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有源陣列基板及其制造方法

文檔序號:2699567閱讀:121來源:國知局
有源陣列基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種有源陣列基板及其制造方法。有源陣列基板包括一基板、一導(dǎo)電層及一配向膜?;寰哂幸挥性磪^(qū)域、一無配向區(qū)域及一框膠區(qū)域,其中無配向區(qū)域圍繞有源區(qū)域,框膠區(qū)域圍繞有源區(qū)域及無配向區(qū)域。導(dǎo)電層配置于基板上,且形成一溝槽,其中溝槽對應(yīng)無配向區(qū)的部分填滿一第一疏離材質(zhì),且第一疏離材質(zhì)經(jīng)一表面處理。配向膜配置于導(dǎo)電層上非對應(yīng)無配向區(qū)域的部分,且配向膜由一配向膜溶液所形成,其中配向膜溶液與經(jīng)表面處理的第一疏離材質(zhì)相互排斥。
【專利說明】有源陣列基板及其制造方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有源陣列基板及其制造方法,且特別是涉及一種防止水氣傳導(dǎo)至有源區(qū)域的有源陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶(liquid crystal, LC)顯示面板一般為有源陣列基板及對向基板組立而成,為了使液晶顯示面板中的液晶可以順利轉(zhuǎn)動,液晶一般會與有源陣列基板呈現(xiàn)一預(yù)設(shè)角度。因此,會在有源陣列基板上配置一配向膜(alignment layer),以使液晶與有源陣列基板呈現(xiàn)此預(yù)設(shè)角度。并且,配向膜通常會覆蓋整個有源陣列基板,以致于液晶顯示面板在組立封裝之后,液晶顯示面板外的水氣可能會經(jīng)由配向膜傳導(dǎo)至液晶顯示面板內(nèi)部。當(dāng)水氣傳導(dǎo)至液晶顯示面板的有源區(qū)域時,有源區(qū)域上的液晶的光學(xué)特性會受水氣的影響,以致于影響液晶顯示面 板的顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種有源陣列基板,可防止水氣通過配向膜傳導(dǎo)至有源區(qū)域。
[0004]本發(fā)明提出一種有源陣列基板,包括一基板、一導(dǎo)電層及一配向膜。基板具有一有源區(qū)域、一無配向區(qū)域及一框膠區(qū)域,其中無配向區(qū)域圍繞有源區(qū)域,框膠區(qū)域圍繞有源區(qū)域及無配向區(qū)域。導(dǎo)電層配置于基板上,且形成一溝槽,其中溝槽對應(yīng)無配向區(qū)的部分填滿一第一疏離材質(zhì),且第一疏離材質(zhì)經(jīng)一表面處理。配向膜配置于導(dǎo)電層上非對應(yīng)無配向區(qū)域的部分,且配向膜由一配向膜溶液所形成,其中配向膜溶液與經(jīng)表面處理的第一疏離材質(zhì)相互排斥。
[0005]在本發(fā)明的一實施例中,基板還包括一低配向區(qū)域,圍繞有源區(qū)域及無配向區(qū)域,且與框膠區(qū)域重疊,溝槽對應(yīng)低配向區(qū)域的部分填滿一第二疏離材質(zhì)。配向膜溶液于經(jīng)表面處理的第二疏離材質(zhì)的接觸角小于配向膜溶液于經(jīng)表面處理的第一疏離材質(zhì)接觸角。
[0006]本發(fā)明也提出一種有源陣列基板的制造方法,包括下列步驟。配置一導(dǎo)電層于一基板上,其中基板具有一有源區(qū)域、一無配向區(qū)域及一框膠區(qū)域,無配向區(qū)域圍繞有源區(qū)域,框膠區(qū)域圍繞有源區(qū)域及無配向區(qū)域。于導(dǎo)電層形成一溝槽。在溝槽對應(yīng)無配向區(qū)域的部分填滿一第一疏離材質(zhì)。對第一疏離材質(zhì)進(jìn)行一表面處理。配置一配向膜溶液于導(dǎo)電層上以于導(dǎo)電層上非對應(yīng)無配向區(qū)域的部分形成一配向膜,其中配向膜溶液與經(jīng)表面處理的第一疏離材質(zhì)相互排斥。
[0007]在本發(fā)明的一實施例中,經(jīng)表面處理后的第一疏離材質(zhì)與配向膜溶液的接觸角大于120度。
[0008]在本發(fā)明的一實施例中,第一疏離材質(zhì)為包含醇官能基的材質(zhì)。
[0009]在本發(fā)明的一實施例中,表面處理為第一疏離材質(zhì)與一化學(xué)物質(zhì)化學(xué)反應(yīng)后于第一疏離材質(zhì)的表面形成多個長碳鏈以降低配向膜溶液于第一疏離材質(zhì)的附著性。[0010]在本發(fā)明的一實施例中,化學(xué)物質(zhì)為硅烷、酸類化學(xué)物質(zhì)及醇類化學(xué)物質(zhì)的其中
之一 O
[0011]在本發(fā)明的一實施例中,有源陣列基板的制造方法還包括:在溝槽對應(yīng)基板的一低配向區(qū)域的部分填滿一第二疏離材質(zhì),其中低配向區(qū)域圍繞有源區(qū)域及無配向區(qū)域,且與框膠區(qū)域重疊;對第一疏離材質(zhì)經(jīng)一表面處理,其中配向膜溶液于經(jīng)表面處理的第二疏離材質(zhì)的接觸角小于配向膜溶液于經(jīng)表面處理的第一疏離材質(zhì)接觸角。
[0012]在本發(fā)明的一實施例中,配向膜溶液利用旋轉(zhuǎn)涂布法配置于導(dǎo)電層上。
[0013]基于上述,本發(fā)明實施例的有源陣列基板及其制造方法,其于導(dǎo)電層的溝槽對應(yīng)無配向區(qū)域的部分填滿經(jīng)表面處理的第一疏離材質(zhì),以使配向膜無法形成于基板的無配向區(qū)域。由此,圍繞基板的有源區(qū)域的無配向區(qū)域可防止水氣通過配向膜所傳遞至有源區(qū)域,以避免水氣影響有源區(qū)域的光學(xué)特性。
[0014]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明一實施例的有源陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0016]圖2A至圖2D為本發(fā)明一實施例的有源陣列基板的制造流程圖;
[0017]圖3為本發(fā)明另一實施例的有源陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]主要元件符號說明
[0019]10:框膠
[0020]100,300:有源陣列基板
[0021]110、210:基板
[0022]111,211:有源區(qū)域
[0023]113、213:無配向區(qū)域
[0024]115、215:框膠區(qū)域
[0025]120、220:導(dǎo)電層
[0026]121、121a、221:溝槽
[0027]123,223:第一疏離材質(zhì)
[0028]130、230:配向膜
[0029]310:低配向區(qū)域
[0030]320:第二疏離材質(zhì)
[0031]KC:長碳鏈
【具體實施方式】
[0032]圖1為依據(jù)本發(fā)明一實施例的有源陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。請參照圖1,在本實施例中,有源陣列基板100包括基板110、導(dǎo)電層120及配向膜130?;寰哂杏性磪^(qū)域111、無配向區(qū)域113及框膠區(qū)域115,其中無配向區(qū)域113圍繞有源區(qū)域111,框膠區(qū)域115圍繞該有源區(qū)域111及無配向區(qū)域113。并且,有源區(qū)域111可以是形成像素結(jié)構(gòu)(未繪示)的區(qū)域,而框膠區(qū)域115在此為配置框膠10的區(qū)域。[0033]導(dǎo)電層120配置于基板110上,且對應(yīng)無配向區(qū)域113形成溝槽121,也即溝槽121整個對應(yīng)無配向區(qū)域113,其中溝槽121中填滿第一疏離材質(zhì)123。并且,第一疏離材質(zhì)123經(jīng)表面處理后會與形成配向膜130的配向膜溶液相互排斥,也即配向膜130的配向膜溶液不易附著于經(jīng)表面處理后的第一疏離材質(zhì)123的表面。進(jìn)一步來說,經(jīng)表面處理后的第一疏離材質(zhì)123的表面與配向膜130的配向膜溶液的接觸角為大于120度。
[0034]在本實施例中,配向膜130的配向膜溶液利用旋轉(zhuǎn)涂布法配置于導(dǎo)電層120上。由于配向膜130的配向膜溶液不易附著于經(jīng)表面處理后的第一疏離材質(zhì)123的表面,因此在旋轉(zhuǎn)涂布的過程中,配向膜130的配向膜溶液不會停留于第一疏離材質(zhì)123的表面(即無配向區(qū)域113),以致于配向膜130不會形成于導(dǎo)電層120上對應(yīng)無配向區(qū)域113的部分,也即配向膜130會配置于導(dǎo)電層120上非對應(yīng)無配向區(qū)域113的部分。
[0035]一般而言,配向膜130在固化后仍會傳遞水氣,而本發(fā)明實施例的無配向區(qū)域113不會形成配向膜130,因此可阻斷水氣的傳導(dǎo)。并且,由于無配向區(qū)域113圍繞有源區(qū)域111,因此可來防止水氣傳導(dǎo)至有源區(qū)域111,以避免水氣影響了有源區(qū)域111的光學(xué)特性。
[0036]在本發(fā)明實施例中,上述表面處理可以是第一疏離材質(zhì)123與化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)后于第一疏離材質(zhì)123的表面形成多個長碳鏈,以降低配向膜130的配向膜溶液于第一疏離材質(zhì)123的表面與附著性。并且,第一疏離材質(zhì)123可以是包含醇官能基(-0H)的材質(zhì),例如二氧化硅(SiO2)或氧化鋁(Al2O3),而表面處理所使用的化學(xué)物質(zhì)可以是硅烷、酸類化學(xué)物質(zhì)及醇類化學(xué)物質(zhì)的其中之一。
[0037]圖2A至圖2D為依據(jù)本發(fā)明一實施例的有源陣列基板的制造流程圖。請參照圖2A至圖2D,有源陣列基板100可利用圖2A至圖2D所示實施例來制造,但本發(fā)明實施例不以此為限。請參照圖2A,在本實施例中,會先配置導(dǎo)電層220于基板210上,其中基板210具有有源區(qū)域211、無配向區(qū)域213及框膠區(qū)域215,并且無配向區(qū)域213圍繞有源區(qū)域211,框膠區(qū)域215圍繞有源區(qū)域211及無配向區(qū)域213。并且,導(dǎo)電層220會對應(yīng)無配向區(qū)域213形成溝槽221。
[0038]請參照圖2B至2D,在本實施例中,在溝槽221中填滿第一疏離材質(zhì)223,并且對第一疏離材質(zhì)223進(jìn)行表面處理以形成多個長碳鏈KC。換言之,若第一疏離材質(zhì)223為包含醇官能基(-0H)的材質(zhì),則與第一疏離材質(zhì)223進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)以形成長碳鏈KC的化學(xué)物質(zhì)可以為硅烷(silane)、酸類化學(xué)物質(zhì)及醇類化學(xué)物質(zhì)的其中之一。
[0039]接著,由于第一疏離材質(zhì)223表面形成多個長碳鏈KC,因此配向膜230的配向膜溶液難以附著于第一疏離材質(zhì)223表面上,由此可降低配向膜230的配向膜溶液于第一疏離材質(zhì)223的附著性,等同于配向膜230的配向膜溶液與經(jīng)表面處理的第一疏離材質(zhì)223相互排斥。因此,在通過旋轉(zhuǎn)涂布配置配向膜230的配向膜溶液于導(dǎo)電層220上的過程中,配向膜230的配向膜溶液不會停留于第一疏離材質(zhì)223的表面,因此配向膜230會形成于導(dǎo)電層220上非對應(yīng)無配向區(qū)域213的部分。
[0040]圖3為依據(jù)本發(fā)明另一實施例的有源陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。請參照圖1及圖3,其相同或相似結(jié)構(gòu)使用相同或相似標(biāo)號。在本實施例中,有源陣列基板300大致相同于有源陣列基板100,其不同之處在于導(dǎo)電層120的溝槽121a同時對應(yīng)基板110的無配向區(qū)域113及低配向區(qū)域310。低配向區(qū)域310圍繞有源區(qū)域111及無配向區(qū)域113,且與框膠區(qū)域115重疊。并且溝槽121a中對應(yīng)低配向區(qū)域310的部分填滿第二疏離材質(zhì)320。[0041]在本實施例中,第二疏離材質(zhì)320可以相同或不同于第一疏離材質(zhì)123,此可依據(jù)本領(lǐng)域通常知識者而變。并且,在進(jìn)行表面處理后,配向膜溶液附著于第二疏離材質(zhì)320的表面的附著度高于第一疏離材質(zhì)123,也即配向膜120的配向膜溶液于經(jīng)表面處理的第二疏離材質(zhì)320的接觸角小于配向膜120的配向膜溶液于經(jīng)表面處理的第一疏離材質(zhì)123的接觸角。由此,框膠10可附著第二疏離材質(zhì)320的表面上,以進(jìn)一步降低水氣傳遞至有源區(qū)域111的可能。
[0042]在本發(fā)明一實施例中,第二疏離材質(zhì)320可相同于第一疏離材質(zhì)123,此時第二疏離材質(zhì)320的表面處理所使用者的化學(xué)材質(zhì)、化學(xué)材質(zhì)的濃度或表面處理的時間會不同于第一疏離材質(zhì)123。
[0043]綜上所述,本發(fā)明實施例的有源陣列基板及其制造方法,其于導(dǎo)電層的溝槽中填滿經(jīng)表面處理的第一疏離材質(zhì),以使配向膜無法形成于基板的無配向區(qū)域。由此,圍繞基板的有源區(qū)域的無配向區(qū)域可防止水氣通過配向膜所傳遞至有源區(qū)域,以避免水氣影響有源區(qū)域的光學(xué)特性。并且,可在溝槽中填滿經(jīng)表面處理的第二疏離材質(zhì),以使框膠可附著于經(jīng)表面處理的第二疏離材質(zhì)上,由此進(jìn)一步降低水氣傳遞至有源區(qū)域111的可能。
[0044]雖然已結(jié)合以上實施例公開了本發(fā)明,然而其并非用以限定本發(fā)明,任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中熟悉此技術(shù)者,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),可作些許的更動與潤飾,故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有源陣列基板,包括: 基板,具有有源區(qū)域、無配向區(qū)域及框膠區(qū)域,其中該無配向區(qū)域圍繞該有源區(qū)域,該框膠區(qū)域圍繞該有源區(qū)域及該無配向區(qū)域; 導(dǎo)電層,配置于該基板上,且形成一溝槽,其中該溝槽對應(yīng)該無配向區(qū)的部分填滿一第一疏離材質(zhì),且該第一疏離材質(zhì)經(jīng)一表面處理;以及 配向膜,配置于該導(dǎo)電層上非對應(yīng)該無配向區(qū)域的部分,該配向膜由一配向膜溶液所形成,其中該配向膜溶液與經(jīng)該表面處理的該第一疏離材質(zhì)相互排斥。
2.如權(quán)利要求1所述的有源陣列基板,其中經(jīng)該表面處理后的該第一疏離材質(zhì)與該配向膜溶液的接觸角大于120度。
3.如權(quán)利要求1所述的有源陣列基板,其中該第一疏離材質(zhì)為包含醇官能基的材質(zhì)。
4.如權(quán)利要求1所述的有源陣列基板,其中該表面處理為該第一疏離材質(zhì)與一化學(xué)物質(zhì)化學(xué)反應(yīng)后于該第一疏離材質(zhì)的表面形成多個長碳鏈以降低該配向膜溶液于該第一疏離材質(zhì)的附著性。
5.如權(quán)利要求4所述的有源陣列基板,其中該化學(xué)物質(zhì)為硅烷、酸類化學(xué)物質(zhì)及醇類化學(xué)物質(zhì)的其中之一。
6.如權(quán)利要求1所述的有源陣列基板,其中該基板還包括一低配向區(qū)域,圍繞該有源區(qū)域及該無配向區(qū)域,且與該框膠區(qū)域重疊,該溝槽對應(yīng)該低配向區(qū)域的部分填滿一第二疏離材質(zhì),該配向膜溶液于 經(jīng)該表面處理的該第二疏離材質(zhì)的接觸角小于該配向膜溶液于經(jīng)該表面處理的該第一疏離材質(zhì)接觸角。
7.如權(quán)利要求1所述的有源陣列基板,其中該配向膜溶液利用旋轉(zhuǎn)涂布法配置于該導(dǎo)電層上。
8.一種有源陣列基板的制造方法,包括: 配置一導(dǎo)電層于一基板上,其中該基板具有有源區(qū)域、無配向區(qū)域及框膠區(qū)域,該無配向區(qū)域圍繞該有源區(qū)域,該框膠區(qū)域圍繞該有源區(qū)域及該無配向區(qū)域; 于該導(dǎo)電層形成一溝槽; 在該溝槽對應(yīng)該無配向區(qū)域的部分填滿一第一疏離材質(zhì); 對該第一疏離材質(zhì)進(jìn)行一表面處理;以及 配置一配向膜溶液于該導(dǎo)電層上以于該導(dǎo)電層上非對應(yīng)無配向區(qū)域的部分形成一配向膜,其中該配向膜溶液與經(jīng)該表面處理的該第一疏離材質(zhì)相互排斥。
9.如權(quán)利要求8所述的有源陣列基板的制造方法,其中經(jīng)該表面處理后的該第一疏離材質(zhì)與該配向膜溶液的接觸角大于120度。
10.如權(quán)利要求8所述的有源陣列基板的制造方法,其中該第一疏離材質(zhì)為包含醇官能基的材質(zhì)。
11.如權(quán)利要求8所述的有源陣列基板的制造方法,其中該表面處理為該第一疏離材質(zhì)與一化學(xué)物質(zhì)化學(xué)反應(yīng)后于該第一疏離材質(zhì)的表面形成多個長碳鏈以降低該配向膜溶液于該第一疏離材質(zhì)的附著性。
12.如權(quán)利要求11所述的有源陣列基板的制造方法,其中該化學(xué)物質(zhì)為硅烷、酸類化學(xué)物質(zhì)及醇類化學(xué)物質(zhì)的其中之一。
13.如權(quán)利要求8所述的有源陣列基板的制造方法,還包括:在該溝槽對應(yīng)該基板的一低配向區(qū)域的部分填滿一第二疏離材質(zhì),其中該低配向區(qū)域圍繞該有源區(qū)域及該無配向區(qū)域,且與該框膠區(qū)域重疊;以及 對該第一疏離材質(zhì)經(jīng) 一表面處理,其中該配向膜溶液于經(jīng)該表面處理的該第二疏離材質(zhì)的接觸角小于該配向膜溶液于經(jīng)該表面處理的該第一疏離材質(zhì)接觸角。
14.如權(quán)利要求8所述的有源陣列基板的制造方法,其中該配向膜溶液利用旋轉(zhuǎn)涂布法配置于該導(dǎo)電層上。
【文檔編號】G02F1/1333GK103941478SQ201310016936
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年1月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月17日
【發(fā)明者】潘柏宏 申請人:立景光電股份有限公司
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