專利名稱：液晶像素電極結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種液晶像素電極結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
在液晶顯不技術(shù)中，AD_SDS(ADvanced Super Dimension Switch,高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)，簡(jiǎn)稱ADS)模式以透過(guò)率高、寬視角、響應(yīng)速度快和功耗低的優(yōu)點(diǎn)逐漸取代TN( TwistedNemat i c )液晶模式，成為液晶顯示領(lǐng)域的重要技術(shù)之一?；贏DS模式的顯示器通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)?，F(xiàn)有ADS模式顯示面板的結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括彩膜基板2、陣列基板3、以及兩者對(duì)盒之后灌注的液晶I，其中陣列基板3還包括像素電極4 (相當(dāng)于狹縫電極)、公共電極5、以及鈍化層6。圖1中虛線左邊表示未加電壓狀態(tài)，右邊表示加電壓狀態(tài)。當(dāng)加電壓時(shí)，盒內(nèi)電場(chǎng)線呈拋物線狀，液晶分子在電場(chǎng)線作用下發(fā)生扭曲旋轉(zhuǎn)，從而達(dá)到控制光線的目的?，F(xiàn)有ADS模式電極結(jié)構(gòu)的透過(guò)率特性如圖2中曲線所示，光透過(guò)率在像素電極的邊緣處最大，而在相鄰像素電極之間和像素電極中間處，光透過(guò)率極小。在現(xiàn)有的ADS模式中，采用單個(gè)像素電極完全覆蓋公共電極的設(shè)計(jì)，電極通常是一層ITO薄膜，ITO透過(guò)率約為0.91，光線經(jīng)過(guò)像素電極和公共電極兩層ITO薄膜的透過(guò)率約為0.80，損耗接近0.20。此外，現(xiàn)有ADS模式中相鄰像素電極之間和像素電極的中間位置電場(chǎng)較弱，需要較高的驅(qū)動(dòng)電壓以保證液晶驅(qū)動(dòng)。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是:提供一種能夠提高現(xiàn)有ADS模式透過(guò)率，并降低驅(qū)動(dòng)電壓，減少能耗的液晶像素電極結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置。(二)技術(shù)方案為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種液晶像素電極結(jié)構(gòu)，其包括:第一像素電極和第二像素電極、以及公共電極，所述第一像素電極和第二像素電極依次間隔排布，且位于所述公共電極上方，所述第一像素電極和第二像素電極的驅(qū)動(dòng)電壓不同，且分別與所述公共電極之間形成相等的電壓差絕對(duì)值。優(yōu)選地，所述公共電極為狹縫電極。優(yōu)選地，所述狹縫電極的開(kāi)口位置對(duì)應(yīng)于所述第一像素電極或者所述第二像素電極的位置。
優(yōu)選地，所述開(kāi)口的面積小于相應(yīng)的所述第一像素電極或者所述第二像素電極的面積。優(yōu)選地，所述第一像素電極和第二像素電極由ITO材料制成。優(yōu)選地，所述公共電極由ITO材料制成。優(yōu)選地，所述電極結(jié)構(gòu)還包括位于所述公共電極與所述第一像素電極及第二像素電極之間的鈍化層。本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括上述的電極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。(三)有益效果本發(fā)明中兩種像素電極相互可以產(chǎn)生電場(chǎng)，同時(shí)這兩種電極也可以分別與公共電極產(chǎn)生電場(chǎng)，兩種電場(chǎng)綜合起來(lái)可降低驅(qū)動(dòng)電壓的需求，減少能耗。此外，本發(fā)明中公共電極采用狹縫電極，光透過(guò)率得到提升。


圖1是現(xiàn)有ADS模式顯示面板的結(jié)構(gòu)圖；圖2是現(xiàn)有ADS模式電極結(jié)構(gòu)的透過(guò)率特性曲線；圖3是本發(fā)明提供的一種ADS模式下的液晶像素電極結(jié)構(gòu)圖；圖4是本發(fā)明一種實(shí)施例中所需提供的驅(qū)動(dòng)電壓的示意圖；圖5是本發(fā)明提供的一種ADS模式電極結(jié)構(gòu)的透過(guò)率特性曲線。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。圖3是本發(fā)明提供的一種ADS模式下的液晶像素電極結(jié)構(gòu)圖，包括:第一像素電極7和第二像素電極8、以及公共電極9，所述第一像素電極7和第二像素電極8依次間隔排布，且位于所述公共電極9上方。所述第一像素電極7和第二像素電極8的驅(qū)動(dòng)電壓不同，它們之間會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)，其電場(chǎng)線標(biāo)記為10。同時(shí)，第一像素電極7和第二像素電極8又分別與公共電極9之間產(chǎn)生電場(chǎng)，其電場(chǎng)線標(biāo)記為11。本發(fā)明中，第一像素電極7和第二像素電極8分別與公共電極9之間形成相等的電壓差。例如，為第一像素電極7和第二像素電極8提供的驅(qū)動(dòng)電壓分別為8v和0v，為公共電極9提供的驅(qū)動(dòng)電壓為4v，那么第一像素電極7和第二像素電極8之間的電壓差為8v，而這兩種像素電極與公共電極9之間的電壓差絕對(duì)值均為4v。圖4是本實(shí)施例所需提供的驅(qū)動(dòng)電壓的示意圖?，F(xiàn)有ADS模式中相鄰像素電極之間和像素電極的中間位置電場(chǎng)較弱，需要較高的驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)保證液晶驅(qū)動(dòng)。本發(fā)明中得益于第一像素電極7和第二像素電極8之間的電場(chǎng)作用，通過(guò)兩種電場(chǎng)(10和11)的綜合作用，降低了對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的需求，減少了能耗。其中，第一像素電極7和第二像素電極8由ITO材料制成，公共電極9也由ITO材料制成，所述電極結(jié)構(gòu)還包括位于公共電極9與第一像素電極7及第二像素電極8之間的鈍化層。本發(fā)明中的公共電極9為狹縫電極，所述狹縫電極的開(kāi)口位置對(duì)應(yīng)于所述第一像素電極7或者第二像素電極8的位置。較優(yōu)地，所述開(kāi)口的面積小于相應(yīng)的第一像素電極7或者第二像素電極8的面積。由于公共電極被刻蝕掉一部分區(qū)域，使得光線無(wú)需透過(guò)兩層ITO電極，提升了透過(guò)率。同時(shí)，由于公共電極的面積減少，可降低儲(chǔ)存電容C，減小耗電量，進(jìn)一步降低能耗。
其中存儲(chǔ)電容C=εS/d,ε為介電常數(shù)，S為公共電極與相應(yīng)的像素電極重疊的面積，d為公共電極與像素電極之間的距離。本發(fā)明提供的ADS模式電極結(jié)構(gòu)的透過(guò)率特性曲線如圖5所示，從圖中可以看出，與現(xiàn)有技術(shù)相比，相鄰像素電極之間和像素電極中間處的光透過(guò)率得到了提升。本發(fā)明還提供一種陣列基板，所述陣列基板包括上述的電極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種液晶像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:第一像素電極和第二像素電極、以及公共電極，所述第一像素電極和第二像素電極依次間隔排布，且位于所述公共電極上方，所述第一像素電極和第二像素電極的驅(qū)動(dòng)電壓不同，且分別與所述公共電極之間形成相等的電壓差絕對(duì)值。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述公共電極為狹縫電極。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述狹縫電極的開(kāi)口位置對(duì)應(yīng)于所述第一像素電極或者所述第二像素電極的位置。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述開(kāi)口的面積小于相應(yīng)的所述第一像素電極或者所述第二像素電極的面積。
5.如權(quán)利要求1所述的液晶像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一像素電極和第二像素電極由ITO材料制成。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述公共電極由ITO材料制成。
7.如權(quán)利要求1所述的液晶像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極結(jié)構(gòu)還包括位于所述公共電極與所述第一像素電極及第二像素電極之間的鈍化層。
8.—種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的液晶像素電極結(jié)構(gòu)。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求8所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種液晶像素電極結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。所述電極結(jié)構(gòu)包括第一像素電極和第二像素電極、以及公共電極，所述第一像素電極和第二像素電極依次間隔排布，且位于所述公共電極上方，所述第一像素電極和第二像素電極的驅(qū)動(dòng)電壓不同，且分別與所述公共電極之間形成相等的電壓差絕對(duì)值。本發(fā)明中兩種像素電極相互可以產(chǎn)生電場(chǎng)，同時(shí)這兩種電極也可以分別與公共電極產(chǎn)生電場(chǎng)，兩種電場(chǎng)綜合起來(lái)可降低驅(qū)動(dòng)電壓的需求，減少能耗。此外，本發(fā)明中公共電極采用狹縫電極，光透過(guò)率得到提升。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK103176317SQ20131011886
公開(kāi)日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2013年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月7日
發(fā)明者文鍾源, 黃強(qiáng), 樸臺(tái)圭 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司