液晶顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種使用COA方式的IPS液晶顯示裝置，其使DC殘像盡快消失。在該液晶顯示裝置中，在TFT基板（100）側(cè)形成有濾色器（102）、對(duì)置電極（103）、層間絕緣膜（104）、像素電極（106）、取向膜（107），隔著液晶層（150）配置有對(duì)置基板（200），在上述像素電極（106）和上述層間絕緣膜（104）之間形成有Si半導(dǎo)體層（105）。即使來(lái)自背光源的光被濾色器（102）吸收從而光無(wú)法充分地到達(dá)取向膜（107），通過(guò)在取向膜（107）之下形成的Si半導(dǎo)體層（105），也能夠使積蓄在取向膜（107）上的電荷盡快逃逸至像素電極（106），由此，能夠使殘像盡快消失。
【專(zhuān)利說(shuō)明】液晶顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置，尤其涉及針對(duì)在使濾色器在形成有像素電極的基板上形成的情況下的殘像現(xiàn)象實(shí)施對(duì)策的液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置是薄型且輕質(zhì)，因此在從TV等大型顯示裝置到移動(dòng)電話或DSC(Digital Still Camera,數(shù)碼相機(jī))等多種領(lǐng)域具有廣泛的用途。另一方面,在液晶顯示裝置中存在視場(chǎng)角特性的問(wèn)題。視場(chǎng)角特性是在從正面觀察畫(huà)面的情況和從斜方向觀察畫(huà)面的情況下，亮度發(fā)生變化、或色度發(fā)生變化的現(xiàn)象。對(duì)于視場(chǎng)角特性，通過(guò)水平方向的電場(chǎng)使液晶分子動(dòng)作的IPS (In Plane Switching,平面轉(zhuǎn)換)方式具有優(yōu)異的特性。
[0003]在以往的液晶顯示裝置中，設(shè)有呈矩陣狀地形成有像素電極及薄膜晶體管(TFT)等的TFT基板、和與TFT基板相對(duì)且在與TFT基板的像素電極相對(duì)應(yīng)的部位形成有濾色器等的對(duì)置基板，且在TFT基板和對(duì)置基板之間夾持有液晶。而且，通過(guò)按像素控制基于液晶分子的光的透過(guò)率來(lái)形成圖像。
[0004]但是，在上述以往的液晶顯示裝置中，必須使TFT基板和對(duì)置電極正確地對(duì)位。為此進(jìn)行的對(duì)準(zhǔn)工序會(huì)提高液晶顯示裝置的生產(chǎn)成本。另外，由于無(wú)法實(shí)現(xiàn)TFT基板與對(duì)置基板的完全的對(duì)位，所以在設(shè)計(jì)上留出用于對(duì)位的余量。為了留出該余量，需要增大黑色矩陣的面積，因此會(huì)使液晶顯示面板的透過(guò)率減少，從而造成畫(huà)面亮度的損失。另外，在高精細(xì)畫(huà)面的形成方面也存在極限。
[0005]因此，開(kāi)發(fā)了在TFT基板上形成濾色器的技術(shù)。若在TFT基板上形成濾色器，則例如能夠通過(guò)光刻工序進(jìn)行像素電極與濾色器的對(duì)位，因此與TFT基板和對(duì)置基板的對(duì)準(zhǔn)相比較，精度格外高。另外，關(guān)于形成濾色器的工序，在形成于對(duì)置基板上的情況下和在形成于TFT基板上的情況下都需要相同的工序，因此也不會(huì)增加形成濾色器的工序。
[0006]因此,通過(guò)使用在TFT基板上形成濾色器的方式(Color Filter on Array,以后稱(chēng)為C0A)能夠謀求生產(chǎn)成本的降低、以及由提高液晶顯示裝置的透過(guò)率實(shí)現(xiàn)的、畫(huà)面亮度的提聞，并且，能夠?qū)崿F(xiàn)聞精細(xì)的畫(huà)面。
[0007]另一方面，在液晶顯示裝置中存在DC殘像這一現(xiàn)象。此為如下現(xiàn)象:在規(guī)定時(shí)間顯示一定的圖像的情況下，在取向膜上積聚電荷，該一定的圖像在某時(shí)間看起來(lái)如烙印在畫(huà)面上。該DC殘像的時(shí)間能夠通過(guò)減小取向膜的電阻而減少。
[0008]在液晶顯示裝置中，使用背光源，因此通過(guò)將光導(dǎo)電性的材料用于取向膜，能夠減小工作時(shí)的取向膜的電阻。因此，近年來(lái)在很多液晶顯示裝置中，使用光導(dǎo)電性的取向膜。作為顯示光導(dǎo)電特性的取向膜材料，例如能夠舉出日產(chǎn)化學(xué)的SE6414等。
[0009]但是，在COA中，濾色器形成在比取向膜更靠近背光源側(cè)，因此與以往相比，到達(dá)取向膜的背光源的光較弱。因此，無(wú)法對(duì)取向膜提供足夠的光導(dǎo)電性，從而無(wú)法充分減小工作時(shí)的取向膜的電阻。因此，在COA中，DC殘像成為嚴(yán)重的問(wèn)題。
[0010]取向膜更多地吸收短波長(zhǎng)的光。這是由于短波長(zhǎng)的光有助于光導(dǎo)電性。若在短波長(zhǎng)中透過(guò)率變低，則透過(guò)取向膜的光、或透過(guò)液晶顯示面板的光中長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)的光變多，產(chǎn)生圖像偏向紅色側(cè)的現(xiàn)象。
[0011 ] 在專(zhuān)利文獻(xiàn)I中記載有如下結(jié)構(gòu):為了防止該現(xiàn)象，將COA中的濾色器的厚度按紅色濾色器、綠色濾色器、藍(lán)色濾色器的順序增厚，由此防止畫(huà)面偏向紅色側(cè)?；蛘撸瑢⑾袼氐拇笮“醇t色濾色器、綠色濾色器、藍(lán)色濾色器的順序增大，由此防止畫(huà)面偏向紅色側(cè)。
[0012]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2011 - 237571號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]專(zhuān)利文獻(xiàn)I所記載的結(jié)構(gòu)需要按紅、綠、藍(lán)像素改變像素的大小、或改變?yōu)V色器的厚度。而且，若濾色器的吸收光譜按品種或?yàn)V色器的材料而不同，則需要使各濾色器的厚度t匕、或者各濾色器的面積比按品種或按濾色器的材料而變化，工序負(fù)荷較大。
[0014]圖9是濾色器102形成于對(duì)置基板200側(cè)的以往的液晶顯示面板的剖視圖。圖10是在圖9的結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板中，在使背光源為OFF的情況下和為ON的情況下對(duì)取向膜107的電阻率進(jìn)行比較的表。在圖9中，濾色器102形成于對(duì)置基板200側(cè)，因此基于取向膜107的電阻率的光導(dǎo)電特性不會(huì)因?yàn)闉V色器102而有差異。
[0015]在圖10中，取向膜SE6414在使背光源為OFF的情況下的電阻率為IO14Qcm,在使背光源為ON的情況下的電阻率為IO12 Ω cm。
[0016]圖11是濾色器102形成于TFT基板100側(cè)的以往的液晶顯示面板的剖視圖。在圖11中，在TFT基板100的布線層101之上形成有濾色器102，在濾色器102之上形成有對(duì)置電極103、像素電極106、取向膜107等。在圖11中，在對(duì)置基板200上形成有黑色矩陣201和保護(hù)膜202以及取向膜107，未形成濾色器102。
[0017]在圖11中，從TFT基板100的背面?zhèn)日丈浔彻庠矗谠摻Y(jié)構(gòu)中，背光源的光被濾色器102吸收，因此無(wú)法對(duì)取向膜107提供足夠的光導(dǎo)電性。另外，取向膜107的光導(dǎo)電性具有波長(zhǎng)依賴(lài)性，因此取向膜107的光導(dǎo)電特性按像素而不同，產(chǎn)生畫(huà)面的色移。
[0018]圖12是評(píng)價(jià)在照射背光源的情況下的各顏色的光導(dǎo)電效果的表。在圖12的取向膜中，在紅像素和綠像素的情況下，即使照射背光源，電阻率也幾乎不變化，與此相對(duì)，藍(lán)像素的電阻率減小兩數(shù)量級(jí)。這表明在產(chǎn)生了殘像的情況下產(chǎn)生色移。
[0019]本發(fā)明的課題為，在將濾色器配置于TFT基板100側(cè)的COA結(jié)構(gòu)中，防止由于在取向膜上積蓄電荷而導(dǎo)致的殘像。本發(fā)明的其他課題為，實(shí)現(xiàn)在COA中不需按顏色改變?yōu)V色器102厚度、或改變像素的大小，就能夠防止殘像的色移的結(jié)構(gòu)。
[0020]本發(fā)明為了克服上述問(wèn)題，具體的方法如下。
[0021](I) 一種液晶顯示裝置，其特征在于，在TFT基板側(cè)形成有濾色器、對(duì)置電極、層間絕緣膜、像素電極、取向膜，隔著液晶層配置有對(duì)置基板，在上述像素電極和上述層間絕緣膜之間形成有Si半導(dǎo)體層。
[0022](2)—種液晶顯示裝置，其特征在于，在TFT基板側(cè)形成有濾色器、對(duì)置電極、層間絕緣膜、像素電極、取向膜，隔著液晶層配置有對(duì)置基板，在上述像素電極和上述取向膜之間形成有Si半導(dǎo)體層。
[0023](3) 一種液晶顯示裝置，其特征在于，在TFT基板側(cè)形成有對(duì)置電極、層間絕緣膜、像素電極、取向膜，隔著液晶層配置有形成有濾色器的對(duì)置基板，在上述像素電極和上述層間絕緣膜之間形成有Si半導(dǎo)體層。
[0024](4) 一種液晶顯示裝置，其特征在于，在TFT基板側(cè)形成有對(duì)置電極、層間絕緣膜、像素電極、取向膜，隔著液晶層配置有形成有濾色器的對(duì)置基板，在上述像素電極和上述取向膜之間形成有Si半導(dǎo)體層。
[0025](5)—種液晶顯示裝置，其特征在于，取代上述Si半導(dǎo)體層而形成有顯示相同的電阻的氧化物半導(dǎo)體。
[0026]根據(jù)本發(fā)明，在使用濾色器形成于TFT基板側(cè)的COA方式的IPS液晶顯示裝置中，能夠抑制DC殘像。另外，在如以往那樣濾色器形成于對(duì)置電極側(cè)的液晶顯示裝置中，能夠不依賴(lài)光導(dǎo)電效果地使積蓄在取向膜上的電荷逃逸，因此能夠抑制DC殘像的色移。關(guān)于所使用的取向膜，可以是摩擦取向膜也可以是光取向膜，不被材料或取向工序限定。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1是實(shí)施例1的液晶顯示面板的剖視圖。
[0028]圖2是表示實(shí)施例1的動(dòng)作的剖視圖。
[0029]圖3是實(shí)施例2的液晶顯示面板的剖視圖。
[0030]圖4是表示實(shí)施例2的動(dòng)作的剖視圖。
[00 31]圖5是實(shí)施例3的液晶顯示面板的剖視圖。
[0032]圖6是實(shí)施例4的液晶顯示面板的剖視圖。
[0033]圖7是實(shí)施例5的液晶顯示面板的剖視圖。
[0034]圖8是實(shí)施例6的液晶顯示面板的剖視圖。
[0035]圖9是第I以往例的液晶顯示面板的剖視圖。
[0036]圖10是表示第I以往例中的取向膜的光導(dǎo)電效果的表。
[0037]圖11是第2以往例的液晶顯示面板的剖視圖。
[0038]圖12是表示第2以往例中的取向膜的光導(dǎo)電效果的表。
[0039]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0040]100…TFT基板、101…布線層、102…濾色器、103…對(duì)置電極、104…層間絕緣膜、105…Si半導(dǎo)體層、106…像素電極、107…取向膜、108…有機(jī)鈍化膜、109…氧化物半導(dǎo)體層、150…液晶層、200…對(duì)置基板、201…黑色矩陣、202…保護(hù)膜、300…液晶層、301…液晶分子、1000...TFT
【具體實(shí)施方式】
[0041]通過(guò)以下的實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的內(nèi)容。
[0042]實(shí)施例1
[0043]圖1是本發(fā)明的第I實(shí)施例的液晶顯示面板的剖視圖。圖1是IPS方式的液晶顯示面板，是濾色器102形成于TFT基板100側(cè)的COA型的液晶顯示面板。在圖1中，在由玻璃形成的TFT基板100之上形成有布線層101。布線層101是指包含TFT、影像信號(hào)線、掃描線等的層。
[0044]在圖1中，在布線層101之上按像素形成有紅色濾色器102、綠色濾色器102、藍(lán)色濾色器102。在濾色器102之上形成有由以整平面形成的IT0(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)構(gòu)成的對(duì)置電極103。在對(duì)置電極103之上形成有由SiN構(gòu)成的層間絕緣膜104。該SiN膜通過(guò)200°C左右的低溫CVD形成。
[0045]在層間絕緣膜104之上形成有Si半導(dǎo)體層105，這是本發(fā)明的特征所在。Si半導(dǎo)體層105可以是本征半導(dǎo)體，也可以是摻雜有P等的半導(dǎo)體。Si半導(dǎo)體層105的膜厚為5nm ?IOOnm0
[0046]在Si半導(dǎo)體層105之上由ITO形成有作為梳齒狀電極的像素電極106，在像素電極106之上形成有取向膜107。若取向膜107的電阻較大，則電荷長(zhǎng)時(shí)間殘留于取向膜107上，這成為殘像的原因。為了使殘像盡快消失，除減小取向膜107的電阻以外，還能夠通過(guò)減小在取向膜107的下層形成的Si半導(dǎo)體層105的電阻而使電荷盡快逃逸。
[0047]在圖1中，隔著液晶層150配置有對(duì)置基板200。在由玻璃形成的對(duì)置基板200上形成有黑色矩陣201，覆蓋黑色矩陣201而形成有保護(hù)膜202。在黑色矩陣201和黑色矩陣201之間未形成濾色器102。在保護(hù)膜202之上形成有取向膜107。
[0048]圖2是用于說(shuō)明圖1的結(jié)構(gòu)的動(dòng)作的放大剖視圖。在圖2中，在濾色器102之上由ITO形成的對(duì)置電極103以整平面形成，在對(duì)置電極103之上由SiN形成有層間絕緣膜104，在層間絕緣膜104之上形成有Si半導(dǎo)體層105，在Si半導(dǎo)體層105之上由ITO形成有梳齒狀的像素電極106，覆蓋該像素電極106地形成有取向膜107。
[0049]由SiN構(gòu)成的層間絕緣膜104在作為有機(jī)材料的濾色器102形成之后通過(guò)CVD形成，因此為了防止濾色器102變性，通過(guò)200°C左右的低溫CVD形成。在層間絕緣膜104之上形成的Si半導(dǎo)體層105由a — Si形成。由SiN構(gòu)成的層間絕緣膜104和Si半導(dǎo)體層105通過(guò)CVD連續(xù)地形成，因此即使適用本發(fā)明，對(duì)工序的負(fù)荷也較小。
[0050]取向膜107的電阻極大，為IO14Qcm左右，因此積蓄在取向膜107上的電荷逃逸到像素電極106等要花費(fèi)時(shí)間。在圖2中，在取向膜107之下形成有Si半導(dǎo)體層105，即使在Si半導(dǎo)體層105為本征半導(dǎo)體的情況下，其電阻率也比取向膜材料小一數(shù)量級(jí)以上。因此，即使來(lái)自背光源的光未充分地照射到取向膜107上從而無(wú)法充分地發(fā)揮光導(dǎo)電效果，充電到取向膜107上的電荷也能夠經(jīng)由下層的Si半導(dǎo)體層105而逃逸到像素電極106，能夠使殘像盡快消失。
[0051]取向膜107的厚度為50?70nm左右，因此取向膜107的厚度方向的電阻不大。因此，從取向膜107的表面移動(dòng)而來(lái)的電荷能夠通過(guò)下層的Si半導(dǎo)體層105而迅速地移動(dòng)至像素電極106，因此能夠使殘像盡快消失。能夠通過(guò)使Si半導(dǎo)體層105的電阻為某種程度來(lái)控制殘像的消失時(shí)間，這能夠通過(guò)Si半導(dǎo)體層105的厚度和在Si半導(dǎo)體層105中摻雜或不摻雜P等而進(jìn)行控制。
[0052]本發(fā)明不是通過(guò)光導(dǎo)電效果使取向膜自身的電阻值減少，因此取向膜的光導(dǎo)電效果可以較小。在依賴(lài)于光導(dǎo)電效果的情況下，由于濾色器具有分光特性，所以產(chǎn)生取向膜的電阻的波長(zhǎng)依賴(lài)性，引起殘像中的色移。本發(fā)明不依賴(lài)于取向膜的光導(dǎo)電效果，因此不會(huì)產(chǎn)生殘像的色移。另外，取向膜能夠不考慮光導(dǎo)電效果地進(jìn)行與取向膜的目的一致的、最優(yōu)的材料選擇。
[0053]本實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)與以往結(jié)構(gòu)的不同點(diǎn)為，在形成由SiN構(gòu)成的層間絕緣膜104之后，形成Si半導(dǎo)體層105，之后形成像素電極106。SiN通過(guò)所謂的低溫CVD形成，Si半導(dǎo)體層105也通過(guò)CVD形成，因此Si半導(dǎo)體層105能夠在通過(guò)CVD而沉積了由SiN構(gòu)成的層間絕緣膜104之后連續(xù)地形成。因此，對(duì)工序的負(fù)荷較小。
[0054]實(shí)施例2
[0055]圖3是本發(fā)明的第2實(shí)施例的液晶顯示面板的剖視圖。濾色器102形成于TFT基板100側(cè)，未形成于對(duì)置基板200側(cè)。圖3與圖1的不同點(diǎn)為，在以整平面形成的對(duì)置電極103之上形成有由SiN構(gòu)成的層間絕緣膜104，在層間絕緣膜104之上形成有梳齒狀的像素電極106，但在像素電極106之上形成有Si半導(dǎo)體層105。而且，在Si半導(dǎo)體層105之上形成有取向膜107。
[0056]在圖3中，導(dǎo)致發(fā)生殘像的充電到取向膜107上的電荷經(jīng)由形成在取向膜107之下的Si半導(dǎo)體層105而逃逸至像素電極106側(cè)。Si半導(dǎo)體層105的電阻率比取向膜107小一數(shù)量級(jí)以上，因此取向膜107上的電荷通過(guò)Si半導(dǎo)體層105而盡快消失，殘像也盡快消失。
[0057]圖4是用于說(shuō)明圖3的結(jié)構(gòu)的動(dòng)作的放大示意剖視圖。在圖3中，在濾色器102之上由ITO形成的對(duì)置電極103以整平面形成，在對(duì)置電極103之上由SiN形成層間絕緣膜104，在層間絕緣膜104之上形成像素電極106。在通過(guò)光刻使像素電極106形成為梳齒狀電極的圖案后，形成Si半導(dǎo)體層105。
[0058]Si半導(dǎo)體層105的厚度為5?IOOnm左右,但若是會(huì)被由ITO形成的像素電極106整體切斷的厚度，則在動(dòng)作上存在問(wèn)題。然而，能夠容許局部的切斷。這是因?yàn)?，像素電極106和Si半導(dǎo)體層105只要能夠?qū)纯伞?br> [0059]取向膜107的電阻極大，為IO14 Ω cm左右，因此形成在取向膜107上的電荷逃逸到像素電極106等要花費(fèi)時(shí)間。在圖4中，與在圖2中說(shuō)明的相同，在取向膜107之下形成有Si半導(dǎo)體層105，即使在Si半導(dǎo)體層105為本征半導(dǎo)體的情況下，其電阻率也比取向膜材料小一數(shù)量級(jí)以上。因此，即使來(lái)自背光源的光未充分照射到取向膜107上從而無(wú)法充分發(fā)揮光導(dǎo)電效果，充電到取向膜107上的電荷也能夠經(jīng)由下層的Si半導(dǎo)體層105而逃逸到像素電極106，能夠使殘像盡快消失。能夠通過(guò)使Si半導(dǎo)體層105的電阻為某種程度來(lái)控制殘像的消失時(shí)間，這能夠通過(guò)Si半導(dǎo)體層105的厚度和在Si半導(dǎo)體層105中摻雜或不摻雜P等而進(jìn)行控制。
[0060]在本實(shí)施例中，積蓄在取向膜上的電荷也不依賴(lài)于取向膜自身的、基于光導(dǎo)電效果的低電阻化，而是依賴(lài)于在下層形成的Si半導(dǎo)體層，因此能夠抑制被濾色器的分光特性影響的殘像的色移。
[0061]在本實(shí)施例中，在形成層間絕緣膜104后，沉積ΙΤ0，利用光刻形成圖案從而形成像素電極106。然后，通過(guò)CVD而沉積Si半導(dǎo)體層105。即，在通過(guò)CVD而沉積層間絕緣膜104并使作為像素電極106的ITO成膜后，將TFT基板100從真空中取出到外部空氣中，進(jìn)行ITO的圖案化。之后，再次通過(guò)CVD而沉積Si半導(dǎo)體層105。
[0062]這樣，實(shí)施例2的對(duì)工序的負(fù)荷大于實(shí)施例1。但是,效果相同。
[0063]實(shí)施例3
[0064]圖5是表示本發(fā)明的第3實(shí)施例的剖視圖。在圖5中，在由玻璃形成的TFT基板100之上形成有布線層101。布線層101是包含TFT、影像信號(hào)線、掃描線等的結(jié)構(gòu)。在布線層101之上形成有有機(jī)鈍化膜108，在有機(jī)鈍化膜108之上通過(guò)ITO以整平面形成有對(duì)置電極103。在對(duì)置電極103之上形成有由SiN形成的層間絕緣膜104，在層間絕緣膜104之上形成有Si半導(dǎo)體層105。在Si半導(dǎo)體層105之上形成有梳齒狀的像素電極106，覆蓋該像素電極106而形成有取向膜107。在此，構(gòu)成層間絕緣膜104的SiN通過(guò)CVD而形成，但由于是在形成有機(jī)鈍化膜108之后形成，所以通過(guò)200°C左右的所謂的低溫CVD而形成。
[0065]在圖5中，在由玻璃形成的對(duì)置基板200上形成有黑色矩陣201和濾色器102，覆蓋黑色矩陣201和濾色器102而形成有保護(hù)膜202。覆蓋保護(hù)膜202而形成有取向膜107。
[0066]關(guān)于圖5的結(jié)構(gòu)，如以往那樣，濾色器102形成于對(duì)置基板200上。S卩，來(lái)自背光源的光不會(huì)被濾色器102遮擋。但是，在圖5所示的以往例那樣的結(jié)構(gòu)中，在取向膜107上積蓄電荷而引起殘像這一點(diǎn)是相同的。在以往的結(jié)構(gòu)中，將具有光導(dǎo)電效果的材料用于取向膜107而使取向膜107的電阻降低。
[0067]但是，在以往例中，在基于光導(dǎo)電效果的取向膜107的電阻的減少方面也存在極限。因此，使取向膜107為2層構(gòu)造，使取向性高且電阻率高的取向膜的層為上層，在下層中使用電阻率低于上層的取向材料。該方法需要將適于通過(guò)一次的取向膜材料的涂布而形成2層的取向膜的工序的材料合成，存在損害作為取向膜材料的自由度的問(wèn)題。
[0068]在圖5所示的本發(fā)明中，在梳齒狀的像素電極106之下形成有Si半導(dǎo)體層105，在像素電極之上形成有取向膜107。即使Si半導(dǎo)體層105為本征半導(dǎo)體，其電阻率也比取向膜的電阻率小一數(shù)量級(jí)以上。因此，無(wú)需使取向膜107產(chǎn)生光導(dǎo)電效果，就能夠使積蓄在取向膜107上的電荷盡快逃逸至像素電極107。即，與來(lái)自背光源的光的強(qiáng)度無(wú)關(guān)，能夠穩(wěn)定地使在取向膜107上充電的電荷盡快逃逸至像素電極等。
[0069]關(guān)于積蓄在取向膜107上的電荷怎樣能夠盡快逃逸至像素電極106，與通過(guò)圖2所示的截面示意圖說(shuō)明的相同。另外，Si半導(dǎo)體層105的膜厚、電阻率、是否摻雜等也與在實(shí)施例I的圖2中說(shuō)明的相同。因此，根據(jù)本實(shí)施例，即使是如以往那樣使濾色器102形成于對(duì)置基板200側(cè)的結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板，也能夠使殘像穩(wěn)定地盡快消失。
[0070]在本實(shí)施例中，形成層間絕緣膜104的SiN通過(guò)CVD而形成，Si半導(dǎo)體層105也通過(guò)CVD而形成，因此Si半導(dǎo)體層105能夠在通過(guò)CVD而沉積了 SiN后連續(xù)地形成。因此，對(duì)工序的負(fù)荷較小。
[0071]實(shí)施例4
[0072]圖6是本發(fā)明的第4實(shí)施例的液晶顯示面板的剖視圖。圖6也與圖5相同地，濾色器102如以往那樣形成于對(duì)置基板200側(cè)。圖6所示的結(jié)構(gòu)與圖5所示的結(jié)構(gòu)不同的是，像素電極106附近的剖視圖。在圖6中，梳齒狀的像素電極106形成于層間絕緣膜104之上。在像素電極106之上形成有Si半導(dǎo)體層105，在Si半導(dǎo)體層105之上形成有取向膜107。
[0073]在該結(jié)構(gòu)中，Si半導(dǎo)體層105的電阻率也比取向膜107的電阻率小一數(shù)量級(jí)以上，因此積蓄在取向膜107上的電荷能夠通過(guò)Si半導(dǎo)體層105而盡快逃逸至像素電極106等。因此，能夠使殘像現(xiàn)象盡快消失。
[0074]在圖6的結(jié)構(gòu)中，關(guān)于積蓄在取向膜107上的電荷怎樣逃逸至像素電極106，與利用圖4在實(shí)施例2中說(shuō)明的相同。另外，圖6的像素電極106附近的形成工序也與在圖4中說(shuō)明的相同。根據(jù)本實(shí)施例，不是使取向膜107為2層構(gòu)造而利用光導(dǎo)電效果的結(jié)構(gòu)，因此與來(lái)自背光源的光的強(qiáng)度無(wú)關(guān)，能夠使積蓄在取向膜107上的電荷盡快逃逸至像素電極106，能夠使殘像效果盡快消失。[0075]在以上的實(shí)施例中為如下結(jié)構(gòu):在下層以整平面形成對(duì)置電極103，在對(duì)置電極103之上形成層間絕緣膜104，在層間絕緣膜104之上形成梳齒狀的像素電極106，但本發(fā)明不限于此，也能夠適用如下結(jié)構(gòu):在下層以整平面形成像素電極106，在像素電極106之上形成層間絕緣膜104，在層間絕緣膜104之上形成梳齒狀的對(duì)置電極103。
[0076]實(shí)施例5
[0077]圖7是本發(fā)明的第5實(shí)施例的液晶顯示面板的剖視圖。濾色器102形成于TFT基板100側(cè)，未形成于對(duì)置基板200側(cè)。圖7與圖1的不同點(diǎn)為，代替在取向膜107之下形成的Si半導(dǎo)體層，而形成有顯示相同的電阻的氧化物半導(dǎo)體層109。作為氧化物半導(dǎo)體，可以列舉ITO等。能夠通過(guò)使氧化物半導(dǎo)體層109的電阻為某種程度來(lái)控制殘像的消失時(shí)間，這能夠通過(guò)氧化物半導(dǎo)體層109的厚度、和制膜時(shí)的氧濃度來(lái)進(jìn)行控制。
[0078]在圖7所示的實(shí)施例中，在層間絕緣膜104之上形成的氧化物半導(dǎo)體層109由ITO形成。氧化物半導(dǎo)體層109和像素電極106通過(guò)濺鍍而連續(xù)地形成，因此即使適用本發(fā)明，對(duì)工序的負(fù)荷也較小。
[0079]實(shí)施例6
[0080]圖8是本發(fā)明的第6實(shí)施例的液晶顯示面板的剖視圖。圖8與圖5相同地，濾色器102如以往那樣形成于對(duì)置基板200側(cè)。圖8所示的結(jié)構(gòu)與圖5所示的結(jié)構(gòu)不同的是，代替在取向膜107之下形成的Si半導(dǎo)體層，而形成有顯示相同的電阻的氧化物半導(dǎo)體層109。作為氧化物半導(dǎo)體，與圖7相同地，可以列舉ITO等。關(guān)于積蓄在取向膜107上的電荷怎樣能夠盡快逃逸至像素電極106，與通過(guò)圖2所示的截面示意圖說(shuō)明的相同。氧化物半導(dǎo)體層109的膜厚、電阻率、制膜條件等與在實(shí)施例5的圖7中說(shuō)明的相同。因此，根據(jù)本實(shí)施例，即使是如以往那樣使濾色器102形成于對(duì)置基板200側(cè)的結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板，也能夠使殘像穩(wěn)定地盡快消失。
[0081 ] 另外，在以上的實(shí)施例中，取向膜材料可以是摩擦取向膜也可以是光取向膜，能夠不被材料或取向工序限定地適用本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于， 在TFT基板側(cè)形成有濾色器、對(duì)置電極、層間絕緣膜、像素電極、取向膜，隔著液晶層配置有對(duì)置基板， 在所述像素電極和所述上述層間絕緣膜之間形成有Si半導(dǎo)體層。
2.一種液晶顯示裝置，其特征在于， 在TFT基板側(cè)形成有濾色器、對(duì)置電極、層間絕緣膜、像素電極、取向膜，隔著液晶層配置有對(duì)置基板， 在所述像素電極和所述取向膜之間形成有Si半導(dǎo)體層。
3.一種液晶顯示裝置，其特征在于， 在TFT基板側(cè)形成有對(duì)置電極、層間絕緣膜、像素電極、取向膜，隔著液晶層配置有形成有濾色器的對(duì)置基板， 在所述像素電極和所述層間絕緣膜之間形成有Si半導(dǎo)體層。
4.一種液晶顯示裝置，其特征在于， 在TFT基板側(cè)形成有對(duì)置電極、層間絕緣膜、像素電極、取向膜，隔著液晶層配置有形成有濾色器的對(duì)置基板， 在所述像素電極和所述取向膜之間形成有Si半導(dǎo)體層。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述Si半導(dǎo)體層為a-Sio
6.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述Si半導(dǎo)體層的厚度為5nm?lOOnm。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK103631062SQ201310370201
【公開(kāi)日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月23日
【發(fā)明者】松井慶枝, 山本昌直, 國(guó)松登, 園田英博 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日本顯示器