脊型光波導(dǎo)的制造方法
【專利摘要】一種脊型光波導(dǎo)的制造方法，一種脊型光波導(dǎo)的制造方法，其包括以下步驟：提供一個(gè)基底；在該基底上鍍一個(gè)蝕刻阻抗層；將設(shè)置有該蝕刻阻抗層的基底浸入第一種蝕刻液中進(jìn)行濕式蝕刻形成一個(gè)脊型結(jié)構(gòu)；去掉該蝕刻阻抗層；在該脊型結(jié)構(gòu)上鍍一個(gè)鈦金屬層；及對(duì)該鈦金屬層進(jìn)行高溫?cái)U(kuò)散，使該鈦金屬層擴(kuò)散到脊型結(jié)構(gòu)內(nèi)。該脊型光波導(dǎo)的制造方法的制程簡(jiǎn)單，制造成本低。
【專利說(shuō)明】脊型光波導(dǎo)的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種脊型光波導(dǎo)的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的脊型光波導(dǎo)一般是利用活性離子蝕刻法制造，其首先通入四氟化氮(CF4)與氧氣(O2)，再加上高頻電壓，以解出氟離子而成為電漿，利用氟離子的動(dòng)能和化學(xué)反應(yīng)能力很強(qiáng)的特性進(jìn)行蝕刻。但是，這種蝕刻方法中，CF4與O2的比例不同所產(chǎn)生的蝕刻效率和品質(zhì)也會(huì)不同，要找出最佳比例尤為復(fù)雜，另外，該制程設(shè)備昂貴，不適合量產(chǎn)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]有鑒于此，有必要提供一種制程簡(jiǎn)單，制造成本低的脊型光波導(dǎo)的制造方法。
[0004]一種脊型光波導(dǎo)的制造方法，其包括以下步驟:
提供一個(gè)基底；
在該基底上鍍一個(gè)蝕刻阻抗層；
將設(shè)置有該蝕刻阻抗層的基底浸入第一種蝕刻液中進(jìn)行濕式蝕刻形成一個(gè)脊型結(jié)
構(gòu)；
去掉該蝕刻阻抗層；
在該脊型結(jié)構(gòu)上鍍一個(gè)鈦金屬層；及
對(duì)該鈦金屬層進(jìn)行高溫?cái)U(kuò)散，使該鈦金屬層擴(kuò)散到脊型結(jié)構(gòu)內(nèi)。
[0005]本發(fā)明的脊型光波導(dǎo)的制造方法，通過(guò)在基底上設(shè)置蝕刻阻抗層，再進(jìn)行濕蝕刻，最后進(jìn)行鈦金屬層的擴(kuò)散，整個(gè)制程簡(jiǎn)單，由于采用化學(xué)蝕刻，制造成本較低，適合量產(chǎn)。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1為本發(fā)明提供的脊型光波導(dǎo)的制造方法的制程示意圖。
[0007]圖2為本發(fā)明提供的脊型光波導(dǎo)的制造方法的流程圖。
[0008]主要元件符號(hào)說(shuō)明
【權(quán)利要求】
1.一種脊型光波導(dǎo)的制造方法，其包括以下步驟: 提供一個(gè)基底； 在該基底上鍍一個(gè)蝕刻阻抗層； 將設(shè)置有該蝕刻阻抗層的基底浸入第一種蝕刻液中進(jìn)行濕式蝕刻形成一個(gè)脊型結(jié)構(gòu)； 去掉該蝕刻阻抗層； 在該脊型結(jié)構(gòu)上鍍一個(gè)鈦金屬層；及 對(duì)該鈦金屬層進(jìn)行高溫?cái)U(kuò)散，使該鈦金屬層擴(kuò)散到脊型結(jié)構(gòu)內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的脊型光波導(dǎo)的制造方法，其特征在于，該基底的材料采用鈮酸裡晶體。
3.如權(quán)利要求1所述的脊型光波導(dǎo)的制造方法，其特征在于，該基底呈矩形，該蝕刻阻抗層鍍?cè)O(shè)于該基底的頂面上。
4.如權(quán)利要求1所述的脊型光波導(dǎo)的制造方法，其特征在于，該第一種蝕刻液為氫氟酸。
5.如權(quán)利要求1所述的脊型光波導(dǎo)的制造方法，其特征在于，該蝕刻阻抗層采用鉻金屬。
6.如權(quán)利要求1所述的脊型光波導(dǎo)的制造方法，其特征在于，將蝕刻阻抗層浸入第二種蝕刻液中以去掉該蝕刻阻抗層。
7.如權(quán)利要求6所述的脊型光波導(dǎo)的制造方法，其特征在于，該第二種蝕刻液為含有硝酸的鉻蝕刻液。
8.如權(quán)利要求1所述的脊型光波導(dǎo)的制造方法，其特征在于，該鈦金屬層的寬度小于該脊型結(jié)構(gòu)的寬度。
9.如權(quán)利要求1所述的脊型光波導(dǎo)的制造方法，其特征在于，該基底的蝕刻時(shí)間為4小時(shí)。
10.如權(quán)利要求1所述的脊型光波導(dǎo)的制造方法，其特征在于，去掉該蝕刻阻抗層所用的時(shí)間為10-20分鐘。
【文檔編號(hào)】G02B6/13GK103869415SQ201210547273
【公開(kāi)日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2012年12月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月17日
【發(fā)明者】黃新舜 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司