一種電連接結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電連接結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板，所述電連接結(jié)構(gòu)用于連接陣列基板公共電極總線區(qū)域的公共電極總線與顯示區(qū)域的公共電極線，其特征在于，所述電連接結(jié)構(gòu)位于所述公共電極總線區(qū)域的一端從基板側(cè)向上依次包括：柵金屬圖案、柵絕緣層、半導體層、源漏金屬層和保護層，其中，所述公共電極總線由所述源漏金屬層制成，所述保護層在所述柵金屬圖案的上方形成有開口，所述源漏金屬層從所述開口露出，并與周圍的所述保護層齊平，所述源漏金屬層從所述開口露出的部分通過透明導電薄膜與所述公共電極線連接。
【專利說明】一種電連接結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種電連接結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器包括以矩陣形式設(shè)計的像素單元以及驅(qū)動這些像素單元的驅(qū)動電路，通過液晶盒內(nèi)電場的變化來實現(xiàn)液晶分子的偏轉(zhuǎn)，從而達到顯示效果。
[0003]由于薄膜晶體管液晶顯示器件中不可避免地存在不同金屬層跨接的問題，所以需要制作跨接過孔來實現(xiàn)金屬的連接，其中最主要的跨接就是陣列基板公共電極總線區(qū)域的公共電極總線(由源漏金屬制成)與顯示區(qū)域內(nèi)的公共電極線(由柵線制成)的跨接。因此，在公共電極總線上會形成許多密集的淺過孔，以使得公共電極總線通過該過孔與顯示區(qū)域內(nèi)的公共電極線實現(xiàn)跨接。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中公共電極總線與顯示區(qū)域內(nèi)的公共電極線的跨接方案中，為了保證良好的導電性，需要形成多個淺過孔，然而較多的淺過孔會使得公共電極總線表面呈現(xiàn)出凹凸不平的形貌，這樣會造成公共電極總線區(qū)域上方的取向?qū)訑U散不均的問題，從而嚴重影響顯示區(qū)局部畫面品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是改善公共電極總線區(qū)域表面的平整度，從而提高顯示區(qū)局部畫面品質(zhì)。
[0006]為此目的，本發(fā)明提出了一種電連接結(jié)構(gòu)，用于連接陣列基板公共電極總線區(qū)域的公共電極總線與顯示區(qū)域的公共電極線，其特征在于，所述電連接結(jié)構(gòu)位于所述公共電極總線區(qū)域的一端從基板側(cè)向上依次包括:柵金屬圖案、柵絕緣層、半導體層、源漏金屬層和保護層，其中，所述公共電極總線由所述源漏金屬層制成，所述保護層在所述柵金屬圖案的上方形成有開口，所述源漏金屬層從所述開口露出，并與周圍的所述保護層齊平，所述源漏金屬層從所述開口露出的部分通過透明導電薄膜與所述公共電極線連接。
[0007]優(yōu)選地，所述柵金屬圖案和所述保護層的厚度相等。
[0008]優(yōu)選地，所述柵金屬圖案和所述保護層的厚度均為3950?4000人。
[0009]優(yōu)選地，所述柵金屬圖案由Mo、Al、Mo三層金屬依次疊置形成或由銅制成。
[0010]優(yōu)選地，所述源漏金屬層由Mo、Al、Mo三層金屬依次疊置形成或由銅制成。
[0011]優(yōu)選地，所述柵絕緣層和/或所述保護層由氮化硅制成。
[0012]優(yōu)選地，所述顯示區(qū)域的公共電極線由柵線制成。
[0013]本發(fā)明還提出了一種陣列基板，其特征在于，包括上述電連接結(jié)構(gòu)。
[0014]此外，本發(fā)明還提出了一種電連接結(jié)構(gòu)的制造方法，所述電連接結(jié)構(gòu)用于連接陣列基板公共電極總線區(qū)域的公共電極總線與顯示區(qū)域的公共電極線，其特征在于，所述方法包括:在基板的公共電極總線區(qū)域上形成柵金屬圖案；在所述柵金屬圖案上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成半導體層；在所述半導體層上形成源漏金屬層；在所述源漏金屬層上方形成保護層；對所述保護層進行減薄，使所述源漏金屬層周圍的保護層厚度與所述源漏金屬層齊平，以露出部分所述源漏金屬層；形成透明導電薄膜，使得所述源漏金屬層從所述開口露出的部分與所述公共電極線連接。
[0015]優(yōu)選地，對所述保護層進行減薄是采用平坦化工藝。
[0016]通過本發(fā)明所公開的電連接結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板，在形成電連接結(jié)構(gòu)后，整個公共電極總線區(qū)域表面為一平面，從而有效避免了因取向?qū)訑U散不均而導致的畫面異
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【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]通過參考附圖會更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點，附圖是示意性的而不應理解為對本發(fā)明進行任何限制，在附圖中:
[0018]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的電連接結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0019]圖2-7示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的電連接結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。
【具體實施方式】
[0020]下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細描述。
[0021]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的電連接結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0022]如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的電連接結(jié)構(gòu)用于連接陣列基板公共電極總線區(qū)域的公共電極總線與顯示區(qū)域的公共電極線，該電連接結(jié)構(gòu)位于公共電極總線區(qū)域的一端從陣列基板I側(cè)向上依次包括:柵金屬圖案2、柵絕緣層3、半導體層4、源漏金屬層5和保護層6。在陣列基板公共電極總線區(qū)域中，陣列基板I上形成有柵金屬圖案2，柵金屬圖案2的厚度為3950?4000 A，其可以由銅制成，也可以由Mo、Al、Mo三層金屬疊置而成。由于柵金屬圖案2形成在電連接結(jié)構(gòu)的最下方，可以將源漏金屬層5的位置墊高，從而形成平坦的公共電極總線區(qū)域表面7。
[0023]柵絕緣層3形成在柵金屬圖案2上方，柵絕緣層3可以由氮化硅材料制成，對半導體層4與柵金屬圖案2起到絕緣作用，并且充當像素區(qū)的存儲電容介質(zhì)。
[0024]半導體層4形成在柵絕緣層3上方，其可以由a-Si和n+型a_Si制成。半導體層4主要作為薄膜晶體管器件導通時的電子傳輸層。
[0025]源漏金屬層5形成在半導體層4上方,其可以由銅制成,也可以由Mo、Al、Mo三層金屬疊置而成。源漏金屬層5既可以作為信號線金屬層，又可作為公共電極總線。
[0026]保護層6形成源漏金屬層5上，其在柵金屬圖案2的上方形成有開口，源漏金屬層5從該開口露出，并與周圍的保護層6齊平。保護層6可由氮化硅制成，且厚度可以與柵金屬圖案2的厚度相等，為3950?4000 A。源漏金屬層5從該開口露出的部分通過諸如ITO等透明導電薄膜與顯示區(qū)域內(nèi)由柵線制成的公共電極線連接。
[0027]由此，實現(xiàn)了根據(jù)本發(fā)明實施例的電連接結(jié)構(gòu)。從圖1可以看到，根據(jù)本發(fā)明實施例的電連接結(jié)構(gòu)的公共電極總線區(qū)域表面7為一平坦表面，從而避免了公共電極總線區(qū)域上方的取向?qū)訑U散不均的問題，改善了畫面質(zhì)量。
[0028]圖2-6示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的電連接結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。
[0029]如圖2所示，在諸如玻璃等的陣列基板I的公共電極總線區(qū)域上采用諸如濺射等方法沉積柵金屬膜，柵金屬膜的厚度為3950?4000 A，柵金屬膜可以由銅制成，也可以由M0.Al.Mo三層金屬疊置而成。通過諸如濕法蝕刻等蝕刻工藝對柵金屬膜進行構(gòu)圖，以形成柵金屬圖案2。柵金屬圖案2可以為薄膜晶體管的工作提供導通和截止電壓。
[0030]如圖3所示，可以采用諸如化學氣相沉積(CVD)等沉積方法，在構(gòu)圖后的柵金屬圖案2上沉積柵絕緣層3，柵絕緣層3可以由氮化硅材料制成。柵絕緣層3可以對薄膜晶體管器件內(nèi)的半導體層4與柵金屬圖案2起到絕緣作用，并且可以充當像素區(qū)的存儲電容介質(zhì)。
[0031]如圖4所示，在形成柵絕緣層3之后，可以采用諸如CVD等沉積方法，在柵絕緣層3上沉積半導體層4，半導體層4可以由a-Si和n+型a_Si制成。半導體層4主要作為薄膜晶體管器件導通時的電子傳輸層。
[0032]如圖5所示，在形成半導體層4之后，可以采用諸如濺射等沉積方法，在半導體層4上沉積源漏金屬層5。源漏金屬層5可以由銅制成,也可以由Mo、Al、Mo三層金屬疊置而成。然后，通過半色調(diào)曝光刻蝕工藝，將源漏金屬層5制成公共電極總線區(qū)域內(nèi)的公共電極總線和顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管的源漏極。因此，源漏金屬層5既可以作為信號線金屬層，又可作為公共電極總線，其主要作用是為每個像素區(qū)輸入信號電壓和為顯示區(qū)提供穩(wěn)定的公共電壓。
[0033]如圖6所示，在形成源漏金屬層5之后，可以采用諸如CVD等沉積方法，在源漏金屬層5上沉積保護層6。保護層6的厚度可以與柵金屬圖案的厚度相等，即3950?4000 A，并且可以由氮化硅材料制成。保護層6主要對面板區(qū)域進行保護，同時也是像素區(qū)的存儲電容介質(zhì)之一。
[0034]如圖7所示，在形成保護層6之后，可以采用平坦化工藝(例如，干法蝕刻、研磨等)對保護層6進行減薄，以形成開口，露出部分源漏金屬層5，露出的源漏金屬層5表面與其周圍的保護層6齊平。在平坦化工藝完成之后，公共電極總線區(qū)域表面7為平面。
[0035]最后，在源漏金屬層5的露出表面上形成諸如ITO等透明導電薄膜，以與顯示區(qū)域的公共電極線連接，顯示區(qū)域的公共電極線由柵線制成。由此完成了根據(jù)本發(fā)明實施例的電連接結(jié)構(gòu)的制造。
[0036]通過采用本發(fā)明所公開的電連接結(jié)構(gòu)及其制造方法，在形成電連接結(jié)構(gòu)后，整個公共電極總線區(qū)域表面為一平面，從而有效避免了因取向?qū)訑U散不均而導致的畫面異常。
[0037]雖然結(jié)合附圖描述了本發(fā)明的實施方式，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下作出各種修改和變型，這樣的修改和變型均落入由所附權(quán)利要求所限定的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電連接結(jié)構(gòu)，用于連接陣列基板公共電極總線區(qū)域的公共電極總線與顯示區(qū)域的公共電極線，其特征在于，所述電連接結(jié)構(gòu)位于所述公共電極總線區(qū)域的一端從基板側(cè)向上依次包括:柵金屬圖案、柵絕緣層、半導體層、源漏金屬層和保護層，其中， 所述公共電極總線由所述源漏金屬層制成，所述保護層在所述柵金屬圖案的上方形成有開口，所述源漏金屬層從所述開口露出，并與周圍的所述保護層齊平，所述源漏金屬層從所述開口露出的部分通過透明導電薄膜與所述公共電極線連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵金屬圖案和所述保護層的厚度相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵金屬圖案和所述保護層的厚度均為3950?4000 A。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵金屬圖案由Μο、Α1、Μο三層金屬依次疊置形成或由銅制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源漏金屬層由Μο、Α1、Μο三層金屬依次疊置形成或由銅制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵絕緣層和/或所述保護層由氮化娃制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述顯示區(qū)域的公共電極線由柵線制成。
8.—種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7中任一項所述的電連接結(jié)構(gòu)。
9.一種電連接結(jié)構(gòu)的制造方法，所述電連接結(jié)構(gòu)用于連接陣列基板公共電極總線區(qū)域的公共電極總線與顯示區(qū)域的公共電極線，其特征在于，所述方法包括: 在基板的公共電極總線區(qū)域上形成柵金屬圖案； 在所述柵金屬圖案上形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成半導體層； 在所述半導體層上形成源漏金屬層； 在所述源漏金屬層上方形成保護層； 對所述保護層進行減薄，使所述源漏金屬層周圍的保護層厚度與所述源漏金屬層齊平，以露出部分所述源漏金屬層； 形成透明導電薄膜，使得所述源漏金屬層從所述開口露出的部分與所述公共電極線連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，對所述保護層進行減薄是采用平坦化工藝。
【文檔編號】G02F1/1333GK103472615SQ201310432205
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年9月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月22日
【發(fā)明者】田明, 劉家榮, 徐利燕 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司