制造光連接器的方法和光連接器的制造方法
【專利摘要】公開(kāi)了一種用于制造光連接器的方法和光連接器，所述方法包括：通過(guò)電弧放電，使得只有纖芯從光纖的端面呈球狀地突出，通過(guò)添加增加所述纖芯的折射率并降低所述纖芯的熔點(diǎn)的摻雜物，所述光纖具有纖芯和包層之間1%到3%的折射率差；以及將經(jīng)電弧放電處理的所述光纖安裝在套件中。
【專利說(shuō)明】制造光連接器的方法和光連接器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本文所討論的實(shí)施例涉及用于制造光連接器的方法以及光連接器。
【背景技術(shù)】
[0002]高性能計(jì)算機(jī)(HPC)和服務(wù)器等需要互連技術(shù)，借助該互連技術(shù)在LSI(Large-scale integration大規(guī)模集成電路)之間進(jìn)行寬帶和低功耗通信。作為實(shí)現(xiàn)這樣的互連技術(shù)的一種技術(shù)，光互連受到了關(guān)注。
[0003]在高性能計(jì)算機(jī)和服務(wù)器等中，進(jìn)行運(yùn)算的大規(guī)模集成電路被布置在單塊板上，并且多塊板被連接到背板。在光互連中，板上的大規(guī)模集成電路產(chǎn)生的電信號(hào)由光電轉(zhuǎn)換元件轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，該光信號(hào)被傳輸?shù)搅硪粔K板。在另一塊板上，該光信號(hào)重新轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，并且該電信號(hào)被大規(guī)模集成電路接收。在這種情況下，光傳輸線路被設(shè)置在背板上或背板內(nèi)，并且被放置在每個(gè)單塊板上，從光電轉(zhuǎn)換元件到板邊緣放置光傳輸線路。板和背板通過(guò)光連接器相互耦接。
[0004]由于背板尺寸很大，目前光纖被認(rèn)為是進(jìn)行低損耗傳輸?shù)挠行Х绞?。由于單塊板被設(shè)置成可從背板拆卸以便維護(hù)并符合系統(tǒng)配置，因此，基于光纖的光連接器被設(shè)置在板邊緣并且設(shè)置在背板上。
[0005]然而，為了把在光通信等中使用的光連接器用于裝置中的光互連，需要高精度拋光。用于光通信的光連接器被設(shè)計(jì)成彼此間進(jìn)行物理接觸(PC,Physical Contact)連接來(lái)使光纖低損耗低反射地互相連接。因此，如圖1A和IB中所示，在使光纖120 (纖芯121和包層122)的端頭從套件10的配合面IOa略微突出的狀態(tài)下，將光纖120的端面120a處理成具有凸起的形狀。為獲得這樣的形狀，需要高精度拋光。在使用了大量光連接器的高性能計(jì)算機(jī)和服務(wù)器等的互連中，要求高精度拋光的光連接器是不合適的。
[0006]作為一種通過(guò)使用未拋光的光纖來(lái)進(jìn)行物理接觸連接的技術(shù)，已知有在使用電弧放電對(duì)從套件突出的光纖的整個(gè)端面進(jìn)行處理以具有球形形狀之后對(duì)光纖進(jìn)行定位的方法(例如,參見(jiàn)日本專利申請(qǐng)公開(kāi)N0.2000-019342)。在使用這種方法的情況下，由于放電條件的輕微變化，光纖端頭附近的外徑增加，這使得難以將光纖安裝在套件上并且降低了產(chǎn)量。作為另一種方法，已知有通過(guò)在形成于襯底上的波導(dǎo)末端處進(jìn)行蝕刻來(lái)除去包層而使纖芯突出，以及通過(guò)回流焊或激光輻射來(lái)使纖芯的端面成為球形的方法(例如，參見(jiàn)日本專利申請(qǐng)公開(kāi)N0.9-304664)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]根據(jù)本實(shí)施例的一個(gè)方面，一種用于制造光連接器的方法，包括:通過(guò)電弧放電，使得只有纖芯從光纖的端面呈球狀地突出，通過(guò)添加增加所述纖芯的折射率并降低所述纖芯的熔點(diǎn)的摻雜物，所述光纖具有纖芯和包層之間1%到3%的折射率差；以及將經(jīng)電弧放電處理的所述光纖安裝在套件中?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1A和IB是描述用于物理接觸連接的光纖的端面拋光的圖；
[0009]圖2是描述實(shí)施例的光纖端頭處理的圖；
[0010]圖3A到3C是實(shí)施例的光連接器的制造過(guò)程示圖；
[0011]圖4是折射率差和傳輸損耗之間的關(guān)系圖；
[0012]圖5A到5C是在光纖端頭上進(jìn)行電弧放電處理時(shí)獲得的光學(xué)顯微圖和示意圖；
[0013]圖6是安裝有實(shí)施例的光纖的光連接器的示意性配置圖；
[0014]圖7A和7B是使用實(shí)施例的光連接器的光纖到光纖連接的圖；
[0015]圖8A和8B是使用實(shí)施例的光連接器的光纖到聚合物波導(dǎo)連接的圖；
[0016]圖9A和9B是圖5A到5C的光連接器的配合狀態(tài)的圖；以及
[0017]圖10是應(yīng)用實(shí)施例的光連接器的光互連的例子的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]在下文中，將參照附圖來(lái)描述實(shí)施例。本實(shí)施例提供了一種用于制造光連接器的方法以及用這種方法制造的光連接器，光連接器具有很容易插入到套件中的光纖并且適于物理接觸連接。
[0019]圖2是由套件10夾持的光纖20的示意圖。光纖20是硅基光纖。摻雜物被添加到纖芯21從而使纖芯21的折射率變得高于包層22的折射率，而纖芯21的熔點(diǎn)變得低于包層22的熔點(diǎn)。纖芯21和包層22之間的折射率差為1%到3%。
[0020]光纖20被插入到形成在套件10中的光纖導(dǎo)孔13中。光纖20的纖芯21具有從包層22的端面22a突出的端頭作為球形突起21a。包層22的端頭的外周逐漸變細(xì)(具有錐形形狀)，并且包層22的端面22a處的外徑小于其它部分的外徑。光纖導(dǎo)孔13通常是以±1 μ m的光纖直徑精度注模模制而成，但是包層22的漸細(xì)端頭使得很容易將光纖20插入到光纖導(dǎo)孔13中。
[0021]在套件10不與另一連接器的套件匹配的情況下，包層22的端面22a從套件10的配合面IOa突出。因此，纖芯21的球形突起21a也從套件10的配合面IOa突出。當(dāng)套件10與另一連接器的套件匹配時(shí)，光纖20能夠在光纖導(dǎo)孔13中向后移動(dòng)。此時(shí)，在纖芯21的球形突起21a略微從套件10的配合面IOa突出的狀態(tài)下，建立與另一光纖的纖芯的物理接觸連接。
[0022]由于纖芯21的球形突起21a從錐形包層22的端面22a突出，即使當(dāng)另一連接器是聚合物波導(dǎo)光連接器時(shí)，也能夠在光纖20的切面處保護(hù)聚合物波導(dǎo)纖芯不受損壞。
[0023]圖3A到3C是使用圖2的光纖20的光連接器的制造過(guò)程的圖。首先，如圖3A中所示，準(zhǔn)備硅基光纖20，其纖芯添加了摻雜物從而使纖芯21和包層22之間的折射率差為1%到3%。摻雜物的類型是增加纖芯折射率且降低纖芯熔化溫度的材料。作為根據(jù)所添加摻雜物的濃度來(lái)增加纖芯的折射率并降低纖芯的熔點(diǎn)的摻雜物，除了 GeO2和P2O5，可以使用Al2O3和具有例如稀土元素Er、Nd、Yb、La、Tm和Pr的氧化物和氯化物。摻雜物可以至少包括Ge02、P2O5、稀土氧化`物和稀土氯化物的其中一種。優(yōu)選的是纖芯21和包層22之間的折射率差Λ在1%到3%的范圍內(nèi)。作為例子，當(dāng)使用對(duì)于波長(zhǎng)I μ m的光其折射率為1.45的石英玻璃作為包層時(shí)，使用摻雜有GeO2的硅玻璃作為纖芯玻璃以使折射率差△為1%到3%ο當(dāng)折射率差Λ小于1%時(shí)，難以在其它部分之前只熔化纖芯21來(lái)使纖芯21從包層22的端面突出。此外，不能充分降低彎曲損耗。當(dāng)折射率差Λ超過(guò)3%時(shí)，不能確保包層直徑針對(duì)彎曲半徑的應(yīng)力優(yōu)化。此外還會(huì)增加傳輸損耗。
[0024]一般而言，通過(guò)增加纖芯和包層之間的折射率差，能夠減小彎曲半徑。然而，為了實(shí)現(xiàn)小的彎曲半徑，同樣重要的是確保對(duì)于應(yīng)力的長(zhǎng)期可靠性。當(dāng)使用外徑為125 μ m的包層時(shí)，如果纖芯和包層之間的折射率差Λ為1%，則彎曲半徑為15mm。當(dāng)折射率差Λ為2%時(shí)，如果使用外徑為80μπι的包層，則彎曲半徑可以被設(shè)定為5mm。當(dāng)折射率差Λ超過(guò)3%時(shí)，彎曲半徑可以是若干毫米，但是包層外徑為60 μ m或更小。包層外徑必須大于或等于纖芯直徑。當(dāng)纖芯直徑為50 μ m時(shí)，外徑為60 μ m或更小的包層實(shí)現(xiàn)不了作為包層的功能。因此，理想的是折射率差Λ為3%或更小。
[0025]折射率差的上限也基于傳輸損耗。當(dāng)纖芯和包層之間的折射率差為3%時(shí)，與折射率差為1%的情形相比，傳輸損耗增加約10倍。如圖4中所示當(dāng)在石英襯底上形成高折射率玻璃薄膜從而形成平板波導(dǎo)和掩埋波導(dǎo)時(shí)傳輸損耗依賴于折射率差的改變也支持這一點(diǎn)。
[0026]如上所述，纖芯和包層之間的折射率差Λ的范圍被設(shè)定在1%到3%，因?yàn)槿绻贿@樣，則不能確保包層直徑針對(duì)彎曲半徑的應(yīng)力優(yōu)化，并且傳輸損耗達(dá)到極限。
[0027]回到圖3Α中，具有纖芯21的光纖20被激光切割機(jī)切割，纖芯21添加有摻雜物以使纖芯21的熔點(diǎn)較低并且纖芯21和包層22之間的折射率差為1%到3%。為了便于說(shuō)明，只示出了一根光纖20，但是通常一同切割多根光纖20。例如，剝?nèi)ス饫w帶的膠帶覆層并將露出的光纖切割成所需的長(zhǎng)度。通過(guò)使用激光處理，角度差較小并能夠?qū)㈤L(zhǎng)度差異減小到5 μ m或更小，但是，在切割時(shí)，可能出現(xiàn)(見(jiàn)圓圈A的部分)切面傾斜或毛邊(進(jìn)行處理時(shí)在端部出現(xiàn)的臺(tái)階)。然而，在后續(xù)處理中通過(guò)電弧放電處理，能夠降低光纖切面對(duì)另一連接器的影響。
[0028]在圖3B中，切割的光纖20被置于熔接器等中，通過(guò)電弧放電進(jìn)行端頭處理。作為例子，使用Fujikura公司制造的FSM-20PM II N型熔接器。根據(jù)纖芯和包層之間的折射率差、摻雜量和纖芯直徑等，通過(guò)設(shè)置10.3到13mA的放電電流和300到IOOOmsec的處理時(shí)間，進(jìn)行電弧放電。纖芯21優(yōu)先被電弧放電產(chǎn)生的熱等離子體(P)熔化，而包層22被略微熔化或軟化。熔化的纖芯21的端部通過(guò)表面張力變成球形形狀，并且包層22的外徑逐漸減小。由于纖芯的熔點(diǎn)低于包層的熔點(diǎn)，因此能夠以較小的電弧功率進(jìn)行處理，從而使得只有纖芯21具有從光纖20的端面突出的透鏡形狀。纖芯21的球形突出部分的體積向內(nèi)拉動(dòng)包層22，從而具有圖3B中所示的錐形形狀。
[0029]圖5A到5C是在放電電流為11mA，處理時(shí)間為500msec的情況下，在摻雜有Ge的石英光纖20的端頭上進(jìn)行電弧放電時(shí)獲得的光學(xué)顯微圖和示意圖，石英光纖20具有50 μ m的纖芯直徑，80 μ m的包層外徑，2%的折射率差Λ。這樣處理的纖芯21的端頭部分的突出部分的長(zhǎng)度為0.4 μ m，在纖芯的端頭處纖芯外徑被壓縮約I μ m。纖芯的外徑被壓縮了纖芯端頭部因表面張力而呈球形突出的體積壓縮(見(jiàn)圖5C的字符G)，通過(guò)纖芯外徑的壓縮，包層的外徑也逐漸減小。從圖5A到5C可以清楚地看到，能夠?qū)崿F(xiàn)包層側(cè)面的精確的錐形形狀，以及從包層端頭突出的纖芯的球形形狀。
[0030]回到圖3C中，經(jīng)過(guò)端頭處理的光纖20被插入到套件10的光纖導(dǎo)孔13中，光纖20的根部被粘合劑定位的同時(shí)被固定。一般而言，把光纖插入到套件中的處理的難度造成生產(chǎn)上的問(wèn)題。然而，本實(shí)施例的光纖20中，由于包層22的端頭具有錐形形狀，因此，很容易將光纖20插入到光纖導(dǎo)孔13中。順便提及，當(dāng)把覆層用于經(jīng)過(guò)電弧放電處理的光纖20時(shí)，可以在套件10中設(shè)置用于噴射的孔，并且在光纖20被粘合劑固定在套件中之后，可以用噴射器在光纖上噴涂聚酰亞胺等。通過(guò)對(duì)光纖20應(yīng)用覆層，能夠增強(qiáng)對(duì)應(yīng)力施加和光纖彎曲的耐受性，從而增加產(chǎn)品的可靠性。
[0031]圖6是安裝有通過(guò)圖3A到3C的方法處理的光纖20的光連接器30的示意性配置圖。光連接器30包括光纖20和夾持光纖20的套件10。在圖6的例子中，光連接器30是多光纖連接器，多根光纖20被膠帶覆層25捆在一起。被膠帶覆層25捆在一起的光纖20被放置在套管17中，并且被安裝在套件10中。如圖3C中所示，每一根光纖20具有從錐形形狀的包層22的端面呈球形突出的纖芯21。
[0032]套件10的內(nèi)部設(shè)置有空間15，與空間15連通的光纖導(dǎo)孔13以及導(dǎo)銷孔14。穿過(guò)空間15插入到光纖導(dǎo)孔13中的光纖20被保持為光纖20從套件10的配合面突出的狀態(tài)。從膠帶覆層25延伸的光纖20的根部側(cè)被粘合劑18固定在套件10的后端。
[0033]光纖20具有激光切割時(shí)產(chǎn)生的長(zhǎng)度差異。因此，從套件10的配合面IOa突出的光纖20部分的長(zhǎng)度也不同。當(dāng)在光纖20和另一連接器之間建立物理接觸連接時(shí)，在空間15內(nèi)部消除長(zhǎng)度差異。
[0034]圖7A和7B是連接器互相配合時(shí)光纖之間物理接觸連接的圖。在圖7A中，放置光連接器30A和光連接器30B以使其互相面對(duì)。每一根光纖20具有包層22的端面22a，纖芯21的球形突起21a從端面22a突出。當(dāng)使用折射率差為2%的GI50多模光纖(纖芯直徑50 μ m)時(shí)，纖芯21從包層22的端面22a突出的部分的長(zhǎng)度為0.4 μ m。
[0035]如圖7B中所示，通過(guò)使光連接器30A和30B互相配合，相應(yīng)的光纖20被互相連接。對(duì)每根光纖設(shè)定2.0N的壓力，能夠通過(guò)使纖芯21的突起21a略微彈性變形來(lái)在石英光纖之間建立物理接觸連接。物理接觸連接是有利的，這是因?yàn)槲锢斫佑|連接產(chǎn)生很少的反射損耗。當(dāng)使用垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)作為光互連中的光源時(shí)，模式經(jīng)常是低階模式。在這種情況下，無(wú)需將多模光纖的纖芯21的突起21a處理成完美的球形，就能夠建立物理接觸連接。通過(guò)增加每根光纖的壓力，能夠使可彈性變形的纖芯21的曲率半徑更小。換句話說(shuō)，即使當(dāng)光纖20的纖芯21的突起21a具有陡的突出形狀時(shí)，也能夠通過(guò)增加壓力建立光纖20之間的物理接觸連接。
[0036]作為光纖20的類型，除了多模光纖，光纖20可以是纖芯直徑約10 μ m的單模光纖。當(dāng)采用單模光纖時(shí)，纖芯21的突出的球形部分長(zhǎng)于多模光纖的纖芯21的突出的球形部分。然而，由于纖芯直徑小，能夠?qū)⑹┘拥揭桓饫w的壓力降低到小于2.0N的壓力。當(dāng)采用單模纖芯時(shí)，光纖端頭處的外徑也被壓縮約I μ m。
[0037]將單模光纖的端頭處理成本實(shí)施例的形狀在利用硅波導(dǎo)建立連接時(shí)尤其有利。當(dāng)將光纖的纖芯直接或經(jīng)由模斑轉(zhuǎn)換器連接到通過(guò)硅光子學(xué)形成在襯底上的傳輸線的纖芯端面時(shí)，能夠可靠地建立物理接觸連接并且降低傳輸損耗。
[0038]圖8A和8B是當(dāng)本實(shí)施例的光連接器30A被連接到聚合物波導(dǎo)連接器60時(shí)的示意圖。在連接器60中，柔性聚合物波導(dǎo)40被夾持在套件50中。聚合物波導(dǎo)40的纖芯41的例子是在每側(cè)測(cè)量為50 μ m的多模纖芯，以與光纖20間相同的間隔,例如250 μ m的間隔分隔纖芯41。連接器60的套件50是PMT套件，該套件具有與MT套件相同的尺寸，并且與MT套件兼容，而且能夠通過(guò)使用導(dǎo)銷等進(jìn)行套件50針對(duì)光連接器30A的光纖20的精確定位。
[0039]放置光連接器30A和聚合物波導(dǎo)連接器60以使其互相面對(duì)，在光連接器30A的光纖纖芯21和聚合物波導(dǎo)連接器60的波導(dǎo)纖芯41之間建立物理接觸連接。光纖20的纖芯21的突出部分的長(zhǎng)度為2.0 μ m，纖芯21的壓力為2.0N。由于聚合物波導(dǎo)40的彈性系數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于石英的彈性系數(shù)，通過(guò)使波導(dǎo)纖芯41的端面彈性變形，石英基光纖20的纖芯21的突起部分21a實(shí)現(xiàn)物理接觸連接。
[0040]光纖20的纖芯21的突出部分的長(zhǎng)度和纖芯21的壓力不限于本示例，但是，光纖20的纖芯21的突出部分的長(zhǎng)度和纖芯21的壓力被設(shè)定使得配合時(shí)的形變不超過(guò)形成聚合物波導(dǎo)40的材料的屈服應(yīng)力。在現(xiàn)有的不拋光光纖中，由切割機(jī)切割引起的在光纖端面中出現(xiàn)的傾斜或毛邊經(jīng)常損壞聚合物波導(dǎo)纖芯，并且由于光連接器被重復(fù)地插入和斷開(kāi)，連接損耗增加。另一方面，在本實(shí)施例的光連接器中，通過(guò)將光纖纖芯21的端頭處理成從包層22突出的球形形狀，能夠在不損壞另一連接器的波導(dǎo)纖芯的情況下進(jìn)行連接器的插入和斷開(kāi)。
[0041]作為與光連接器連接的另一光連接器，可以使用塑料光纖(POF)連接器或硬塑料包層光纖(H-PCF)連接器代替使用石英光纖和聚合物波導(dǎo)連接器60的光連接器30B。
[0042]圖9A和9B是光連接器30A和光連接器30B的配合狀態(tài)的圖。圖9A是俯視圖，圖9B是側(cè)視圖。在光連接器30A和30B被導(dǎo)銷28定位后，光連接器30A和30B通過(guò)彈簧等使套件IOA和IOB分別緊壓光連接器30B和30A。在被推向內(nèi)部的同時(shí)，突出的光纖20在纖芯21的突起21a處建立物理接觸連接(見(jiàn)圖7A和7B)。如果在光纖20的長(zhǎng)度變化很大時(shí)，通過(guò)彈簧等在光纖20上一并地施加負(fù)荷以將光纖20推入套件IOA和IOB中，則光纖20上施加的負(fù)荷不一致。在這種情況下，在一些通道中有可能沒(méi)有建立物理接觸連接。
[0043]為了解決這個(gè)問(wèn)題，本實(shí)施例中，在套件IOA和IOB中設(shè)置空間15，光纖20的根部被粘合劑固定，如圖6所示，光纖20被保持在使光纖20的端頭略微突出的狀態(tài)。
[0044]當(dāng)光連接器30A和30B被互相連接時(shí)，光纖20以光纖20的突出部分的長(zhǎng)度遞減的順序接觸對(duì)應(yīng)的光纖20。光纖20可以在套件IOA和IOB的光纖導(dǎo)孔13中移動(dòng)，在內(nèi)部空間15中多余部分略微變彎。光纖20在空間15中彎曲的結(jié)果是，能夠沿軸向方向在光纖20上施加獨(dú)立的壓曲負(fù)荷。
[0045]圖10是應(yīng)用有本實(shí)施例的光連接器30的光互連的例子。安裝有大規(guī)模集成電路85的板80通過(guò)光連接器30A和30B或60連接到背板70。背板70上的光傳輸線路71例如是使用光纖的傳輸線路。
[0046]本實(shí)施例的光連接器30適用于位于背板70上的連接器和位于板80上的連接器。當(dāng)基于光纖的光連接器30A和30B被用作這些連接器時(shí)，如圖7A和7B中所示，光纖20之間的物理接觸連接被建立。當(dāng)聚合物波導(dǎo)連接器60被用作板80上的連接器時(shí)，得到了圖8A和8B中所示的連接模式。作為板80上的傳輸線路81，從布線容易和耐彎曲的角度，經(jīng)常采用柔性波導(dǎo)。本實(shí)施例的光連接器30在光纖到聚合物波導(dǎo)連接中也有用。
[0047]如上所述，在本實(shí)施例的方法中，通過(guò)控制石英光纖纖芯摻雜的摻雜量，使纖芯的折射率高于包層的折射率并且纖芯的熔點(diǎn)低于包層的熔點(diǎn)。纖芯和包層之間的折射率差為1%到3%。用比現(xiàn)有的電弧放電方法的電弧功率更小的電弧功率處理這樣的光纖,能夠通過(guò)優(yōu)先熔化纖芯部分而僅使纖芯從光纖的端面突出。這種配置使得很容易進(jìn)行與其它傳輸線路(例如光纖、聚合物波導(dǎo)、POF和H-PCF)的物理接觸連接。
[0048]即使在重復(fù)執(zhí)行插入聚合物波導(dǎo)或塑料光纖(POF)以及從聚合物波導(dǎo)或塑料光纖(POF)斷開(kāi)時(shí)，也能夠減少對(duì)聚合物波導(dǎo)或塑料光纖的損壞。通過(guò)提供具有錐形形狀的光纖端頭，很容易進(jìn)行將光纖插入到套件中的處理，這使得能夠?qū)崿F(xiàn)成本降低。當(dāng)采用多光纖連接器時(shí)，通過(guò)在套件的空間中彎曲光纖，能夠吸收光纖之間長(zhǎng)度差異。與通過(guò)拋光進(jìn)行精確處理相比，很容易進(jìn)行電弧放電處理，并且能夠降低成本。通過(guò)結(jié)合激光處理和電弧放電，能夠形成包層端頭的錐形形狀以及纖芯的從包層端面突出的突起部的球形突起。因此，實(shí)現(xiàn)了高精度的物理接觸連接。
[0049]本實(shí)施例中所描述的結(jié)構(gòu)僅僅是例子，即使當(dāng)包層外徑和纖芯直徑與本實(shí)施例的包層外徑和纖芯直徑不同時(shí)，也能夠?qū)嵤┤魏问⒐饫w。作為光連接器，除了多光纖連接器，可以使用單纖芯連接器，例如可以使用常用的方形連接器SC (Square Connector)和套筒連接器 FC (Ferrule Connector)。
[0050]不僅能夠?qū)⒈緦?shí)施例的光纖應(yīng)用于匹配連接器，還能夠用于機(jī)械接頭等，并且在進(jìn)行到波導(dǎo)裝置的永久性連接時(shí)使用本實(shí)施例的光纖。
[0051]優(yōu)點(diǎn)
[0052]實(shí)現(xiàn)了能夠進(jìn)行高精度物理接觸連接的光連接器。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造光連接器的方法，包括: 通過(guò)電弧放電，使得只有纖芯從光纖的端面呈球狀地突出，通過(guò)添加增加所述纖芯的折射率并降低所述纖芯的熔點(diǎn)的摻雜物，所述光纖具有纖芯和包層之間1%到3%的折射率差；以及 將經(jīng)電弧放電處理的所述光纖安裝在套件中。
2.如權(quán)利要求1所述的制造光連接器的方法，其中 通過(guò)電弧放電，將包層端頭部分的外周處理成錐形形狀。
3.如權(quán)利要求1或2所述的制造光連接器的方法，還包括: 電弧放電之前，將添加有所述摻雜物的所述光纖切割成預(yù)定長(zhǎng)度。
4.如權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的制造光連接器的方法，其中 所述摻雜物包括Ge02、P2O5、稀土氧化物和稀土氯化物中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)所述的制造光連接器的方法，其中 通過(guò)設(shè)置10.3到13.0毫安的放電電流進(jìn)行300到1000毫秒的電弧放電。
6.如權(quán)利要求1到5中任一項(xiàng)所述的制造光連接器的方法，其中 套件中的安裝包括將經(jīng)所述電弧放電處理的所述光纖插入到形成在所述套件中的光纖導(dǎo)孔中。
7.一種光連接器，包括: 光纖；以及 夾持部分，其夾持光纖；其中 所述光纖的纖芯和包層之間的折射率差為1%到3%，以及 在所述光纖的端頭處所述纖芯從所述包層的端面呈球形地突出。
8.如權(quán)利要求7所述的光連接器，其中 在所述光纖的端頭處所述包層具有錐形外周。
9.如權(quán)利要求7或8所述的光連接器，其中 所述光纖的纖芯中添加有增加折射率并降低熔點(diǎn)的摻雜物。
10.如權(quán)利要求7到9中任一項(xiàng)所述的光連接器，其中 當(dāng)所述光連接器不與另一連接器配合時(shí)，所述光纖的端頭從套件突出，以及所述套件內(nèi)部具有空間，并且在所述光連接器與另一連接器配合時(shí)允許所述光纖在所述空間中彎曲。
【文檔編號(hào)】G02B6/38GK103676017SQ201310358962
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年8月16日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月18日
【發(fā)明者】青木剛, 青木重憲, 村中秀史 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社