu)式(I)表示的化合物。
[0025]
【權(quán)利要求】
1.一種電子照相感光構(gòu)件,其包括: 支承體；和 形成在所述支承體上的感光層； 其中所述電子照相感光構(gòu)件的表面層包括顆粒，所述顆粒包括: 二氧化硅顆粒；和 吸附至各所述二氧化硅顆粒的化合物A， 所述二氧化硅顆粒具有0.1 μ m以上且4μ m以下的體積平均粒徑和400m2/g以上且1000mVg以下的比表面積， 所述化合物A為選自由叔胺化合物和脲化合物組成的組的至少一種，和 所述化合物A具有150以上且550以下的分子量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述化合物A為具有150以上且550以下分子量的叔胺化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述叔胺化合物為由以下結(jié)構(gòu)式(I)表示的化合物:

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述化合物A為具有150以上且550以下分子量的脲化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述脲化合物為由以下結(jié)構(gòu)式(4)表示的化合物:

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述脲化合物為由以下結(jié)構(gòu)式(5)表示的化合物:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述Ar3和Ar4各自表示取代或未取代的苯基，所述Ar5表示亞苯基，和所述R13至R16各自表示甲基。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述二氧化硅顆粒具有550m2/g以上且1000mVg以下的比表面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述二氧化硅顆粒具有孔且平均孔徑為5nm以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中基于100質(zhì)量份包含所述二氧化硅顆粒和吸附至各所述二氧化硅顆粒的所述化合物A的顆粒，所述化合物A以10質(zhì)量％以上且50質(zhì)量％以下的量吸附至各所述二氧化硅顆粒。
11.一種處理盒，其可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體，其中所述處理盒一體化地支承:根據(jù)權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件；和選自由充電裝置、顯影裝置、轉(zhuǎn)印裝置和清潔裝置組成的組的至少一種裝置。
12.一種電子照相設(shè)備，其包括:根據(jù)權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件；充電裝置；圖像曝光裝置；顯影裝置和轉(zhuǎn)印裝置。
13.一種顆粒，其包括: 二氧化硅顆粒；和 吸附至所述二氧化硅顆粒的化合物A，其中 所述二氧化硅顆粒具有0.1 μ m以上且4μ m以下的體積平均粒徑和400m2/g以上且1000mVg以下的比表面積， 所述化合物A為選自由叔胺化合物和脲化合物組成的組的至少一種，和 所述化合物A具有150以上且550以下的分子量。
14.一種電子照相感光構(gòu)件的制造方法，所述電子照相感光構(gòu)件包括支承體和形成在所述支承體上的感光層， 所述制造方法包括: 通過將所述二氧化硅顆粒和所述化合物A混合于溶劑中接著研磨而獲得顆粒，所述顆粒含二氧化硅顆粒和吸附至各所述二氧化硅顆粒的化合物A ； 制備包含所述顆粒的表面層涂布液，所述顆粒含所述二氧化硅顆粒和吸附至各二氧化硅顆粒的所述化合物A ； 形成表面層涂布液的涂膜；和 通過干燥所述涂膜而形成表面層，其中 所述二氧化硅顆粒具有0.1 μ m以上且4μ m以下的體積平均粒徑和400m2/g以上且1000m2/g以下的比表面積， 所述化合物A為選自由叔胺化合物和脲化合物組成的組的至少一種，和 所述化合物A具有150以上且 550以下的分子量。
【文檔編號】G03G15/00GK103728850SQ201310474112
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年10月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月12日
【發(fā)明者】田中正人, 野中正樹 申請人:佳能株式會(huì)社