一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，用以提高液晶顯示面板圖像的顯示效果。所述陣列基板包括：基板，交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線，位于所述基板上呈矩陣分布的多個(gè)像素，同一列的相鄰兩行上的兩個(gè)像素構(gòu)成一個(gè)像素組；每一像素的區(qū)域中設(shè)置有公共電極和像素電極；所述像素組中的兩個(gè)像素之間設(shè)置有第一柵線和第二柵線，且在所述兩個(gè)像素同側(cè)設(shè)置有所述數(shù)據(jù)線，所述像素組中的一個(gè)像素的區(qū)域中設(shè)置有第一開關(guān)晶體管和第三開關(guān)晶體管，另一像素的區(qū)域中至少設(shè)置有第二開關(guān)晶體管。
【專利說(shuō)明】一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示【技術(shù)領(lǐng)域】占據(jù)了主導(dǎo)地位?，F(xiàn)有具備廣視角特征的平面轉(zhuǎn)換(In Plane Switching, IPS)模式和高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)(Advanced Super Dimension Switch,ADS)模式的液晶顯示器逐漸成為平板顯示領(lǐng)域的主流。
[0003]TFT-1XD的顯示畫質(zhì)為評(píng)價(jià)產(chǎn)品是否具有優(yōu)勢(shì)的一項(xiàng)重要的指標(biāo)。像素充電不充分是其中一個(gè)導(dǎo)致TFT-1XD的顯示畫質(zhì)較差的因素，例如像素充電不充分會(huì)導(dǎo)致TFT-1XD圖像的對(duì)比度較低，圖像發(fā)生閃爍等不良現(xiàn)象。尤其是在現(xiàn)有TFT-LCD產(chǎn)品分辨率日益增加的趨勢(shì)下，為了維持正常畫面的更新率，每一條柵線的充電時(shí)間較短，像素充電不充分的問(wèn)題較常見。
[0004]特別是為了增大TFT-1XD的視角，目前很多TFT-1XD均采用數(shù)據(jù)線縮減(DataLine Reducing)的技術(shù),該技術(shù)可將數(shù)據(jù)線的數(shù)目減為原來(lái)的1/2甚至1/3,同時(shí)也會(huì)使每一條柵線的數(shù)量分別增加為原來(lái)的兩倍或三倍，因此，每一條柵線的掃描速度必須提高至原來(lái)的兩倍或三倍以維持原來(lái)畫面的更新率，因此每一條柵線被啟動(dòng)的時(shí)間會(huì)縮減為原來(lái)的1/2或1/3。像素充電不足的現(xiàn)象更加嚴(yán)重。寬視角液晶顯示器因像素充電不足造成的顯示效果欠佳的問(wèn)題比較嚴(yán)重。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，用以提高圖像的顯示效果。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板包括:基板，交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線，位于所述基板上呈矩陣分布的多個(gè)像素，同一列的相鄰兩行上的兩個(gè)像素構(gòu)成一個(gè)像素組；每一像素的區(qū)域中設(shè)置有公共電極和像素電極；所述像素組中的兩個(gè)像素之間設(shè)置有第一柵線和第二柵線，且在所述兩個(gè)像素同側(cè)設(shè)置有所述數(shù)據(jù)線，所述像素組中的一個(gè)像素的區(qū)域中設(shè)置有第一開關(guān)晶體管和第三開關(guān)晶體管，另一像素的區(qū)域中至少設(shè)置有第二開關(guān)晶體管；
[0007]所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管的柵極分別與所述第一柵線和第二柵線一一對(duì)應(yīng)相連，源極分別與同一所述數(shù)據(jù)線相連，漏極分別與各自所在的像素的區(qū)域中的像素電極相連；
[0008]所述第三開關(guān)晶體管的柵極與所述第一柵線相連，源極與所在像素的區(qū)域中的公共電極相連，漏極與所述第二開關(guān)晶體管所在像素的區(qū)域中的像素電極相連。
[0009]較佳地，還包括與所述第二開關(guān)晶體管位于同一像素的區(qū)域中的第四開關(guān)晶體管；所述第四開關(guān)晶體管的柵極與所述第二柵線相連，源極與所述第四開關(guān)晶體管所在像素的區(qū)域中的公共電極相連，漏極與所述第一開關(guān)晶體管所在像素的區(qū)域中的像素電極相連。
[0010]較佳地，所述公共電極為遠(yuǎn)離所述基板的狹縫狀電極，所述像素電極為靠近所述基板的面狀電極；或者
[0011]所述公共電極為靠近所述基板的面狀電極，所述像素電極為遠(yuǎn)離所述基板的狹縫狀電極；或者
[0012]所述公共電極與所述像素電極均為狹縫狀電極。
[0013]較佳地，所述狹縫狀像素電極或狹縫狀公共電極中的各狹縫的形狀為沿同一方向延伸的直線狀、尖括弧狀、圓括弧狀，或?yàn)槊鬃譅睢?br> [0014]較佳地，每條所述數(shù)據(jù)線由相鄰的兩列像素組共用。
[0015]較佳地，所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管的源極的形狀分別為U形，所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管的漏極分別至少包括直線形的第一子漏極，所述第一子漏極位于對(duì)應(yīng)的U形源極的缺口中沿與所述U形源極的兩個(gè)側(cè)部的切線相平行的方向設(shè)置。
[0016]較佳地，所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管的漏極分別還包括直線形的第二子漏極，所述第二子漏極位于對(duì)應(yīng)的U形源極的缺口中與所述第一子漏極的靠近U形源極底部的一端相連，所述第二子漏極與所述第一子漏極相垂直。
[0017]較佳地，所述第一開關(guān)晶體管的U形源極與所述第二開關(guān)晶體管的U形源極電連接，所述第一開關(guān)晶體管的U形源極或所述第二開關(guān)晶體管的U形源極與所述數(shù)據(jù)線電連接。
[0018]較佳地，所述第一開關(guān)晶體管的U形源極的底部與所述第二開關(guān)晶體管的U形源極的底部共用，使得所述第一開關(guān)晶體管的U形源極與所述第二開關(guān)晶體管的U形源極相連成H形。
[0019]較佳地，所述第一柵線和第二柵線分別為沿行方向延伸的曲線，所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一柵線和第二柵線之間的距離大于所述第三開關(guān)晶體管和第四開關(guān)晶體管對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一柵線和第二柵線之間的距離。
[0020]較佳地，所述第一柵線和第二柵線的形狀分別為沿行方向延伸的S形，所述第一柵線和第二柵線鏡像對(duì)稱。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示面板，包括對(duì)盒而置的彩膜基板和陣列基板，所述陣列基板為上述任一方式的陣列基板。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述液晶顯示面板。
[0023]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板為基于雙柵線(WXGA Dual Gate)結(jié)構(gòu)的陣列基板。交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線，位于所述基板上呈矩陣分布的多個(gè)像素，同一列的相鄰兩行上的兩個(gè)像素構(gòu)成一個(gè)像素組；每一像素的區(qū)域中設(shè)置有公共電極和像素電極；所述像素組中的兩個(gè)像素之間設(shè)置有第一柵線和第二柵線，且在所述兩個(gè)像素同側(cè)設(shè)置有所述數(shù)據(jù)線，所述像素組中的一個(gè)像素的區(qū)域中設(shè)置有第一開關(guān)晶體管和第三開關(guān)晶體管，另一像素的區(qū)域中至少設(shè)置有第二開關(guān)晶體管；當(dāng)上一行的像素充電時(shí)，與第一柵線相連的第一開關(guān)晶體管Tl和第三開關(guān)晶體管T3均開啟，上一行的像素對(duì)應(yīng)的公共電極上施加有恒定電壓V.。公共電極上的恒定電壓通過(guò)第三開關(guān)晶體管T3施加到下一行的像素的區(qū)域中的像素電極上，實(shí)現(xiàn)了在為當(dāng)前被掃描行的像素充電的同時(shí)為下一行像素預(yù)充電。當(dāng)預(yù)先為一個(gè)像素存儲(chǔ)恒定電壓V.，在為下一行像素充電時(shí)，可以縮短對(duì)像素的充電時(shí)間，或者在較短的時(shí)間內(nèi)可以為像素充以足夠的電壓。在高分辨率的液晶顯示器中，在較短時(shí)間內(nèi)充以足夠的電壓，可以避免充電不足造成的圖像對(duì)比度不高或發(fā)生閃爍等不良現(xiàn)象。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板俯視示意圖之一；
[0025]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板俯視示意圖之二 ；
[0026]圖3為圖2所示的陣列基板上像素結(jié)構(gòu)電路等效圖；
[0027]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一開關(guān)晶體管或第二開關(guān)晶體管的放大結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5為發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板俯視示意圖之三；
[0029]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的柵線結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖7為圖2所示的陣列基板在A-A’向的截面圖；
[0031]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵結(jié)構(gòu)陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，用以解決像素充放電不充分造成的圖像對(duì)比度較低或出現(xiàn)閃爍等不良現(xiàn)象，從而提高液晶顯示面板的圖像顯示效果。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板包括對(duì)盒而置的彩膜基板和陣列基板以及位于彩膜基板和陣列基板之間的液晶層；所述液晶顯示面板例如為改進(jìn)的高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)(Advanced Super Dimension Switch,ADSDS,簡(jiǎn)稱ADS)模式的液晶顯示面板。需要明白的是，盡管下述實(shí)施例以ADS模式的液晶顯示面板為例進(jìn)行了說(shuō)明，然而，本發(fā)明還可以適用于在陣列基板上形成有公共電極的任何其他形式的液晶顯示面板，例如還可以適用于平面內(nèi)切換(In Plane Switch,簡(jiǎn)稱IPS)模式的液晶顯示面板。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板為基于雙柵線(WXGA Dual Gate)結(jié)構(gòu)(簡(jiǎn)稱雙柵結(jié)構(gòu))的陣列基板。所述陣列基板主要包括:基板，交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線，位于所述基板上呈矩陣分布的多個(gè)像素，同一列的相鄰兩行上的兩個(gè)像素構(gòu)成一個(gè)像素組；每一像素的區(qū)域中設(shè)置有公共電極和像素電極；所述像素組中的兩個(gè)像素之間設(shè)置有第一柵線和第二柵線，且在所述兩個(gè)像素同側(cè)設(shè)置有所述數(shù)據(jù)線，所述像素組中的一個(gè)像素的區(qū)域中設(shè)置有第一開關(guān)晶體管和第三開關(guān)晶體管，另一像素的區(qū)域中至少設(shè)置有第二開關(guān)晶體管；所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管的柵極分別與所述第一柵線和第二柵線一一對(duì)應(yīng)相連，所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管的源極均與同一所述數(shù)據(jù)線相連，漏極分別與各自所在的像素的區(qū)域中的像素電極相連；所述第三開關(guān)晶體管的柵極與所述第一柵線相連，源極與所在像素的區(qū)域中的公共電極相連，漏極與所述第二開關(guān)晶體管所在像素的區(qū)域中的像素電極相連。
[0035]以下將結(jié)合附圖具體說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、液晶顯示面板和顯示裝置。[0036]參見圖1，為本發(fā)明實(shí)施例提供的基于雙柵線(WXGA Dual Gate)結(jié)構(gòu)的陣列基板的俯視示意圖，包括:
[0037]基板(圖1中未示出)；
[0038]位于基板上呈矩陣分布的多個(gè)像素20，和交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線；
[0039]同一列的相鄰兩行上的兩個(gè)像素構(gòu)成一個(gè)像素組2 ;像素組2中的兩個(gè)像素20之間設(shè)置有第一柵線21 (對(duì)應(yīng)上一行柵線)和第二柵線22 (對(duì)應(yīng)下一行柵線)，第一柵線21和第二柵線22分別為像素組2中的上一行像素20和下一行像素20提供柵極掃描信號(hào)；且在一個(gè)像素組2中的兩個(gè)像素同側(cè)設(shè)置有數(shù)據(jù)線23 ；
[0040]還包括:位于每一亞像素20所在區(qū)域的第一電極3和與該第一電極3疊層設(shè)置且通過(guò)絕緣層(圖1中未示出)相絕緣的第二電極4 ;圖1中第一電極3和第二電極4相重疊，對(duì)應(yīng)的附圖標(biāo)記為3(4);第一電極3和第二電極4其中之一為像素電極，另一為公共電極。
[0041]像素組2中的一個(gè)像素20的區(qū)域中設(shè)置有第一開關(guān)晶體管Tl和第三開關(guān)晶體管T3，另一像素20的區(qū)域中至少設(shè)置有第二開關(guān)晶體管T2 ；
[0042]第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2的柵極分別與第一柵線21和第二柵線22 —一對(duì)應(yīng)相連，第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2的源極分別與同一數(shù)據(jù)線23相連，第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2的漏極分別與各自所在的像素的區(qū)域中的像素電極相連；
[0043]第三開關(guān)晶體管T3的柵極與第一柵線21相連，源極與第三開關(guān)晶體管T3所在像素的區(qū)域中的公共電極相連，漏極與第二開關(guān)晶體管T2所在像素的區(qū)域中的像素電極相連。
[0044]像素組2中的一個(gè)像素20的區(qū)域中設(shè)置有第一開關(guān)晶體管Tl和第三開關(guān)晶體管T3，另一像素20的區(qū)域中至少設(shè)置有第二開關(guān)晶體管T2，可以有如下幾種實(shí)施方式:
[0045]方式一:位于上一行的像素的區(qū)域中設(shè)置第一開關(guān)晶體管Tl和第三開關(guān)晶體管T3，下一行的像素的區(qū)域中設(shè)置第二開關(guān)晶體管T2 ；
[0046]方式二:位于上一行的像素的區(qū)域中設(shè)置第二開關(guān)晶體管T2，下一行的像素的區(qū)域中設(shè)置第一開關(guān)晶體管Tl和第三開關(guān)晶體管T3。
[0047]相鄰的兩行像素包括多個(gè)像素組，較佳地，同一行上的各像素的區(qū)域中設(shè)置第一開關(guān)晶體管Tl和第三開關(guān)晶體管T3，另一行上的各像素的區(qū)域中設(shè)置第二開關(guān)晶體管T2。
[0048]針對(duì)一個(gè)像素組，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，在一個(gè)像素的區(qū)域中設(shè)置兩個(gè)開關(guān)晶體管，例如薄膜晶體管(TFT)，其中一個(gè)TFT用于在實(shí)現(xiàn)圖像顯示時(shí)控制所在像素充電的開啟，另一 TFT用于為其上一被掃描行的像素回饋電壓，或者為下一被掃描行的像素預(yù)充電壓。
[0049]例如，在從上至下掃描各行像素的情況下，像素組中當(dāng)上一行的像素的區(qū)域中設(shè)置有第一開關(guān)晶體管Tl和第三開關(guān)晶體管T3時(shí)，下一行的像素的區(qū)域中設(shè)置第二開關(guān)晶體管T2。第一開關(guān)晶體管Tl和第三開關(guān)晶體管T3的柵極與第一柵線相連，第三開關(guān)晶體管T3的源極與該像素的區(qū)域中的公共電極相連，第三開關(guān)晶體管T3的漏極與像素組中的下一行的像素的區(qū)域中的像素電極相連，當(dāng)上一行的像素充電時(shí)，與第一柵線相連的第一開關(guān)晶體管Tl和第三開關(guān)晶體管T3均開啟，上一行的像素對(duì)應(yīng)的公共電極上施加有恒定電壓V.。公共電極上的恒定電壓通過(guò)第三開關(guān)晶體管T3施加到下一行的像素的區(qū)域中的像素電極上，實(shí)現(xiàn)了在為當(dāng)前被掃描行的像素充電的同時(shí)為下一行像素預(yù)充電。當(dāng)預(yù)先為一個(gè)像素存儲(chǔ)恒定電壓V.，在為下一行像素充電時(shí)，可以縮短對(duì)像素的充電時(shí)間，或者在較短的時(shí)間內(nèi)可以為像素充以足夠的電壓。在高分辨率的液晶顯示器中，在較短時(shí)間內(nèi)充以足夠的電壓，可以避免充電不足造成的圖像對(duì)比度不高或發(fā)生閃爍等不良現(xiàn)象。
[0050]針對(duì)一整行像素，上一行各像素的區(qū)域中設(shè)置第一開關(guān)晶體管Tl和第三開關(guān)晶體管T3時(shí),該行被掃描像素在充電的同時(shí)為下一行各像素預(yù)充電?；蛘呦乱恍懈飨袼氐膮^(qū)域中設(shè)置第一開關(guān)晶體管Tl和第三開關(guān)晶體管T3時(shí)，該行被掃描像素在充電的同時(shí)為上一行各像素回饋電壓。
[0051]尤其是當(dāng)TFT-LCD采用數(shù)據(jù)線縮減(Data Line Reducing)技術(shù)時(shí),柵線的掃描速度較快的情況下，可以為下一行未啟動(dòng)的像素預(yù)充電，為已經(jīng)處于放電狀態(tài)的上一行像素再次充電，保證每一像素充放電較充足，提高了圖像對(duì)比度以及降低了閃爍等不良現(xiàn)象發(fā)生的幾率，提高了圖像的顯示效果。
[0052]較佳地，為了進(jìn)一步提高圖像對(duì)比度以及進(jìn)一步降低閃爍等不良現(xiàn)象發(fā)生的幾率，參見圖2，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，第二開關(guān)晶體管T2所在像素的區(qū)域中設(shè)置有第四開關(guān)晶體管T4;
[0053]第四開關(guān)晶體管T4的柵極與第二柵線22相連，源極與第四開關(guān)晶體管T4所在像素的區(qū)域中的公共電極相連，漏極與第一開關(guān)晶體管Tl所在像素的區(qū)域中的像素電極相連。
[0054]也就是說(shuō),在每一像素組中,位于上一行的像素,每一像素的區(qū)域中均設(shè)置有兩個(gè)TFT,位于下一行的像素，每一像素的區(qū)域中均設(shè)置有兩個(gè)TFT ；
[0055]在每一像素組中，每一像素的區(qū)域中的兩個(gè)TFT，其中一個(gè)TFT與所在像素對(duì)應(yīng)的柵線、數(shù)據(jù)線和像素電極相連，另一 TFT與所在像素對(duì)應(yīng)的柵線、公共電極，同時(shí)還與另一像素的區(qū)域中的像素電極相連。
[0056]每一像素組中，當(dāng)上一行像素充電時(shí)，同時(shí)為下一被掃描行像素預(yù)充電，充電值為公共電極上的電壓V_，當(dāng)下一被掃描行像素充電時(shí)，同時(shí)為上一被掃描行像素回饋電壓(實(shí)際上為再充電)，充電值為公共電極上的電壓V.。
[0057]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板上像素的區(qū)域中設(shè)置有兩個(gè)開關(guān)晶體管，以實(shí)現(xiàn)電壓的預(yù)充和/或電壓的補(bǔ)償。參見圖3，為圖2所示的陣列基板上像素結(jié)構(gòu)等效電路圖。
[0058]圖3中設(shè)上一行像素為第一像素，下一行像素為第二像素。
[0059]如圖3所示，Cstl為第一像素的存儲(chǔ)電容，Clcl為第一像素的液晶電容(在ADS模式和IPS顯示模式的液晶顯示面板中，Cst與Clc為同一個(gè)電容)，該存儲(chǔ)電容由相互絕緣的像素電極和公共電極產(chǎn)生。Cst2為第二像素的存儲(chǔ)電容，Clc2為第二像素的液晶電容。
[0060]第三開關(guān)晶體管T3與Clcl和Cst2相連,第三開關(guān)晶體管T3用于將上一被掃描行像素的區(qū)域中的公共電極上的電壓信號(hào)傳送給下一被掃描行的像素的區(qū)域中的像素電極進(jìn)行預(yù)充電，第四開關(guān)晶體管T4用于將下一被掃描行像素的區(qū)域中的公共電極上的電壓信號(hào)傳送給上一被掃描行像素的區(qū)域中的像素電極進(jìn)行電荷補(bǔ)償(即電壓回饋)。
[0061]圖3所示的像素結(jié)構(gòu)的具體工作原理為:[0062]當(dāng)?shù)谝粬啪€21為高電平，第二柵線22為低電平時(shí)，第一開關(guān)晶體管Tl開啟，第二開關(guān)晶體管T2關(guān)閉，數(shù)據(jù)線23上的信號(hào)通過(guò)第一開關(guān)晶體管Tl給第一像素的區(qū)域中的像素電極充電，同時(shí)為第一像素的區(qū)域中的公共電極施加恒定電壓，因而第一像素的區(qū)域中的像素電極與公共電極之間形成水平電場(chǎng)，從而驅(qū)動(dòng)第一像素的區(qū)域中位于公共電極上方的液晶分子的旋轉(zhuǎn)。
[0063]第三開關(guān)晶體管T3也會(huì)因?yàn)榈谝粬啪€21的通電而開啟，第三開關(guān)晶體管T3的源極通過(guò)過(guò)孔將第一像素的區(qū)域中的公共電極上的電信號(hào)傳遞給第二像素的區(qū)域中的像素電極，即在第二像素還未啟動(dòng)前就通過(guò)第一像素的充電過(guò)程為第二像素進(jìn)行一次預(yù)充電。
[0064]當(dāng)?shù)谝粬啪€21為低電平，第二柵線22為高電平時(shí)，第一開關(guān)晶體管Tl關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管T2開啟，數(shù)據(jù)線23上的信號(hào)通過(guò)第二開關(guān)晶體管T2給第二像素的區(qū)域中的像素電極充電，同時(shí)為第二像素的區(qū)域中的公共電極施加恒定電壓V_，因而第二像素的區(qū)域中的像素電極與公共電極之間形成水平電場(chǎng)，從而驅(qū)動(dòng)第二像素的區(qū)域中位于公共電極上方的液晶分子的旋轉(zhuǎn)。
[0065]第四開關(guān)晶體管T4也會(huì)因?yàn)榈诙啪€22的通電而開啟，第四開關(guān)晶體管T4的源極通過(guò)過(guò)孔將第二像素的區(qū)域中的公共電極上的電信號(hào)傳遞給第一像素的區(qū)域中的像素電極，即給已經(jīng)放電狀態(tài)的第一像素的區(qū)域中的像素電極一個(gè)電荷補(bǔ)償?shù)淖饔茫沟玫谝幌袼靥幱诜烹姞顟B(tài)時(shí)，像素電極上的電荷不會(huì)因?yàn)槁╇姷仍蛳陆堤唷?br> [0066]本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電極和公共電極為透明導(dǎo)電電極，例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等。
[0067]優(yōu)選地，所述像素電極和公共電極疊層設(shè)置，所述像素電極可以位于公共電極的上方(即像素電極相對(duì)于公共電極遠(yuǎn)離基板)或位于公共電極的下方(即像素電極相對(duì)于公共電極靠近基板)。
[0068]所述像素電極或公共電極可以為面狀電極(無(wú)任何鏤空?qǐng)D案的電極)或狹縫狀電極。
[0069]為了提高每一像素的開口率，優(yōu)選地，位于遠(yuǎn)離基板的公共電極或像素電極為狹縫狀電極，靠近基板的像素電極或公共電極為面狀電極?；蛘?br> [0070]優(yōu)選地，所述像素電極和公共電極均為狹縫狀電極。
[0071]優(yōu)選地，所述狹縫狀電極中的各狹縫的形狀為沿同一方向延伸的直線狀、尖括弧狀、圓括弧狀，或?yàn)槊鬃譅畹取?br> [0072]如圖1和圖2所示的第一電極3或第二電極4中各狹縫的形狀為米字狀。米字狀狹縫狀電極可以使得液晶分子呈多疇分布，增加液晶顯示面板的視角。尖括弧狀、圓括弧狀電極可以使得液晶分子至少呈雙疇分布。在具體實(shí)施過(guò)程中可以根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置所述第一電極或第二電極的狹縫的形狀。
[0073]—般地，開關(guān)晶體管(例如TFT)的溝道寬度W和長(zhǎng)度L的比值越大，開關(guān)晶體管的開啟電流Im越大，像素充電較充足。本發(fā)明實(shí)施例為了進(jìn)一步改善像素充電不充分的問(wèn)題，通過(guò)設(shè)置為所在像素充電的第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管的形狀，提高開關(guān)晶體管的開啟電流。優(yōu)選地，所述第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2的源極的形狀分別為U形，所述第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2的漏極分別至少包括直線形的第一子漏極，所述第一子漏極位于對(duì)應(yīng)的U形源極的缺口中沿與所述U形源極的兩個(gè)側(cè)部的切線相平行的方向設(shè)置。
[0074]參見圖4為第一開關(guān)晶體管Tl或第二開關(guān)晶體管T2的結(jié)構(gòu)放大示意圖，圖4所示的第一開關(guān)晶體管Tl或第二開關(guān)晶體管T2簡(jiǎn)稱為開關(guān)晶體管，圖4中僅包括開關(guān)晶體管的源極和漏極。源極s為U形，漏極至少包括直線形的第一子漏極dl，第一子漏極dl位于對(duì)應(yīng)的U形源極s的缺口中沿與所述U形源極的兩個(gè)側(cè)部的切線相平行的方向設(shè)置。
[0075]由圖4可知，源極s與第一子漏極dl的正對(duì)面積較大，溝道的寬度W約等于U形源極s的曲線長(zhǎng)度，溝道的長(zhǎng)度L約等于U形源極s到第一子漏極dl的平均距離。U形源極和直線形第一子漏極之間結(jié)合緊湊，二者之間的寄生電容較小，且溝道寬度W和長(zhǎng)度L的比值較大，開關(guān)晶體管的開啟電流Im較大。
[0076]優(yōu)選地，為了避免上述第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2損壞不便于維修的問(wèn)題。優(yōu)選地，所述第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2的漏極分別還包括直線形的第二子漏極，所述第二子漏極位于對(duì)應(yīng)的U形源極的缺口中與所述第一子漏極的靠近U形源極底部的一端相連，所述第二子漏極與所述第一子漏極相垂直。
[0077]參見圖4，上述開關(guān)晶體管還包括:直線形的第二子漏極d2，第二子漏極d2位于U形源極s的缺口中與第一子漏極dl靠近U形源極底部的一端相連，第二子漏極d2與第一子漏極dl相垂直。
[0078]第二子漏極d2的設(shè)置可以實(shí)現(xiàn)第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2損壞后便于維修的目的。具體地，當(dāng)U形源極與第二子漏極d2的局部區(qū)域被導(dǎo)電異物電連接時(shí)，通過(guò)將導(dǎo)電異物以及與導(dǎo)電異物相連的源極s和第二子漏極d2的局部結(jié)構(gòu)切割掉，保留源極和第二子漏極切割后的部分，切割后剩余的源極和第二子漏極保持絕緣，維修后的開關(guān)晶體管還可以正常工作。
[0079]當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例提供的第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2的設(shè)置方式可以為任何充電能力較大且寄生電容較小的開關(guān)晶體管。
[0080]較佳地，參見圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2的源極為U形。為了便于布線，第一開關(guān)晶體管Tl的源極開口朝向第一開關(guān)晶體管Tl所在像素的區(qū)域中的像素電極，第二開關(guān)晶體管T2的源極開口朝向第二開關(guān)晶體管T2所在像素的區(qū)域中的像素電極。
[0081 ] 進(jìn)一步地，基于上述第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2的設(shè)置方式，參見圖1，所述像素組中位于同一列的像素中的第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2的源極相連，第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2中靠近數(shù)據(jù)線的源極與所述數(shù)據(jù)線相連，避免了較復(fù)雜的布線，簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)。
[0082]所述第一開關(guān)晶體管的U形源極與所述第二開關(guān)晶體管的U形源極可以通過(guò)任一方式相連，只要保證二者電連接即可。
[0083]優(yōu)選地，所述第一開關(guān)晶體管的U形源極的底部與所述第二開關(guān)晶體管的U形源極的底部相連，可以通過(guò)另外的引線相連，也可以直接相連。
[0084]優(yōu)選地，參見圖5，所述第一開關(guān)晶體管的U形源極的底部與所述第二開關(guān)晶體管的U形源極的底部共用，使得所述第一開關(guān)晶體管的U形源極與所述第二開關(guān)晶體管的U形源極相連成H形。
[0085]較佳地，參見圖1，為了增加第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2的漏極與像素電極的接觸面積以增加漏極與像素電極之間的牢固性，第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2的第一子漏極為L(zhǎng)形，L形的短邊位于遠(yuǎn)離U形缺口的一端。
[0086]參見圖2，本發(fā)明實(shí)施例中提供的第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4的源極和漏極可以為直線形，第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4整體面積較小。包括U形源極的第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2的面積較大。
[0087]為了最大限度提高像素的開口率，本發(fā)明實(shí)施例提供的柵線形狀為曲線形。參見圖6，所述第一柵線21和第二柵線22分別為沿行方向延伸的曲線，第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一柵線21和第二柵線22之間的距離大于第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一柵線21和第二柵線22之間的距離。
[0088]較佳地，每一列像素組與一條數(shù)據(jù)線電連接，各列像素組分別與多條數(shù)據(jù)線一一對(duì)應(yīng)電連接。
[0089]優(yōu)選地，為了提高對(duì)像素的掃描速度，提高像素的刷新率，每條數(shù)據(jù)線由相鄰的兩列像素組共用，即相鄰兩列像素組與一條數(shù)據(jù)線相連。
[0090]較佳地，參見圖6，第一柵線21和第二柵線22的形狀分別為沿行方向延伸的S形，且第一柵線21和第二柵線22鏡像對(duì)稱，保證所述第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一柵線21和第二柵線22之間的距離大于第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一柵線21和第二柵線22之間的距離即可。
[0091]作為替代，也可以將保證所述第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2形成為部分重合，例如所述第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2整體上呈“H”形，上半部作為所述第一開關(guān)晶體管Tl的源極，下半部作為第二開關(guān)晶體管T2的源極。
[0092]優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施例提供的第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管的結(jié)構(gòu)完全相同，在像素的區(qū)域中相互對(duì)稱，第三開關(guān)晶體管和第四開關(guān)晶體管的結(jié)構(gòu)完全相同，在像素的區(qū)域中相互對(duì)稱。
[0093]由于第三開關(guān)晶體管或第四開關(guān)晶體管的源極和漏極位于同一層，源極與公共電極相連，漏極與像素電極相連；本發(fā)明各像素的區(qū)域中的公共電極位于同一層，各像素的區(qū)域中的像素電極位于同一層，因此，當(dāng)公共電極與源極位于不同層時(shí)，二者通過(guò)過(guò)孔相連，或者當(dāng)像素電極與漏極位于不同層時(shí)，二者通過(guò)過(guò)孔相連。
[0094]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明圖1和圖2提供的陣列基板各膜層結(jié)構(gòu)，參見圖7，圖7為圖2所示的陣列基板在A-A’向的截面圖。
[0095]包括第一開關(guān)晶體管和第三開關(guān)晶體管的各功能膜層。
[0096]參見圖7，包括位于基板I上同層設(shè)置的第一柵極11和第三柵極31 ；
[0097]位于第一柵極11和第三柵極33上的柵極絕緣層5 ；
[0098]位于柵極絕緣層5上的同層設(shè)置的第一半導(dǎo)體層12和第三半導(dǎo)體層32 ；
[0099]位于第一半導(dǎo)體層12和第三半導(dǎo)體層32上的第一源極13、第一漏極14和第三源極33和第三漏極34，以及與第一漏極14相連的第一像素電極3 ；
[0100]位于第一源極13、第一漏極14、第一素電極3、第三源極33和第三漏極34上的鈍化層6 ；
[0101]鈍化層6上與第三源極33對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置有過(guò)孔；
[0102]還包括位于鈍化層6上的第一公共電極4，該第一公共電極4為狹縫狀電極，該第一公共電極4通過(guò)所述過(guò)孔與第三源極33相連。
[0103]其中，第一柵極11、柵極絕緣層5、第一半導(dǎo)體層12、第一源極13、第一漏極14屬于第一開關(guān)晶體管的膜層結(jié)構(gòu)，第一公共電極4和第一像素電極3屬于第一開關(guān)晶體管所在像素的區(qū)域中的電極結(jié)構(gòu)。
[0104]第三柵極31、柵極絕緣層5、第三半導(dǎo)體層32、第三源極33、第三漏極34屬于第三開關(guān)晶體管的膜層結(jié)構(gòu)；第一公共電極4與第三源極33相連。
[0105]需要說(shuō)明的是，每一像素的區(qū)域中設(shè)置公共電極，且各像素的區(qū)域中的公共電極電性相連。此外，盡管上述實(shí)施例中，以公共電極為形成于上方的狹縫狀電極、而像素電極為形成于下方的面狀電極為例進(jìn)行了說(shuō)明，然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，也可以將公共電極形成于下方，而將像素電極形成于上方，只需滿足位于上方的電極為狹縫狀電極、下方的電極為面狀電極即可。作為替代，如果在平面內(nèi)切換模式的顯示面板中，也可以將像素電極和公共電極均作為狹縫狀電極形成于同一層或者形成于不同層，只需使之滿足上述的連接關(guān)系即可，即第一公共電極連接于第二公共電極、第三開關(guān)晶體管的源極和第四開關(guān)晶體管的源極，而第一像素電極連接于第一開關(guān)晶體管的漏極和第四開關(guān)晶體管的漏極，第二像素電極連接于第二開關(guān)晶體管的漏極和第三開關(guān)晶體管的漏極。這里所說(shuō)的狹縫狀電極例如可以呈梳子狀，也可以為在面狀電極上鏤空出狹縫的形狀等。
[0106]制作陣列基板的過(guò)程與現(xiàn)有制作陣列基板的過(guò)程類似，只需使用能夠形成滿足上述連接關(guān)系的各元件的掩模板即可，這里不再贅述。
[0107]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示面板，包括對(duì)盒而置的彩膜基板和陣列基板，所述彩膜基板為現(xiàn)有與陣列基板相結(jié)合至少實(shí)現(xiàn)ADS模式的液晶顯示面板。所述陣列基板為本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。
[0108]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述液晶顯示面板，所述顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯不器，或液晶電視等。
[0109]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板為基于雙柵線(Dual Gate)結(jié)構(gòu)的陣列基板。雙柵線(Dual Gate)結(jié)構(gòu)的陣列基板其中一種實(shí)施方式為如圖8所示的結(jié)構(gòu)。
[0110]參見圖8，陣列基板，任一相鄰的兩行像素之間設(shè)置有兩條柵線，如圖8所示的陣列基板局部示意圖，包括四行散列像素，從上至下共包含6條柵線，分別為位于第一行和第二行像素之間的第一柵線21和第二柵線22 ;位于第二行像素和第三行像素之間的第三柵線24和第四柵線25 ;位于第三行像素和第四行像素之間的第五柵線26和第六柵線27 ；
[0111]針對(duì)一個(gè)像素組2，第一個(gè)像素的區(qū)域中設(shè)置第一開關(guān)晶體管Tl和第三開關(guān)晶體管T3，第一開關(guān)晶體管Tl和第三開關(guān)晶體管T3的柵極與第一柵線21相連；第一個(gè)像素的區(qū)域中設(shè)置第二開關(guān)晶體管T2和第四開關(guān)晶體管T4，第二開關(guān)晶體管T2和第四開關(guān)晶體管T4的柵極與第二柵線22相連；
[0112]針對(duì)一列像素，每相鄰的兩個(gè)像素構(gòu)成一個(gè)像素組，包含一列像素中包含2n個(gè)像素時(shí)，共包含η個(gè)像素組。針對(duì)一行像素，相鄰的兩個(gè)像素，其中一個(gè)像素與其位于同一列的上一行(或者下一行)的像素構(gòu)成一個(gè)像素組，則另一個(gè)像素與其位于同一列的下一行(或者上一行)的像素構(gòu)成一個(gè)像素組。
[0113]圖8所示的雙柵結(jié)構(gòu)陣列基板僅是一個(gè)示例，本發(fā)明所述的雙柵結(jié)構(gòu)并不限于圖8所示的結(jié)構(gòu)，這里不再贅述。[0114]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板為基于雙柵線(Dual Gate)結(jié)構(gòu)的陣列基板。每?jī)尚邢噜彽南袼貫橐粋€(gè)像素組；每一像素包括不同層設(shè)置的公共電極和像素電極；所述像素組中位于上一行的像素和位于下一行的像素之間設(shè)置有第一柵線和第二柵線，任意相鄰兩列像素之間設(shè)置有一條數(shù)據(jù)線；所述像素組中位于上一行的每一像素包括第一開關(guān)晶體管和第三開關(guān)晶體管，位于下一行的每一像素至少包括第二開關(guān)晶體管；所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管用于在各自所在的像素需要充電時(shí)開啟，為像素充電，所述第三開關(guān)晶體管在第一開關(guān)晶體管開啟時(shí)開啟，為下一行像素預(yù)充電。當(dāng)所述下一行像素未開啟時(shí)，為下一行像素預(yù)充電，以降低下一行像素充電時(shí)所需要充放電的電壓差，縮短為像素充放電的時(shí)間。提高圖像的顯示效果。
[0115]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:基板，交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線，位于所述基板上呈矩陣分布的多個(gè)像素，同一列的相鄰兩行上的兩個(gè)像素構(gòu)成一個(gè)像素組；每一像素的區(qū)域中設(shè)置有公共電極和像素電極；所述像素組中的兩個(gè)像素之間設(shè)置有第一柵線和第二柵線，且在所述兩個(gè)像素同側(cè)設(shè)置有所述數(shù)據(jù)線，其特征在于， 所述像素組中的一個(gè)像素的區(qū)域中設(shè)置有第一開關(guān)晶體管和第三開關(guān)晶體管，另一像素的區(qū)域中至少設(shè)置有第二開關(guān)晶體管； 所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管的柵極分別與所述第一柵線和第二柵線一一對(duì)應(yīng)相連，源極分別與同一所述數(shù)據(jù)線相連，漏極分別與各自所在的像素的區(qū)域中的像素電極相連； 所述第三開關(guān)晶體管的柵極與所述第一柵線相連，源極與所在像素的區(qū)域中的公共電極相連，漏極與所述第二開關(guān)晶體管所在像素的區(qū)域中的像素電極相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括與所述第二開關(guān)晶體管位于同一像素的區(qū)域中的第四開關(guān)晶體管；所述第四開關(guān)晶體管的柵極與所述第二柵線相連，源極與所述第四開關(guān)晶體管所在像素的區(qū)域中的公共電極相連，漏極與所述第一開關(guān)晶體管所在像素的區(qū)域中的像素電極相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極為遠(yuǎn)離所述基板的狹縫狀電極，所述像素電極為靠近所述基板的面狀電極；或者 所述公共電極為靠近所述基板的面狀電極，所述像素電極為遠(yuǎn)離所述基板的狹縫狀電極；或者 所述公共電極與所述像素電極均為狹縫狀電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述狹縫狀像素電極或狹縫狀公共電極中的各狹縫的形狀為沿同一方向延伸的直線狀、尖括弧狀、圓括弧狀，或?yàn)槊鬃譅睢?
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的陣列基板，其特征在于，每條所述數(shù)據(jù)線由相鄰的兩列像素組共用。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管的源極的形狀分別為U形，所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管的漏極分別至少包括直線形的第一子漏極，所述第一子漏極位于對(duì)應(yīng)的U形源極的缺口中沿與所述U形源極的兩個(gè)側(cè)部的切線相平行的方向設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管的漏極分別還包括直線形的第二子漏極，所述第二子漏極位于對(duì)應(yīng)的U形源極的缺口中與所述第一子漏極的靠近U形源極底部的一端相連，所述第二子漏極與所述第一子漏極相垂直。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一開關(guān)晶體管的U形源極與所述第二開關(guān)晶體管的U形源極電連接，所述第一開關(guān)晶體管的U形源極或所述第二開關(guān)晶體管的U形源極與所述數(shù)據(jù)線電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述第一開關(guān)晶體管的U形源極的底部與所述第二開關(guān)晶體管的U形源極的底部共用，使得所述第一開關(guān)晶體管的U形源極與所述第二開關(guān)晶體管的U形源極相連成H形。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一柵線和第二柵線分別為沿行方向延伸的曲線，所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一柵線和第二柵線之間的距離大于所述第三開關(guān)晶體管和第四開關(guān)晶體管對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一柵線和第二柵線之間的距離。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述第一柵線和第二柵線的形狀分別為沿行方向延伸的S形，所述第一柵線和第二柵線鏡像對(duì)稱。
12.一種液晶顯示面板，包括對(duì)盒而置的彩膜基板和陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求1-11任一權(quán)項(xiàng)所述的陣列基板。
13.—種顯示 裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求12所述的液晶顯示面板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK103472647SQ201310432586
【公開日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月22日
【發(fā)明者】姜清華, 秦鋒, 李小和, 邵賢杰, 劉永 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司