光刻重疊采樣的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的一些實(shí)施例涉及光刻重疊采樣，其中一種對準(zhǔn)方法包括：在晶圓的一面上限定多個(gè)區(qū)域；以及將多個(gè)區(qū)域組織成正交區(qū)域結(jié)構(gòu)和兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)。在兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第一數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，并且在正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第二數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，第二數(shù)量大于第一數(shù)量。然后，基于測量得到的兩個(gè)或更多區(qū)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)和正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，將部件或?qū)优c之前形成的部件或?qū)訉?zhǔn)。
【專利說明】光刻重疊采樣

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明總的來說涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及光刻重疊采樣。

【背景技術(shù)】
[0002]以下發(fā)明涉及重疊計(jì)量(overlay metrology)以及在保持半導(dǎo)體制造工藝的生產(chǎn)量的同時(shí)，在兩次或更多對準(zhǔn)事件之間提高重疊控制的方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種將部件或?qū)优c之前在晶圓的一面上形成的部件或?qū)訉?zhǔn)的方法，包括:在晶圓的一面上限定多個(gè)區(qū)域；將多個(gè)區(qū)域組織成正交區(qū)域結(jié)構(gòu)和兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，正交區(qū)域結(jié)構(gòu)由位于第一正交軸和第二正交軸上并且被配置在晶圓外緣附近的區(qū)域組成，并且每一個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)都包括與正交區(qū)域結(jié)構(gòu)分離的兩個(gè)或更多個(gè)相鄰區(qū)域；在兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第一數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置；在正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第二數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，第二數(shù)量大于第一數(shù)量；以及基于測量得到的兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)和正交區(qū)域結(jié)構(gòu)中的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，將部件或?qū)优c之前形成的部件或?qū)訉?zhǔn)。
[0004]優(yōu)選地，兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域的第一數(shù)量介于1和3之間，而正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域的第二數(shù)量為4個(gè)以上。
[0005]優(yōu)選地，正交區(qū)域結(jié)構(gòu)還包括位于晶圓的中心的區(qū)域，并且第一正交軸和第二正交軸在此處相交。
[0006]優(yōu)選地，兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)關(guān)于第一正交軸和第二正交軸是不對稱的。
[0007]優(yōu)選地，兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)均包括預(yù)定數(shù)量的區(qū)域，并且連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)中的預(yù)定數(shù)量的區(qū)域被配置為在第一正交軸方向上包括連續(xù)相鄰的區(qū)域。
[0008]優(yōu)選地，在每一個(gè)區(qū)域內(nèi)，固定數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)都包括相同的配置。
[0009]優(yōu)選地，測量得到的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置包括每一個(gè)區(qū)域內(nèi)固定數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的子集。
[0010]優(yōu)選地，在正交區(qū)域結(jié)構(gòu)內(nèi)測量所有對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置。
[0011]優(yōu)選地，在連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量至少一個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置還包括:測量連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)的不同對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)直至連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)中的所有對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)都被測量。
[0012]優(yōu)選地，連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)內(nèi)的區(qū)域的數(shù)量等于對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的固定數(shù)量。
[0013]優(yōu)選地，連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的數(shù)量與對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的數(shù)量的乘積加上正交區(qū)域的數(shù)量得到的總和等于晶圓上的區(qū)域的總數(shù)。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種在其一面上包括多個(gè)相鄰區(qū)域的晶圓的對準(zhǔn)方法，包括:將多個(gè)相鄰區(qū)域組織成正交區(qū)域結(jié)構(gòu)和兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，正交區(qū)域結(jié)構(gòu)由位于第一正交軸和第二正交軸上并且被配置在晶圓外緣附近和位于晶圓的中心的區(qū)域組成，并且每一個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)都包括與正交區(qū)域結(jié)構(gòu)分離的兩個(gè)或更多個(gè)相鄰區(qū)域；在兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量至少一個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置；在正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量四個(gè)或更多個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置；以及基于測量得到的兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)和正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，將位于掩模上的部件或?qū)优c晶圓的一面上的之前形成的部件或?qū)訉?zhǔn)。
[0015]優(yōu)選地，在兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量至少一個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置包括:測量連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)的不同對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)直至連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)中的所有對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)都被測量。
[0016]優(yōu)選地，兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)均包括預(yù)定數(shù)量的區(qū)域，并且連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)中的預(yù)定數(shù)量的區(qū)域被配置為在第一正交軸方向上包括連續(xù)區(qū)域。
[0017]優(yōu)選地，在正交區(qū)域結(jié)構(gòu)內(nèi)測量所有對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置。
[0018]優(yōu)選地，隨機(jī)地確定對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的位置或者根據(jù)部件或?qū)踊蛘咧靶纬傻牟考驅(qū)拥奈恢煤皖愋蛠泶_定對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的位置。
[0019]優(yōu)選地，測量得到的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置用于對包括模型化的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置的晶圓形貌圖進(jìn)行建模。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種計(jì)量系統(tǒng)，包括:測量工具，被配置為對包括多個(gè)區(qū)域的晶圓上的區(qū)域內(nèi)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置進(jìn)行測量，其中，晶圓的每一個(gè)區(qū)域都包括對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的相同配置；以及計(jì)算單元，被配置為將多個(gè)區(qū)域劃分為兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)，并且指示測量工具根據(jù)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)所在區(qū)域或連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)來測量對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)。
[0021]優(yōu)選地，計(jì)算單元還被配置為編制包括經(jīng)過測量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置的測量后的晶圓圖。
[0022]優(yōu)選地，該計(jì)量系統(tǒng)還包括對準(zhǔn)臺，對準(zhǔn)臺連接至計(jì)算單元并被配置為以使經(jīng)過建模的晶圓圖中的模型化的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置與通過測量工具測量得到的測量后的晶圓圖中的測量對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置之間的剩余偏移最小化的方式，將晶圓對準(zhǔn)于曝光工具，其中，曝光工具被配置為提供被圖案化裝置過濾的電磁輻射。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1示出了由中間掩模區(qū)域(reticle field)的周期性陣列組成的圖案化晶圓；
[0024]圖2示出了包含多個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的中間掩模區(qū)域；
[0025]圖3示出了包含已被劃分為多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)和正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的多個(gè)區(qū)域的晶圓的一些實(shí)施例；
[0026]圖4示出了連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)內(nèi)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)變化的一些實(shí)施例；
[0027]圖5示出了將晶圓示例性地劃分為多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的一些實(shí)施例；
[0028]圖6A至圖6C示出了一些對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)測量方法與本發(fā)明實(shí)施例的比較；
[0029]圖7A和圖7B示出了用圖6A至圖6C的方法測量得到的剩余偏移(residualoffset)的圖形；
[0030]圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的被配置進(jìn)行操作的計(jì)量系統(tǒng)的一些實(shí)施例；以及[0031 ] 圖9示出了掩模對準(zhǔn)方法的一些實(shí)施例。

【具體實(shí)施方式】
[0032]參考附圖描述本發(fā)明，其中，類似的參考數(shù)字用于指代全篇中類似的元件，并且示出的結(jié)構(gòu)不必按照比例來繪制。應(yīng)理解，具體的描述和相應(yīng)的附圖沒有以任何方式來限制本發(fā)明的范圍，而是其僅提供了幾個(gè)實(shí)例以示出發(fā)明概念可驗(yàn)證自身的一些方式。
[0033]以一系列連續(xù)的光刻步驟來制造硅晶圓上的半導(dǎo)體器件，這些步驟包括掩模對準(zhǔn)、曝光以及光刻膠顯影以形成限定硅晶圓上用于器件結(jié)構(gòu)和互連件的區(qū)域的圖案。根據(jù)重疊/對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，使圖案形成在硅晶圓上與硅晶圓上存在的其他部件對準(zhǔn)。在一些情況下，例如，在雙圖案化工藝中，使圖案形成在硅晶圓上與其他圖案對準(zhǔn)。雙圖案化(DP)光刻工藝使得部件間距相比單曝光技術(shù)減小，但是由于掩模重疊(OVL)的可變性而可經(jīng)歷額外的工藝變化。此外，諸如在IC制造過程中晶圓熱循環(huán)的效應(yīng)會使理想化的平坦晶圓表面變形并且形成晶圓形貌，當(dāng)與晶圓表面對準(zhǔn)時(shí)，晶圓形貌通過使對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置偏離它們指定的位置，也可能劣化OVL控制。
[0034]為了減緩OVL的可變性并易于形成穩(wěn)定的掩模對準(zhǔn)，將專門的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)置于IC的物理布局?jǐn)?shù)據(jù)中，并且被半導(dǎo)體制造(FAB)流水線中的在線對準(zhǔn)工具所使用以在掩模對準(zhǔn)期間實(shí)現(xiàn)OVL控制。隨著在線采樣的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置的數(shù)量增加，也會使得對晶圓形貌描述的準(zhǔn)確度提高，從而掩模對準(zhǔn)的準(zhǔn)確性也得以提高。然而，采樣的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)數(shù)量的增加降低了 FAB的生產(chǎn)量。這樣，只可能采樣對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置的子集，因此OVL的精度下降。從300mm晶圓轉(zhuǎn)換至下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造中的450mm晶圓也促生了對優(yōu)于一些先前工藝方法的改進(jìn)OVL的需要。
[0035]因此，本發(fā)明的一些實(shí)施例涉及使部件或?qū)拥膱D案與之前在晶圓表面上形成的部件或?qū)訉?zhǔn)的方法。該方法包括在晶圓的表面上限定多個(gè)區(qū)域，并且將多個(gè)區(qū)域組織成正交區(qū)域結(jié)構(gòu)和兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，正交區(qū)域結(jié)構(gòu)由位于第一和第二正交軸上并且被配置在晶圓外緣附近的區(qū)域組成，而每一連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)都包括與正交區(qū)域結(jié)構(gòu)分離的兩個(gè)或更多相鄰的區(qū)域。在兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第一數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，并且在正交區(qū)域結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第二數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，其中，第二數(shù)量大于第一數(shù)量。然后，基于測量到的兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)和正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，將部件或?qū)优c之前形成的部件或?qū)訉?zhǔn)。
[0036]圖1示出了由中間掩模區(qū)域102的周期性陣列組成的圖案化晶圓100 (例如，Si或絕緣體上娃(SOI))。在一些實(shí)施例中，每個(gè)中間掩模區(qū)域102都包含通過步進(jìn)重復(fù)工具而被圖案化的1C，其中步進(jìn)重復(fù)工具被配置為基于從IC的物理布局?jǐn)?shù)據(jù)得到的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置的晶圓圖而使圖案化掩模與對應(yīng)的中間掩模區(qū)域102對準(zhǔn)。在一些實(shí)施例中，IC的物理布局?jǐn)?shù)據(jù)包括GL1、OASIS或⑶SII格式，其在CADENCE VIRTUOSO或MENTORGRAPHICS設(shè)計(jì)窗口中建立，并且將其組合到中間掩模區(qū)域102的晶圓級周期陣列中，其中在每個(gè)中間掩模區(qū)域102內(nèi)都包括一個(gè)或多個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。
[0037]圖2示出了包含對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)202的配置的中間掩模區(qū)域102。在一些實(shí)施例中，隨機(jī)地確定對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的位置。在一些實(shí)施例中，對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的位置由部件或?qū)踊蛘哂芍靶纬傻牟考驅(qū)拥奈恢煤皖愋蜎Q定，以幫助提高由部件或?qū)有纬傻钠骷漠a(chǎn)量和性能。例如，可將對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)202的站點(diǎn)選擇在厚氧化形狀(thick oxidat1n shape)的區(qū)域內(nèi)以確保當(dāng)將包括氧化形狀的掩模與之前在此區(qū)域內(nèi)形成的部件對準(zhǔn)時(shí)，形成穩(wěn)定的對準(zhǔn)。其他部件或?qū)涌砂艠O多晶硅、用于形成源極/漏極的氧化物限定形狀、局部互連件形狀、通孔和接觸件形狀以及金屬化形狀。在一些實(shí)施例中，選擇對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的位置以與中間掩模區(qū)域102的邊界204、第一正交中心線206或第二正交中心線208 —致。在一些實(shí)施例中，為了監(jiān)測橫跨設(shè)置于晶圓表面上的多個(gè)中間掩模區(qū)域的布局形貌的臨界尺寸(CD)的變化，中間掩模區(qū)域102包含附加的計(jì)量結(jié)構(gòu)以用于在掩模對準(zhǔn)事件期間的附加重疊(OVL)控制。
[0038]圖3示出了包含設(shè)置于晶圓300 —面上的多個(gè)區(qū)域301-369的晶圓300的一些實(shí)施例，其中，晶圓300已被劃分為多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)以及正交區(qū)域結(jié)構(gòu)。連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)包括:由區(qū)域301-302和304-313組成的第一連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)；由區(qū)域314-325組成的第二連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)；由區(qū)域326-330、332-334、336-338以及340-342組成的第三連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)；由區(qū)域343-356組成的第四連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)；以及由區(qū)域357-366、368和369組成的第五連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)。第一至第五連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)包括與正交區(qū)域結(jié)構(gòu)相分離的相鄰區(qū)域，并且形成關(guān)于第一和第二正交軸370、371不對稱的形狀。正交區(qū)域結(jié)構(gòu)由位于第一和第二正交軸370、371上并且布置在晶圓300的外緣附近的區(qū)域303、331、339和367組成。通常，正交區(qū)域結(jié)構(gòu)包含至少四個(gè)區(qū)域。對于圖3中的實(shí)施例，正交區(qū)域結(jié)構(gòu)還包括位于晶圓中心的第五區(qū)域335，并且第一和第二正交軸370、371在此處相交。
[0039]第一至第五連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)均包括預(yù)定數(shù)量的區(qū)域:第一連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)由12個(gè)區(qū)域組成，第二連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)由12個(gè)區(qū)域組成，第三連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)由14個(gè)區(qū)域組成，第四連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)由14個(gè)區(qū)域組成，以及第五連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)由12個(gè)區(qū)域組成。對于圖3的實(shí)施例，連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)內(nèi)區(qū)域的數(shù)量大于或等于區(qū)域內(nèi)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的數(shù)量。對于圖3的實(shí)施例，連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的預(yù)定數(shù)量的區(qū)域被配置為包括位于第一正交軸370 (例如，水平)方向上的連續(xù)相鄰的區(qū)域。區(qū)域301-305形成水平配置的第一行。類似地，區(qū)域306-312形成也被水平配置的第二行。區(qū)域313是第一連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的最后一個(gè)區(qū)域，并且位于第三行的第一位置處，該位置是沿著第一正交軸370的配置在第二行中的所有區(qū)域位置已被占據(jù)后的下一個(gè)位置。對第二至第五連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)進(jìn)行類似配置。
[0040]示出了區(qū)域339的分解圖，并且其包括分布于其中的12個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。對于圖3的實(shí)施例，測量正交區(qū)域結(jié)構(gòu)中所有對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，而僅測量第一至第五連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)的單個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置。
[0041]圖4示出了源自圖3實(shí)施例的、由區(qū)域301-302和304-313組成的第一連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的站點(diǎn)集合400，其中每個(gè)區(qū)域都包含數(shù)量固定的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)，其在每個(gè)區(qū)域內(nèi)以相同的配置聚集。對于圖4的實(shí)施例，根據(jù)每個(gè)區(qū)域內(nèi)固定數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)集合僅測量單個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置(示為陰影對準(zhǔn)結(jié)構(gòu))。此外，在第一連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每個(gè)區(qū)域內(nèi)測量不同對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)直至第一連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)中的所有對準(zhǔn)站點(diǎn)位置都已被測量。對于包含大于12個(gè)區(qū)域的連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)(例如，第三或第四連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu))，對剩余的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)進(jìn)行采樣直至每個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)都至少被采樣一次。
[0042]圖5示出了將晶圓500示例性地劃分為多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的一些實(shí)施例，其中，第一連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)由區(qū)域501、503-508以及512-515組成；第二連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)由區(qū)域509-511,517-521以及527-529組成；以及第三連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)由區(qū)域523_526、530_534、535和537組成。第一至第三連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)都包含11個(gè)區(qū)域。晶圓也被劃分為正交區(qū)域結(jié)構(gòu)，其由位于第一和第二正交軸538、539上并且被配置在晶圓外緣附近的區(qū)域502、516、522和536 (0=4)組成。
[0043]對于圖5的實(shí)施例，在第一至第三連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每個(gè)區(qū)域結(jié)構(gòu)內(nèi)測量第一數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，并且在正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的每個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第二數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置。第二數(shù)量大于第一數(shù)量。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，選擇第一和第二數(shù)量以在在線FAB流水線上的晶圓采樣的生產(chǎn)量和OVL的精確度之間做出折中。對于本發(fā)明的一些實(shí)施例，第一至第三連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每個(gè)區(qū)域的第一數(shù)量介于I和3之間，而正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的每個(gè)區(qū)域的第二數(shù)量是4以上。
[0044]對于圖5的實(shí)施例，晶圓500上區(qū)域的總數(shù)(T)是37。每個(gè)區(qū)域都包含相同的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)配置540，其中，對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)配置540包含與每一個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)(R=3)內(nèi)的區(qū)域個(gè)數(shù)相等的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置(N=ll)。因此，連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的數(shù)量(R)與對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置的數(shù)量(N)的乘積加上正交區(qū)域的數(shù)量(O)的總和等于晶圓上區(qū)域的總數(shù)(T)，
[0045]NXR+0=T
[0046]圖6A至圖6C示出了一些對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的測量方法與本發(fā)明實(shí)施例的比較。圖6A的第一晶圓600A包含69個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域都包含具有12個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的相同配置。在利用第一方法的對準(zhǔn)事件期間，采樣了總共10個(gè)采樣區(qū)域602A，其中，在晶圓對準(zhǔn)之前，采樣區(qū)域602A中的所有12個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了每第一晶圓600A的1X 12=120個(gè)采樣站點(diǎn)或約為區(qū)域15%的采樣覆蓋率。第一方法是對先前一些工藝技術(shù)的說明并且可被演示為在對準(zhǔn)對稱操作之后產(chǎn)生約為0.25nm的剩余偏移。
[0047]圖6B的第二晶圓600B也包含69個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域都包含12個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的相同配置。將69個(gè)區(qū)域組織成第一至第五連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)602B-610B。在使用第二方法的對準(zhǔn)事件期間，圖6B的69個(gè)區(qū)域均被至少采樣一次，其中，在每一連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)內(nèi)對配置中的12個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)中的每一個(gè)站點(diǎn)至少采樣一次，從而為第二晶圓600B產(chǎn)生69個(gè)采樣站點(diǎn)，采樣覆蓋率為100%。注意，第二方法與第一方法相比在每個(gè)晶圓中使用了大約一半的采樣站點(diǎn)，因此產(chǎn)量約為兩倍。
[0048]圖6C示出了也包含69個(gè)區(qū)域的晶圓300的實(shí)施例，其按照圖3所述的方式來配置。根據(jù)圖4的實(shí)施例，第一至第五連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)均被采樣一次，其中在連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一區(qū)域中測量不同的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)直至連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)中的所有對準(zhǔn)站點(diǎn)位置都被測量，從而在第一至第五連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)中形成64個(gè)采樣站點(diǎn)。在正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的五個(gè)區(qū)域內(nèi)測量四個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，產(chǎn)生正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的20個(gè)采樣站點(diǎn)。因此，包含圖6C的實(shí)施例的第三方法在晶圓300上產(chǎn)生84個(gè)采樣站點(diǎn)，區(qū)域的采樣覆蓋率為100%。注意，第三方法與第一方法相比在每個(gè)晶圓中使用了大約三分之二的采樣站點(diǎn)，因此其產(chǎn)量比第一方法的產(chǎn)量高出約50%。第三方法是對本發(fā)明一些實(shí)施例的說明，并且可被演示為在對準(zhǔn)對稱操作后產(chǎn)生約為0.14nm的剩余偏移。
[0049]圖7A至圖7B示出了根據(jù)圖6A至圖6C中的方法測量得到的剩余偏移的圖形，在第一圖形700A中，剩余偏移作為第一正交方向(例如，X軸或水平方向)上每個(gè)區(qū)域的采樣站點(diǎn)的函數(shù)，而在第二圖形700B中，剩余偏移作為第二正交方向(例如，y軸或垂直方向)上每個(gè)區(qū)域的采樣站點(diǎn)的函數(shù)。在由向晶圓施加的對稱操作(包括圍繞3軸的旋轉(zhuǎn)、偏移或它們的組合)組成的對準(zhǔn)工藝后，通過考量位于晶圓一面上的每個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和它們先前形成的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)之間的偏差來計(jì)算剩余偏移。
[0050]圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的被配置進(jìn)行操作的計(jì)量系統(tǒng)800的一些實(shí)施例。計(jì)量系統(tǒng)800被配置為對包括多個(gè)區(qū)域的晶圓802內(nèi)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置進(jìn)行測量并且以使經(jīng)過建模的晶圓圖的模型化對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置與通過測量工具806測量得到的測量晶圓圖中的測量后的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置之間的剩余偏移最小化的方式來將圖案化裝置804對準(zhǔn)于晶圓802。測量工具806被配置為測量晶圓802表面上的區(qū)域內(nèi)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，其中，晶圓802的每一個(gè)區(qū)域都包含相同的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的配置。
[0051]計(jì)量系統(tǒng)800還包括計(jì)算單元808，其被配置為將多個(gè)區(qū)域組織成兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)，并且指示測量工具806測量作為區(qū)域或連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的函數(shù)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)，其中，對對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)進(jìn)行定位以提供連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)內(nèi)的所有對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的完全采樣。計(jì)算單元808還被配置為通過測量對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置來編制測量后的晶圓圖，并且通過將晶圓802測量后的表面形貌推導(dǎo)至未測量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)來編制經(jīng)過建模的晶圓圖。對準(zhǔn)臺810可利用經(jīng)過建模的晶圓圖，對準(zhǔn)臺810連接至計(jì)算單元808并且被配置為通過對晶圓802執(zhí)行的對稱操作使晶圓802對準(zhǔn)于曝光工具812。曝光工具812被配置為提供被圖案化裝置804 (例如，石英光掩模)過濾的電磁輻射。圖案化裝置804包含由圖案化裝置804的不透明區(qū)和透明區(qū)814所限定的圖案，其中，光透過透明區(qū)814從而在晶圓802表面上形成經(jīng)顯影的光刻膠的圖案。
[0052]在一些實(shí)施例中，曝光工具812包括步進(jìn)重復(fù)工具，其用于將圖案化裝置804與區(qū)域的原始位置對準(zhǔn)，并且暴露于光源以在“步進(jìn)”至晶圓802上的區(qū)域的下一周期位置前在區(qū)域中形成圖案。計(jì)算單元808、對準(zhǔn)臺810以及曝光工具812都受控制器816的控制，其中，以使由圖案化裝置804形成的部件或?qū)优c之前在晶圓802表面上形成的部件或?qū)又g的剩余偏移最小化的方式，根據(jù)由計(jì)算單元808提供的模型化的晶圓圖，控制器將曝光工具812置于晶圓802上方。
[0053]對于圖8的實(shí)施例，通過為每個(gè)區(qū)域都提供至少單個(gè)數(shù)據(jù)的經(jīng)過測量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置而生成測量的表面形貌。理想情況下，晶圓802是平坦的并且精確對準(zhǔn)于100%的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)是可能的。然而，在實(shí)際中，晶圓802形貌的變化將使對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置出現(xiàn)偏差從而使得精確對準(zhǔn)是不可能的。形貌的變形可由熱效應(yīng)(諸如晶圓的熱循環(huán))、機(jī)械效應(yīng)(諸如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)或蝕刻)、電磁效應(yīng)(諸如由于電勢引起的變形)或其他包括熱循環(huán)的工藝步驟等導(dǎo)致。
[0054]圖9不出了掩模對準(zhǔn)方法900的一些實(shí)施例。盡管將方法900不作和描述為一系列的動作或事件，但是應(yīng)理解，這些動作或事件所示出的順序不應(yīng)按局限的意義來解釋。例如，一些動作可按照不同的順序發(fā)生和/或與除了本發(fā)明所示和/或所述之外的其他動作或事件同時(shí)發(fā)生。此外，不要求所有示出的動作都能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明描述中的一個(gè)或多個(gè)方面或?qū)嵤├?。此外，可在一個(gè)或多個(gè)獨(dú)立的動作和/或階段中執(zhí)行本發(fā)明所述的一個(gè)或多個(gè)動作。
[0055]在步驟902中，提供晶圓，其包含位于晶圓一面上的多個(gè)區(qū)域。
[0056]在步驟904中，將多個(gè)區(qū)域組織成正交區(qū)域結(jié)構(gòu)和兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)。正交區(qū)域結(jié)構(gòu)由位于第一和第二正交軸上并且被安置在晶圓外緣附近的區(qū)域組成。每一個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)都包括與正交區(qū)域結(jié)構(gòu)分離的兩個(gè)或更多個(gè)相鄰區(qū)域。
[0057]在步驟906中，在兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第一數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置。在一些實(shí)施例中，在兩個(gè)或多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量單個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，其中，測量到的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置包括每一區(qū)域內(nèi)固定數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的子集，并且每一區(qū)域內(nèi)的固定數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)都包含相同的配置。在一些實(shí)施例中，在連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量一個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置還包括在連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量不同對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)直至連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)內(nèi)的所有對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置都被測量。
[0058]在步驟908中，在正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第二數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置。第二數(shù)量大于第一數(shù)量，并且在一些實(shí)施例中，第二數(shù)量為四個(gè)以上以提供晶圓平面的表示。在一些實(shí)施例中，在正交區(qū)域結(jié)構(gòu)內(nèi)測量所有對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置。
[0059]在步驟910中，基于測量到的兩個(gè)或更多連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)和正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置而使部件或?qū)訉?zhǔn)于之前形成的部件或?qū)印?br> [0060]因此，應(yīng)理解，本發(fā)明的一些實(shí)施例涉及在將部件或?qū)优c之前在晶圓的一面上形成的部件或?qū)訉?zhǔn)時(shí)，在包含多個(gè)相鄰中間掩模區(qū)域的晶圓內(nèi)實(shí)現(xiàn)OVL采樣的方法及裝置。該方法包括在晶圓的一面上限定多個(gè)區(qū)域，并且將多個(gè)區(qū)域組織成正交區(qū)域結(jié)構(gòu)和兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，正交區(qū)域結(jié)構(gòu)由位于第一和第二正交軸上并且被安置在晶圓外緣附近的區(qū)域組成，而每一個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)都包括與正交區(qū)域結(jié)構(gòu)分離的兩個(gè)或更多個(gè)相鄰區(qū)域。在兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第一數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，并且在正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第二數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，其中，第二數(shù)量大于第一數(shù)量。然后，基于測量到的兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)和正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，將部件或?qū)訉?zhǔn)于之前形成的部件或?qū)印?br> [0061]在一些實(shí)施例中，公開了一種使部件或?qū)优c之前在晶圓一面上形成的部件或?qū)訉?zhǔn)的方法。該方法包括在晶圓的一面上限定多個(gè)區(qū)域，并且將多個(gè)區(qū)域組織成正交區(qū)域結(jié)構(gòu)和兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，正交區(qū)域結(jié)構(gòu)由位于第一和第二正交軸上并且被配置在晶圓外緣附近的區(qū)域組成，而每一連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)都包括與正交區(qū)域結(jié)構(gòu)分離的兩個(gè)或更多個(gè)相鄰區(qū)域。該方法還包括在兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第一數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，并且在正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第二數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，其中，第二數(shù)量大于第一數(shù)量?；跍y量到的兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)和正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，將部件或?qū)訉?zhǔn)于之前形成的部件或?qū)印?br> [0062]在一些實(shí)施例中，對在其一面上包括多個(gè)相鄰區(qū)域的晶圓施加對準(zhǔn)方法。該方法包括將將多個(gè)相鄰區(qū)域組織成正交區(qū)域結(jié)構(gòu)和兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，正交區(qū)域結(jié)構(gòu)由位于第一和第二正交軸上并且被配置在晶圓外緣附近和晶圓中心的區(qū)域組成，并且每一連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)都包括與正交區(qū)域結(jié)構(gòu)分離的兩個(gè)或更多個(gè)相鄰區(qū)域。該方法還包括在兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量至少一個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，并且在正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量四個(gè)或更多個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，從而基于測量到的兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)和正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，將部件或?qū)訉?zhǔn)于之前形成的部件或?qū)印?br> [0063]在一些實(shí)施例中，公開了一種計(jì)量系統(tǒng)，包括:測量工具，其被配置為測量包括多個(gè)區(qū)域的晶圓上的區(qū)域內(nèi)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，晶圓中的每一個(gè)區(qū)域都包括相同的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的配置；以及計(jì)算單元，其被配置為將多個(gè)區(qū)域劃分為兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)，并且指示測量工具根據(jù)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)所在區(qū)域或連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)來測量對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)。
[0064] 盡管已根據(jù)某方面或多個(gè)方面示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員在讀到并且理解了本說明書和附圖后，將想到等同的替換和修改。具體而言，對于由以上所述部件(裝配、器件、電路等)執(zhí)行的各種功能，除非另有說明，否則用于描述這種部件的術(shù)語(包括提及的“工具”)旨在對應(yīng)于可執(zhí)行所述部件特定功能(即，功能上等同)的任何部件，即使在結(jié)構(gòu)上不等同于所公開的執(zhí)行本發(fā)明所示示例性實(shí)施例的功能的結(jié)構(gòu)。此外，盡管已根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或幾個(gè)方面公開了本發(fā)明的具體部件，但是這種部件可與其他方面的一個(gè)或多個(gè)其他部件結(jié)合，其對于任何給定或具體的應(yīng)用是期望的并且是有益的。此外，對于在詳細(xì)說明或權(quán)利要求中用到的術(shù)語“包括的”、“包括”、“具有的”、“具有”、“帶有”或它們的變形而言，這些術(shù)語與術(shù)語“包含”的意思類似。
【權(quán)利要求】
1.一種將部件或?qū)优c之前在晶圓的一面上形成的部件或?qū)訉?zhǔn)的方法，包括: 在所述晶圓的所述一面上限定多個(gè)區(qū)域；將所述多個(gè)區(qū)域組織成正交區(qū)域結(jié)構(gòu)和兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，所述正交區(qū)域結(jié)構(gòu)由位于第一正交軸和第二正交軸上并且被配置在所述晶圓外緣附近的區(qū)域組成，并且每一個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)都包括與所述正交區(qū)域結(jié)構(gòu)分離的兩個(gè)或更多個(gè)相鄰區(qū)域；在所述兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第一數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置；在所述正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量第二數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，所述第二數(shù)量大于所述第一數(shù)量；以及 基于測量得到的所述兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)和所述正交區(qū)域結(jié)構(gòu)中的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，將所述部件或?qū)优c所述之前形成的部件或?qū)訉?zhǔn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域的所述第一數(shù)量介于I和3之間，而所述正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域的所述第二數(shù)量為4個(gè)以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述正交區(qū)域結(jié)構(gòu)還包括位于所述晶圓的中心的區(qū)域，并且所述第一正交軸和所述第二正交軸在此處相交。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)關(guān)于所述第一正交軸和所述第二正交軸是不對稱的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)均包括預(yù)定數(shù)量的區(qū)域，并且連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)中的所述預(yù)定數(shù)量的區(qū)域被配置為在所述第一正交軸方向上包括連續(xù)相鄰的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在每一個(gè)區(qū)域內(nèi)，固定數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)都包括相同的配置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述測量得到的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置包括每一個(gè)區(qū)域內(nèi)固定數(shù)量的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的子集。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在所述正交區(qū)域結(jié)構(gòu)內(nèi)測量所有對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置。
9.一種在其一面上包括多個(gè)相鄰區(qū)域的晶圓的對準(zhǔn)方法，包括: 將所述多個(gè)相鄰區(qū)域組織成正交區(qū)域結(jié)構(gòu)和兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)，其中，所述正交區(qū)域結(jié)構(gòu)由位于第一正交軸和第二正交軸上并且被配置在所述晶圓外緣附近和位于所述晶圓的中心的區(qū)域組成，并且每一個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)都包括與所述正交區(qū)域結(jié)構(gòu)分離的兩個(gè)或更多個(gè)相鄰區(qū)域； 在所述兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量至少一個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置； 在所述正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)測量四個(gè)或更多個(gè)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置；以及基于測量得到的所述兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)和所述正交區(qū)域結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置，將位于掩模上的部件或?qū)优c所述晶圓的一面上的之前形成的部件或?qū)訉?zhǔn)。
10.一種計(jì)量系統(tǒng)，包括: 測量工具，被配置為對包括多個(gè)區(qū)域的晶圓上的區(qū)域內(nèi)的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位置進(jìn)行測量，其中，所述晶圓的每一個(gè)區(qū)域都包括對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)的相同配置；以及 計(jì)算單元，被配置為將所述多個(gè)區(qū)域劃分為兩個(gè)或更多個(gè)連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)，并且指示所述測量工具根據(jù)所述對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)所在區(qū)域或連續(xù)區(qū)域結(jié)構(gòu)來測量對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)站點(diǎn)。
【文檔編號】G03F7/20GK104281009SQ201310439447
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2013年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月12日
【發(fā)明者】謝逸平, 李永堯, 王盈盈, 盧欣榮 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司