液晶顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種液晶顯示器，該液晶顯示器包括：絕緣基板；設(shè)置在絕緣基板上并具有倒錐形側(cè)壁的微腔層；設(shè)置在絕緣基板上的微腔層中的像素電極；設(shè)置在微腔層內(nèi)的液晶層；以及覆蓋液晶層的公共電極。
【專利說明】液晶顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的示例性實施方式涉及一種液晶顯示器及其制造方法，更尤其涉及一種包括在微腔內(nèi)的液晶的液晶顯示器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為目前使用最廣泛類型的平板顯示器中的一種的液晶顯示器通常包括兩片面板以及夾置在二者之間的液晶層，所述兩片面板具有場發(fā)生電極，如像素電極、公共電極
坐寸。
[0003]通過向場發(fā)生電極施加電壓，液晶顯示器在液晶層中產(chǎn)生電場，并且通過所產(chǎn)生的電場確定液晶層的液晶分子的方向，由此控制入射光的偏振，從而顯示圖像。
[0004]具有嵌入的微腔(EM)結(jié)構(gòu)的液晶顯示器是通過用光致抗蝕劑形成犧牲層、在其上涂覆支撐元件、通過灰化工藝去除犧牲層以及將液晶填充到去除犧牲層所形成的空的空間內(nèi)而制造的顯示器件。但是，施加到液晶層上的電場由于EM結(jié)構(gòu)的側(cè)壁而扭曲，使得液晶分子會不對準(zhǔn)。
[0005]而且，公共電極可以根據(jù)犧牲層而具有彎曲結(jié)構(gòu)，使得下面的像素電極可以短路或者電場會扭曲。
[0006]通常執(zhí)行蝕刻EM結(jié)構(gòu)的一側(cè)的開口工藝，以去除犧牲層，并由此通過該工藝，公共電極具有僅在一個方向上連接的結(jié)構(gòu)。結(jié)果，當(dāng)公共電壓在一個方向上施加時，由于公共電壓而發(fā)生串?dāng)_，該公共電壓在遠(yuǎn)尚施加部分的部分(中心部分)處被改變。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的示例性實施方式提供了一種液晶顯示器及其制造方法，以控制液晶分子在預(yù)定方向上的排列，保持公共電極的結(jié)構(gòu)不與像素電極短路，并且有效地防止電場的扭曲，或者基本上均勻地提供沒有串?dāng)_的公共電壓。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的示例性實施方式包括:絕緣基板；設(shè)置在絕緣基板上并具有倒錐形側(cè)壁的微腔層；設(shè)置在絕緣基板上的微腔層內(nèi)的像素電極；設(shè)置在微腔層內(nèi)的液晶層；以及覆蓋液晶層的公共電極。
[0009]在示例性實施方式中，液晶顯示器還可以包括光阻擋構(gòu)件，該光阻擋構(gòu)件設(shè)置在絕緣基板上并且具有與微腔層的倒錐形側(cè)壁相對應(yīng)的錐形側(cè)壁。
[0010]在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件的高度可以對應(yīng)于微腔層的高度。
[0011 ] 在示例性實施方式中，公共電極可以具有基本上平坦的結(jié)構(gòu)。
[0012]在示例性實施方式中，液晶顯示器還可以包括設(shè)置在光阻擋構(gòu)件和公共電極之間的第二鈍化層，并且設(shè)置在光阻擋構(gòu)件上的第二鈍化層的高度可以基本上與微腔層的高度相同。
[0013]在示例性實施方式中，公共電極可以對應(yīng)于光阻擋構(gòu)件上的第二鈍化層的高度地，基本上平行于絕緣基板設(shè)置。[0014]在示例性實施方式中，公共電極可以在光阻擋構(gòu)件附近具有彎曲結(jié)構(gòu)。
[0015]在示例性實施方式中，公共電極可以在光阻擋構(gòu)件附近具有在上部向上彎曲的結(jié)構(gòu)。
[0016]在示例性實施方式中，液晶顯示器還可以包括覆蓋公共電極的頂層。
[0017]在示例性實施方式中，液晶注入孔可以被限定在頂層中。
[0018]在示例性實施方式中，液晶注入孔可以位于薄膜晶體管形成區(qū)域處。
[0019]在示例性實施方式中，公共電極可以暴露液晶注入孔。
[0020]在示例性實施方式中，公共電極可以具有在一個方向上延伸的結(jié)構(gòu)，并且可以包括在基本上垂直于所述一個方向的方向上連接公共電極的部分的公共電極連接件。
[0021]在示例性實施方式中，公共電極連接件可以設(shè)置在光阻擋構(gòu)件上，并且可以被光阻擋構(gòu)件支撐。
[0022]在示例性實施方式中，公共電極連接件可以被頂層支撐。
[0023]在示例性實施方式中，所述像素電極可以包括主干部和從主干部延伸的多個微小分支。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的另一備選示例性實施方式包括:絕緣基板；設(shè)置在絕緣基板上的微腔層；設(shè)置在絕緣基板上的微腔層內(nèi)的像素電極；設(shè)置在微腔層中的液晶層；設(shè)置在微腔層的一側(cè)的光阻擋構(gòu)件；以及覆蓋液晶層和光阻擋構(gòu)件的公共電極，其中，光阻擋構(gòu)件的高度基本上等于或大于微腔層的高度。
[0025]在示例性實施方式中，微腔層可以具有倒錐形側(cè)壁。
[0026]在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件具有錐形側(cè)壁，該錐形側(cè)壁對應(yīng)于絕緣基板上的微腔層的倒錐形側(cè)壁。
[0027]在示例性實施方式中，微腔層可以具有錐形側(cè)壁。
[0028]在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件具有倒錐形側(cè)壁，該倒錐形側(cè)壁對應(yīng)于絕緣基板上的微腔層的錐形側(cè)壁。
[0029]在示例性實施方式中，如上所述，嵌入微腔(EM)結(jié)構(gòu)具有倒錐形側(cè)壁，并由此施加到液晶層的電場的扭曲顯著減小，并且不會產(chǎn)生液晶分子不對準(zhǔn)的部分，使得液晶分子可以在相同方向上基本均勻地排列。在示例性實施方式中，公共電極具有基本上平行于絕緣基板的基本平坦的結(jié)構(gòu)，使得公共電極不與像素電極短路，并且電場不扭曲。在示例性實施方式中，公共電壓在與公共電極的延伸方向不同的方向(與其垂直的方向)施加，由此提供具有均勻公共電壓的液晶顯示器。在這種實施方式中，當(dāng)液晶分子不對準(zhǔn)時，光阻擋構(gòu)件的上部寬度被加寬，使得未對準(zhǔn)部分不會被用戶識別。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]通過參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施方式，本發(fā)明的上述和其他特征將變得更清楚，圖中:
[0031]圖1是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的示例性實施方式的頂部平面圖；
[0032]圖2是沿著圖1的線I1-1I截取的截面圖；
[0033]圖3是沿著圖1的線II1-1II截取的截面圖；
[0034]圖4至圖12B是示出圖1的液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式的視圖；[0035]圖13是示出在液晶顯示器的對比例中液晶分子的不對準(zhǔn)狀態(tài)的視圖；
[0036]圖14和圖15是不出在液晶顯不器的對比例中，根據(jù)液晶碰撞而產(chǎn)生的紋理和光泄漏的視圖；
[0037]圖16是示出在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的示例性實施方式中的液晶分子的排列狀態(tài)的視圖；
[0038]圖17和圖18是示出根據(jù)像素電極的結(jié)構(gòu)的液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向的視圖；
[0039]圖19是拍攝根據(jù)本發(fā)明的光阻擋構(gòu)件的示例性實施方式的截面的照片的視圖；
[0040]圖20和圖21是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式的液晶顯示器的截面圖；
[0041]圖22是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的備選示例性實施方式的頂部平面圖；
[0042]圖23是沿著圖22的線XXII1-XXIII截取的截面圖；
[0043]圖24是沿著圖22的線XXIV-XXIV截取的截面圖；
[0044]圖25至圖30D是示出圖22的液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式的視圖；
[0045]圖31是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的另一備選示例性實施方式的頂部平面圖；
[0046]圖32是沿著圖31的線XXXI1-XXXII截取的截面圖；
[0047]圖33是沿著圖31的線XXXII1-XXXIII截取的截面圖；
[0048]圖34A到圖41是示出圖31的液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式的視圖；以及
[0049]圖42是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的另一備選示例性實施方式的截面圖。
【具體實施方式】
[0050]下面將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，在圖中，示出了本發(fā)明的示例性實施方式。但是，本發(fā)明可以按照多種不同形式來實施，并不應(yīng)被理解為局限于在此陳述的實施方式。而是，提供這些實施方式使得本公開將完整和全面，并將本發(fā)明的范圍全面地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。
[0051]將理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“耦接到”另一元件或?qū)訒r，它可以直接在該另一元件或?qū)由?、直接連接到或耦接到另一元件或?qū)?，或者可以存在居間元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接耦接到”另一元件或?qū)訒r，則沒有居間元件或?qū)哟嬖?。相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的列舉項目的一個或多個的任何和所有組合。
[0052]將理解，雖然在此使用術(shù)語第一、第二等來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不會背離本發(fā)明的教導(dǎo)。
[0053]空間相對術(shù)語，如“在…下面”、“之下”、“下”、“在…之上”、“上”等可以在此用于使
得描述更容易，以描述如在圖中所示的一個元件或特征相對于另一元件或特征的關(guān)系。將理解，該空間相對術(shù)語除了在圖中所示的取向外，還意在包含在使用或操作中裝置的不同取向。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，那么被描述為在其他元件或特征的“下方”或“之下”的元件將取向為在該其他元件或特征“之上”。于是，示例性術(shù)語“之下”可以包含上和下兩種取向。該裝置可以以其他方式取向(旋轉(zhuǎn)90度或者在其他取向上)，并且相應(yīng)地解釋在此使用的空間相對描述語。
[0054]在此使用的術(shù)語僅用于描述特定實施方式的目的，而不意在限制本發(fā)明。如在此使用的，單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”也意在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。將進(jìn)一步理解的是，術(shù)語“包括”和/或“包含”，當(dāng)用于本說明書時，表明所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是并不排除一個或多個其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在或附加。
[0055]除非以其他方式限定，在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬的領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所共同理解的相同的含義。將進(jìn)一步理解的是，諸如在共同使用的字典中定義的那些術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的背景中的含義相一致的含義，并且將不被解釋為理想化或者過于正式的含義，除非在此如此明確定義。
[0056]在此參照作為理想化實施方式的示意圖的截面圖示描述了示例性實施方式。如此，可以預(yù)料到由于例如制造技術(shù)和/或公差而引起的圖示形狀的變化。從而，在此描述的實施方式不應(yīng)被理解為限制于如在此圖示的區(qū)域的特定形狀，而是包括例如由制造引起的形狀的偏差。例如，圖示為或描述為平面的區(qū)域通常可以具有粗糙的和/或非線性的特征。此外，所圖示的尖銳角度可以是圓化的。從而，在圖中所示的區(qū)域本身是示意性的，并且它們的形狀不意在示出區(qū)域的精確形狀，并且也不意在限制在此陳述的權(quán)利要求的范圍。
[0057]在此描述的所有方法可以按照適當(dāng)?shù)捻樞騺韴?zhí)行，除非在此以其他方式指明或者否則與上下文明顯矛盾。任何以及所有的示例或示例性語言(例如，“如”)的使用僅僅意在更好地說明本發(fā)明，而不提出對本發(fā)明的范圍的限制，除非以其他方式要求。如在此使用的，在說明書中的語言不應(yīng)被理解為表示任何非要求的元件對本發(fā)明的實踐是必不可少的。
[0058]下面，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式。
[0059]現(xiàn)在，將參照圖1至圖3描述根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的示例性實施方式。
[0060]圖1是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的示例性實施方式的頂部平面圖，圖2是沿著圖1的線I1-1I截取的截面圖，圖3是沿著圖1的線II1-1II截取的截面圖。
[0061]在示例性實施方式中，液晶顯示器包括絕緣基板110,例如，該絕緣基板110包括透明玻璃或塑料。在絕緣基板110上設(shè)置(例如，形成)柵極線121和存儲電壓線131。柵極線121包括第一柵電極124a、第二柵電極124b和第三柵電極124c。存儲電壓線131包括存儲電極135a和135b以及朝向柵極線121突出的突起134。存儲電極135a和135b具有圍繞前一(即，相鄰的)像素的第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的結(jié)構(gòu)。圖1的存儲電極的水平部分135b可以是與前一像素的水平部分135b相連接的線。在示例性實施方式中，存儲電極的水平部分135b和前一像素的水平部分135b不是彼此分離，例如整體形成為單個一體的和不可分的單元。
[0062]柵極絕緣層140設(shè)置在柵極線121和存儲電壓線131上。位于數(shù)據(jù)線171之下的半導(dǎo)體151、位于源/漏電極之下的半導(dǎo)體155和位于薄膜晶體管的溝道部分處的半導(dǎo)體154設(shè)置在柵極絕緣層140上。
[0063]多個歐姆接觸(未示出)可以設(shè)置在每個半導(dǎo)體151、154和155上，并且在數(shù)據(jù)線171和源/漏電極之間。
[0064]數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、173c、175a、175b 和 175c 設(shè)置在半導(dǎo)體 151、154 和 155以及柵極絕緣層140上，該數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括多條數(shù)據(jù)線171，該多條數(shù)據(jù)線171包括第一源電極173a和第二源電極173b、第一漏電極175a、第二漏電極175b、第三源電極173c和第三漏電極175c。
[0065]第一柵電極124a、第一源電極173a和第一漏電極175a與半導(dǎo)體154 —起共同限定第一薄膜晶體管，而薄膜晶體管的溝道設(shè)置在第一源電極173a和第一漏電極175a之間的半導(dǎo)體部分154處。類似地，第二柵電極124b、第二源電極173b和第二漏電極175b與半導(dǎo)體154 —起共同限定第二薄膜晶體管，并且該薄膜晶體管的溝道設(shè)置在第二源電極173b和第二漏電極175b之間的半導(dǎo)體部分154處。第三柵電極124c、第三源電極173c和第三漏電極175c與半導(dǎo)體154 —起共同限定第三薄膜晶體管，并且該薄膜晶體管的溝道設(shè)置在第三源電極173c和第三漏電極175c之間的半導(dǎo)體部分154處。
[0066]在示例性實施方式中，數(shù)據(jù)線171可以具有如下的結(jié)構(gòu):其中寬度在第三漏電極175c的延伸部175c’附近的薄膜晶體管形成區(qū)域內(nèi)減小，使得與相鄰布線的間隔基本上得以保持，并且由此減少信號干涉，但并不限定于此。
[0067]第一鈍化層180設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、173c、175a、175b和175c以及半導(dǎo)體154的暴露部分上。例如，第一鈍化層180可以包括無機絕緣體，如硅氮化物(SiNx)和娃氧化物(SiOx),或者可以包括有機絕緣體。
[0068]濾色器230設(shè)置在鈍化層180上。相同顏色的濾色器230設(shè)置在沿豎直方向(數(shù)據(jù)線方向)相鄰的像素內(nèi)。在示例性實施方式中，不同顏色的濾色器230和230’設(shè)置在沿水平方向(柵極線方向)相鄰的像素內(nèi)，并且兩個濾色器230和230’可以在數(shù)據(jù)線171上重疊。在示例性實施方式中，濾色器230和230’可以顯示諸如紅、綠和藍(lán)三原色的其中一種原色，但不局限于此。在備選示例性實施方式中，濾色器230和230’可以顯示青色、品紅色、黃色和白色中的一種。
[0069]光阻擋構(gòu)件(黑矩陣；220)設(shè)置在濾色器230和230’上。光阻擋構(gòu)件220與柵極線121、薄膜晶體管和數(shù)據(jù)線171設(shè)置的區(qū)域(下面稱為“晶體管形成區(qū)域”)相應(yīng)地設(shè)置，并具有柵格結(jié)構(gòu)，該柵格結(jié)構(gòu)具有與顯示圖像的區(qū)域相應(yīng)的開口。濾色器230與光阻擋構(gòu)件220的開口相應(yīng)地設(shè)置。在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220可以包括光不透過其的材料。在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220具有對應(yīng)于微腔層的高度的高度，在該微腔層中提供(例如，注入)液晶層3。在示例性實施方式中，微腔層的高度可以變化，使得光阻擋構(gòu)件220的高度可以變化。在一個示例性實施方式中，例如，光阻擋構(gòu)件220可以具有在大約2.0微米(μ m)到大約3.6 μ m范圍內(nèi)的高度。
[0070]在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220包括錐形結(jié)構(gòu)，由此具有錐形側(cè)壁。在示例性實施方式中，錐形側(cè)壁的角度可以變化。
[0071]第二鈍化層185設(shè)置在濾色器230和光阻擋構(gòu)件220上，以覆蓋濾色器230和光阻擋構(gòu)件220。例如，第二鈍化層185可以包括無機絕緣體，如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)，或者可以包括有機絕緣體。在備選示例性實施方式中，由于濾色器230和光阻擋構(gòu)件220之間的厚度差，可產(chǎn)生臺階，并且包括有機絕緣體的第二鈍化層185可以顯著減小或有效地去除臺階。[0072]在濾色器230、光阻擋構(gòu)件220以及鈍化層180和185內(nèi)分別限定(例如，形成)暴露第一漏電極175a和第二漏電極175b的延伸部175b’的第一接觸孔186a和第二接觸孔186b。在示例性實施方式中，在濾色器230、光阻擋構(gòu)件220以及鈍化層180和185內(nèi)限定或形成第三接觸孔186c，該第三接觸孔186c暴露存儲電壓線131的突起134和第三漏電極175c的延伸部175c’。
[0073]在示例性實施方式中，當(dāng)在光阻擋構(gòu)件220和濾色器230中形成接觸孔186a、186b和186c時，與鈍化層180和185相比，接觸孔的蝕刻可能因為光阻擋構(gòu)件220和濾色器230的材料而不能被有效地執(zhí)行。在示例性實施方式中，在蝕刻光阻擋構(gòu)件220或濾色器230時，在形成接觸孔186a、186b和186c的位置處，事先去除光阻擋構(gòu)件220或濾色器230。
[0074]在示例性實施方式中，通過改變光阻擋構(gòu)件220的位置并且僅蝕刻濾色器230和鈍化層180和185，可以形成接觸孔186a、186b和186c。
[0075]包括第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的像素電極192設(shè)置在第二鈍化層185上。例如，像素電極192可以包括透明導(dǎo)電材料，如銦錫氧化物(ΙΤ0)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)。
[0076]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921在列方向彼此相鄰，具有整體四邊形形狀，并包括十字形主干(cross stem)，該十字形主干包括橫向主干和與該橫向主干交叉的縱向主干。在示例性實施方式中，第一子像素電極192h和第二子像素電極1921被橫向主干和縱向主干分成四個子區(qū)域，每個子區(qū)域包括多個微小分支。
[0077]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的微小分支與柵極線121或者橫向主干形成在大約40度到45度范圍內(nèi)的角度。在示例性實施方式中，兩個相鄰的子區(qū)域的微小分支可以基本上彼此垂直。在示例性實施方式中，微小分支的寬度可以變得逐漸增加，或者微小分支之間的間隔可以彼此不同。
[0078]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921通過接觸孔186a和186b物理且電連接到第一漏電極175a和第二漏電極175b，并且從第一漏電極175a和第二漏電極175b接收數(shù)據(jù)電壓。
[0079]在示例性實施方式中，連接構(gòu)件194通過第三接觸孔186c電連接第三漏電極175c的延伸部175c’和存儲電壓線131的突起134。在這樣的實施方式中，施加到第二漏電極175b的一些數(shù)據(jù)電壓通過第三源電極173c被分壓，并因此施加到第二子像素電極1921的電壓的大小可以小于施加到第一子像素電極192h的電壓的大小。
[0080]在示例性實施方式中，第二子像素電極1921的面積可以是第一子像素電極192h的面積的大約兩倍。
[0081]在示例性實施方式中，用于收集從濾色器230排出的氣體的開口以及用與其上的像素電極1921和192h相同的材料覆蓋相應(yīng)的開口的外覆層(overcoat)可以設(shè)置在第二鈍化層185上。在示例性實施方式中，開口和外覆層具有阻擋從濾色器230排出的氣體傳遞到另一元件的結(jié)構(gòu)。在備選示例性實施方式中，開口和外覆層可以被省略。
[0082]公共電極270設(shè)置在第二鈍化層185和像素電極192上，液晶層3被注入微腔層(305 ;參照圖12B)中。在與設(shè)置在光阻擋構(gòu)件220上的第二鈍化層185的頂表面相應(yīng)的位置處，公共電極270具有基本上平行于絕緣基板的平坦結(jié)構(gòu)。在這樣的實施方式中，公共電極270與像素電極192間隔開或分離開預(yù)定距離，使得不會產(chǎn)生短路，并且公共電極270不沿著微腔層305的一側(cè)彎曲，使得電場不扭曲。公共電極270可以通過后面將描述的頂層312的支撐而水平地保持在微腔層上。當(dāng)公共電極270被水平保持時，公共電極的下表面被保持為基本上平行于絕緣基板110。在這樣的實施方式中，公共電極270暴露液晶注入孔335的部分，由此沿著柵極線的方向(左右方向)延伸。
[0083]例如，公共電極270可以包括透明導(dǎo)電材料，如ΙΤ0或ΙΖ0，并且與像素電極192 —起產(chǎn)生電場，以控制液晶分子310的排列方向。
[0084]下絕緣層311設(shè)置在公共電極270上。液晶注入孔335可以在將液晶諸如到微腔層305內(nèi)的一側(cè)，被限定在下絕緣層311中。例如，所述下絕緣層311可以包括無機絕緣材料，如硅氮化物(SiNx)。在用于形成微腔305的犧牲層被去除時，可以使用液晶注入孔335，這將在后面更詳細(xì)地描述。
[0085]在示例性實施方式中，其中注入液晶層3的微腔層305具有與光阻擋構(gòu)件220的錐形側(cè)壁對應(yīng)的側(cè)壁，使得微腔層305的側(cè)壁為倒錐形的。
[0086]在示例性實施方式中，配向?qū)?未示出)可以設(shè)置在公共電極270之下且在像素電極192之上，以排列被注入到微腔305內(nèi)的液晶分子310。例如，該配向?qū)涌梢园ㄈ缇埘０匪?、聚硅氧烷或者聚酰亞胺中的至少一種材料。
[0087]液晶層3設(shè)置在微腔305內(nèi)(例如在微腔305內(nèi)的配向?qū)又?。液晶分子310最初被配向?qū)优湎颍⑶遗帕蟹较蚋鶕?jù)在其中產(chǎn)生的電場而變化。液晶層3的高度對應(yīng)于微腔層305的高度，并且微腔層305的高度對應(yīng)于光阻擋構(gòu)件220的高度。在示例性實施方式中，微腔層305的高度基本上與定位在光阻擋構(gòu)件220上的第二鈍化層185的高度相同。在示例性實施方式中，液晶層3在豎直方向上的厚度可以在大約2.0 μ m到大約3.6 μ m的范圍內(nèi)。在示例性實施方式中，在液晶層3的厚度增加的位置，光阻擋構(gòu)件220的厚度也增加。
[0088]在示例性實施方式中，液晶層3可以利用毛細(xì)作用力注入到微腔層305的微腔中，并且配向?qū)涌梢酝ㄟ^毛細(xì)作用力提供。
[0089]頂層312設(shè)置在下絕緣層311上。頂層312可以具有支撐功能，以在像素電極192和公共電極270之間限定微腔層。在示例性實施方式中，頂層312通過在公共電極270上的預(yù)定厚度而具有支撐微腔層305的功能，并且在一側(cè)可以具有液晶注入孔335，使得液晶被注入到微腔層305中。
[0090]上絕緣層313設(shè)置在頂層312上。上絕緣層313可以包括無機絕緣材料，如硅氮化物(SiNx)。頂層312和上絕緣層313可以與下絕緣層311 —起被構(gòu)圖，以形成液晶注入孔 335。
[0091]在備選示例性實施方式中，下絕緣層311和上絕緣層313可以被省略。
[0092]偏振器(未示出)設(shè)置在絕緣基板110的上絕緣層313之下和之上。偏振器包括用于產(chǎn)生偏振的偏振元件和用于確保耐久性的三醋酸纖維素(TAC)層，并且在上偏振器和下偏振器內(nèi)的透射軸方向可以基本上彼此垂直或者基本上彼此平行。
[0093]將參照圖4至圖12描述圖1至圖3的液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式。
[0094]圖4至圖12是示出圖1的液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式的視圖。
[0095]首先，圖4是示出液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式的頂部平面圖，其中，柵極線121和存儲電壓線131設(shè)置在絕緣基板上。[0096]參照圖4，柵極線121和存儲電壓線131設(shè)置在包括透明玻璃、塑料等的絕緣基板上。柵極線121和存儲電壓線131利用相同的材料和相同的掩模一起設(shè)置。在示例性實施方式中，柵極線121包括第一柵電極124a、第二柵電極124b和第三柵電極124c，存儲電壓線131包括存儲電極135a和135b以及朝向柵極線121突出的突起134。存儲電極135a和135b具有圍繞前一(或相鄰的)像素的第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的結(jié)構(gòu)。由于柵極電壓被施加到柵極線121上而存儲電壓被施加到存儲電壓線131上，所以柵極線121和存儲電壓線131被單獨提供。存儲電壓可以具有預(yù)定電壓電平或者擺動電壓電平。
[0097]柵極絕緣層140設(shè)置在柵極線121和存儲電壓線131上。
[0098]此后，如圖5和圖6所示，半導(dǎo)體151、154和155、數(shù)據(jù)線171以及源/漏電極173a、173b、173c、175a、175b和175c設(shè)置在柵極絕緣層140上。
[0099]圖5是示出液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式的頂部平面圖，其中設(shè)置了半導(dǎo)體151、154和155，圖6是示出液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式的頂部平面圖，其中設(shè)置了源/漏電極173a、173b、173c、175a、175b、175c、175b’和175c，。在示例性實施方式中，通過如下的工藝，半導(dǎo)體151、154和155、數(shù)據(jù)線171以及源/漏電極173a、173b、173c、175a、175b、175c、175b’ 和 175c，被一起設(shè)置。
[0100]在這樣的實施方式中，用于形成半導(dǎo)體的材料和用于形成源/漏電極的材料被依次層疊。此后，通過借助于單個掩模(例如，狹縫掩?；蛘咄阜囱谀?曝光、顯影和蝕刻的一個工藝，兩個圖案被一起提供。在這樣的實施方式中，掩模的狹縫或者透反區(qū)設(shè)置在與要被蝕刻的部分相對應(yīng)的位置處，使得位于薄膜晶體管的溝道部分處的半導(dǎo)體154不被蝕刻。
[0101]在示例性實施方式中，多個歐姆接觸可以設(shè)置在半導(dǎo)體151、154和155的每一個上并且在數(shù)據(jù)線171和源/漏電極之間。
[0102]第一鈍化層180設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、173c、175a、175b和175c的基本上整個區(qū)域以及半導(dǎo)體154的暴露部分上。例如，第一鈍化層180可以包括無機絕緣體，如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)，或者可以包括有機絕緣體。
[0103]此后，如圖7A至圖7C所示，濾色器230和光阻擋構(gòu)件(黑矩陣)220設(shè)置在鈍化層180上。在此，圖7A是示出對應(yīng)于圖1的液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式的頂部平面圖，圖7B和圖7C是示出對應(yīng)于圖2和圖3的液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式的截面圖，其中圖7B示出利用掩模500的曝光工藝，圖7C是示出在曝光和蝕刻之后的光阻擋構(gòu)件220的截面圖。
[0104]在設(shè)置濾色器230和光阻擋構(gòu)件220時，首先設(shè)置濾色器230。一種顏色的濾色器230沿豎直方向(數(shù)據(jù)線方向)設(shè)置，不同顏色的濾色器230和230’設(shè)置在沿水平方向(柵極線方向)相鄰的像素內(nèi)。在這樣的實施方式中，對于不同顏色的濾色器230和230’中的每一個，對濾色器230執(zhí)行曝光、顯影和蝕刻工藝。在包括三原色的液晶顯示器的示例性實施方式中，濾色器230是通過執(zhí)行曝光、顯影和蝕刻工藝三次而提供的。在這樣的實施方式中，在數(shù)據(jù)線171上，首先設(shè)置的濾色器230’向下定位，而后來設(shè)置的濾色器230向上定位，由此彼此在數(shù)據(jù)線171上重疊。
[0105]在蝕刻濾色器230時，可以事先去除在設(shè)置接觸孔186a、186b和186c的位置處的濾色器230的材料。[0106]在濾色器230上設(shè)置光阻擋構(gòu)件220，該光阻擋構(gòu)件220包括光不透過其的材料。如在光阻擋構(gòu)件220 (圖7A中的斜線部分)中所示，光阻擋構(gòu)件220設(shè)置成具有柵格結(jié)構(gòu)，該柵格結(jié)構(gòu)包括與用于顯示圖像的區(qū)域相應(yīng)的開口。濾色器230設(shè)置在該開口中。
[0107]如圖7A所示，光阻擋構(gòu)件220具有沿著晶體管形成區(qū)域在水平方向上設(shè)置的部分以及沿著設(shè)置數(shù)據(jù)線171的區(qū)域在豎直方向上設(shè)置的部分，在所述晶體管形成區(qū)域處，設(shè)置柵極線121、存儲電壓線131和薄膜晶體管。
[0108]光阻擋構(gòu)件220設(shè)置有預(yù)定高度或厚度，以限定注入液晶層3的微腔層305。光阻擋構(gòu)件220可以包括用于間隔墊的有機材料和用于阻擋光的黑色顏料，圖19示出設(shè)置有各種高度或厚度的光阻擋構(gòu)件220。在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220可以具有在大約
2.0 μ m到大約3.6 μ m范圍內(nèi)的厚度。
[0109]在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220的側(cè)壁是錐形的。在示例性實施方式中，為了形成錐形側(cè)壁，掩模可以包括透反圖案或狹縫圖案，以控制曝光量。在備選示例性實施方式中，錐形側(cè)壁可以在蝕刻工藝中自然地設(shè)置，而不用掩模的透反圖案或狹縫圖案。
[0110]參照圖8A和圖8B，第二鈍化層185設(shè)置在光阻擋構(gòu)件220和濾色器230的基本上整個區(qū)域上。例如，第二鈍化層185可以包括無機絕緣體，如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx),或者可以包括有機絕緣體。
[0111]接著，分別暴露第一漏電極175a和第二漏電極175b的延伸部175b’的第一接觸孔186a和第二接觸孔186b設(shè)置在濾色器230、光阻擋構(gòu)件220和鈍化層180和185中。暴露存儲電壓線131和第三漏電極175的延伸部175c’的第三接觸孔186c設(shè)置在濾色器230、光阻擋構(gòu)件220和鈍化層180和185中。
[0112]此后，包括第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的像素電極192設(shè)置在第二鈍化層185上。在示例性實施方式中，例如，像素電極192可以包括透明導(dǎo)電材料，如ΙΤ0或ΙΖ0。在這樣的實施方式中，第一子像素電極192h和第二子像素電極1921通過接觸孔186a和186b物理和電連接到第一漏電極175a和第二漏電極175b。在這樣的實施方式中，還提供了連接構(gòu)件194，該連接構(gòu)件194通過第三接觸孔186c電連接第三漏電極175c的延伸部175c’和存儲電壓線131的突起134。在示例性實施方式中，施加到第二漏電極175b的數(shù)據(jù)電壓的部分通過第三源電極173c被分壓，并因此施加到第二子像素電極1921的電壓的大小可小于施加到第一子像素電極192h的電壓的大小。
[0113]圖8B是與圖2相應(yīng)的圖8A的一部分的截面圖。
[0114]接著，如圖9A和圖9B所示，提供具有開口 301的犧牲層300。犧牲層300可以包括有機材料如光致抗蝕劑(PR)，且PR被沉積和曝光，然后利用掩模500被顯影和蝕刻，以完成犧牲層300。犧牲層300參照沒有提供光阻擋構(gòu)件220的區(qū)域設(shè)置，使得光阻擋構(gòu)件220的側(cè)壁和犧牲層300的側(cè)壁彼此相應(yīng)。在這樣的實施方式中，犧牲層300的側(cè)壁通過對應(yīng)于光阻擋構(gòu)件220的錐形側(cè)壁而為倒錐形。犧牲層300具有開口 310，該開口 310被定位在對應(yīng)于微腔結(jié)構(gòu)的主體和相鄰主體之間、在形成微腔的位置處。開口 301的寬度可以是大約2.5μπι。在這樣的實施方式中，犧牲層300的高度可以基本上與在光阻擋構(gòu)件220的上表面處的第二鈍化層185的高度相同。在圖9Β中，通過掩模暴露的，保持在光阻擋層220的上表面上的用于犧牲層300的PR在蝕刻之后不再保持在光阻擋構(gòu)件220上。在備選示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220的上表面上的PR可以被保持而不被蝕刻。[0115]接著，如圖10A和圖10B所示，公共電極270和下絕緣層311依次被設(shè)置。在這樣的實施方式中，例如，用于形成公共電極270的透明導(dǎo)電材料如ΙΤ0或ΙΖ0基本上層疊在顯示面板的整個區(qū)域上方，例如，然后用于形成下絕緣層311的包括無機絕緣材料如硅氮化物(SiNx)的材料層疊在顯示面板的基本上整個區(qū)域上。結(jié)果，下絕緣層311設(shè)置成覆蓋公共電極270。
[0116]接著，如圖11A所示，提供頂層312。頂層312可以包括有機材料，并且頂層312暴露在形成液晶注入孔335的工藝中被蝕刻的區(qū)域(下面稱為“液晶注入孔開口區(qū)域”)。在圖11A中，液晶注入孔開口區(qū)域?qū)?yīng)于薄膜晶體管形成區(qū)域，并且具有沿著柵極線延伸的結(jié)構(gòu)。如圖11A所示，公共電極270的一部分以及在相應(yīng)區(qū)域內(nèi)的下絕緣層311被頂層312暴露。在示例性實施方式中，下絕緣層311的上表面在液晶注入孔開口區(qū)域處被暴露，該下絕緣層311的上表面被公共電極270覆蓋。
[0117]在這樣的實施方式中，包含有機材料的用于頂層312的材料沉積在面板的基本上整個區(qū)域內(nèi)，并且利用掩模被曝光和顯影，然后通過去除與液晶注入孔開口區(qū)域相應(yīng)的區(qū)域的頂層的材料來提供頂層312。在這樣的實施方式中，設(shè)置在頂層312之下的公共電極270和支撐層311未被蝕刻并由此被曝光。在液晶注入孔開口區(qū)域內(nèi)，僅設(shè)置犧牲層300、公共電極270和下絕緣層311，而在剩余區(qū)域內(nèi)，沉積犧牲層300或開口 301、公共電極270、下絕緣層311和頂層312。
[0118]接著，如圖11B、圖11C、圖12A和圖12B所示，例如，沉積包含無機絕緣材料如硅氮化物(SiNx)的用于上絕緣層313的材料(參照圖11A和圖11B)，并對液晶注入孔開口區(qū)域蝕刻(參見圖12A和圖12B)，以形成上絕緣層313和液晶注入孔335。
[0119]在這樣的實施方式中，如圖11B和圖11C中，包含諸如硅氮化物(SiNx)的無機絕緣材料的用于上絕緣層313的材料被沉積在顯示面板的基本上整個區(qū)域上。結(jié)果，如圖11B和圖11C所示，用于上絕緣層313的材料設(shè)置在頂層312上，且也設(shè)置在由頂層312暴露的液晶注入孔開口區(qū)域中，使得用于上絕緣層313的材料設(shè)置在液晶注入孔開口區(qū)域的下絕緣層311上。在圖11B中，270/311/313指的是公共電極270、下絕緣層311和用于上絕緣層313的材料依次沉積在液晶注入孔開口區(qū)域內(nèi)。在示例性實施方式中，液晶注入孔開口區(qū)域沒有被去除，使得公共電極270、下絕緣層311、頂層312和用于上絕緣層313的材料依次沉積，如圖11C所示。
[0120]接著，如圖12A和圖12B所示，執(zhí)行蝕刻液晶注入孔開口區(qū)域的工藝。為了蝕刻液晶注入孔開口區(qū)域，PR設(shè)置在基本上整個區(qū)域上，并且對應(yīng)于液晶注入孔開口區(qū)域的PR被去除，以形成光致抗蝕劑圖案，并且根據(jù)光致抗蝕劑圖案蝕刻液晶注入孔開口區(qū)域。在這樣的實施方式中，用于上絕緣層313的材料、下絕緣層311、公共電極270和犧牲層300被蝕亥IJ，而下面的層不被蝕刻。根據(jù)示例性實施方式，犧牲層300可以被局部蝕刻或可以不被蝕亥IJ。在示例性實施方式中，蝕刻液晶注入孔開口區(qū)域的工藝可以是干蝕刻工藝。在備選示例性實施方式中，在存在能夠一起蝕刻若干層的蝕刻劑的情況下，可以應(yīng)用濕蝕刻工藝。
[0121]接著，如圖12B所示，犧牲層300通過液晶注入孔開口區(qū)域被去除，以形成微腔層305。在示例性實施方式中，犧牲層300由PR提供，并且去除設(shè)置在上絕緣層313上的光致抗蝕劑圖案的工藝由此一起執(zhí)行。在這樣的實施方式中，設(shè)置在上絕緣層313上的光致抗蝕劑圖案與犧牲層300 —起被浸入用于去除光致抗蝕劑圖案的蝕刻劑(例如，光致抗蝕劑剝離劑)中，以被濕蝕刻。在這樣的工藝中，去除設(shè)置在上絕緣層313上的PR的工藝和去除犧牲層300的工藝可以被一起執(zhí)行，使得制造工藝被顯著簡化。在備選示例性實施方式中，在犧牲層300由PR之外的材料提供的情況下，兩個工藝可以被單獨執(zhí)行。在這樣的實施方式中，犧牲層300可以被干蝕刻。
[0122]此后，如圖2和圖3所示，配向?qū)?未示出)或者液晶材料利用毛細(xì)作用力被注入所提供的微腔305中，以形成液晶層3。
[0123]雖然未示出，但是可以進(jìn)一步執(zhí)行密封微腔層305的工藝，以有效地防止液晶層3流出到微腔層305外部。
[0124]在示例性實施方式中，如上所述，通過一起去除用于形成液晶注入孔開口區(qū)域和犧牲層300的PR，可以縮短工藝時間。在這樣的實施方式中，在提供頂層312時，通過去除液晶注入孔開口區(qū)域內(nèi)的頂層312，可以縮短在隨后的液晶注入孔開口的工藝時間。在這樣的實施方式中，在圖11中的在去除液晶注入孔開口區(qū)域的頂層312時使用的掩模和在圖12A和圖12B中在提供PR以蝕刻液晶注入孔開口區(qū)域時使用的掩模可以彼此相同。在備選示例性實施方式中，對應(yīng)于液晶注入孔開口區(qū)域的頂層312可以在設(shè)置頂層312時不被去除，并且如圖12A和12B所示，當(dāng)液晶注入孔開口區(qū)域被蝕刻時，對應(yīng)于液晶注入孔開口區(qū)域的頂層312也可以被一起設(shè)置。
[0125]在備選示例性實施方式中，下絕緣層311和上絕緣層313可以被省略。
[0126]在示例性實施方式中，可以進(jìn)一步提供將偏振器(未示出)附著于絕緣基板110之下和上絕緣層313之上的工藝。偏振器包括用于產(chǎn)生偏振的偏振元件以及用于確保耐久性的TAC層，并且在上偏振器和下偏振器內(nèi)的透射軸的方向可以彼此基本上垂直或基本上平行。
[0127]在示例性實施方式中，如上所述，犧牲層300的側(cè)壁具有與光阻擋構(gòu)件220的錐形側(cè)壁相應(yīng)的倒錐形結(jié)構(gòu)。結(jié)果，微腔層305的側(cè)壁具有倒錐形結(jié)構(gòu)，使得液晶分子310的不對準(zhǔn)被有效防止，這將在下面參照圖13至18描述。
[0128]圖13是示出在液晶顯示器的對比例中的液晶分子的不對準(zhǔn)狀態(tài)的視圖。
[0129]如圖13所示，在液晶顯示器的比較例中，包括液晶層的微腔層的側(cè)壁具有錐形結(jié)構(gòu)。在示例性實施方式中，微腔層305的側(cè)壁具有倒錐形結(jié)構(gòu)。在對比例中，光阻擋構(gòu)件設(shè)置在液晶層3下面，具有支撐功能的頂層設(shè)置在其上，具有支撐功能的頂層的側(cè)壁設(shè)置有倒錐形結(jié)構(gòu)，且微腔層的側(cè)壁具有錐形結(jié)構(gòu)。
[0130]布置在圖13的微腔層的側(cè)壁部分處的液晶層由于側(cè)壁的傾斜而具有與其他部分的液晶分子的排列方向不匹配的排列方向。
[0131]于是，液晶分子的排列方向的不匹配產(chǎn)生紋理以及由于傾斜造成的光泄漏，如圖14和圖15所示。
[0132]圖14和圖15是示出在液晶顯示器的對比例中根據(jù)液晶碰撞而產(chǎn)生的紋理和光泄漏的視圖。
[0133]在示例性實施方式中，微腔層305的倒錐形結(jié)構(gòu)的側(cè)壁如圖16所示地設(shè)置。
[0134]圖16是示出根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的示例性實施方式中液晶分子的排列狀態(tài)的視圖。
[0135]參照圖16，微腔層305的側(cè)壁具有倒錐形結(jié)構(gòu)，使得靠近微腔層的側(cè)邊緣的液晶分子具有相同的排列方向，從而不會產(chǎn)生液晶分子排列的不對準(zhǔn)(參見圖16的區(qū)域P)。
[0136]回來參照圖13，在液晶顯示器的對比例中的公共電極270定位在頂層的下面，并且在光阻擋構(gòu)件220上在支撐頂層312的支撐部分和光阻擋構(gòu)件220之間向下移動。在對比例中，由于公共電極270的結(jié)構(gòu)，公共電極270可以與下面的像素電極192短路，并且在公共電極270彎曲或者朝向光阻擋構(gòu)件220向下移動的部分處會產(chǎn)生電場扭曲。
[0137]在本發(fā)明的示例性實施方式中，公共電極270水平地形成，例如，形成為在光阻擋構(gòu)件220上在距絕緣基板110的預(yù)定高度處保持其平坦形狀，使得有效地防止了與下面的像素電極的短路，并且電場不扭曲。
[0138]在本發(fā)明的示例性實施方式中，顯示裝置可以包括如圖18所示的像素電極結(jié)構(gòu)。
[0139]圖17和圖18是示出根據(jù)像素電極的結(jié)構(gòu)的液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向的視圖。
[0140]在對比例中，液晶分子在微腔層的側(cè)壁部分處可以朝向外側(cè)傾斜，如圖13所示，并且可以使用具有其中所有的液晶分子類似地傾斜的結(jié)構(gòu)的像素電極，如圖17所示。圖17的像素電極192’包括從形成外周邊的四個邊緣以大約45度延伸的微小分支，并且開口 193形成在像素電極的中心。開口 193具有十字形的主干開口和從主干開口以大約45度的角度延伸的分支開口。
[0141]在圖17的結(jié)構(gòu)中，液晶分子在外側(cè)自然傾斜，并且如果像素電極被應(yīng)用于圖13的對比例中，所有液晶分子在基本上整個區(qū)域上以及在微腔層的外邊緣上都在外側(cè)傾斜，使得不會產(chǎn)生偏斜(inclination)。
[0142]在本發(fā)明的示例性實施方式中，在使用具有倒錐形側(cè)壁的微腔層305的情況下，液晶層在微腔層305的側(cè)壁部分處內(nèi)側(cè)傾斜(參見圖16)，并且可以使用具有圖18的結(jié)構(gòu)的像素電極。
[0143]圖18所示的像素電極192包括分支電極193’和從分支電極193’以大約45度的角度延伸的微小分支，該分支電極193’在中心具有十字形。在示例性實施方式中，通過圖18的像素電極，液晶分子可以在內(nèi)側(cè)自然地傾斜，使得在基本上整個區(qū)域以及微腔層305的側(cè)邊緣區(qū)域上不會產(chǎn)生液晶分子的不對準(zhǔn)。
[0144]如上所述，本發(fā)明的示例性實施方式和對比例除了由于光阻擋構(gòu)件220的不同結(jié)構(gòu)所致的側(cè)壁結(jié)構(gòu)外，基本上彼此相同。在對比例中，光阻擋構(gòu)件低于微腔層，使得微腔層不受影響。在本發(fā)明的示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220是在具有錐形側(cè)壁并對應(yīng)于微腔層的高度的同時而形成的，使得微腔層的側(cè)壁具有相應(yīng)的倒錐形結(jié)構(gòu)。在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220具有在大約2.0 μ m到大約3.6 μ m范圍內(nèi)的高度或厚度，并且在圖19中高度通過光阻擋構(gòu)件220的截面照片顯示。
[0145]圖19是示出根據(jù)本發(fā)明的光阻擋構(gòu)件的示例性實施方式的截面的視圖。
[0146]如圖19所示，光阻擋構(gòu)件220可以具有在大約1.5 μ m到大約3.6μπι范圍內(nèi)的高度或厚度。圖19是示出高度是大約3μπι的照片。在備選示例性實施方式中，通過控制光阻擋構(gòu)件220的材料和工藝條件，高度或厚度可以大于約3 μ m。如上所述，在本發(fā)明的示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220可以具有在大約2.0 μ m到大約3.6 μ m范圍內(nèi)的高度。
[0147]接著，將參照圖20和圖21描述本發(fā)明的備選示例性實施方式。在這樣的實施方式中，公共電極270稍微彎曲。在示例性實施方式中，可以提供公共電極270的彎曲結(jié)構(gòu)以補償制造工藝中的誤差。在示例性實施方式中，如圖20和圖21所示，電場可以稍微扭曲，但是電場的扭曲是輕微的，因為公共電極270沒有如同對比例的結(jié)構(gòu)中那樣顯著彎曲，在對比例中，公共電極270沿著微腔層305的側(cè)壁彎曲。在這樣的實施方式中，公共電極270與像素電極192分隔開預(yù)定距離，使得不會產(chǎn)生短路。
[0148]下面，將參照圖20和圖21更詳細(xì)地描述備選示例性實施方式。
[0149]圖20和圖21是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的備選示例性實施方式的截面圖。
[0150]在示例性實施方式中，如圖20和圖21所示，圖20和圖21是對應(yīng)于圖2的截面圖，在微腔層305處的公共電極270的高度低于圖2的示例性實施方式的高度，使得公共電極270在光阻擋構(gòu)件220附近具有彎曲結(jié)構(gòu)。在這樣的實施方式中，如果犧牲層300的上表面的高度低于光阻擋構(gòu)件220的上表面的高度，則公共電極270在光阻擋構(gòu)件220附近向上彎曲。
[0151]圖21示出其中層間鈍化層180’設(shè)置在濾色器230和光阻擋構(gòu)件220之間的示例
性實施方式。
[0152]在另一備選示例性實施方式中，在微腔層305中的公共電極270的高度高于圖2中的示例性實施方式的公共電極270的高度，使得公共電極270可以在光阻擋構(gòu)件220附近向下彎曲。
[0153]在示例性實施方式中，公共電極270的彎曲結(jié)構(gòu)可以在制造工藝中形成，其中，犧牲層300和光阻擋構(gòu)件220的高度彼此基本上不相同。
[0154]如上所述，液晶顯示器可以包括具有倒錐形側(cè)壁的微腔層305。
[0155]接著，現(xiàn)在將描述液晶顯示器的備選示例性實施方式，在該備選示例性實施方式中，通過在蝕刻液晶注入孔335的同時僅在第二方向(例如，水平方向；柵極線方向)上連接公共電極270的結(jié)構(gòu)，可以顯著減小或者有效地消除在公共電壓未在第一方向(例如，豎直方向；數(shù)據(jù)線方向)上施加時產(chǎn)生的公共電壓差。
[0156]圖22是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的備選示例性實施方式的頂部平面圖，圖23是沿著圖22的線XXII1-XXIII截取的截面圖，圖24是沿著圖22的線XXIV-XXIV截取的截面圖。
[0157]例如，圖22中的液晶顯示器與圖1中所示的液晶顯示器除了公共電極連接件和光阻擋構(gòu)件220外基本相同。圖22中所示的相同或類似的元件已經(jīng)用與上面用來描述圖1所示的液晶顯示器的示例性實施方式的相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)記，并且在下面將簡化對它們的任何重復(fù)的詳細(xì)描述。在圖23和圖24中，圖22的一些特征(例如，對應(yīng)于薄膜晶體管的元件)，其基本上與圖1中的相同，為了便于圖示的緣故而被省略。
[0158]在備選示例性實施方式中，如圖22所示，公共電極270具有用于在液晶注入孔335(圖30D中所示)附近沿豎直方向(數(shù)據(jù)線方向)連接部分公共電極270的公共電極連接件271。
[0159]柵極線121和存儲電壓線131設(shè)置在包括諸如透明玻璃、塑料等的絕緣基板110上。柵極線121包括第一柵電極124a、第二柵電極124b和第三柵電極124c。存儲電壓線131包括存儲電極135a和135b以及向柵極線121突出的突起134。存儲電極135a和135b具有圍繞前一(即，相鄰的)像素的第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的結(jié)構(gòu)。
[0160]柵極絕緣層140設(shè)置在柵極線121和存儲電壓線131上。位于數(shù)據(jù)線171之下的半導(dǎo)體151、位于源/漏電極之下的半導(dǎo)體以及位于薄膜晶體管的溝道部分處的半導(dǎo)體154設(shè)置在柵極絕緣層140上。
[0161]多個歐姆接觸(未示出)可以設(shè)置在每個半導(dǎo)體151和154上并且在數(shù)據(jù)線171和源/漏電極之間。
[0162]在這樣的實施方式中，在半導(dǎo)體151和154以及柵極絕緣層140上設(shè)置數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、173c、175a、175b和175c，該數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括多條數(shù)據(jù)線171，該多條數(shù)據(jù)線171包括第一源電極173a和第二源電極173b、第一漏電極175a、第二漏電極175b、第三源電極173c和第三漏電極175c。
[0163]第一柵電極124a、第一源電極173a和第一漏電極175a與半導(dǎo)體154 —起共同限定第一薄膜晶體管，而薄膜晶體管的溝道形成在第一源電極173a和第一漏電極175a之間的半導(dǎo)體部分154處。第二柵電極124b、第二源電極173b和第二漏電極175b與半導(dǎo)體154 一起共同限定第二薄膜晶體管，且該薄膜晶體管的溝道形成在第二源電極173b和第二漏電極175b之間的半導(dǎo)體部分154處。第三柵電極124c、第三源電極173c和第三漏電極175c與半導(dǎo)體154 —起共同限定第三薄膜晶體管，且該薄膜晶體管的溝道形成在第三源電極173c和第三漏電極175c之間的半導(dǎo)體部分154處。
[0164]在這樣的實施方式中，數(shù)據(jù)線171具有這樣的結(jié)構(gòu):其中寬度在第三漏電極175c的延伸部175c’附近的薄膜晶體管形成區(qū)域內(nèi)減小，使得相鄰布線之間的間隔基本得以保持，并且顯著減少了信號干涉，但并不局限于此。
[0165]第一鈍化層180設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、173c、175a、175b和175c以及半導(dǎo)體154的暴露部分上。例如，第一鈍化層180可以包括無機絕緣體，如硅氮化物(SiNx)和娃氧化物(SiOx),或者可以包括有機絕緣體。
[0166]濾色器230設(shè)置在鈍化層180上。相同顏色的濾色器230設(shè)置在沿豎直方向(數(shù)據(jù)線方向)相鄰的像素內(nèi)。在這樣的實施方式中，不同顏色的濾色器230和230’設(shè)置在沿水平方向(柵極線方向)相鄰的像素內(nèi)，并且在水平方向上相鄰的兩個濾色器230和230 ’可以在數(shù)據(jù)線171上彼此重疊。濾色器230和230’可以顯示如紅、綠和藍(lán)三原色的其中一種原色，但并不局限于此。在備選示例性實施方式中，濾色器230和230’可以顯示青色、品紅色、黃色和白色中的一種。
[0167]光阻擋構(gòu)件(黑矩陣；220)設(shè)置在濾色器230和230’上。光阻擋構(gòu)件220設(shè)置在柵極線121、薄膜晶體管和數(shù)據(jù)線171所設(shè)置的區(qū)域(下面稱為“晶體管形成區(qū)域”)，并且具有柵格結(jié)構(gòu)，該柵格結(jié)構(gòu)具有與顯示圖像的區(qū)域相應(yīng)的開口。濾色器230設(shè)置在光阻擋構(gòu)件220的開口內(nèi)。而且，光阻擋構(gòu)件220可以包括光不透過其的材料。在這樣的實施方式中，光阻擋構(gòu)件220具有與微腔層的高度相對應(yīng)的高度，在微腔層中注入液晶層3 (圖2和圖3所示)。在示例性實施方式中，微腔層的高度可以變化，使得光阻擋構(gòu)件220的高度可以變化。在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220可以具有在大約2.0 μ m到大約3.6 μ m的范圍內(nèi)的高度。
[0168]在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220設(shè)置有錐形結(jié)構(gòu)，由此具有錐形側(cè)壁。在這樣的實施方式中，錐形側(cè)壁的角度可以變化。
[0169]第二鈍化層185設(shè)置在濾色器230和光阻擋構(gòu)件220上以覆蓋濾色器230和光阻擋構(gòu)件220。例如，第二鈍化層185可以包括如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的無機絕緣體或可以可以包括有機絕緣體。在示例性實施方式中，在由于濾色器230和光阻擋構(gòu)件220之間的厚度差而產(chǎn)生臺階的情況下，第二鈍化層185包括有機絕緣體，由此顯著減小或有效防止該臺階。
[0170]分別暴露第一漏電極175a和第二漏電極175b的延伸部175b’的第一接觸孔186a和第二接觸孔186b形成在濾色器230、光阻擋構(gòu)件220和鈍化層180和185內(nèi)。暴露存儲電壓線131的突起134和第三漏電極175c的延伸部175c’的第三接觸孔186c形成在濾色器230、光阻擋構(gòu)件220和鈍化層180中。
[0171]在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220和濾色器230還包括接觸孔186a、186b和186c。在示例性實施方式中，在與鈍化層180和185相比，接觸孔的蝕刻由于光阻擋構(gòu)件220和濾色器230的材料而可能沒有被有效執(zhí)行的情況下，在蝕刻光阻擋構(gòu)件220或濾色器230時，可以先去除在形成接觸孔186a、186b和186c的位置處的光阻擋構(gòu)件220或濾色器230的材料。
[0172]在示例性實施方式中，可以通過改變光阻擋構(gòu)件220的位置并僅蝕刻濾色器230和鈍化層180和185，來形成接觸孔186a、186b和186c。
[0173]包括第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的像素電極192設(shè)置在第二鈍化層185上。例如，像素電極192可以包括透明導(dǎo)電材料，如ΙΤ0或ΙΖ0。
[0174]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921在列方向上彼此相鄰，具有整體四邊形形狀，并且包括十字形主干，該十字形主干包括橫向主干和與橫向主干交叉的縱向主干。在這樣的實施方式中，第一子像素電極192h和第二子像素電極1921被橫向主干和縱向主干分成四個子區(qū)域，每個子區(qū)域包括多個微小分支。
[0175]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的微小分支與柵極線121或橫向主干形成在大約40度到大約45度范圍內(nèi)的角度。在示例性實施方式中，兩個相鄰子區(qū)域的微小分支可以基本上彼此垂直。在示例性實施方式中，微小分支的寬度可以變得逐漸增大，或者微小分支之間的間隔可以彼此不同。
[0176]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921可以通過接觸孔186a和186b物理和電連接到第一漏電極175a和第二漏電極175b,并從第一漏電極175a和第二漏電極175b接收數(shù)據(jù)電壓。
[0177]在示例性實施方式中，連接構(gòu)件194通過第三接觸孔186c電連接第三漏電極175c的延伸部175c’和存儲電壓線131的突起134。在這樣的實施方式中，施加到第二漏電極175b的部分?jǐn)?shù)據(jù)電壓通過第三源電極173c被分壓，并因而施加到第二子像素電極1921的電壓的大小可以小于施加到第一子像素電極192h的電壓的大小。
[0178]在此，第二子像素電極1921的面積可以是第一子像素電極192h的面積的大約兩倍。
[0179]在示例性實施方式中，用于收集從濾色器230排出的氣體的開口和在其上用與像素電極192相同的材料覆蓋相應(yīng)開口的外覆層可以設(shè)置在第二鈍化層185上。開口和外覆層阻擋從濾色器230排出的氣體傳遞到另一元件。在備選示例性實施方式中，開口和外覆層可以被省略。
[0180]公共電極270設(shè)置在第二鈍化層185和像素電極192以及注入到微腔層(305 ;參照圖12B)內(nèi)的液晶層3上。公共電極270具有參照定位在光阻擋構(gòu)件220上的第二鈍化層185的高度的基本上平坦的結(jié)構(gòu)。通過將在后面描述的頂層312的支撐，公共電極270的高度或者水平在微腔層上可以基本上得以保持，例如具有基本上平行于絕緣基板110的平坦形狀。
[0181]在示例性實施方式中，公共電極270未設(shè)置在液晶注入孔335的部分處，由此具有在柵極線的方向(在左右方向)上延伸的結(jié)構(gòu)。在示例性實施方式中，如圖22所示，用于公共電極270的連接部分的公共電極連接件271沿豎直方向(數(shù)據(jù)線方向)延伸地設(shè)置。通過公共電極連接件271，公共電壓不僅在柵極線方向上施加，而且在數(shù)據(jù)線方向上施加，使得公共電壓在顯示區(qū)域的中心不變化，并由此顯著改善了顯示質(zhì)量。公共電極連接件271由光阻擋構(gòu)件220和第二鈍化層185支撐。
[0182]例如，公共電極270可以包括透明導(dǎo)電材料，如ΙΤ0或ΙΖ0，并且與像素電極192 —起產(chǎn)生電場，以控制液晶分子310的排列方向。
[0183]下絕緣層311位于公共電極270上。下絕緣層311可以具有形成在其一側(cè)的液晶注入孔335，以將液晶注入到微腔層305中。下絕緣層311可以包括如硅氮化物(SiNx)的無機絕緣材料。當(dāng)用于形成微腔305的犧牲層被去除時，可以使用液晶注入孔335，這將在后面詳細(xì)描述。
[0184]在示例性實施方式中，其中注入液晶3的微腔層305具有與光阻擋構(gòu)件220的錐形側(cè)壁對應(yīng)的側(cè)壁，使得微腔層305的側(cè)壁為倒錐形。
[0185]在示例性實施方式中，配向?qū)?未示出)可以設(shè)置在公共電極270之下且像素電極192之上，以配向注入到微腔305內(nèi)的液晶分子。例如，配向?qū)涌梢园ㄖT如聚酰胺酸、聚硅氧烷或者聚酰亞胺中的至少一種材料。
[0186]液晶層3設(shè)置在微腔層305的微腔(例如，在設(shè)置在微腔內(nèi)的配向?qū)又?。液晶分子310通過配向?qū)映跏寂帕?，并且排列方向根?jù)其中產(chǎn)生的電場變化。液晶層3的高度對應(yīng)于微腔層305的高度，并且微腔層305的高度對應(yīng)于光阻擋構(gòu)件220的高度。在示例性實施方式中，微腔層305的高度基本上與位于光阻擋構(gòu)件220上的第二鈍化層185的高度相同。在示例性實施方式中，液晶層3的高度或厚度可以在大約2.0 μ m到大約3.6 μ m的范圍內(nèi)。在這樣的實施方式中，在液晶層3的厚度增加的情況下，光阻擋構(gòu)件220的高度可以增大。
[0187]設(shè)置在微腔層305中的液晶層3可以利用毛細(xì)作用力注入到微腔中，并且配向?qū)涌梢酝ㄟ^毛細(xì)作用力設(shè)置。
[0188]頂層312設(shè)置在下絕緣層311上。頂層312具有預(yù)定厚度并支撐微腔層305。在示例性實施方式中，可以由微腔層305和液晶層3產(chǎn)生的臺階可以被頂層312補償。頂層312可以包括有機材料。
[0189]上絕緣層313設(shè)置在頂層312上。上絕緣層313可以包括無機絕緣材料，如硅氮化物(SiNx)。頂層312和上絕緣層313可以與下絕緣層311 —起被構(gòu)圖，以形成液晶注入孔。
[0190]根據(jù)示例性實施方式，下絕緣層311和上絕緣層313可以被省略。
[0191]偏振器(未示出)位于絕緣基板110的下絕緣層和上絕緣層313上。偏振器包括用于產(chǎn)生偏振的偏振元件以及改善耐久性的TAC層，并且上偏振器和下偏振器中的透射軸的方向可以彼此基本上垂直或基本上平行。
[0192]將參照圖25至圖30描述圖22的液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式。[0193]圖25至圖30是示出圖22的液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式的視圖。
[0194]首先，圖25A對應(yīng)于圖7A，并且圖4至圖6中所示的工藝應(yīng)用于圖22的液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式。
[0195]在這樣的實施方式中，如圖4至圖6所示，首先，柵極線121和存儲電壓線131設(shè)置到絕緣基板110上，并且覆蓋柵極線121和存儲電壓線131的柵極絕緣層140設(shè)置在其上。
[0196]接著，在柵極絕緣層140上設(shè)置半導(dǎo)體151、154和155、數(shù)據(jù)線171以及源/漏電極 173a、173b、173c、175a、175b、175c、175b，和 175c，。
[0197]接著，第一鈍化層180 設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體 171、173a、173b、173c、175a、175b 和 175c以及半導(dǎo)體154的暴露部分上的整個區(qū)域上。接著，濾色器230設(shè)置在第一鈍化層180上。在蝕刻濾色器230時，可以事先去除在設(shè)置接觸孔186a、186b和186c的位置處的濾色器230的材料。
[0198]接著，如圖25A至圖25G所示，包括光不透過其的材料的光阻擋構(gòu)件220設(shè)置在濾色器230和第一鈍化層180上。在這樣的實施方式中，光阻擋構(gòu)件220 (圖25A的斜線部分)設(shè)置有柵格結(jié)構(gòu)，該柵格結(jié)構(gòu)具有與用于顯示圖像的區(qū)域相應(yīng)的開口。濾色器230設(shè)置在該開口中。
[0199]如圖25A所示，光阻擋構(gòu)件220具有沿著晶體管形成區(qū)域在水平方向上延伸的部分以及相對于數(shù)據(jù)線171所設(shè)置的區(qū)域沿著豎直方向延伸的部分，其中柵極線121、存儲電壓線131和薄膜晶體管設(shè)置在晶體管形成區(qū)域中。
[0200]將參照圖25B至圖25G詳細(xì)描述設(shè)置光阻擋構(gòu)件220的示例性實施方式。在此，圖25B、圖2?和25F對應(yīng)于圖23，圖25C、圖25E和圖25G對應(yīng)于圖24。
[0201]如圖25B和圖25C所示，光不透過其的材料沉積在第一鈍化層180和濾色器230上。
[0202]接著，如圖2?和圖25E所示，光阻擋構(gòu)件的材料被掩模500暴露，以形成圖25F和圖25G的光阻擋構(gòu)件220。在圖22的示例性實施方式中，如圖25F所示，光阻擋構(gòu)件220的高度在設(shè)置公共電極連接件271的區(qū)域(下面稱為連接區(qū)域)內(nèi)顯著增大。在圖22的示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220設(shè)置有預(yù)定高度以獲得微腔層305，如在圖24的右側(cè)和左側(cè)處設(shè)置的光阻擋構(gòu)件220中的那樣。在這樣的實施方式中，獲得微腔層305的光阻擋構(gòu)件220可以具有在大約2.0μπι到大約3.6μπι范圍內(nèi)的高度。在示例性實施方式中，掩模500可以包括光部分透射的透反區(qū)域或狹縫區(qū)域，以控制光阻擋構(gòu)件220的高度。
[0203]光阻擋構(gòu)件220可以包括用于間隔物的有機材料和用于阻擋光的黑色顏料。
[0204]在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220的側(cè)壁是錐形的。在示例性實施方式中，掩?？梢园ㄍ阜磮D案或狹縫圖案，以控制曝光量，從而提供錐形側(cè)壁。在備選示例性實施方式中，錐形側(cè)壁可以在蝕刻工藝中自然提供，而不用透反圖案或狹縫圖案。
[0205]參照圖25F和圖25G，第二鈍化層185設(shè)置在濾色器230和光阻擋構(gòu)件220的基本上整個區(qū)域上。例如，第二鈍化層185可以包括如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的無機絕緣體，或可以包括有機絕緣體。
[0206]接著，在濾色器230、光阻擋構(gòu)件220和鈍化層180和180內(nèi)設(shè)置(例如，形成)分別暴露第一漏電極175a和第二漏電極175b的延伸部175b’的第一接觸孔186a和第二接觸孔186b。在濾色器230、光阻擋構(gòu)件220和鈍化層180和185內(nèi)設(shè)置暴露存儲電壓線131的突起134和第三漏電極175c的延伸部175c’的第三接觸孔186c。
[0207]接著，如圖26A至圖26C所示，包括第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的像素電極192設(shè)置在第二鈍化層185上。在示例性實施方式中，例如，像素電極192可以包括透明導(dǎo)電材料，如ΙΤ0或ΙΖ0。在這樣的實施方式中，第一子像素電極192h和第二子像素電極1921通過接觸孔186a和186b物理和電連接到第一漏電極175a和第二漏電極175b上。在這樣的實施方式中，還提供了通過第三接觸孔186c電連接第三漏電極175c的延伸部175c’和存儲電壓線131的突起134的連接構(gòu)件194，使得施加到第二漏電極175b的數(shù)據(jù)電壓的一部分通過第三源電極173c被分壓，并由此施加到第二子像素電極1921的電壓的大小可以小于施加到第一子像素電極192h的電壓的大小。
[0208]接著，如圖27A至圖27C所示，設(shè)置具有開口 301的犧牲層300。犧牲層300可以利用有機材料如PR來設(shè)置，PR被沉積并曝光，然后利用掩模500被顯影和蝕刻，以完成犧牲層300。犧牲層300設(shè)置在未設(shè)置光阻擋構(gòu)件220的區(qū)域內(nèi)，使得光阻擋構(gòu)件220的側(cè)壁和犧牲層300的側(cè) 壁彼此相應(yīng)。結(jié)果，犧牲層300的側(cè)壁通過對應(yīng)于光阻擋構(gòu)件220的錐形側(cè)壁而為倒錐形的。犧牲層300具有開口 301，該開口 301定位在對應(yīng)于微腔結(jié)構(gòu)的主體和相鄰主體之間、在形成微腔層的位置處。
[0209]在示例性實施方式中，例如，開口 301的寬度可以是大約2.5 μ m。在示例性實施方式中，犧牲層300的高度可以基本上與在光阻擋構(gòu)件220的上表面處的第二鈍化層185的高度相同。
[0210]接著，如圖28A至圖28C所示，公共電極270和下絕緣層311被依次設(shè)置。在示例性實施方式中，透明導(dǎo)電材料如Ι--或ΙΖ0層疊在顯示面板的基本上整個區(qū)域上，然后包括無機絕緣材料如硅氮化物(SiNx)的支撐層的材料被層疊在顯示面板的基本上整個區(qū)域上，使得下絕緣層311被設(shè)置成覆蓋公共電極270。
[0211]接著，如圖29A至圖29D所示，設(shè)置頂層312。頂層312可以包括有機材料，并且頂層312未設(shè)置于在用于提供液晶注入孔3的工藝中被蝕刻的區(qū)域(下面稱為“液晶注入孔開口區(qū)域”)上。圖29A示出對應(yīng)于薄膜晶體管形成區(qū)域的液晶注入孔開口區(qū)域。在這樣的實施方式中，頂層312未設(shè)置在相應(yīng)的區(qū)域中，且在圖29A至圖29D中，整體上提供的公共電極270和下絕緣層311的暴露通過附圖標(biāo)記間接表示。
[0212]在提供頂層312的示例性實施方式中，包括有機材料的用于頂層的材料被沉積在面板的基本上整個區(qū)域上，并且利用掩模曝光和顯影，然后與液晶注入孔開口區(qū)域相應(yīng)的區(qū)域的頂層的材料被去除。在這樣的實施方式中，設(shè)置在頂層312之下的公共電極270和支撐層311不被蝕刻并且然后被暴露。在液晶注入孔開口區(qū)域中，僅提供了犧牲層300、公共電極270和下絕緣層311，而在剩余區(qū)域中，提供了犧牲層300或開口 312 ’、公共電極270、下絕緣層311和頂層312。
[0213]接著，如圖30A至圖30C所示，沉積用于上絕緣層313的材料，該材料包括無機絕緣材料，如娃氮化物(SiNx)。
[0214]接著，如圖30D所示，與液晶注入孔開口區(qū)域相應(yīng)的材料被蝕刻以完成上絕緣層313和液晶注入孔335并形成公共電極連接件271。在示例性實施方式中，如圖30D所示，液晶注入孔開口區(qū)域在設(shè)置公共電極連接件271的部分處未被蝕刻。結(jié)果，公共電極270在數(shù)據(jù)線的擴(kuò)展方向上彼此連接。公共電極連接件271被光阻擋構(gòu)件220和第二鈍化層185支撐。
[0215]在示例性實施方式中，PR設(shè)置在基本上整個區(qū)域上，以蝕刻液晶注入孔開口區(qū)域，與液晶注入孔開口區(qū)域相應(yīng)的PR被去除以形成光致抗蝕劑圖案，并且根據(jù)光致抗蝕劑圖案蝕刻液晶注入孔開口區(qū)域。在這樣的實施方式中，在液晶注入孔開口區(qū)域中，用于上絕緣層313的材料、下絕緣層311、公共電極270和犧牲層300被蝕刻并且下面的層未被蝕刻。在這樣的實施方式中，設(shè)置公共電極連接件271的區(qū)域未被蝕刻。根據(jù)備選示例性實施方式，犧牲層300可以被部分蝕刻或者可以不被蝕刻。在示例性實施方式中，蝕刻液晶注入孔開口區(qū)域的工藝可以是干蝕刻工藝。在備選示例性實施方式中，當(dāng)存在能夠一起蝕刻若干層的蝕刻劑時，可以應(yīng)用濕蝕刻方法。
[0216]接著，犧牲層300通過液晶注入孔開口區(qū)域被蝕刻，以形成微腔層305。在示例性實施方式中，犧牲層300由PR提供，并且去除上絕緣層313上設(shè)置的光致抗蝕劑圖案的工藝被一起執(zhí)行。在這樣的實施方式中，設(shè)置在上絕緣層313上的光致抗蝕劑圖案與犧牲層300 一起被浸入用于去除光致抗蝕劑的蝕刻劑(例如，光致抗蝕劑剝離劑)中，以被濕蝕刻。根據(jù)上述工藝，去除設(shè)置在上絕緣層313上的PR的工藝和去除犧牲層300的工藝可以一起執(zhí)行，使得制造工藝被顯著簡化。在備選示例性實施方式中，在犧牲層300由PR之外的材料提供的情形下，兩個工藝可以被單獨執(zhí)行。在這樣的實施方式中，犧牲層300可以被干蝕刻。
[0217]此后，配向?qū)?未示出)或液晶材料利用毛細(xì)作用力被注入到所提供的微腔層305中。
[0218]雖然未示出，但是可以執(zhí)行密封微腔層305的工藝，以有效地防止液晶層3流出到微腔層305的外部。
[0219]在示例性實施方式中，如圖22所示，公共電極連接件271被設(shè)置成使得液晶注入孔開口區(qū)域在與公共電極連接件271相應(yīng)的位置處未被蝕刻。
[0220]在示例性實施方式中，在公共電極連接件271如圖22的示例性實施方式中那樣設(shè)置的情況下，在數(shù)據(jù)線方向也施加公共電壓，使得公共電壓在顯示區(qū)域的中心惡化的缺點被有效地防止或者被顯著減小。
[0221]現(xiàn)在參照圖31描述包括不同結(jié)構(gòu)的公共電極連接件271的示例性實施方式。在示例性實施方式中，如圖31所示，頂層312設(shè)置在公共電極連接件271上。在這樣的實施方式中，如圖31所示，頂層312在柵極線方向以及在液晶注入孔開口區(qū)域上的開口 312’內(nèi)未被完全蝕刻，并且液晶注入孔335可以設(shè)置在相應(yīng)的開口 312’處。在這樣的實施方式中，公共電極連接件271、下絕緣層311、頂層312和上絕緣層313可以被依次沉積。
[0222]將更詳細(xì)地描述圖31的示例性實施方式。
[0223]圖31是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的另一備選示例性實施方式的頂部平面圖，圖32是沿著圖31的線XXXI1-XXXII截取的截面圖，圖33是沿著圖31的線XXXII1-XXXIII截取的截面圖。
[0224]例如，圖31內(nèi)的液晶顯示器與圖1所示的液晶顯示器基本相同，除了公共電極連接件271和光阻擋構(gòu)件220之外。圖31中所示的相同或類似元件已經(jīng)用與上面用來描述圖1所示的液晶顯示器的示例性實施方式的相同附圖標(biāo)記來標(biāo)記，并且在下面簡化對它們的任何重復(fù)的詳細(xì)描述。在圖32和圖33中，為了圖示方便，基本上與圖1中的那些相同的圖31的一些特征(例如，對應(yīng)于薄膜晶體管的元件)被省略。
[0225]在圖31的示例性實施方式中，公共電極270包括用于在液晶注入孔335附近沿豎直方向(數(shù)據(jù)線方向)連接公共電極270的部分的公共電極連接件271。
[0226]柵極線121和存儲電壓線131設(shè)置在包括諸如透明玻璃、塑料等的絕緣基板110上。柵極線121包括第一柵電極124a、第二柵電極124b和第三柵電極124c。存儲電壓線131包括存儲電極135a和135b以及朝向柵極線121突出的突起134。存儲電極135a和135b具有圍繞前一(即，相鄰的)像素的第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的結(jié)構(gòu)。
[0227]柵極絕緣層140設(shè)置在柵極線121和存儲電壓線131上。位于數(shù)據(jù)線171之下的半導(dǎo)體151、位于源/漏電極之下的半導(dǎo)體155和位于薄膜晶體管的溝道部分處的半導(dǎo)體154設(shè)置在柵極絕緣層140上。
[0228]多個歐姆接觸(未示出)可以設(shè)置在每個半導(dǎo)體151、154和155上并且在數(shù)據(jù)線171和源/漏電極之間。
[0229]在示例性實施方式中，在半導(dǎo)體151、154和155以及柵極絕緣層140上設(shè)置數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、173c、175a、175b和175c，該數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括多條數(shù)據(jù)線171，該多條數(shù)據(jù)線171包括第一源電極173a和第二源電極173b、第一漏電極175a、第二漏電極175b、第三源電極173c和第三漏電極175c。
[0230]第一柵電極124a、第一源電極173a和第一漏電極175a與半導(dǎo)體154 —起共同限定第一薄膜晶體管，并且該薄膜晶體管的溝道設(shè)置在第一源電極173a和第一漏電極175a之間的半導(dǎo)體部分154處。第二柵電極124b、第二源電極173b和第二漏電極175b與半導(dǎo)體154—起共同限定第二薄膜晶體管，且該薄膜晶體管的溝道設(shè)置在第二源電極173b和第二漏電極175b之間的半導(dǎo)體部分154處。第三柵電極124c、第三源電極173c和第三漏電極175c與半導(dǎo)體154 —起共同限定第三薄膜晶體管，并且該薄膜晶體管的溝道設(shè)置在第三源電極173c和第三漏電極175c之間的半導(dǎo)體部分154處。
[0231]在這樣的實施方式中，數(shù)據(jù)線171具有這樣的結(jié)構(gòu):其中寬度在第三漏電極175c的延伸部175c’附近在薄膜晶體管的形成區(qū)域內(nèi)變得減小，使得與相鄰布線的間隔基本上得以保持，并且信號干涉顯著減少，但是不局限于此。
[0232]第一鈍化層180設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、173c、175a、175b和175c以及半導(dǎo)體154的暴露部分上。例如，第一鈍化層180可以包括如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的無機絕緣體或可以包括有機絕緣體。
[0233]濾色器230設(shè)置在鈍化層180上。相同顏色的濾色器230設(shè)置在沿豎直方向(數(shù)據(jù)線方向)相鄰的像素內(nèi)。在這樣的實施方式中，不同顏色的濾色器230和230’設(shè)置在沿水平方向(柵極線方向)相鄰的像素內(nèi)，并且在水平方向上相鄰的兩個濾色器230和230 ’可以在數(shù)據(jù)線171上彼此重疊。濾色器230和230’可以顯示如紅、綠和藍(lán)三原色中的其中一種原色，但并不局限于此。在備選示例性實施方式中，濾色器230和230’也可以顯示青色、品紅色、黃色和白色中的一種。
[0234]光阻擋構(gòu)件(黑矩陣；220)設(shè)置在濾色器230和230’上。光阻擋構(gòu)件220設(shè)置在柵極線121、薄膜晶體管和數(shù)據(jù)線171所設(shè)置的區(qū)域(下面稱為“晶體管形成區(qū)域”)，并且具有柵格結(jié)構(gòu)，該柵格結(jié)構(gòu)具有與顯示圖像的區(qū)域相應(yīng)的開口。濾色器230設(shè)置在光阻擋構(gòu)件220的開口內(nèi)。在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220可以包括光不透過其的材料。在這樣的實施方式中，光阻擋構(gòu)件220具有對應(yīng)于微腔層的高度的高度，液晶層3 (圖2和圖3所示)被注入到該微腔層中。在示例性實施方式中，微腔層的高度可以變化使得光阻擋構(gòu)件220的高度可以變化。在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220可以具有在大約2.0 μ m到大約3.6μπι范圍內(nèi)的高度。
[0235]在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220設(shè)置有錐形結(jié)構(gòu)，由此具有錐形側(cè)壁。在這樣的實施方式中，錐形側(cè)壁的角度可以相應(yīng)地變化。
[0236]第二鈍化層185設(shè)置在濾色器230和光阻擋構(gòu)件220上，以覆蓋濾色器230和光阻擋構(gòu)件220。例如，第二鈍化層185可以包括如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的無機絕緣體或可以包括有機絕緣體。在示例性實施方式中，在由于濾色器230和光阻擋構(gòu)件220之間的厚度差而產(chǎn)生臺階的情況下，第二鈍化層185包括有機絕緣體，由此顯著減小或有效地防止該臺階。
[0237]分別暴露第一漏電極175a和第二漏電極175b的延伸部175b’的第一接觸孔186a和第二接觸孔186b設(shè)置在濾色器230、光阻擋構(gòu)件220和鈍化層180和185中。暴露存儲電壓線131的突起134和第三漏電極175c的延伸部175c’的第三接觸孔186c設(shè)置在濾色器230、光阻擋構(gòu)件220和鈍化層180中。
[0238]在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220和濾色器230還包括接觸孔186a、186b和186c。在示例性實施方式中，在與鈍化層180和185相比，由于光阻擋構(gòu)件220和濾色器230的材料而導(dǎo)致接觸孔的蝕刻不能被有效執(zhí)行的情況下，在蝕刻光阻擋構(gòu)件220或濾色器230時，可以事先去除在形成接觸孔186a、186b和186c的位置處的光阻擋構(gòu)件220或濾色器230的材料。
[0239]在示例性實施方式中，通過改變光阻擋構(gòu)件220的位置并且僅蝕刻濾色器230和鈍化層180和185，可以設(shè)置接觸孔186a、186b和186c。
[0240]包括第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的像素電極192設(shè)置在第二鈍化層185上。例如，像素電極192可以包括透明導(dǎo)電材料，如ΙΤ0或ΙΖ0。
[0241]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921在列方向上彼此相鄰，具有整體上四方形形狀，并包括十字形主干，該十字形主干包括橫向主干和與橫向主干交叉的縱向主干。在這樣的實施方式中，第一子像素電極192h和第二子像素電極1921被橫向主干和縱向主干分成四個子區(qū)域，并且每個子區(qū)域包括多個微小分支。
[0242]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的微小分支與柵極線121或橫向主干形成在大約40度至大約45度范圍內(nèi)的角度。此外，兩個相鄰子區(qū)域的微小分支可以基本上彼此垂直。在示例性實施方式中，微小分支的寬度可以逐漸增加，或者微小分支之間的間隔可以彼此不同。
[0243]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921通過接觸孔186a和186b物理和電連接到第一漏電極175a和第二漏電極175b，并從第一漏電極175a和第二漏電極175b接收數(shù)據(jù)電壓。
[0244]在示例性實施方式中，連接構(gòu)件194通過第三接觸孔186c電連接第三漏電極175c的延伸部175c’和存儲電壓線131的突起134。在這樣的實施方式中，施加到第二漏電極175b的一些數(shù)據(jù)電壓通過第三源電極173c被分壓，并因此，施加到第二子像素電極1921的電壓的大小可以小于施加到第一子像素電極192h的電壓的大小。
[0245]在此，第二子像素電極1921的面積可以是第一子像素電極192h的面積的大約兩倍。
[0246]在示例性實施方式中，用于收集從濾色器230排出的氣體的開口和利用與其上的像素電極192相同的材料覆蓋相應(yīng)開口的外覆層可以設(shè)置在第二鈍化層185上。開口和外覆層阻擋從濾色器230排出的氣體被傳遞到另一元件。在備選示例性實施方式中，開口和外覆層可以被省略。
[0247]公共電極270設(shè)置在第二鈍化層185和像素電極192上，且液晶層3被注入到微腔層(305 ;參照圖12B)中。公共電極270包括在定位在光阻擋構(gòu)件220上的第二鈍化層185的高度處基本上平行于絕緣基板110的平坦結(jié)構(gòu)。公共電極270的高度或水平通過后面將描述的頂層312的支撐而基本保持在微腔層上。
[0248]在示例性實施方式中，公共電極270未設(shè)置在液晶注入孔335的部分處，由此具有在柵極線的方向(左右方向)上延伸的結(jié)構(gòu)。在示例性實施方式中，如圖31所示，提供了用于在豎直方向(數(shù)據(jù)線方向)上連接公共電極270的公共電極連接件271。公共電極連接件271設(shè)置在光阻擋構(gòu)件220上，使得公共電極連接件271未被光阻擋構(gòu)件220支撐，并設(shè)置在下絕緣層311、頂層312和上絕緣層313之下，由此被頂層312支撐。在示例性實施方式中，如圖31所示，公共電極連接件271被下絕緣層311、頂層312和上絕緣層313支撐。
[0249]通過公共電極連接件271，公共電壓不僅在柵極線方向施加，而且在數(shù)據(jù)線方向上施加，使得公共電壓在顯示區(qū)域的中心不變化，并由此顯著改善顯示質(zhì)量。
[0250]例如，公共電極270可以包括透明導(dǎo)電材料，如ΙΤ0或ΙΖ0，并與像素電極192 —起產(chǎn)生電場，以控制液晶分子310的排列方向。
[0251]下絕緣層311位于公共電極270上。下絕緣層311可以具有設(shè)置在一側(cè)的液晶注入孔335，以將液晶注入到微腔層305中。下絕緣層311可以包括無機絕緣材料，如硅氮化物(SiNx)。即使在用于形成微腔層305的犧牲層被去除時，也可以使用液晶注入孔335，這將在下面詳細(xì)描述。
[0252]在示例性實施方式中，其中注入液晶層3的微腔層305具有與光阻擋構(gòu)件220的側(cè)壁相應(yīng)的側(cè)壁，使得微腔層305的側(cè)壁為倒錐形的。
[0253]在示例性實施方式中，配向?qū)?未示出)可以設(shè)置在公共電極270之下且像素電極192之上，以排列注入微腔305內(nèi)的液晶分子。配向?qū)涌梢园ㄖT如聚酰胺酸、聚硅氧烷或者聚酰亞胺中的至少一種材料。
[0254]液晶層3設(shè)置在微腔層305中的微腔(例如，在微腔內(nèi)設(shè)置的配向?qū)?內(nèi)。液晶分子310通過配向?qū)映跏寂帕校⑶遗帕蟹较蚋鶕?jù)在其中產(chǎn)生的電場而變化。液晶層的高度對應(yīng)于微腔層305的高度，并且微腔層305的高度對應(yīng)于光阻擋構(gòu)件220的高度。在示例性實施方式中，微腔層305的高度基本上與位于光阻擋構(gòu)件220上的第二鈍化層185的高度相同。在示例性實施方式中，液晶層3的厚度可以在大約2.0 μ m到大約3.6 μ m的范圍內(nèi)。在示例性實施方式中，在液晶層3的厚度增加的情況下，光阻擋構(gòu)件220的厚度也增加。
[0255]設(shè)置在微腔305上的液晶層3可以利用毛細(xì)作用力被注入到微腔305內(nèi)，并且配向?qū)涌梢酝ㄟ^毛細(xì)作用力設(shè)置。[0256]頂層312設(shè)置在下絕緣層311上。頂層312支撐微腔層305并可以有效地減小因微腔層305和液晶層3而產(chǎn)生的臺階。頂層312可以包括有機材料。
[0257]上絕緣層313設(shè)置在頂層312上。上絕緣層313可以包括無機絕緣材料，如硅氮化物(SiNx)。在示例性實施方式中，如圖31所示，下絕緣層311、頂層312和上絕緣層313設(shè)置在公共電極連接件271上。
[0258]頂層312和上絕緣層313可以與下絕緣層311 —起被構(gòu)圖，以形成液晶注入孔。
[0259]根據(jù)備選示例性實施方式，下絕緣層311和上絕緣層313可以被省略。
[0260]偏振器(未示出)位于絕緣基板110的下絕緣層311和上絕緣層313上。偏振器包括用于產(chǎn)生偏振的偏振元件和用于確保耐久性的三醋酸纖維素(TAC)層，并且在上偏振器和下偏振器中的透射軸的方向可以基本上彼此垂直或基本上彼此平行。
[0261]將參照圖34至圖41描述圖31的液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式。
[0262]圖34至圖41是示出圖31的液晶顯示器的制造方法的示例性實施方式的視圖。
[0263]首先，圖34A對應(yīng)于圖7A，圖4至圖6的工藝應(yīng)用于圖31的示例性實施方式。
[0264]如圖4至圖6所示，在這樣的實施方式中，首先，柵極線121和存儲電壓線131設(shè)置在絕緣基板110上，并且覆蓋柵極線121和存儲電壓線131的柵極絕緣層140設(shè)置在其上。
[0265]接著，半導(dǎo)體151、154和155、數(shù)據(jù)線171以及源/漏電極173a、173b、173c、175a、175b和175c設(shè)置在柵極絕緣層140上。
[0266]接著，第一鈍化層180 設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體 171、173a、173b、173c、175a、175b 和 175c以及半導(dǎo)體153的暴露部分上的整個區(qū)域上。接著，濾色器230設(shè)置在第一鈍化層180上。在蝕刻濾色器230時，事先去除在設(shè)置接觸孔186a、186b和186c的位置處的濾色器230的材料。
[0267]接著，如圖34A至圖34G所示，包括光不透過其的材料的光阻擋構(gòu)件220設(shè)置在濾色器230和第一鈍化層180上。在這樣的實施方式中，光阻擋構(gòu)件220(圖34G中的斜線部分)設(shè)置有柵格結(jié)構(gòu)，該柵格結(jié)構(gòu)具有與顯示圖像的區(qū)域相應(yīng)的開口。濾色器230設(shè)置在該開口中。
[0268]如圖34A所示，光阻擋構(gòu)件220具有隨著設(shè)置了柵極線121、存儲電壓線131和薄膜晶體管的晶體管形成區(qū)域沿著水平方向延伸的一部分以及相對于設(shè)置了數(shù)據(jù)線171的區(qū)域沿豎直方向延伸的一部分。
[0269]將參照圖34B至圖34G詳細(xì)描述設(shè)置光阻擋構(gòu)件220的示例性實施方式。在此，圖34B、圖34D和圖34F對應(yīng)于圖32，而圖34C、圖34E和圖34G對應(yīng)于圖33。
[0270]如圖34B和34C所示，光不透過其的材料被沉積在第一鈍化層180和濾色器230上。
[0271]接著，如圖34D和圖34E所示，材料通過掩模500暴露以形成圖34F和圖34G的光阻擋構(gòu)件220。在圖31的示例性實施方式中，如圖34F所示，在公共電極連接件271穿過的區(qū)域(下面稱為連接區(qū)域)中，光阻擋構(gòu)件220的高度低于圖22的示例性實施方式的高度。在圖31的示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220設(shè)置有預(yù)定高度以獲得微腔層305。這可以從設(shè)置在圖33的右側(cè)和左側(cè)的光阻擋構(gòu)件220來確認(rèn)，并且獲得微腔層305的光阻擋構(gòu)件220可以具有在大約2.0 μ m到大約3.6 μ m范圍內(nèi)的高度或厚度。在示例性實施方式中，掩模500可以包括光部分透過其的透反區(qū)域或狹縫區(qū)域，以控制光阻擋構(gòu)件220的高度。
[0272]光阻擋構(gòu)件220可以包括用于間隔墊的有機材料和用于阻擋光的黑色顏料。
[0273]在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220的側(cè)壁是錐形的。在示例性實施方式中，掩模可以包括透反圖案或狹縫圖案，以控制曝光量，來提供錐形側(cè)壁。在備選示例性實施方式中，錐形側(cè)壁可以在蝕刻工藝中被自然地提供，而不用透反圖案或狹縫圖案。
[0274]參照圖34F和圖34G，第二鈍化層185設(shè)置在濾色器230和光阻擋構(gòu)件220的基本上整個區(qū)域上。例如，第二鈍化層185可以包括如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的無機絕緣體，或可以包括有機絕緣體。
[0275]接著，分別暴露第一漏電極175a和第二漏電極175b的延伸部175b’的第一接觸孔186a和第二接觸孔186b設(shè)置在濾色器230、光阻擋構(gòu)件220和鈍化層180和185中。暴露存儲電壓線131的突起134和第三漏電極175c的延伸部175c’的第三接觸孔186c設(shè)置在濾色器230、光阻擋構(gòu)件220和鈍化層180和185中。
[0276]接著，如圖35A至圖35C所示，包括第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的像素電極192設(shè)置在第二鈍化層185上。在示例性實施方式中，例如，像素電極192可以包括透明導(dǎo)電材料，如ΙΤ0或ΙΖ0。在這樣的實施方式中，第一子像素電極192h和第二子像素電極1921通過接觸孔186a和186b與第一漏電極175a和第二漏電極175b物理和電連接。在這樣的實施方式中，還提供了連接構(gòu)件194，該連接構(gòu)件194通過第三接觸孔186c電連接第三漏電極175c的延伸部175c’和存儲電壓線131的突起134，使得施加到第二漏電極175b的數(shù)據(jù)電壓的部分通過第三源電極175c分壓，并且施加到第二子像素電極1921的電壓的大小由此小于施加到第一子像素電極192h的電壓的大小。
[0277]接著，如圖36A至圖36C所示，提供具有開口 301和連接件302的犧牲層300。犧牲層300可以利用有機材料如PR來提供，PR被沉積和曝光，然后通過使用掩模500被顯影和蝕刻，以完成犧牲層300。犧牲層300設(shè)置在未設(shè)置光阻擋構(gòu)件220的區(qū)域內(nèi)，使得光阻擋構(gòu)件220的側(cè)壁和犧牲層300的側(cè)壁彼此相對應(yīng)。結(jié)果，犧牲層300的側(cè)壁通過對應(yīng)于光阻擋構(gòu)件220的錐形側(cè)壁而為倒錐形的。犧牲層300具有開口 301，該開口 301定位在對應(yīng)于微腔的結(jié)構(gòu)的主體與相鄰的主體之間、在形成微腔的位置處。
[0278]在示例性實施方式中，開口 301的寬度可以是大約2.5 μ m。在示例性實施方式中，在光阻擋構(gòu)件220的上表面處，犧牲層300的高度可以基本上與第二鈍化層185的高度相同。在示例性實施方式中，連接件302設(shè)置在與在提供液晶注入孔335的工藝中被蝕刻的區(qū)域(液晶注入孔開口區(qū)域)相應(yīng)的位置處。
[0279]接著，如圖37A至圖37C所示，依次提供公共電極270和下絕緣層311。即，例如，透明導(dǎo)電材料如Ι--或ΙΖ0層疊在顯示面板的基本上整個區(qū)域上，然后包括無機絕緣材料如硅氮化物(SiNx)的支撐層的材料層疊在顯示面板的基本上整個區(qū)域上。結(jié)果，下絕緣層311設(shè)置為覆蓋公共電極270。
[0280]接著，如圖38A至圖38D所示，具有開口 312’的頂層設(shè)置在液晶注入孔開口區(qū)域上。設(shè)置在開口 312’的右側(cè)和左側(cè)的區(qū)域被稱為開口周邊區(qū)域312-1。頂層312可以包括有機材料，且頂層312未設(shè)置于在提供液晶注入孔335的工藝中被蝕刻的區(qū)域(下面稱為“液晶注入孔開口區(qū)域”)或者暴露該區(qū)域，由此形成開口 312’。圖38A示出對應(yīng)于薄膜晶體管形成區(qū)域的液晶注入孔開口區(qū)域。而且，頂層312未設(shè)置在相應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，并且在圖38A到圖38D中，整體上設(shè)置的公共電極270和下絕緣層311被暴露。
[0281]在提供頂層312的示例性實施方式中，包含有機材料的用于頂層的材料被沉積在面板的基本上整個區(qū)域上，利用掩模被曝光和顯影，然后通過在液晶注入孔開口區(qū)域的部分處去除用于頂層的材料而完成頂層312。在這樣的實施方式中，設(shè)置在頂層312之下的公共電極270和支撐層311未被蝕刻并而是然后被暴露。在這樣的實施方式中，在開口 312’中，僅提供了犧牲層300、公共電極270和下絕緣層311，而在剩下的區(qū)域(包括開口周邊區(qū)域312-1)中，提供了犧牲層300或開口 301、公共電極270、下絕緣層311和頂層312。
[0282]接著，如圖39A至圖39C所示，沉積用于上絕緣層313的材料，該材料包含無機絕緣材料諸如娃氮化物(SiNx)。
[0283]接著，如圖40和圖41所示，對應(yīng)于液晶注入孔開口區(qū)域的區(qū)域被蝕刻并曝光，以完成上絕緣層313和液晶注入孔335并形成公共電極連接件271。如圖41所示，液晶注入孔開口區(qū)域在提供公共電極連接件271的部分未被蝕刻，與圖1的示例性實施方式不同。結(jié)果，公共電極270在數(shù)據(jù)線的擴(kuò)展方向上也彼此連接。
[0284]在示例性實施方式中，PR設(shè)置在整個區(qū)域上以蝕刻液晶注入孔開口區(qū)域，對應(yīng)于液晶注入孔開口區(qū)域的PR被去除以形成光致抗蝕劑圖案，并且根據(jù)光致抗蝕劑圖案蝕刻液晶注入孔開口區(qū)域。在這樣的實施方式中，在液晶注入孔開口區(qū)域內(nèi)，用于上絕緣層313的材料、下絕緣層311、公共電極270和犧牲層300被蝕刻，且下面的層未被蝕刻。而且，設(shè)置公共電極連接件271的區(qū)域不被蝕刻。根據(jù)備選示例性實施方式，犧牲層300可以被部分地蝕刻或者可以不被蝕刻。在示例性實施方式中，蝕刻液晶注入孔開口區(qū)域的工藝可以是干蝕刻工藝。在備選示例性實施方式中，當(dāng)存在能夠一起蝕刻若干層的蝕刻劑時，可以使用濕蝕刻工藝。
[0285]接著，犧牲層300通過液晶注入孔開口區(qū)域被去除以形成微腔層305。在示例性實施方式中，在犧牲層300由PR提供的情況下，去除設(shè)置在上絕緣層313上的光致抗蝕劑圖案的工藝可以被一起執(zhí)行。在這樣的實施方式中，設(shè)置在上絕緣層313上的光致抗蝕劑圖案與犧牲層300 —起浸入用于去除光致抗蝕劑圖案的蝕刻劑(例如，光致抗蝕劑剝離劑)中，以被濕蝕刻。根據(jù)上述工藝，去除設(shè)置在上絕緣層313上的PR的工藝和去除犧牲層300的工藝可以被一起執(zhí)行，使得制造工藝被顯著簡化。在備選示例性實施方式中，在犧牲層由PR之外的材料提供的情況下，兩個工藝可以單獨地執(zhí)行。在這樣的實施方式中，犧牲層300可以被干蝕刻。
[0286]如上所述，在去除犧牲層300時，犧牲層300的連接件302被一起去除。結(jié)果，如圖32所示，公共電極連接件271浮置，并且被疊置的下絕緣層311、頂層312和上絕緣層313支撐。
[0287]此后，配向?qū)?未示出)或液晶材料通過利用毛細(xì)作用力注入到所提供的微腔層305 中。
[0288]雖然未示出，但是可以執(zhí)行密封微腔層305的工藝，以有效防止液晶層3流出到微腔層305的外部。
[0289]在圖31的上述示例性實施方式中，公共電極連接件271被設(shè)置成使得液晶注入孔開口區(qū)域在對應(yīng)于公共電極連接件271的位置處未被蝕刻。
[0290]在示例性實施方式中，在公共電極連接件271如在圖31的示例性實施方式中那樣設(shè)置的情況下，公共電壓也沿著數(shù)據(jù)線方向施加，使得公共電壓在顯示區(qū)域的中心惡化的缺陷被有效防止或顯著減小。
[0291]圖31的示例性實施方式具有如圖22的示例性實施方式中那樣的公共電極連接件271。然而，在圖22的示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220被設(shè)置成在公共電極連接件271形成的位置處向上突出，且公共電極連接件271被定位在其上，使得公共電極連接件271被光阻擋構(gòu)件220支撐。在圖31的示例性實施方式中，犧牲層的連接件302被設(shè)置在公共電極連接件271形成的位置處，并且在去除犧牲層300時，去除連接件302使得在公共電極連接件271之下提供空間。根據(jù)示例性實施方式，液晶層3可以填充在公共電極連接件271之下的空間的至少一部分內(nèi)。在圖31的示例性實施方式的結(jié)構(gòu)中，公共電極連接件271被疊置的下絕緣層311、頂層312和上絕緣層313支撐。
[0292]接著，將參照圖42描述本發(fā)明的另一備選示例性實施方式。
[0293]圖42是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的另一備選示例性實施方式的截面圖。
[0294]在示例性實施方式中，如圖42所示，如在圖13的對比例中那樣具有錐形側(cè)壁的微腔層305中，液晶分子可能未對準(zhǔn)的區(qū)域D被光阻擋構(gòu)件220的上表面覆蓋。在圖42的示例性實施方式中，公共電極270基本上平行于絕緣基板110設(shè)置，使得電場不扭曲。
[0295]除了微腔層和下絕緣層之外，圖42中的顯示裝置與圖2中所示的顯示裝置基本上相同。圖42中所示的相同或類似的元件已經(jīng)使用與上面用于描述圖2所示的顯示裝置的示例性實施方式的相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)記，并且在下面將省略或簡化對它們的任何重復(fù)詳細(xì)描述。
[0296]在示例性實施方式中，如圖42所示，微腔層305的側(cè)壁具有錐形結(jié)構(gòu)，并且光阻擋構(gòu)件220的側(cè)壁具有與微腔層305的側(cè)壁相應(yīng)的倒錐形結(jié)構(gòu)。
[0297]在示例性實施方式中，如圖42所示，下絕緣層311未設(shè)置在公共電極270和頂層312之間。在備選示例性實施方式中，下絕緣層311可以設(shè)置在公共電極270和頂層312之間。
[0298]接著，將參照圖1和圖42描述圖42的示例性實施方式。
[0299]柵極線121和存儲電壓線131設(shè)置在包括如透明玻璃、塑料等材料的絕緣基板110上。柵極線121包括第一柵電極124a、第二柵電極124b和第三柵電極124c。存儲電壓線131包括存儲電極135a和135b以及朝向柵極線121突出的突起134。存儲電極135a和135b具有圍繞前一(即，相鄰的)像素的第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的結(jié)構(gòu)。存儲電極的水平部分135b可以是前一像素的水平部分135b連接的線，它們彼此不分開。
[0300]柵極絕緣層140設(shè)置在柵極線121和存儲電壓線131上。位于數(shù)據(jù)線171之下的半導(dǎo)體151、位于源/漏電極之下的半導(dǎo)體155、和位于薄膜晶體管的溝道部分處的半導(dǎo)體154設(shè)置在柵極絕緣層140上。
[0301]多個歐姆接觸(未示出)可以設(shè)置在每個半導(dǎo)體151和154上并在數(shù)據(jù)線171和源/漏電極之間。
[0302]在半導(dǎo)體151和154以及柵極絕緣層140上設(shè)置數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、173c、175a、175b和175c，該數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括多條數(shù)據(jù)線171，該數(shù)據(jù)線包括第一源電極173a和第二源電極173b、第一漏電極175a、第二漏電極175b、第三源電極173c和第三漏電極175c。[0303]第一柵電極124a、第一源電極173a和第一漏電極175a與半導(dǎo)體154 —起共同限定第一薄膜晶體管，該薄膜晶體管的溝道設(shè)置在第一源電極173a和第一漏電極175a之間的半導(dǎo)體部分154處。第二柵電極124b、第二源電極173b和第二漏電極175b與半導(dǎo)體154 一起共同限定第二薄膜晶體管，且該薄膜晶體管的溝道設(shè)置在第二源電極173b和第二漏電極175b之間的半導(dǎo)體部分154處。第三柵電極124c、第三源電極173c和第三漏電極175c與半導(dǎo)體154 —起共同限定第三薄膜晶體管，且該薄膜晶體管的溝道設(shè)置在第三源電極173c和第三漏電極175c之間的半導(dǎo)體部分154處。
[0304]數(shù)據(jù)線171具有這樣的結(jié)構(gòu):其中在第三漏電極175c的延伸部175c’附近的薄膜晶體管形成區(qū)域內(nèi)，寬度減小，使得與相鄰布線的間隔基本上得以維持，并且信號干涉顯著減少，但并不局限于此。
[0305]第一鈍化層180設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、173c、175a、175b和175c以及半導(dǎo)體154的暴露部分上。例如，第一鈍化層180可以包括如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的無機絕緣體或，可以包括有機絕緣體。
[0306]濾色器230設(shè)置在鈍化層180上。相同顏色的濾色器230設(shè)置在沿豎直方向(數(shù)據(jù)線方向)相鄰的像素內(nèi)。在這樣的實施方式中，不同顏色的濾色器230和230’設(shè)置在沿水平方向(柵極線方向)相鄰的像素內(nèi)，并且在水平方向上相鄰的兩個濾色器230和230 ’可以在數(shù)據(jù)線171上彼此重疊。濾色器230和230’可以顯示如紅、綠和藍(lán)三原色中的一種原色，但不局限于此。在備選示例性實施方式中，例如，濾色器230和230’也可以顯示青色、品紅色、黃色和白色中的一種。
[0307]第二鈍化層185設(shè)置在濾色器230和230’上。例如，第二鈍化層185可以包括如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的無機絕緣體或可以包括有機絕緣體。根據(jù)備選示例性實施方式，第二鈍化層185可以包括有機絕緣體。
[0308]在濾色器230和鈍化層180和185內(nèi)限定(例如，形成)分別暴露第一漏電極175a和第二漏電極175b的延伸部175b’的第一接觸孔186a和第二接觸孔186b。在濾色器230、光阻擋構(gòu)件220和鈍化層180和185內(nèi)限定(例如，形成)第三接觸孔186c，該第三接觸孔186c暴露存儲電壓線131的突起134和第三漏電極175c的延伸部175c’。
[0309]在示例性實施方式中，濾色器230還可以包括接觸孔186a、186b和186c。在示例性實施方式中，在與鈍化層180和185相比，接觸孔的蝕刻可能由于濾色器230的材料而無法被有效執(zhí)行的情況下，在蝕刻濾色器230時，可以事先去除在形成接觸孔186a、186b和186c的位置處的濾色器230的材料。
[0310]包括第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的像素電極192設(shè)置在第二鈍化層185上。例如，像素電極192可以包括透明導(dǎo)電材料，如ΙΤ0或ΙΖ0。
[0311]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921在列方向上彼此相鄰，具有整體四邊形形狀，并包括十字形主干，該十字形主干包括橫向主干和與橫向主干交叉的縱向主干。在這樣的實施方式中，第一子像素電極192h和第二子像素電極1921被橫向主干和縱向主干分成四個子區(qū)域，且每個子區(qū)域包括多個微小分支。
[0312]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的微小分支與柵極線121或橫向主干形成在大約40度到45度范圍內(nèi)的角度。在這樣的實施方式中，兩個相鄰子區(qū)域的微小分支可以彼此垂直。在這樣的實施方式中，微小分支的寬度可以逐漸增加或者在微小分支之間的間隔可以彼此不同。
[0313]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921通過接觸孔186a和186b物理和電連接到第一漏電極175a和第二漏電極175b，并且從第一漏電極175a和第二漏電極175b接收數(shù)據(jù)電壓。
[0314]在示例性實施方式中，連接構(gòu)件194通過第三接觸孔186c電連接第三漏電極175c的延伸部175c’和存儲電壓線131的突起134。在這樣的實施方式中，施加到第二漏電極175b的數(shù)據(jù)電壓的部分通過第三漏電極173c分割，并因此施加到第二子像素電極1921的電壓的大小可以小于施加到第一子像素電極192h的電壓的大小。
[0315]在示例性實施方式中，第二子像素電極1921的面積可以是第一子像素電極192h的面積的大約兩倍。
[0316]在示例性實施方式中，用于收集從濾色器230排出的氣體的開口和利用與其上的像素電極192相同的材料覆蓋相應(yīng)開口的外覆層可以設(shè)置在第二鈍化層185上。開口和外覆層阻擋從濾色器230排出的氣體傳遞到另一元件。在備選示例性實施方式中，開口可以被省略。
[0317]光阻擋構(gòu)件(黑矩陣；220)設(shè)置在第二鈍化層185上未設(shè)置像素電極192的區(qū)域中。光阻擋構(gòu)件220設(shè)置在柵極線121、薄膜晶體管和數(shù)據(jù)線171所設(shè)置的區(qū)域(下面稱為“晶體管形成區(qū)域”)處，并且具有柵格結(jié)構(gòu)，該柵格結(jié)構(gòu)具有與顯示圖像的區(qū)域相應(yīng)的開口。濾色器230和像素電極192可以包括光阻擋構(gòu)件220的開口。在這樣的實施方式中，光阻擋構(gòu)件220可以包括光不透過其的材料。在這樣的實施方式中，光阻擋構(gòu)件220具有比微腔層大的高度，液晶層3 (圖2和圖3中所示)被注入到該微腔層中。
[0318]在示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220的側(cè)壁設(shè)置有倒錐形結(jié)構(gòu)，由此具有倒錐形側(cè)壁，并且倒錐形側(cè)壁的角度在示例性實施方式中可以是不同的。通過倒錐形側(cè)壁，光阻擋構(gòu)件220的上表面具有寬面積的結(jié)構(gòu)。結(jié)果，液晶分子310通過光阻擋構(gòu)件220的上表面借助區(qū)域D中的光阻擋構(gòu)件220而不對準(zhǔn)。
[0319]光阻擋構(gòu)件220的側(cè)壁對應(yīng)于微腔層305的側(cè)壁。在這樣的實施方式中，其中定位液晶層3的微腔層305的側(cè)壁具有錐形結(jié)構(gòu)。微腔層305是通過形成和去除犧牲層300而設(shè)置的，并且在圖42的示例性實施方式的制造方法的示例性實施方式中，犧牲層300首先設(shè)置成具有錐形結(jié)構(gòu)，然后光阻擋構(gòu)件220被設(shè)置成填充在犧牲側(cè)300的側(cè)壁之間，由此具有倒錐形側(cè)壁。
[0320]在示例性實施方式中，公共電極270設(shè)置在注入到在第二鈍化層185和像素電極192上的微腔層305中的液晶層3上。公共電極270具有對應(yīng)于光阻擋構(gòu)件220的高度的基本上平行于絕緣基板110的水平的基本上平坦的結(jié)構(gòu)。在這樣的實施方式中，公共電極270與像素電極192分隔開預(yù)定距離，使得短路被有效防止，并且公共電極270不會根據(jù)微腔層305的側(cè)部而彎曲，使得電場不扭曲。公共電極270的高度或水平可以通過后面將描述的頂層312的支撐而基本上維持在微腔層上。在這樣的實施方式中，公共電極270未設(shè)置在液晶注入孔335的部分處，由此具有在柵極線的方向(左右方向)上延伸的結(jié)構(gòu)。
[0321 ] 公共電極270例如可以包括透明導(dǎo)電材料如ΙΤ0或ΙΖ0，并且與像素電極192 —起產(chǎn)生電場，以控制液晶分子310的排列方向。
[0322]雖然在圖42中未示出，但是在備選示例性實施方式中，下絕緣層311可以設(shè)置在公共電極270上。下絕緣層311可以具有設(shè)置在一側(cè)的液晶注入孔335，以將液晶注入微腔層305中。下絕緣層311可以包括無機絕緣材料，如硅氮化物(SiNx)。即使在去除設(shè)置用于形成微腔305的犧牲層時，也可以使用液晶注入孔335。
[0323]頂層312設(shè)置在公共電極270或者下絕緣層311上。頂層312可以具有支撐功能，以在像素電極192和公共電極270之間限定微腔層。頂層312具有通過在公共電極270上的預(yù)定厚度來支撐微腔層305的功能，并可以在一側(cè)處具有液晶注入孔335，使得液晶被注入到微腔層305中。
[0324]上絕緣層313設(shè)置在頂層312上。上絕緣層313可以包括無機絕緣材料，如硅氮化物(SiNx)。頂層312和上絕緣層313可以與下絕緣層311 —起被構(gòu)圖，以形成液晶注入孔。
[0325]在備選示例性實施方式中，上絕緣層313也可以被省略。
[0326]在示例性實施方式中，配向?qū)?未示出)可以設(shè)置在公共電極270之下且在像素電極192之上，以排列注入微腔305中的液晶分子。配向?qū)涌梢园ㄈ缇埘０匪?、聚硅氧烷或者聚酰亞胺中的至少一種材料。
[0327]液晶層3設(shè)置在微腔層305內(nèi)(例如，在設(shè)置于微腔中的配向?qū)觾?nèi))。液晶分子310通過配向?qū)颖蛔畛跖帕?，并且排列方向根?jù)其中產(chǎn)生的電場而變化。液晶層3的高度對應(yīng)于微腔層305的高度，并且微腔層305的高度對應(yīng)于光阻擋構(gòu)件220的高度。在示例性實施方式中，液晶層3的高度或厚度可以在大約2.0 μ m到大約3.6 μ m的范圍內(nèi)。在這樣的實施方式中，在液晶層3的厚度增加的情形下，光阻擋構(gòu)件220的厚度也增加。
[0328]設(shè)置在微腔層305中的液晶層3可以利用毛細(xì)作用力注入到微腔中，并且配向?qū)涌梢岳妹?xì)作用力設(shè)置。
[0329]在備選示例性實施方式中，下絕緣層311和上絕緣層313可以被省略。偏振器包括用于產(chǎn)生偏振的偏振兀件和用于確保耐久性的TAC,上偏振器和下偏振器中的透射軸的方向可以彼此基本上垂直或彼此基本上平行。
[0330]在示例性實施方式中，如圖42所示，微腔層305的側(cè)壁具有錐形結(jié)構(gòu)，使得液晶分子310可以在微腔層305的側(cè)壁附近不對準(zhǔn)。在圖42的示例性實施方式中，光阻擋構(gòu)件220的上表面較寬，使得液晶分子310不對準(zhǔn)的區(qū)域可以被光阻擋構(gòu)件220覆蓋，由此不會被用戶看出。而且，在圖42的示例性實施方式中，公共電極270具有基本上平行于絕緣基板110的基本上平坦的結(jié)構(gòu)，使得電場不扭曲。
[0331]雖然已經(jīng)結(jié)合被目前認(rèn)為是實際的示例性實施方式來描述，但是應(yīng)理解的是，本發(fā)明不局限于所公開的實施方式，而是相反，其意在覆蓋包括在權(quán)利要求的精髓和范圍內(nèi)的各種修改和等同結(jié)構(gòu)。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示器，包括:絕緣基板；設(shè)置在所述絕緣基板上并具有倒錐形側(cè)壁的微腔層；設(shè)置在所述絕緣基板上的所述微腔層中的像素電極；設(shè)置在所述微腔層內(nèi)的液晶層；以及覆蓋所述液晶層的公共電極。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括:光阻擋構(gòu)件，所述光阻擋構(gòu)件設(shè)置在所述絕緣基板上并具有與所述微腔層的所述倒錐形側(cè)壁相應(yīng)的錐形側(cè)壁。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中:所述光阻擋構(gòu)件的高度對應(yīng)于所述微腔層的高度。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極具有基本上平坦的結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，還包括:設(shè)置在所述光阻擋構(gòu)件和所述公共電極之間的第二鈍化層，且設(shè)置在所述光阻擋構(gòu)件上的所述第二鈍化層的高度基本上與所述微腔層的高度相同。
6.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中:`所述公共電極與在所述光阻擋構(gòu)件上的所述第二鈍化層的高度相應(yīng)地，基本上平行于所述絕緣基板設(shè)置。
7.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極在所述光阻擋構(gòu)件附近具有彎曲結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極在所述光阻擋構(gòu)件附近具有向上彎曲的結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括:覆蓋所述公共電極的頂層。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其中:液晶注入孔被限定在所述頂層中。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其中:所述液晶注入孔被定位在薄膜晶體管形成區(qū)域處。
12.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極暴露所述液晶注入孔。
13.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極具有在一個方向上延伸的結(jié)構(gòu)；且所述公共電極包括公共電極連接件，所述公共電極連接件在基本上垂直于所述一個方向的方向上連接所述公共電極的部分。
14.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極連接件設(shè)置在所述光阻擋構(gòu)件上并且由所述光阻擋構(gòu)件支撐。
15.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極連接件被所述頂層支撐。
16.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中:所述像素電極包括主干以及從所述主干延伸的多個微小分支。
17.—種液晶顯不器，包括:絕緣基板；設(shè)置在所述絕緣基板上的微腔層；設(shè)置在所述絕緣基板上的所述微腔層中的像素電極；設(shè)置在所述微腔層中的液晶層；設(shè)置在所述微腔層的一側(cè)的光阻擋構(gòu)件；以及覆蓋所述液晶層和所述光阻擋構(gòu)件的公共電極，其中，所述光阻擋構(gòu)件的高度基本上等于或大于所述微腔層的高度。
18.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示器，其中:所述微腔層具有倒錐形側(cè)壁。
19.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其中:所述光阻擋構(gòu)件具有與所述絕緣基板上的所述微腔層的所述倒錐形側(cè)壁相應(yīng)的錐形側(cè)壁。
20.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示器，其中:所述微腔層具有錐形側(cè)壁。
21.如權(quán)利要求20所述的液晶顯示器，其中:所述光阻擋構(gòu)件具有與所述絕緣基板上的所述微腔層的所述錐形側(cè)壁相應(yīng)的倒錐形側(cè)壁。
22.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示器，其中:所述光阻擋構(gòu)件的高度對應(yīng)于所述微腔層的高度。
23.如權(quán)利要求22所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極具有基本平行于所述絕緣基板的基本上平坦的結(jié)構(gòu)。
24.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示器，還包括:設(shè)置在所述光阻擋構(gòu)件和所述公共電極之間的第二鈍化層，且在所述光阻擋構(gòu)件上的所述第二鈍化層的高度基本上與所述微腔層的所述高度相同。
25.如權(quán)利要求24所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極與所述光阻擋構(gòu)件上的所述第二鈍化層的所述高度相應(yīng)地，基本上平行于所述絕緣基板設(shè)置。
26.如權(quán)利要求22所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極在所述光阻擋構(gòu)件附近具有彎曲結(jié)構(gòu)。
27.如權(quán)利要求26所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極在所述光阻擋構(gòu)件附近具有向上彎曲的結(jié)構(gòu)。
28.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示器，還包括:覆蓋所述公共電極的頂層。
29.如權(quán)利要求28所述的液晶顯示器，其中:液晶注入孔被限定在所述頂層中。
30.如權(quán)利要求29所述的液晶顯示器，其中:所述液晶注入孔定位在薄膜晶體管形成區(qū)域處。
31.如權(quán)利要求30所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極暴露所述液晶注入孔。
32.如權(quán)利要求31所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極具有在一個方向上延伸的結(jié)構(gòu)，且所述公共電極包括公共電極連接件，所述公共電極連接件在與所述一個方向垂直的方向上連接所述公共電極的部分。
33.如權(quán)利要求32所述的液晶顯示器，其中:所述公共 電極連接件設(shè)置在所述光阻擋構(gòu)件上并由所述光阻擋構(gòu)件支撐。
34.如權(quán)利要求31所述的液晶顯示器，其中:所述公共電極連接件由所述頂層支撐。
【文檔編號】G02F1/1343GK103631061SQ201310368713
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月22日
【發(fā)明者】蔡景泰, 元盛煥, 金筵泰, 金源泰, 李善旭 申請人:三星顯示有限公司