專利名稱：一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器)中，TFT開關(guān)中的柵極和源極之間通常存在電容。當(dāng)TFT關(guān)閉時，柵極電壓由高電平變換至低電平，由于柵源極電容的存在，像素電極上的電壓也將由于電容耦合效應(yīng)被拉低，從而偏離系統(tǒng)預(yù)先設(shè)定的電壓，如圖1所示，當(dāng)柵極電壓\為正電壓驅(qū)動TFT時，像素電壓Vp小于設(shè)定值，而當(dāng)柵極電壓Ve為負(fù)電壓驅(qū)動TFT時，像素電壓Vp大于設(shè)定值。具體的，像素電壓Vp相對設(shè)定值的偏移量為:AVp= (Vgh-Vgl) *Cgs/ (Clc+Cst+Cgs) 式 I其等效電路結(jié)構(gòu)可以如圖2所示，由式I可知，柵極電壓變化對于像素電壓的影響主要由柵極開啟和關(guān)閉電壓的壓差(vra，va)，柵源極電容(Cffi),液晶電容(Cd和存儲電容(Cst)決定。為了克服由于像素電壓偏移而造成的顯示不良，現(xiàn)有的液晶顯示裝置通常采用公共電壓對像素電壓的偏移量進行補償。如圖1所示，可以令公共電壓Vcom = - A Vp，這樣即可消除像素電壓偏移所造成的影響。但其不足之處在于，在現(xiàn)有的液晶顯示裝置中，TFT的柵源極之間的電容Ces通常并不固定，這將導(dǎo)致像素電壓Vp相對設(shè)定值的偏移量A Vp產(chǎn)生差異，從而難以使用單一公共電壓對像素電壓偏移進行補償，進而影響液晶的偏轉(zhuǎn)方向，使得液晶分子在正電壓驅(qū)動和負(fù)電壓驅(qū)動時的透過率變得不同。這樣一來，由于液晶分子發(fā)生不必要的偏轉(zhuǎn)，人眼將會感受到屏幕明顯的閃爍，顯示屏幕長時間的閃爍還將引起人眼的不適，嚴(yán)重影響用戶的使用感受
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，可以克服TFT柵源極之間電容不固定的缺陷，避免屏幕的閃爍，提高顯示裝置的顯示效果。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:本發(fā)明實施例的一方面，提供一種陣列基板，包括:以陣列形式排列的多個像素單元、與各所述像素單元對應(yīng)的橫縱交叉排列的柵線和數(shù)據(jù)線，每個所述像素單元包括薄膜晶體管TFT區(qū)域以及像素電極區(qū)域，所述TFT區(qū)域包括至少兩個TFT ；每個所述TFT的源極均與所述數(shù)據(jù)線電連接，每個所述TFT的柵極均與所述柵線電連接，每個所述TFT的漏極均與所述像素電極電連接。本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上所述的陣列基板。本發(fā)明實施例的又一方面，提供一種陣列基板制造方法，包括:在透明基板上形成柵線以及柵極層，所述柵極層對應(yīng)每個TFT區(qū)域內(nèi)包括至少兩個TFT的柵極，每個所述TFT的柵極均與所述柵線電連接；在每個所述TFT的柵極的表面依次形成半導(dǎo)體有源層以及柵極保護層；在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板上形成數(shù)據(jù)線、像素電極以及源漏極層，所述源漏極層包括至少兩個TFT的源極和漏極，每個所述TFT的源極均與所述數(shù)據(jù)線電連接，每個所述TFT的漏極均與所述像素電極電連接。本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制造方法、顯示裝置，陣列基板包括以陣列形式排列的多個像素單元、與各像素單元對應(yīng)的橫縱交叉排列的柵線和數(shù)據(jù)線，每個像素單元又包括一個薄膜晶體管TFT區(qū)域，該TFT區(qū)域又包括至少兩個TFT，每個TFT的源極均與數(shù)據(jù)線電連接，每個TFT的柵極均與柵線電連接，每個TFT的漏極均與像素電極電連接。采用這樣一種多TFT結(jié)構(gòu)，各TFT的柵源極電容之間相互并聯(lián)，總的柵源極電容將保持不變，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)中TFT柵源極之間電容不固定的缺陷，這樣一來，使用單一公共電壓即可以對像素電壓偏移進行有效補償，從而避免了屏幕的閃爍，大大提高顯示裝置的顯示效果。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板驅(qū)動信號的波形示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板中像素單元的電路等效結(jié)構(gòu)示意圖；圖3a為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3b為圖3a所示的陣列基板的中的一個像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板中像素單元的電路等效結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板制造方法的流程示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明實施例提供的陣列基板，如圖3a所示，包括:以陣列形式排列的多個像素單元31、與各像素單元31對應(yīng)的橫縱交叉排列的柵線32和數(shù)據(jù)線33，每個像素單元31包括薄膜晶體管TFT區(qū)域311以及像素電極312，其中，TFT區(qū)域311的結(jié)構(gòu)可以如圖3b所示，該TFT區(qū)域311包括至少兩個TFT。其中，每個TFT的源極均與數(shù)據(jù)線電連接，每個TFT的柵極均與柵線電連接，每個TFT的漏極均與像素電極電連接。本發(fā)明實施例提供的陣列基板，包括以陣列形式排列的多個像素單元、與各像素單元對應(yīng)的橫縱交叉排列的柵線和數(shù)據(jù)線，每個像素單元又包括一個薄膜晶體管TFT區(qū)域，該TFT區(qū)域又包括至少兩個TFT，每個TFT的源極均與數(shù)據(jù)線電連接，每個TFT的柵極均與柵線電連接，每個TFT的漏極均與像素電極電連接。采用這樣一種多TFT結(jié)構(gòu)，各TFT的柵源極電容之間相互并聯(lián)，總的柵源極電容將保持不變，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)中TFT柵源極之間電容不固定的缺陷，這樣一來，使用單一公共電壓即可以對像素電壓偏移進行有效補償，從而避免了屏幕的閃爍，大大提高顯示裝置的顯示效果。需要說明的是，在如圖3b所示的陣列基板中，是以TFT區(qū)域311包括相對設(shè)置的第一 TFT 34和第二 TFT 35為例進行的說明。具體的，當(dāng)TFT區(qū)域311的面積不變時，每個TFT的尺寸隨著TFT數(shù)量的增加而減小，當(dāng)TFT數(shù)量較多時，為保證每個TFT的尺寸精度，要求掩膜曝光的精度也將隨之上升，這不僅會提高掩膜板制作的難度，同時對生產(chǎn)工藝的要求也將更高，采用兩個TFT的結(jié)構(gòu)可以避免由于TFT尺寸過小而造成的生產(chǎn)難度上升。應(yīng)當(dāng)理解，TFT區(qū)域311包括兩個TFT也僅是舉例說明，而并非對本發(fā)明實施例所做的限制。其中，該第一 TFT34與第二 TFT35的源極(341、351)均與數(shù)據(jù)線33電連接，該第
一TFT34與第二 TFT35的柵極(342、352)均與柵線32電連接，該第一 TFT34與第二 TFT35的漏極(343、353)均與像素電極312電連接。進一步地，在如圖3b所示的陣列基板中，第一 TFT34的尺寸可以與第二 TFT的尺寸相等。例如，在本發(fā)明實施例中，第一 TFT34的尺寸與第二 TFT35的尺寸均可以等于TFT區(qū)域311面積的一半。尺寸相同的兩個TFT具有相同的電學(xué)特性，采用這樣一種尺寸相同的雙TFT設(shè)計可以提高兩個TFT之間的均一性。在本發(fā)明實施例中，每一個像素單元內(nèi)均采用雙TFT設(shè)計，在TFT尺寸不變的情況下，這樣一種并聯(lián)的雙TFT設(shè)計可以使得輸入像素電極的開電流加倍。因此在保證開電流不變的情況下，可以相應(yīng)的減小TFT的尺寸，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在不擴大TFT區(qū)域面積的基礎(chǔ)上同樣可以實現(xiàn)對像素電極的有效供電。這樣一來，在提高顯示裝置的顯示效果的同時，有效保證了陣列基板的開口率。進一步地，如圖3b所示，第一 TFT34的源極341與第二 TFT35的源極351可以為一體結(jié)構(gòu)，第一 TFT34的漏極343與第二 TFT35的漏極353同樣可以為一體結(jié)構(gòu)。在陣列基板的制作過程中，第一 TFT34的源極與第二 TFT35的源極、第一 TFT34的漏極與第二 TFT35的漏極均可以是同層金屬材料通過一次構(gòu)圖工藝形成的圖案。這樣一來，大大降低了相應(yīng)圖案掩膜板的制造難度，進而簡化了顯示裝置產(chǎn)品的生產(chǎn)。其中，第一 TFT34的柵極342不與第二 TFT35的柵極352直接相連。從而避免了第一 TFT34與第二 TFT35之間發(fā)生不必要的干擾，保證了 TFT的質(zhì)量。需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，每個TFT均可以為“ 一 ”字型TFT結(jié)構(gòu)或者是“U”字型TFT結(jié)構(gòu)，本發(fā)明對此并不做限制。具體的，在如圖3b所示的陣列基板中，第一 TFT34與第二 TFT35均采用“U”字型TFT結(jié)構(gòu)，其中，第一 TFT34的源極341與第二 TFT35的源極351為相對設(shè)置的“U”字型結(jié)構(gòu)，第一 TFT34的漏極343與第二 TFT35的漏極353分別位于其源極的U型溝道內(nèi)。與“一”字型TFT結(jié)構(gòu)相比，“U”字型TFT結(jié)構(gòu)在保證TFT寬長比的基礎(chǔ)上具有更小的柵源極電容，且當(dāng)柵極層與源漏極層發(fā)生縱向?qū)ξ黄顣rTFT的柵源極電容也不會發(fā)生改變，其中，柵極層與源漏極層發(fā)生縱向?qū)ξ黄罹唧w是指TFT的源漏極層相對柵極層發(fā)生沿數(shù)據(jù)線方向的移動。這樣一來，進一步克服了現(xiàn)有技術(shù)中TFT柵源極之間電容不固定的缺陷。在實際應(yīng)用的過程中，TFT的柵極層與源漏極層之間通常還存在著半導(dǎo)體層和柵極保護層，這樣將在TFT的柵源極之間形成電容，正是由于該電容的存在，像素電極上的電壓也將由于電容的耦合效應(yīng)相對設(shè)定值發(fā)生偏移。其中，TFT的柵源極之間的電容容量可以用平行板電容容量公式表示為:
C= e S/d 式 2根據(jù)式2可知，當(dāng)電容之間的介質(zhì)層厚度d和介質(zhì)材料e不變時，TFT柵源極之間的電容值與柵極層和源漏極層之間的交疊面積S成正比。“U”字型TFT結(jié)構(gòu)在保證TFT寬長比的情況下具有很小的柵源極電容，且當(dāng)柵極層與源漏極層之間發(fā)生縱向?qū)ξ黄顣r該柵源極電容也不會改變。當(dāng)柵極層與源漏極層之間發(fā)生橫向?qū)ξ黄顣r，米用本發(fā)明實施例提供的這樣一種多TFT結(jié)構(gòu)的柵源極電容同樣不會發(fā)生改變，其中，柵極層與源漏極層發(fā)生橫向?qū)ξ黄罹唧w是指TFT的源漏極層相對柵極層發(fā)生沿柵線方向的移動。具體的，本發(fā)明實施例提供的陣列基板中每一個像素單元內(nèi)的電路等效結(jié)構(gòu)可以如圖4所示，同樣是以TFT區(qū)域包括相對設(shè)置“U”字型的第一 TFT34以及第二 TFT35為例進行的說明。其中，第一 TFT34柵源極之間的電容為Cffil，第二 TFT35柵源極之間的電容為Cffi2，液晶電容為和存儲電容為CST，當(dāng)柵線32控制TFT處于開啟狀態(tài)時，數(shù)據(jù)線33通過如圖所示的雙TFT結(jié)構(gòu)向像素電極312供電。可以看到，第一 TFT34柵源極之間的電容Cffil與第二 TFT35柵源極之間的電容Ces2二者相互并聯(lián)，互為補償。在陣列基板的制作過程中，由于制作工藝的限制，TFT的柵極層與源漏極層之間極易發(fā)生縱向或者橫向的對位偏差，采用本發(fā)明實施例所提供的雙TFT結(jié)構(gòu)的陣列基板可以有效避免由于柵極層與源漏極層之間存在縱向或者橫向的對位偏差所造成的柵源極電容值的變化。例如，當(dāng)TFT的源漏極層相對柵極層向遠(yuǎn)離第一 TFT34的方向發(fā)生橫向錯位時，第一 TFT34柵源極之間的電容Cesi會因為上下基板交疊面積的減小而減小，同時第二 TFT35柵源極之間的電容Cffi2會因為上下基板交疊面積的增大而增大，由于電容Cffil與Cffi2并聯(lián)，由并聯(lián)電容公式可知總的電容Cffi = CGS1+CGS2大小將保持不變。采用這樣一種多TFT結(jié)構(gòu)，各TFT的柵源極電容之間相互并聯(lián)，總的柵源極電容將保持不變，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)中TFT柵源極之間電容不固定的缺陷，這樣一來，如圖4所示，通過使用單一公共電壓Vcom即可以對像素電壓偏移進行有效補償，從而避免了屏幕的閃爍，大大提高顯示裝置的顯示效果。本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，其包括上述任意一種陣列基板。所述顯示裝置可以為:手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、照相機、攝像機、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。其中，陣列基板的結(jié)構(gòu)在前述實施例中已做了詳細(xì)的描述，故此處不再贅述。本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，包括陣列基板，該陣列基板包括以陣列形式排列的多個像素單元、與各像素單元對應(yīng)的橫縱交叉排列的柵線和數(shù)據(jù)線，每個像素單元又包括一個薄膜晶體管TFT區(qū)域，該TFT區(qū)域又包括至少兩個TFT，每個TFT的源極均與數(shù)據(jù)線電連接，每個TFT的柵極均與柵線電連接，每個TFT的漏極均與像素電極電連接。采用這樣一種多TFT結(jié)構(gòu)，各TFT的柵源極電容之間相互并聯(lián)，總的柵源極電容將保持不變，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)中TFT柵源極之間電容不固定的缺陷，這樣一來，使用單一公共電壓即可以對像素電壓偏移進行有效補償，從而避免了屏幕的閃爍，大大提高顯示裝置的顯示效果。本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板制造方法，如圖5所示，包括:S501、通過構(gòu)圖工藝在透明基板上形成柵線以及柵極層，該柵極層對應(yīng)每個TFT區(qū)域內(nèi)包括至少兩個TFT的柵極，每個TFT的柵極均與柵線電連接。
S502、通過構(gòu)圖工藝在每個TFT的柵極的表面依次形成半導(dǎo)體有源層以及柵極保護層。S503、通過構(gòu)圖工藝在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板上形成數(shù)據(jù)線、像素電極以及源漏極層，該源漏極層包括至少兩個TFT的源極和漏極，每個TFT的源極均與數(shù)據(jù)線電連接，每個TFT的漏極均與像素電極電連接。本發(fā)明實施例提供的陣列基板制造方法，該陣列基板包括以陣列形式排列的多個像素單元、與各像素單元對應(yīng)的橫縱交叉排列的柵線和數(shù)據(jù)線，每個像素單元又包括一個薄膜晶體管TFT區(qū)域，該TFT區(qū)域又包括至少兩個TFT，每個TFT的源極均與數(shù)據(jù)線電連接，每個TFT的柵極均與柵線電連接，每個TFT的漏極均與像素電極電連接。采用這樣一種多TFT結(jié)構(gòu)，各TFT的柵源極電容之間相互并聯(lián)，總的柵源極電容將保持不變，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)中TFT柵源極之間電容不固定的缺陷，這樣一來，使用單一公共電壓即可以對像素電壓偏移進行有效補償，從而避免了屏幕的閃爍，大大提高顯示裝置的顯示效果。具體的，陣列基板可以包括相對設(shè)置的第一 TFT和第二 TFT。其中，第一 TFT與第二 TFT的源極均可以與數(shù)據(jù)線電連接，第一 TFT與第二 TFT的柵極均可以與柵線電連接，第一 TFT與第二 TFT的漏極均可以與像素電極電連接。這樣，當(dāng)TFT區(qū)域的面積不變時，每個TFT的尺寸隨著TFT數(shù)量的增加而增加，采用兩個TFT的結(jié)構(gòu)可以避免由于TFT尺寸過小而造成的生產(chǎn)難度上升。應(yīng)當(dāng)理解，TFT區(qū)域包括兩個TFT也僅是舉例說明，而并非對本發(fā)明實施例所做的限制。進一步地，第一 TFT的尺寸與第二 TFT的尺寸可以相等。例如，在本發(fā)明實施例中，第一 TFT的尺寸與第二 TFT的尺寸均可以等于TFT區(qū)域面積的一半。尺寸相同的兩個TFT具有相同的電學(xué)特性，采用這樣一種尺寸相同的雙TFT設(shè)計可以提高兩個TFT之間的均一性。在本發(fā)明實施例中，每一個像素單元內(nèi)均采用雙TFT設(shè)計，在TFT尺寸不變的情況下，這樣一種并聯(lián)的雙TFT設(shè)計可以使得輸入像素電極的開電流加倍。因此在保證開電流不變的情況下，可以相應(yīng)的減小TFT的尺寸，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在不擴大TFT區(qū)域面積的基礎(chǔ)上同樣可以實現(xiàn)對像素電極的有效供電。這樣一來，在提高顯示裝置的顯示效果的同時，有效保證了陣列基板的開口率。進一步地，第一 TFT的源極與第二 TFT的源極可以為一體結(jié)構(gòu)，第一 TFT的漏極與第二 TFT的漏極同樣可以為一體結(jié)構(gòu)。在陣列基板的制作過程中，第一 TFT的源極與第二 TFT的源極、第一 TFT的漏極與第二 TFT的漏極均可以是同層金屬材料通過一次構(gòu)圖工藝形成的圖案。這樣一來，大大降低了相應(yīng)圖案掩膜板的制造難度，進而簡化了顯示裝置產(chǎn)品的生產(chǎn)。其中，第一 TFT的柵極不與第二 TFT的柵極直接相連。從而避免了第一 TFT與第
二TFT之間發(fā)生不必要的干擾，保證了 TFT的質(zhì)量。需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，每個TFT均可以為“ 一 ”字型TFT結(jié)構(gòu)或者是“U”字型TFT結(jié)構(gòu)，本發(fā)明對此并不做限制。具體的，在如圖3b所示的陣列基板中，第一 TFT34與第二 TFT35均采用“U”字型TFT結(jié)構(gòu)，其中，第一 TFT34的源極341與第二 TFT35的源極351為相對設(shè)置的“U”字型結(jié)構(gòu)，第一 TFT34的漏極343與第二 TFT35的漏極353分別位于其源極的U型溝道內(nèi)。與“一”字型TFT結(jié)構(gòu)相比，“U”字型TFT結(jié)構(gòu)在保證TFT寬長比的基礎(chǔ)上具有更小的柵源極電容，且當(dāng)柵極層與源漏極層發(fā)生縱向?qū)ξ黄顣rTFT的柵源極電容也不會發(fā)生改變，其中，柵極層與源漏極層發(fā)生縱向?qū)ξ黄罹唧w是指TFT的源漏極層相對柵極層發(fā)生沿數(shù)據(jù)線方向的移動。這樣一來，進一步克服了現(xiàn)有技術(shù)中TFT柵源極之間電容不固定的缺陷。以上實施例所采用的構(gòu)圖工藝通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括:以陣列形式排列的多個像素單元、與各所述像素單元對應(yīng)的橫縱交叉排列的柵線和數(shù)據(jù)線，每個所述像素單元包括薄膜晶體管TFT區(qū)域以及像素電極區(qū)域，其特征在于，所述TFT區(qū)域包括至少兩個TFT ； 每個所述TFT的源極均與所述數(shù)據(jù)線電連接，每個所述TFT的柵極均與所述柵線電連接，每個所述TFT的漏極均與所述像素電極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述TFT區(qū)域包括: 相對設(shè)置的第一 TFT和第二 TFT ； 所述第一 TFT與所述第二 TFT的源極均與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述第一 TFT與所述第二 TFT的柵極均與所述柵線電連接，所述第一 TFT與所述第二 TFT的漏極均與所述像素電極電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一TFT的尺寸與所述第二 TFT的尺寸相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的陣列基板，其特征在于，每個所述TFT的源極為一體結(jié)構(gòu)，每個所述TFT的漏極均為一體結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的陣列基板，其特征在于，每個所述TFT均為U字型TFT結(jié)構(gòu)。
6.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1-5任一所述陣列基板。
7.—種陣列基板制造方法，其特征在于，包括: 在透明基板上形成柵線以及柵極層，所述柵極層對應(yīng)每個TFT區(qū)域內(nèi)包括至少兩個TFT的柵極，每個所述TFT的柵極均與所述柵線電連接； 在每個所述TFT的柵極的表面依次形成半導(dǎo)體有源層以及柵極保護層； 在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板上形成數(shù)據(jù)線、像素電極以及源漏極層，所述源漏極層包括至少兩個TFT的源極和漏極，每個所述TFT的源極均與所述數(shù)據(jù)線電連接，每個所述TFT的漏極均與所述像素電極電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述陣列基板包括: 相對設(shè)置的第一 TFT和第二 TFT ； 所述第一 TFT與所述第二 TFT的源極均與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述第一 TFT與所述第二 TFT的柵極均與所述柵線電連接，所述第一 TFT與所述第二 TFT的漏極均與所述像素電極電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第一TFT的尺寸與所述第二 TFT的尺寸相等。
10.根據(jù)權(quán)利要求7-9任一所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第一TFT的源極與所述第二 TFT的源極為一體結(jié)構(gòu)，所述第一 TFT的漏極與所述第二 TFT的漏極為一體結(jié)構(gòu)； 所述第一 TFT的柵極不與所述第二 TFT的柵極直接相連。
11.根據(jù)權(quán)利要求7-9任一所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第一TFT與所述第二 TFT均為U字型TFT結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可以克服TFT柵源極之間電容不固定的缺陷，避免屏幕的閃爍，提高顯示裝置的顯示效果。陣列基板包括以陣列形式排列的多個像素單元、與各所述像素單元對應(yīng)的橫縱交叉排列的柵線和數(shù)據(jù)線，每個所述像素單元包括薄膜晶體管TFT區(qū)域以及像素電極，所述TFT區(qū)域包括至少兩個TFT；每個所述TFT的源極均與所述數(shù)據(jù)線電連接，每個所述TFT的柵極均與所述柵線電連接，每個所述TFT的漏極均與所述像素電極電連接。
文檔編號G02F1/1368GK103186001SQ20131010076
公開日2013年7月3日 申請日期2013年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月27日
發(fā)明者王智勇 申請人:北京京東方光電科技有限公司